專利名稱：光盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種向形成有表示地址信息等的預(yù)凹槽的光盤中記錄數(shù)據(jù)的和/或從光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的光盤裝置。
在相鄰的溝間表面部上形成的預(yù)凹槽，與凹槽的擺動(dòng)檢測(cè)相同，作為來自凹槽的外側(cè)(盤半徑方向外周一側(cè)的相鄰的溝間表面部)的反射光和來自內(nèi)側(cè)(盤半徑方向內(nèi)周一側(cè)的相鄰的溝間表面部)的反射光的差動(dòng)信號(hào)被檢測(cè)。圖2表示了在上述的檢測(cè)后，變換為電信號(hào)的差動(dòng)信號(hào)。差動(dòng)信號(hào)中包含表示擺動(dòng)信息的擺動(dòng)信號(hào)成分和與預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)的預(yù)凹槽信號(hào)成分。例如在特開2000-195958號(hào)公報(bào)等中記載了檢測(cè)預(yù)凹槽信號(hào)成分的方法。
但是，由于盤制造過程中的切割條件等，在光盤上形成的預(yù)凹槽的形狀有時(shí)會(huì)偏離所希望的形狀。另外，由于在檢測(cè)預(yù)凹槽時(shí)的光拾波器的再現(xiàn)射束點(diǎn)形狀(特別是半徑方向的射束點(diǎn)形狀)或盤的撓曲(傾斜)等，使檢測(cè)信號(hào)的振幅中發(fā)生偏移。當(dāng)在記錄磁道中記錄有數(shù)據(jù)時(shí)，有時(shí)也會(huì)檢測(cè)到與本來應(yīng)在差動(dòng)信號(hào)中被除去的記錄數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的信號(hào)成分。因此，就有可能產(chǎn)生通過使用的盤與裝置的組合，無法檢測(cè)正確的預(yù)凹槽信號(hào)的情況。
因此，對(duì)于各個(gè)裝置和光盤，有必要分別調(diào)整光盤裝置中的預(yù)凹槽信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng)。特別是伴隨著所記錄的數(shù)據(jù)的高密度化，恰當(dāng)?shù)貦z測(cè)預(yù)凹槽信號(hào)變得很困難，所以在對(duì)應(yīng)于更大記錄容量的光盤的光盤裝置中，通過更正確地檢測(cè)預(yù)凹槽信號(hào)來生成同步信號(hào)是重要的。
本發(fā)明的光盤裝置是在記錄有數(shù)據(jù)的磁道的至少一方的側(cè)端部上形成有預(yù)凹槽的光盤上記錄數(shù)據(jù)和/或從所述光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的光盤裝置。包括在所述光盤的所述磁道上照射光束的光照射元件；是檢測(cè)來自照射了所述光束的所述磁道的反射光的光檢測(cè)器，即檢測(cè)來自所述磁道的一方的側(cè)端部的第一反射光和來自另一方的側(cè)端部的第二反射光的光檢測(cè)器；生成與所述第一反射光對(duì)應(yīng)的第一檢測(cè)信號(hào)和與所述第二反射光對(duì)應(yīng)的第二檢測(cè)信號(hào)的差動(dòng)信號(hào)的減法器；是放大來自所述減法器的輸出的放大器，即能使放大率變化的的放大器。從所述差動(dòng)信號(hào)檢測(cè)所述預(yù)凹槽。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括判斷所述差動(dòng)信號(hào)中表示預(yù)凹槽的信號(hào)成分與所述光盤中設(shè)置的所述預(yù)凹槽是否對(duì)應(yīng)的預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器，根據(jù)所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器的輸出，設(shè)置了所述放大器的放大率。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括把由所述放大器放大的差動(dòng)信號(hào)二值化的二值化電路，所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器判斷從所述二值化電路輸出的二值化信號(hào)與所述光盤中設(shè)置的所述預(yù)凹槽是否對(duì)應(yīng)。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，在固定了所述二值化電路的限幅電平的狀態(tài)下，根據(jù)使所述放大器的放大率變化時(shí)的所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器的輸出，設(shè)置了所述放大器的放大率。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，根據(jù)由在所述光盤上未記錄數(shù)據(jù)的磁道部分檢測(cè)的所述第一和第二反射光生成的差動(dòng)信號(hào)，設(shè)置所述放大器的放大率。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，使用所述光照射元件，在所述光盤上記錄表示設(shè)置的所述放大率的信息。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括存儲(chǔ)表示設(shè)置的所述放大率的信息的存儲(chǔ)裝置。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括調(diào)整與所述第一反射光對(duì)應(yīng)的第一檢測(cè)信號(hào)和與所述第二反射光對(duì)應(yīng)的第二檢測(cè)信號(hào)的大小的比的平衡調(diào)整器，所述減法器生成調(diào)節(jié)了所述大小的比的所述第一檢測(cè)信號(hào)和所述第二檢測(cè)信號(hào)的差動(dòng)信號(hào)。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括判斷所述差動(dòng)信號(hào)中表示預(yù)凹槽的信號(hào)成分是否對(duì)應(yīng)于所述光盤中設(shè)置的所述預(yù)凹槽的預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括根據(jù)所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器的判斷結(jié)果，測(cè)定預(yù)凹槽檢測(cè)率的預(yù)凹槽檢測(cè)率測(cè)定器，所述平衡調(diào)整器根據(jù)所述預(yù)凹槽檢測(cè)率設(shè)置所述大小的比。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括把所述差動(dòng)信號(hào)二值化的二值化電路，所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器判斷從所述二值化電路輸出的二值化信號(hào)是否與所述光盤中設(shè)置的所述預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括能使所述二值化電路中的限幅電平變化的限幅電平設(shè)置電路，所述限幅電平設(shè)置電路根據(jù)所述預(yù)凹槽檢測(cè)率，設(shè)置所述限幅電平。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)使預(yù)先設(shè)置的所述大小的比的初始值為初始平衡值BO，并且使預(yù)先設(shè)置的所述限幅電平的初始值為初始限幅值SO時(shí)，通過比較在所述初始平衡值BO的所述預(yù)凹槽檢測(cè)值D(BO)和在與所述初始平衡值BO只有給定的平衡量ΔB的不同的平衡值B1的所述預(yù)凹槽檢測(cè)率D(B1)，估計(jì)應(yīng)該設(shè)置的所述大小的比，并且，通過比較在所述初始限幅值SO的所述預(yù)凹槽檢測(cè)率D(SO)和與所述初始限幅電平值SO只有給定的限幅量ΔS不同的限幅值S1的所述預(yù)凹槽檢測(cè)率D(S1)，估計(jì)所述應(yīng)該設(shè)置的限幅電平。999在某優(yōu)選實(shí)施例中，根據(jù)在所述光盤上的記錄有數(shù)據(jù)的磁磁道部分由檢測(cè)的所述第一和第二反射光生成的差動(dòng)信號(hào)，設(shè)置了所述大小的比和所述限幅電平。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)正在所述光盤的所述磁磁道中記錄數(shù)據(jù)時(shí)，設(shè)置了所述大小的比和所述限幅電平。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，使用所述光照射元件，在所述光盤中記錄表示設(shè)置的所述大小的比和限幅電平的信息。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，還包括存儲(chǔ)所設(shè)定的所述大小的比和限幅電平的存儲(chǔ)裝置。
在某優(yōu)選實(shí)施例中，所述光盤的所述磁磁道擺動(dòng)，還包括生成與所述擺動(dòng)對(duì)應(yīng)的二值化信號(hào)的擺動(dòng)二值化電路；所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器，使用根據(jù)所述擺動(dòng)二值化電路的輸出而生成的預(yù)凹槽預(yù)測(cè)信號(hào)，來判斷所述差動(dòng)信號(hào)的表示預(yù)凹槽的信號(hào)成分是否與所述預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)。


圖1是放大表示光盤的一部分的立體圖。
圖2是表示從光盤檢測(cè)的差動(dòng)信號(hào)(預(yù)凹槽信號(hào)和擺動(dòng)信號(hào))的圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的整體系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的圖。
圖4是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的反射光檢測(cè)的圖，(a)表示光盤上形成的光點(diǎn)，(b)和(c)表示光檢測(cè)元件的結(jié)構(gòu)。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的預(yù)凹槽信號(hào)檢測(cè)塊的圖。
圖6是用于說明按照差動(dòng)信號(hào)而生成不同的預(yù)凹槽二值化信號(hào)的圖，(a)～(c)分別表示差動(dòng)信號(hào)的振幅不相同的情形，(d)表示數(shù)據(jù)信號(hào)泄漏混入差動(dòng)信號(hào)中的情形。
圖7是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的增益設(shè)置方法的圖，(a)是有關(guān)增益設(shè)置方法的程序框圖，(b)表示各步驟中差動(dòng)信號(hào)和預(yù)凹槽二值化信號(hào)。
圖8(a)表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路的結(jié)構(gòu)，(b)表示預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路中使用的信號(hào)。
圖9是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的增益設(shè)置方法的圖，(a)表示了再現(xiàn)數(shù)據(jù)未記錄區(qū)域的情形，(b)表示再現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的情形。
圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路的結(jié)構(gòu)的圖。
圖11(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的平衡增益和預(yù)凹槽檢測(cè)量的關(guān)系的曲線圖，(b)～(d)分別表示設(shè)置在不同的平衡增益下的情形。
圖12(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的限幅電平和預(yù)凹槽檢測(cè)量的關(guān)系的曲線圖，(b)～(d)分別表示設(shè)置為不同的限幅電平的情形。
圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的對(duì)平衡增益和限幅電平的預(yù)凹槽檢測(cè)率的圖。
圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的記錄時(shí)的激光發(fā)光波形和形成的標(biāo)記的圖。
圖15(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的記錄動(dòng)作時(shí)的平衡增益和預(yù)凹槽檢測(cè)量的關(guān)系的曲線圖，(b)～(d)分別表示設(shè)置為不同的平衡增益的情形。
圖16是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的平衡增益和限幅電平的設(shè)置方法的圖。
圖17是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置的平衡增益和限幅電平的設(shè)置方法的圖。
下面簡(jiǎn)要說明附圖符號(hào)。
1-半導(dǎo)體激光控制塊；2-光拾波器；3-半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)塊；4-光盤；5-光檢測(cè)部；6-光檢測(cè)元件；7-再現(xiàn)信號(hào)處理塊；8-預(yù)凹槽信號(hào)檢測(cè)塊；9-數(shù)據(jù)檢測(cè)塊；10-中央控制塊；11-減法電路；12-平衡增益電路；13-增益放大器；14-二值化電路；15-穩(wěn)壓發(fā)生電路；16-擺動(dòng)增益放大器；17-帶通濾波器；18-擺動(dòng)二值化電路；19-預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路；20-預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路；21-伺服處理塊；22-DA轉(zhuǎn)換器；50-預(yù)凹槽檢測(cè)塊；60-擺動(dòng)檢測(cè)塊；a、b-聚焦檢測(cè)信號(hào)；c、d-跟蹤檢測(cè)信號(hào)；e-聚焦控制信號(hào)；f-跟蹤控制信號(hào)；g、h、i、j、k-控制信號(hào)；1u-差動(dòng)信號(hào)；2u-差動(dòng)信號(hào)；m-平衡增益控制信號(hào)；n-增益放大器控制信號(hào)；o-限幅信號(hào)；p-限幅信號(hào)選擇信號(hào)；q-限幅電平設(shè)置信號(hào)；r-預(yù)凹槽二值化信號(hào)；s-擺動(dòng)二值化信號(hào)信號(hào)；t1-固定限幅電平。
如圖1所示，本實(shí)施例的光盤裝置能在記錄有數(shù)據(jù)的信息磁道(本實(shí)施例中是凹槽)的至少一方的側(cè)端部(本實(shí)施例中是相鄰的溝間表面部)上形成有預(yù)凹槽的光盤(例如DVD-R)上記錄數(shù)據(jù)或從這樣的光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的光盤裝置。另外，信息磁道(以下稱作磁道)是指光盤上劃分為線狀的記錄區(qū)域，典型地是指凹槽和溝間表面部。另外，在本實(shí)施例使用的光盤上形成同心圓狀或螺旋狀的凹槽，該凹槽如圖1所示，以給定的頻率擺動(dòng)。
圖3表示了本實(shí)施例中光盤裝置100的整體結(jié)構(gòu)。光盤裝置100包括對(duì)于光盤4進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和讀出的光拾波器2；控制光拾波器2的動(dòng)作的半導(dǎo)體激光控制塊1和伺服處理塊21；處理來自光拾波器2的再現(xiàn)信號(hào)的再現(xiàn)信號(hào)處理塊7；進(jìn)行整體控制的中央控制塊10。
下面，說明光盤裝置100檢測(cè)光盤4上形成的預(yù)凹槽和光盤4上形成的凹槽的擺動(dòng)的動(dòng)作。
光拾波器2的半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)塊3根據(jù)由半導(dǎo)體激光控制塊1設(shè)置的再現(xiàn)能量，決定光拾波器2中設(shè)置的半導(dǎo)體激光裝置(圖中未顯示)的驅(qū)動(dòng)電流。這樣，光拾波器2以給定的激光能量在光盤4上照射光束，如圖1或圖4(a)所示，在光盤的磁道(在此是凹槽)上形成光點(diǎn)。
照射的光束被光盤4反射，該反射光由光拾波器2的光檢測(cè)部5中設(shè)置的光檢測(cè)元件6(參照?qǐng)D4(b))檢測(cè)。光檢測(cè)元件6具有至少兩個(gè)受光部，它們被配置為在檢測(cè)反射光時(shí)，與凹槽的前進(jìn)方向(磁道方向)正交的方向(即盤的半徑方向)平行。更具體地說，光檢測(cè)元件6具有四個(gè)受光部A～D，受光部A和B對(duì)于磁道的中心LO配置在光盤外周一側(cè)，受光部C～D對(duì)于磁道的中心LO配置在光盤內(nèi)周一側(cè)。另外，光探測(cè)器6在各受光部A～D中，不僅檢測(cè)來自凹槽的反射光，還檢測(cè)來自相鄰的溝間表面部和相鄰的溝間表面部上設(shè)置的預(yù)凹槽的反射光。
通過使用這樣構(gòu)成的光檢測(cè)元件6，能分別檢測(cè)來自圖4(a)所示的凹槽的一方(盤的外周一側(cè))側(cè)端部R1的反射光和來自凹槽的另一方(盤的內(nèi)周一側(cè))側(cè)端部R2的反射光。在本說明書中，凹槽的側(cè)端部對(duì)應(yīng)于凹槽的側(cè)端或側(cè)緣(與該凹槽相鄰的溝間表面部的邊界)附近的區(qū)域，含有相鄰的溝間表面部。
另外，在所述中，為了簡(jiǎn)化說明，使用了光檢測(cè)元件6分別檢測(cè)來自磁道的一方的側(cè)端部的反射光和來自另一方的側(cè)端部的反射光的表現(xiàn)，但是，光檢測(cè)元件6實(shí)際上沒必要分別檢測(cè)按如上區(qū)分的反射光。光檢測(cè)元件6可以檢測(cè)來自光盤的反射光的強(qiáng)度分布的非對(duì)稱性(對(duì)于當(dāng)無視擺動(dòng)時(shí)規(guī)定了磁道中心的線的非對(duì)稱性)，通過使用它，能得到表示磁道的形狀的非對(duì)稱性的信號(hào)。在本說明書中，為了方便，把具有這樣的功能的光檢測(cè)元件稱作分別檢測(cè)來自磁道的一方的側(cè)端部的反射光和來自另一方的側(cè)端部的反射光的光檢測(cè)元件。
如圖4(b)所示，通過把受光部A和B的輸出相加，并且把受光部C和D的輸出相加，把由光檢測(cè)元件6檢測(cè)的反射光變換為跟蹤檢測(cè)信號(hào)c、d。該跟蹤檢測(cè)信號(hào)c、d分別對(duì)應(yīng)于來自凹槽的外周一側(cè)的側(cè)端部R1的反射光和來自內(nèi)周一側(cè)的側(cè)端部R2的反射光。另外，由圖4(c)所示的光檢測(cè)元件6b檢測(cè)的反射光被變換為聚焦檢測(cè)信號(hào)a、b。如圖3所示，這些檢測(cè)信號(hào)被輸入磁道伺服處理塊21中。在伺服處理塊21，根據(jù)聚焦檢測(cè)信號(hào)a、b生成聚焦控制信號(hào)e，并且，根據(jù)跟蹤檢測(cè)信號(hào)c、d生成跟蹤控制信號(hào)f。聚焦控制信號(hào)e和跟蹤控制信號(hào)f被輸出到光拾波器2，由此控制光拾波器2，使激光束能在光盤4上正確地聚焦和跟蹤。另外，用眾所周知的方法實(shí)現(xiàn)這樣的聚焦控制和跟蹤控制。
從光檢測(cè)部5輸出的檢測(cè)信號(hào)a、b、c、d輸入到再現(xiàn)信號(hào)處理塊7的數(shù)據(jù)檢測(cè)塊9，能從該檢測(cè)信號(hào)a、b、c、d再現(xiàn)光盤4上記錄的數(shù)據(jù)。從光檢測(cè)部5輸出的檢測(cè)信號(hào)a、b、c、d中，與來自磁道的外周一側(cè)的側(cè)端部R1的反射光的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的檢測(cè)信號(hào)c和與來自磁道的內(nèi)周一側(cè)的側(cè)端部R2的反射光的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的檢測(cè)信號(hào)d被輸入到再現(xiàn)信號(hào)處理塊7的預(yù)凹槽信號(hào)檢測(cè)塊8。在預(yù)凹槽信號(hào)檢測(cè)塊8中，正如以下所詳述的，根據(jù)檢測(cè)信號(hào)c和d，進(jìn)行對(duì)光盤4上設(shè)置的預(yù)凹槽和凹槽擺動(dòng)的檢測(cè)。另外，以上說明的半導(dǎo)體激光控制塊1、伺服處理塊21、再現(xiàn)信號(hào)處理塊7的動(dòng)作由來自中央控制塊10的控制信號(hào)g、h、I、j控制。另外，通過中央控制塊10，還能由外部計(jì)算機(jī)用控制信號(hào)k(未圖示)控制。
下面，就預(yù)凹槽信號(hào)檢測(cè)塊8的整體結(jié)構(gòu)加以更詳細(xì)的說明。
圖5表示了預(yù)凹槽信號(hào)檢測(cè)塊8的整體結(jié)構(gòu)。如圖所示，把如上所述取得的與凹槽的外周一側(cè)和內(nèi)周一側(cè)分別對(duì)應(yīng)的檢測(cè)信號(hào)c和檢測(cè)信號(hào)d輸入減法電路11。減法電路11通過把這些信號(hào)相減，生成圖2所示的差動(dòng)信號(hào)1u。但是，預(yù)凹槽信號(hào)檢測(cè)塊8具有在輸入到減法電路11前能調(diào)節(jié)檢測(cè)信號(hào)d的平衡增益電路12，通過該平衡增益電路12，能調(diào)整檢測(cè)信號(hào)c和檢測(cè)信號(hào)d的大小的比。即能調(diào)整在減法電路11的相減比率。另外，平衡增益電路12的增益調(diào)整是根據(jù)平衡增益控制信號(hào)m進(jìn)行的，在后面將詳細(xì)說明該動(dòng)作。
從減法電路11輸出的差動(dòng)信號(hào)1u輸入到增益放大器13。該增益放大器13按照增益放大器設(shè)置為任意的增益(能任意地使放大率變化)。由此，能得到用給定的放大率放大的差動(dòng)信號(hào)2u。這樣在本實(shí)施例中，通過使用增益放大器13適當(dāng)放大差動(dòng)信號(hào)，能提高預(yù)凹槽檢測(cè)的精度。另外，在后面將詳細(xì)說明增益放大器13的動(dòng)作。
從增益放大器13輸出的差動(dòng)信號(hào)2u接著輸入到預(yù)凹槽檢測(cè)塊50和擺動(dòng)檢測(cè)塊60，在其中分別進(jìn)行預(yù)凹槽的檢測(cè)和凹槽擺動(dòng)的檢測(cè)。
在預(yù)凹槽檢測(cè)塊50中，輸入到二值化電路14的差動(dòng)信號(hào)2u通過用限幅信號(hào)o規(guī)定的限幅電平限幅，被二值化。二值化的信號(hào)作為預(yù)凹槽二值化信號(hào)r輸出到中央控制塊10。另外，作為限幅信號(hào)o，按照限幅信號(hào)選擇信號(hào)p，選擇了穩(wěn)壓發(fā)生電路15的輸出或能設(shè)置為由限幅電平設(shè)置信號(hào)q控制的任意任意電平的DA轉(zhuǎn)換器22的輸出中的任意一個(gè)。
而在擺動(dòng)檢測(cè)塊60中，輸入到擺動(dòng)增益放大器16的差動(dòng)信號(hào)2u被設(shè)置為任意的增益，另外從該擺動(dòng)增益放大器16輸出的信號(hào)通過帶通濾波器17只抽出擺動(dòng)信號(hào)的基波成分，去掉了基波的噪聲成分。該擺動(dòng)信號(hào)的噪聲成分中含有與記錄數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)信號(hào)和預(yù)凹槽信號(hào)。通過帶通濾波器17后的擺動(dòng)信號(hào)在擺動(dòng)二值化電路18被二值化，作為擺動(dòng)二值化信號(hào)s，與預(yù)凹槽二值化信號(hào)r同樣輸入到中央控制塊10。
這樣，本實(shí)施例的光盤裝置100從檢測(cè)信號(hào)c和d的差動(dòng)信號(hào)2u進(jìn)行預(yù)凹槽的檢測(cè)和擺動(dòng)的檢測(cè)，但是，通過增益放大器13中的增益設(shè)置、平衡增益電路12中的平衡增益的設(shè)置以及二值化電路14中的限幅電平的設(shè)置，能更正確地檢測(cè)預(yù)凹槽。更具體地說，首先使用增益放大器13，放大差動(dòng)信號(hào)，使差動(dòng)信號(hào)中的預(yù)凹槽信號(hào)成分最容易被檢測(cè)，然后，通過基于平衡增益電路12的差動(dòng)信號(hào)波形的調(diào)節(jié)以及二值化時(shí)限幅電平的調(diào)節(jié)，能以高精度檢測(cè)預(yù)凹槽。
首先，就增益放大器13的增益設(shè)置的動(dòng)作加以說明。如圖1所示，通過檢測(cè)在凹槽上形成光點(diǎn)的光束的反射光，檢測(cè)光盤4上的預(yù)凹槽。當(dāng)采用這樣的預(yù)凹槽檢測(cè)方法時(shí)，當(dāng)相對(duì)于光點(diǎn)預(yù)凹槽小時(shí)，圖5所示的差動(dòng)信號(hào)1u的振幅(即預(yù)凹槽信號(hào)的振幅)容易變小。反之，當(dāng)相對(duì)于光點(diǎn)預(yù)凹槽大時(shí)，預(yù)凹槽信號(hào)的振幅容易變大。因?yàn)轭A(yù)凹槽信號(hào)還會(huì)由于其它的很多要素而變化，所以不能與所述的一概而論，如果光盤和光盤裝置的組合變化，預(yù)凹槽和光點(diǎn)的尺寸的大小關(guān)系也變化。由此，預(yù)凹槽信號(hào)的振幅變化。另外，預(yù)凹槽信號(hào)的振幅能隨著例如光盤4上形成的預(yù)凹槽的形狀、作為記錄膜而涂抹的記錄媒體的反射率、或凹槽磁道以及溝間表面部的寬度等而變化。
因此，由于光盤和光盤裝置的組合，如果不調(diào)節(jié)差動(dòng)信號(hào)的放大率，有時(shí)其振幅就不適當(dāng)。此時(shí)，預(yù)凹槽的檢測(cè)精度下降。圖6(a)～(c)分別表示了差動(dòng)信號(hào)2u(即含有預(yù)凹槽信號(hào)成分和擺動(dòng)信號(hào)成分的信號(hào))的振幅有大小偏移時(shí)生成的預(yù)凹槽二值化信號(hào)。如圖6(a)所示，對(duì)于當(dāng)振幅適當(dāng)時(shí)(為正常振幅時(shí))，得到所希望的預(yù)凹槽二值化信號(hào)，而如圖6(b)所示，與正常振幅時(shí)相比，差動(dòng)信號(hào)2u的振幅小時(shí)，因?yàn)轭A(yù)凹槽信號(hào)的振幅不超過二值化電路14的限幅電平，所以無法得到與預(yù)凹槽信號(hào)對(duì)應(yīng)的脈沖信號(hào)。另外，即使能檢測(cè)，由于預(yù)凹槽信號(hào)未被適當(dāng)?shù)碾娖较薹?，所以生成了表示預(yù)凹槽的脈沖中含有很多跳動(dòng)的二值化信號(hào)。
另外，如圖6(c)所示，當(dāng)與正常振幅時(shí)相比，差動(dòng)信號(hào)2u的振幅大時(shí)，不只是預(yù)凹槽信號(hào)，就連擺動(dòng)信號(hào)也被二值化，從而無法取得所希望的預(yù)凹槽二值化信號(hào)。
如圖6(d)所示，當(dāng)在溝部記錄有數(shù)據(jù)時(shí)，基于記錄標(biāo)記的有無的反射率變化混入差動(dòng)信號(hào)2u，成為對(duì)預(yù)凹槽信號(hào)的根源和擺動(dòng)信號(hào)的干擾。因此，當(dāng)差動(dòng)信號(hào)2u的振幅相對(duì)于限幅電平比較大時(shí)，會(huì)發(fā)生預(yù)凹槽信號(hào)的誤檢測(cè)，或跳動(dòng)增加的問題。因?yàn)槭褂妙A(yù)凹槽二值化信號(hào)作為光盤4的地址檢測(cè)時(shí)的同步信號(hào)，所以，如果預(yù)凹槽未被檢出，或跳動(dòng)增加就意味著無法取得正確的定時(shí)信息。結(jié)果，導(dǎo)致無法正確地檢測(cè)地址。同樣的混入現(xiàn)象在使用光拾波器2記錄數(shù)據(jù)時(shí)也會(huì)發(fā)生。預(yù)凹槽二值化信號(hào)是用于記錄數(shù)據(jù)時(shí)，檢測(cè)光盤上的正確位置的。因此，當(dāng)無法取得適當(dāng)?shù)念A(yù)凹槽二值化信號(hào)時(shí)，對(duì)于光盤上規(guī)定的區(qū)域，將無法在正確的位置形成記錄標(biāo)記。
因此，特別是把光盤裝填到光盤裝置中時(shí)，最好適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)預(yù)凹槽信號(hào)的振幅即差動(dòng)信號(hào)1u的振幅，使預(yù)凹槽的檢測(cè)能恰當(dāng)?shù)剡M(jìn)行。圖7(a)是表示使用增益放大器13進(jìn)行的本實(shí)施例中差動(dòng)信號(hào)1u的振幅調(diào)整動(dòng)作的程序框圖，圖7(b)表示了各過程中差動(dòng)信號(hào)和限幅信號(hào)的關(guān)系以及此時(shí)生成的預(yù)凹槽二值化信號(hào)和擺動(dòng)二值化信號(hào)。
如步驟S10所示，調(diào)整差動(dòng)信號(hào)的振幅時(shí)，把限幅信號(hào)o的信號(hào)電平(限幅電平)設(shè)置為根據(jù)限幅信號(hào)選擇信號(hào)p用穩(wěn)壓發(fā)生電路15設(shè)置的固定電平t1。該固定限幅電平t1最好設(shè)置在把預(yù)凹槽信號(hào)二值化的二值化電路14的動(dòng)態(tài)范圍上限附近(即能設(shè)置的限幅電平中的最大值附近)。
接著，如步驟S12所示，根據(jù)增益放大器控制信號(hào)n把增益放大器13設(shè)置為最小增益。當(dāng)增益放大器13設(shè)置為最小增益時(shí)，因?yàn)椴顒?dòng)信號(hào)中的預(yù)凹槽信號(hào)低于限幅電平，所以在二值化電路14中生成的預(yù)凹槽二值化信號(hào)中與預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)的脈沖不出現(xiàn)。
然后，如步驟S14所示，根據(jù)增益放大器控制信號(hào)使增益放大器13的增益逐漸上升，放大差動(dòng)信號(hào)。在該過程中，如果放大的差動(dòng)信號(hào)達(dá)到限幅電平，在預(yù)凹槽二值化信號(hào)中出現(xiàn)脈沖(以下，稱作預(yù)凹槽檢測(cè)脈沖)。此時(shí)，判斷出現(xiàn)的脈沖實(shí)際是否與預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)。該動(dòng)作由圖8(a)所示的中央控制塊10中設(shè)置的預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路19進(jìn)行。
如圖8(a)所示，在預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路19中，輸入了從二值化電路14輸出的預(yù)凹槽二值化信號(hào)r和從擺動(dòng)二值化電路18輸出的擺動(dòng)二值化信號(hào)s。在此，如圖2所示，光盤4的格式規(guī)定為使預(yù)凹槽信號(hào)和擺動(dòng)信號(hào)同步。更具體地說，在擺動(dòng)信號(hào)的一個(gè)周期中，預(yù)凹槽信號(hào)最多只存在一次，并且，擺動(dòng)信號(hào)和預(yù)凹槽信號(hào)的相位關(guān)系總是一定的。這樣，因?yàn)轭A(yù)凹槽信號(hào)對(duì)于擺動(dòng)信號(hào)是以一定的規(guī)則形成的，所以根據(jù)擺動(dòng)二值化信號(hào)s，能生成圖8(b)所示的預(yù)測(cè)預(yù)凹槽檢測(cè)脈沖的位置的預(yù)凹槽預(yù)測(cè)信號(hào)v。在此，預(yù)凹槽預(yù)測(cè)信號(hào)v在擺動(dòng)二值化信號(hào)s的邏輯high期間的近中間的定時(shí)，作為具有上升寬度窄的脈沖的信號(hào)而生成。
預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路19通過比較輸入的預(yù)凹槽二值化信號(hào)r和預(yù)凹槽預(yù)測(cè)信號(hào)v，判斷預(yù)凹槽檢測(cè)脈沖是否對(duì)應(yīng)于實(shí)際的預(yù)凹槽。即如果預(yù)凹槽二值化信號(hào)r中的預(yù)凹槽檢測(cè)脈沖是在預(yù)凹槽預(yù)測(cè)信號(hào)v的活動(dòng)定時(shí)下檢測(cè)到的，則它是正規(guī)的預(yù)凹槽檢測(cè)脈沖，如果不是在活動(dòng)區(qū)域下檢測(cè)到的，則是由于噪聲等而誤檢測(cè)了預(yù)凹槽。當(dāng)用這樣的步驟，用預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路19檢測(cè)了一定數(shù)量以上的正規(guī)的預(yù)凹槽檢測(cè)脈沖時(shí)，判斷為恰當(dāng)?shù)貦z測(cè)了預(yù)凹槽，預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路19輸出預(yù)凹槽判斷OK的指示。
預(yù)凹槽在形成該預(yù)凹槽判斷OK的輸出之前，逐漸使增益上升，把輸出檢測(cè)OK時(shí)的增益值設(shè)置為增益放大器13的最佳增益值。這樣，根據(jù)判斷差動(dòng)信號(hào)中表示預(yù)凹槽的信號(hào)成分是否對(duì)應(yīng)于預(yù)凹槽的預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路19的輸出，設(shè)置了增益放大器13。
經(jīng)過這樣的步驟，設(shè)置了增益放大器13的最佳增益后，如步驟S16所示，通過根據(jù)限幅電平選擇信號(hào)p選擇DA轉(zhuǎn)換器22的輸出作為限幅信號(hào)o，設(shè)置了二值化電路14的限幅電平。基于DA轉(zhuǎn)換器22的限幅電平當(dāng)然設(shè)置為低于用穩(wěn)壓發(fā)生電路15設(shè)置的電壓的值(最好是二值化電路14的動(dòng)態(tài)范圍的正中的值)。另外，如后所述，能按需要調(diào)整由該DA轉(zhuǎn)換器22規(guī)定的限幅電平。
綜上所述，如果用增益放大器13適當(dāng)?shù)胤糯蟛顒?dòng)信號(hào)1u，不依賴于用減法器生成的差動(dòng)信號(hào)的振幅，就能防止二值化電路14中被二值化的差動(dòng)信號(hào)的振幅對(duì)于限幅電平郭小(圖6(b))或過大(圖6(c))之類的事態(tài)的發(fā)生。特別是，如果能放大差動(dòng)信號(hào)，使預(yù)凹槽信號(hào)的峰值電平達(dá)到和限幅電平的最大值對(duì)應(yīng)的程度，在二值化時(shí)，通過把限幅電平例如設(shè)置為中間的電平，就能以適當(dāng)?shù)碾娖较薹A(yù)凹槽信號(hào)。因此，能提高預(yù)凹槽的檢測(cè)精度。
另外，在設(shè)置增益放大器13的增益時(shí)，在光盤4的給定區(qū)域中，進(jìn)行了反射光的檢測(cè)(即再現(xiàn)給定區(qū)域)，如圖9(a)所示，當(dāng)再現(xiàn)未記錄數(shù)據(jù)的未記錄區(qū)域時(shí)，因?yàn)椴话l(fā)生記錄標(biāo)記導(dǎo)致的反射率變化，所以不發(fā)生預(yù)凹槽信號(hào)的振幅下降，能穩(wěn)定地檢出振幅。這樣，通過再現(xiàn)未記錄區(qū)域設(shè)置了增益放大器13時(shí)，當(dāng)再現(xiàn)記錄有數(shù)據(jù)的區(qū)域時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生大的問題。
對(duì)此，如圖9(b)所示，當(dāng)通過再現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄部設(shè)置增益放大器13的增益時(shí)，記錄標(biāo)記導(dǎo)致的反射率變化混入檢測(cè)信號(hào)中，預(yù)凹槽信號(hào)的電平變得不穩(wěn)定，振幅下降。如果在這樣的狀態(tài)下，設(shè)置了增益，當(dāng)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的未記錄區(qū)域時(shí)(即當(dāng)不受記錄標(biāo)記導(dǎo)致的反射率變化的影響時(shí))，有時(shí)預(yù)凹槽信號(hào)的振幅變得過大。此時(shí)，即使使限幅電平小于固定電平，也提高不了預(yù)凹槽檢測(cè)率，結(jié)果，又可能無法把增益設(shè)置為最佳。
由此，增益放大器的增益設(shè)置最好使用再現(xiàn)光盤4中未記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域(或磁道部分)時(shí)得到的差動(dòng)信號(hào)。這樣，不論是數(shù)據(jù)記錄區(qū)域還是數(shù)據(jù)未記錄區(qū)域，都能正確地檢測(cè)預(yù)凹槽。
按如上所述設(shè)置的最佳增益值(即差動(dòng)信號(hào)的最佳放大率)存儲(chǔ)在中央控制塊10中設(shè)置的存儲(chǔ)裝置(存儲(chǔ)器部)中。綜上所述，差動(dòng)信號(hào)1u的振幅由于光盤4和光拾波器2等的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的組合而產(chǎn)生偏移，但是對(duì)于裝填在光盤裝置上的光盤，只要該光盤未被取下，一次設(shè)置的最佳增益值就是有效的。因此，一度光盤裝置斷電，下次在使用時(shí)，不用再進(jìn)行上述的增益值的設(shè)置過程，只需從存儲(chǔ)器部讀出最佳增益值就可以了。另外，與設(shè)置的最佳增益值一起，使用的光盤的個(gè)體信息(能把該光盤從其它光盤區(qū)別開的信息)也可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器部中。這樣，一旦把從光盤裝置取出的光盤再次裝填到光盤裝置中使用時(shí)，根據(jù)存儲(chǔ)的個(gè)體信息，就能設(shè)置適于該光盤的增益值。
另外，除了象上述這樣，存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器部中，如果使用光拾波器2，在光盤4的管理信息區(qū)中記錄最佳增益值，即使發(fā)生光盤4的取出和放入，光盤裝置也只需讀出記錄在管理信息區(qū)中的最佳增益值，在增益放大器13設(shè)置它就可以了。由此，能縮短光盤系統(tǒng)的起動(dòng)時(shí)間。還可以把光盤4的個(gè)體信息記錄在光盤4的管理信息區(qū)中。
下面，說明平衡增益電路12中平衡增益的設(shè)置動(dòng)作和限幅信號(hào)o的電平(限幅電平)的設(shè)置動(dòng)作。
圖10用于說明平衡增益和限幅電平的設(shè)置，表示了中央控制塊10中設(shè)置的預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20。在預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20中，輸入了預(yù)凹槽二值化信號(hào)r和擺動(dòng)二值化信號(hào)s。預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20與上述的預(yù)凹槽定時(shí)判斷電路19同樣，判斷差動(dòng)信號(hào)中的預(yù)凹槽信號(hào)是否對(duì)應(yīng)于光盤中設(shè)置的預(yù)凹槽。更具體地說，與所述同樣，檢測(cè)預(yù)凹槽二值化信號(hào)r中出現(xiàn)的正規(guī)預(yù)凹槽檢測(cè)脈沖。預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20總是檢測(cè)該正規(guī)預(yù)凹槽檢測(cè)脈沖，由此，能測(cè)定預(yù)凹槽的檢測(cè)量(或檢測(cè)率)。
圖11(a)表示了在再現(xiàn)光盤4上記錄有數(shù)據(jù)的區(qū)域時(shí)，使平衡增益電路12的增益值(即檢測(cè)信號(hào)d的放大率)變化時(shí)的預(yù)凹槽檢測(cè)率。在光盤4的溝部上形成的記錄標(biāo)記和間隔表現(xiàn)為跟蹤檢測(cè)信號(hào)c和d中同相的數(shù)據(jù)信號(hào)。因此，在生成檢測(cè)信號(hào)c和d的差動(dòng)信號(hào)時(shí)，這些數(shù)據(jù)信號(hào)被抵消，向預(yù)凹槽信號(hào)和擺動(dòng)信號(hào)的混入很少。但是，當(dāng)檢測(cè)信號(hào)c和檢測(cè)信號(hào)d的大小的比不適當(dāng)時(shí)，抵消同相的數(shù)據(jù)信號(hào)的比例變化，混入預(yù)凹槽信號(hào)和擺動(dòng)信號(hào)中。由此，用二值化電路14生成的預(yù)凹槽二值化信號(hào)r的質(zhì)量變壞，預(yù)凹槽檢測(cè)量下降。在圖11(b)和(d)中，表示了由于檢測(cè)信號(hào)c和檢測(cè)信號(hào)d的平衡不恰當(dāng)，混入的數(shù)據(jù)信號(hào)的大小變大，由此而無法得到所希望的預(yù)凹槽二值化信號(hào)的情形。
因此，如圖11(c)所示，通過調(diào)節(jié)平衡增益電路12的增益值，適當(dāng)設(shè)置檢測(cè)信號(hào)c和檢測(cè)信號(hào)d的大小比，能減少數(shù)據(jù)信號(hào)的混入。平衡增益電路12的增益例如設(shè)置為從預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20輸出的預(yù)凹槽檢測(cè)量為最高時(shí)的增益值?；蝾A(yù)先設(shè)置從預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20輸出的預(yù)凹槽檢測(cè)量的臨界值，設(shè)置為超過該臨界值的兩點(diǎn)的增益值中間的增益值。
另外，如圖12(a)～(d)所示，關(guān)于限幅電平也同樣是一邊再現(xiàn)光盤上記錄有數(shù)據(jù)的區(qū)域，一邊通過使限幅信號(hào)o從低電平向高電平變化，就能發(fā)現(xiàn)最佳的限幅電平。根據(jù)限幅電平設(shè)置信號(hào)q，選擇DA轉(zhuǎn)換器22的輸出作為限幅信號(hào)o，并且一邊使DA轉(zhuǎn)換器22的輸出變化，一邊根據(jù)預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20測(cè)定預(yù)凹槽檢測(cè)量，就進(jìn)行了該動(dòng)作。如圖12(b)所示，當(dāng)限幅電平低時(shí)，因?yàn)橛妙A(yù)凹槽信號(hào)的根源二值化，所以預(yù)凹槽檢測(cè)量低，但是如圖12(c)所示，隨著限幅電平接近預(yù)凹槽信號(hào)的中央電平，預(yù)凹槽檢測(cè)量增加。但是，如果限幅電平超過給定電平，預(yù)凹槽檢測(cè)量就下降，如圖12(d)所示，如果限幅電平過高，預(yù)凹槽檢測(cè)量就變得非常小。經(jīng)過這樣的過程，限幅電平例如設(shè)置為預(yù)凹槽檢測(cè)量取最大值的電平或預(yù)凹槽檢測(cè)量到達(dá)超過給定的量的檢測(cè)臨界值的兩個(gè)電平的中間電平。
圖13表示了以平衡增益為橫軸，以限幅電平為縱軸時(shí)，進(jìn)行預(yù)凹槽檢測(cè)的適當(dāng)范圍(預(yù)凹槽檢測(cè)界限)。當(dāng)再現(xiàn)凹槽中未記錄數(shù)據(jù)的盤區(qū)域時(shí)，如范圍M1所示，對(duì)于平衡增益的變化，對(duì)于限幅電平的變動(dòng)，檢測(cè)界限都比較大。而當(dāng)再現(xiàn)凹槽中記錄有數(shù)據(jù)的盤區(qū)域時(shí)，綜上所述，如果平衡增益是適當(dāng)?shù)闹?，記錄表示?dǎo)致的反射率變化作為同相信號(hào)在差動(dòng)信號(hào)中被除去，但是，如果平衡被破壞了，如圖11所示，標(biāo)記的混入量增大。因此，在記錄有數(shù)據(jù)的磁道能穩(wěn)定地檢測(cè)預(yù)凹槽的平衡增益和限幅電平的范圍M2比未記錄數(shù)據(jù)時(shí)的范圍窄。因此，為了能穩(wěn)定地進(jìn)行預(yù)凹槽的檢測(cè)，最好通過再現(xiàn)預(yù)凹槽檢測(cè)界限窄的記錄有數(shù)據(jù)的溝部，設(shè)置最佳的平衡增益和限幅電平。由此，不論是再現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄區(qū)域還是數(shù)據(jù)未記錄區(qū)域，都能以高精度檢測(cè)預(yù)凹槽。
另外，在圖13中，也表示了正在光盤上記錄給定的數(shù)據(jù)時(shí)，平衡增益以及限幅電平與預(yù)凹槽檢測(cè)界限的關(guān)系。由圖可知，記錄動(dòng)作中的預(yù)凹槽檢測(cè)界限M3比所述再現(xiàn)時(shí)的M1和M2更窄。這是因?yàn)橛涗泟?dòng)作中，根據(jù)圖14所示的激光發(fā)光波形，按照記錄的標(biāo)記而調(diào)制的激光由光拾波器2出射。當(dāng)這樣照射的激光的發(fā)光強(qiáng)度變化時(shí)，用光檢測(cè)器檢測(cè)的反射光的強(qiáng)度也變化。由此，得到的差動(dòng)信號(hào)2u中，如圖15(b)～(d)所示，混入激光發(fā)光波形。
本來，因?yàn)榧す獍l(fā)光波形也在檢測(cè)信號(hào)c和d中作為同相信號(hào)出現(xiàn)，所以在理想狀態(tài)下，在差動(dòng)信號(hào)2u中被抵消了，但是很難完全派出該激光發(fā)光波形的混入。與再現(xiàn)記錄完的磁道時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)的混入量相比，記錄動(dòng)作時(shí)的激光發(fā)光波形的混入量大。由此，為了進(jìn)行恰當(dāng)?shù)念A(yù)凹槽檢測(cè)，有必要更適當(dāng)?shù)卦O(shè)置平衡增益和限幅電平，因此，平衡增益和限幅電平的界限變得更窄。
作為激光發(fā)光波形的混入量大的理由，列舉了圖14所示的激光發(fā)光波形的記錄能量P1和谷值能量P2的比率大。例如，當(dāng)DVD-R的場(chǎng)合，把記錄能量P1設(shè)置為谷值能量P2的10倍以上。這樣，激光發(fā)光強(qiáng)度的變化非常大時(shí)，對(duì)差動(dòng)信號(hào)的影響變大。
另外，根據(jù)本發(fā)明者的試驗(yàn)，當(dāng)混入量大時(shí)，如圖15(c)所示，即使均等地設(shè)置平衡增益也不能完全除去，如圖15(d)所示，變?yōu)椴黄胶膺M(jìn)行檢測(cè)有時(shí)能提高預(yù)凹槽檢測(cè)率。如圖15(a)所示，記錄動(dòng)作中平衡增益的大小和預(yù)凹槽檢測(cè)率的關(guān)系與圖11(a)所示的再現(xiàn)動(dòng)作中平衡增益的大小和預(yù)凹槽檢測(cè)率的關(guān)系不同。
由此，當(dāng)在記錄時(shí)檢測(cè)預(yù)凹槽信號(hào)時(shí)，最好把最佳平衡增益和限幅電平設(shè)置為與再現(xiàn)時(shí)的不同。在本實(shí)施例的光盤裝置100中，因?yàn)槟芨鶕?jù)從預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20輸出的預(yù)凹槽檢測(cè)量，在再現(xiàn)動(dòng)作中和記錄動(dòng)作中，分別設(shè)置平衡增益和限幅電平，所以在任意的場(chǎng)合，都能以良好的精度檢測(cè)預(yù)凹槽。
另外，雖然平衡增益的調(diào)整和限幅電平的調(diào)整能在光盤4的數(shù)據(jù)未記錄區(qū)域中進(jìn)行，但是最好在記錄有數(shù)據(jù)的區(qū)域中進(jìn)行。綜上所述，因?yàn)轭A(yù)凹槽檢測(cè)量中，記錄的標(biāo)記導(dǎo)致的反射率變動(dòng)造成的混入有影響，所以在記錄有數(shù)據(jù)的區(qū)域中進(jìn)行調(diào)整應(yīng)在比預(yù)凹槽檢測(cè)更嚴(yán)的條件下調(diào)整。因此，如果預(yù)先在記錄有數(shù)據(jù)的區(qū)域中進(jìn)行調(diào)整，未記錄部的預(yù)凹槽檢測(cè)也能恰當(dāng)?shù)剡M(jìn)行。
另外，按如上所述設(shè)置的最佳平衡增益和限幅電平的設(shè)置值與所述增益放大器13的增益值同樣，存儲(chǔ)在中央控制部的存儲(chǔ)器部中?；蛘哂涗浽诠獗P4的管理信息區(qū)中。另外，光盤4的個(gè)體信息也同樣可以記錄在光盤裝置的存儲(chǔ)器部或光盤中。由此，能縮短光盤裝置的起動(dòng)時(shí)間。
以上說明了平衡增益和限幅電平的調(diào)整法的一個(gè)實(shí)施例，下面說明更簡(jiǎn)略的平衡增益和限幅電平調(diào)整法(最佳點(diǎn)推測(cè)法)。
圖16用于說明平衡增益和限幅電平的其它調(diào)整法。如圖所示，預(yù)凹槽檢測(cè)率當(dāng)平衡增益和限幅電平為2軸時(shí)，分布為等高線。即以能實(shí)現(xiàn)所希望的預(yù)凹槽檢測(cè)率的平衡增益和限幅電平的范圍M4為中心，預(yù)凹槽檢測(cè)率變得更低的范圍M5存在于范圍M4的周圍。另外，以下，以平衡增益的值(例如BO)為橫軸的坐標(biāo)，限幅電平的值(例如SO)為縱軸的坐標(biāo)，把它們的組合表現(xiàn)為(BO，SO)。
首先，測(cè)定把平衡增益和限幅電平設(shè)置為預(yù)先設(shè)置的的初始值(BO，SO)時(shí)的預(yù)凹槽檢測(cè)率D(BO，SO)。在此，D(BO，SO)＝100％是得到的。另外，預(yù)凹槽檢測(cè)率的測(cè)定能由圖10所示預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20進(jìn)行。即通過測(cè)定從預(yù)凹槽檢測(cè)量測(cè)定電路20輸出的實(shí)際預(yù)凹槽檢測(cè)量對(duì)于假設(shè)預(yù)凹槽全被檢出時(shí)的預(yù)凹槽檢測(cè)量的比例，測(cè)定了預(yù)凹槽檢測(cè)率。
接著，測(cè)定從初始值(BO，SO)開始，使平衡增益只變化±ΔB時(shí)的預(yù)凹槽檢測(cè)率，以及使限幅電平只變化±ΔS時(shí)的預(yù)凹槽檢測(cè)率。另外，ΔB和ΔS是預(yù)先設(shè)置的增減量(稱作平衡量和限幅量)。在該方法中，不是對(duì)于初始值(BO，SO)使平衡增益和限幅電平連續(xù)地變化，而是離散地使平衡增益和限幅電平，在各測(cè)定點(diǎn)中測(cè)定預(yù)凹槽檢測(cè)率。這樣測(cè)定的結(jié)果為預(yù)凹槽檢測(cè)率D(BO+ΔB，SO)＝20％，D(BO-ΔB，SO)＝10％，D(BO，SO+ΔS)＝20％，D(BO，SO-ΔS)＝10％。
此時(shí)，使用初始值(BO，SO)時(shí)的預(yù)凹槽檢測(cè)率D最高。因此可知，應(yīng)把最佳平衡增益、限幅電平設(shè)置為初始值(BO，SO)。
下面，參照?qǐng)D17，說明與圖16的場(chǎng)合不同，當(dāng)初始值(BO，SO)與最佳值不一致的場(chǎng)合。與所述同樣進(jìn)行了預(yù)凹槽檢測(cè)率測(cè)定的結(jié)果為在初始值(BO，SO)的預(yù)凹槽檢測(cè)率D(BO，SO)＝50％，D(BO-ΔB，SO)＝0％，D(BO+ΔB，SO)＝60％，D(BO，SO+ΔS)＝60％，D(BO，SO-ΔS)＝0％。
在此，把D(BO，SO)與D(BO-ΔB，SO)相比，D(BO，SO)較大，另外，把D(BO，SO)與D(BO，SO-ΔS)相比，D(BO，SO)較大，所以在平衡增益或限幅電平在負(fù)的方向上變動(dòng)時(shí)，預(yù)凹槽的檢測(cè)結(jié)果變差。因此，最佳點(diǎn)不存在于該方向，最佳平衡增益和最佳限幅電平全部存在于正的方向。
接著，當(dāng)平衡增益和限幅電平再在正向上變動(dòng)時(shí)，進(jìn)行測(cè)定。即測(cè)定D(BO+2ΔB，SO)和D(BO，SO+2ΔS)。在此，測(cè)定結(jié)果為D(BO+2ΔB，SO)＝20％，D(BO，SO+2ΔS)＝20％。此時(shí)，因?yàn)轭A(yù)凹槽檢測(cè)率下降，所以可以推測(cè)平衡增益為BO+ΔB時(shí)預(yù)凹槽檢測(cè)率最高，并且，限幅電平為SO+ΔS時(shí)預(yù)凹槽檢測(cè)率最高。因此，此時(shí)，能推測(cè)出平衡增益和限幅電平的最佳點(diǎn)是(BO+ΔB，SO+ΔS)。
另外，在該例子中，雖然能發(fā)現(xiàn)在把平衡增益和限幅電平變?yōu)锽O+2ΔB、SO+2ΔS的階段中，預(yù)凹槽檢測(cè)率變?yōu)闇p小的拐點(diǎn)，但是當(dāng)不能發(fā)現(xiàn)時(shí)，可以再變?yōu)锽O+3ΔB或SO+3ΔS，用以發(fā)現(xiàn)拐點(diǎn)。
另外，即使無法發(fā)現(xiàn)預(yù)凹槽檢測(cè)率的拐點(diǎn)，當(dāng)預(yù)凹槽檢測(cè)率達(dá)到系統(tǒng)的容許值時(shí)，可以把達(dá)到的時(shí)刻的平衡增益和限幅電平作為最佳值采用。另外，在本實(shí)施例中，固定平衡增益和限幅電平中的一方，使一方變動(dòng)，選擇了測(cè)定點(diǎn)，但是，也可以使固定平衡增益和限幅電平的雙方同時(shí)變動(dòng)，選擇測(cè)定點(diǎn)。
另外，為了嚴(yán)密地推測(cè)最佳點(diǎn)，應(yīng)盡量使所述平衡增益的步幅(平衡量)ΔB和限幅電平的步幅(限幅量)ΔS為小的量，但是如果它們太小，探索最佳點(diǎn)所需步數(shù)增加，從而增加了探索時(shí)間。因此，最好根據(jù)試驗(yàn)，把平衡量和限幅量設(shè)置為最佳值。
因?yàn)橐陨险f明的最佳點(diǎn)推測(cè)法能根據(jù)較少的測(cè)定點(diǎn)的預(yù)凹槽檢測(cè)率的測(cè)定，發(fā)現(xiàn)適合的平衡增益和限幅電平，所以具有能縮短處理時(shí)間的優(yōu)點(diǎn)。例如，在制造光盤裝置的工廠中，通過試驗(yàn)，把初始值(BO，SO)預(yù)先設(shè)置為適當(dāng)?shù)闹?，?dāng)從工廠出廠后，實(shí)際使光盤裝置工作時(shí)，如果用所述方法，修正從出廠前的狀態(tài)的歷時(shí)變化、溫度變化、使用的光盤的特性的偏移等導(dǎo)致的最佳值的變動(dòng)，就能在短時(shí)間內(nèi)決定平衡增益和限幅電平。
上面，就本發(fā)明的實(shí)施例中光盤裝置進(jìn)行了說明，但是關(guān)于執(zhí)行所述平衡增益的調(diào)整和限幅電平的調(diào)整的步驟并不局限于某一種方法。另外，可以同時(shí)進(jìn)行平衡增益的調(diào)整和限幅電平的調(diào)整，也可以只進(jìn)行平衡增益的調(diào)整和限幅電平的調(diào)整中的任意一方。
綜上所述，根據(jù)本發(fā)明，在檢測(cè)預(yù)凹槽時(shí)，因?yàn)槟馨褟姆瓷涔馍傻牟顒?dòng)信號(hào)放大到任意的大小，所以能通過適當(dāng)?shù)卦龃蟛顒?dòng)信號(hào)，來提高預(yù)凹槽的檢測(cè)精度。而且，如果調(diào)節(jié)用于生成差動(dòng)信號(hào)的兩個(gè)檢測(cè)信號(hào)的大小的比，就能減少差動(dòng)信號(hào)的噪聲成分，因此，就能提高預(yù)凹槽的檢測(cè)精度。而且，即使通過調(diào)節(jié)把差動(dòng)信號(hào)二值化的二值化電路的限幅電平，也能提高預(yù)凹槽的檢測(cè)精度。
權(quán)利要求
1.一種光盤裝置，其特征在于在記錄數(shù)據(jù)的磁道的至少一方的側(cè)端部上形成了預(yù)凹槽的光盤上記錄數(shù)據(jù)、和/或從所述光盤上再現(xiàn)數(shù)據(jù)；包括在所述光盤的所述磁道上照射光束的光照射元件；檢測(cè)來自照射了所述光束的所述磁道的反射光，檢測(cè)來自所述磁道的一方的側(cè)端部的第一反射光和來自所述磁道的另一方的側(cè)端部的第二反射光的光檢測(cè)器；生成與所述第一反射光對(duì)應(yīng)的第一檢測(cè)信號(hào)和與所述第二反射光對(duì)應(yīng)的第二檢測(cè)信號(hào)的差動(dòng)信號(hào)的減法器；放大由所述減法器輸出的所述差動(dòng)信號(hào)，并能使放大率變化的放大器；從利用所述放大器放大的差動(dòng)信號(hào)來檢測(cè)所述預(yù)凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤裝置，其特征在于還包括判斷所述放大的差動(dòng)信號(hào)的表示預(yù)凹槽的信號(hào)成分是否與設(shè)置在所述光盤上的所述預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)的預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器，根據(jù)所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器的輸出來設(shè)置所述放大器的放大率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤裝置，其特征在于還包括把所述放大的差動(dòng)信號(hào)二值化的二值化電路；所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器判斷從所述二值化電路輸出的二值化信號(hào)是否與設(shè)置在所述光盤上的所述預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光盤裝置，其特征在于在固定了所述二值化電路的限幅電平的狀態(tài)下，根據(jù)使所述放大器的放大率變化時(shí)的所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器的輸出的變化，來設(shè)置所述放大器的放大率。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤裝置，其特征在于根據(jù)由在所述光盤上未記錄數(shù)據(jù)的磁道部分檢測(cè)的所述第一和第二反射光所生成的差動(dòng)信號(hào)，來設(shè)置所述放大器的放大率。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤裝置，其特征在于使用所述光照射元件，將表示所設(shè)置的所述放大率的信息記錄在所述光盤上。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤裝置，其特征在于還包括存儲(chǔ)表示所設(shè)置的所述放大率的信息的存儲(chǔ)裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤裝置，其特征在于還包括調(diào)整所述第一檢測(cè)信號(hào)和所述第二檢測(cè)信號(hào)的大小的比的平衡調(diào)整器；所述減法器生成調(diào)節(jié)了所述大小的比的所述第一檢測(cè)信號(hào)和所述第二檢測(cè)信號(hào)的差動(dòng)信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光盤裝置，其特征在于還包括判斷所述差動(dòng)信號(hào)中表示預(yù)凹槽的信號(hào)成分是否對(duì)應(yīng)于設(shè)置在所述光盤上的所述預(yù)凹槽的預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光盤裝置，其特征在于還包括根據(jù)所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器的判斷結(jié)果，來測(cè)定預(yù)凹槽檢測(cè)率的預(yù)凹槽檢測(cè)率測(cè)定器；所述平衡調(diào)整器根據(jù)所述預(yù)凹槽檢測(cè)率來設(shè)置所述大小的比。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光盤裝置，其特征在于還包括把所述差動(dòng)信號(hào)二值化的二值化電路；所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器判斷從所述二值化電路輸出的二值化信號(hào)是否與設(shè)置在所述光盤上的所述預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光盤裝置，其特征在于還包括能使所述二值化電路的限幅電平變化的限幅電平設(shè)置電路；所述限幅電平設(shè)置電路根據(jù)所述預(yù)凹槽檢測(cè)率，來設(shè)置所述限幅電平。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光盤裝置，其特征在于當(dāng)使預(yù)先設(shè)置的所述大小的比的初始值為初始平衡值BO，并且使預(yù)先設(shè)置的所述限幅電平的初始值為初始限幅值SO時(shí)，通過比較在所述初始平衡值BO的所述預(yù)凹槽檢測(cè)值D(BO)和在與所述初始平衡值BO只有給定的平衡量ΔB的不同的平衡值B1的所述預(yù)凹槽檢測(cè)率D(B1)，來估計(jì)應(yīng)該設(shè)置的所述大小的比；并且，通過比較在所述初始限幅值SO的所述預(yù)凹槽檢測(cè)率D(SO)和在與所述初始限幅值SO只有給定的限幅量ΔS的不同的限幅值S1的所述預(yù)凹槽檢測(cè)率D(S1)，來估計(jì)所述應(yīng)該設(shè)置的所述限幅電平。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光盤裝置，其特征在于根據(jù)在所述光盤上的記錄有數(shù)據(jù)的磁道部分上由所檢測(cè)的所述第一和第二反射光所生成的差動(dòng)信號(hào)，來設(shè)置所述大小的比和所述限幅電平。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光盤裝置，其特征在于當(dāng)正在所述光盤的所述磁道上記錄數(shù)據(jù)時(shí)，設(shè)置所述大小的比和所述限幅電平。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光盤裝置，其特征在于使用所述光照射元件，在所述光盤上記錄表示所設(shè)置的所述大小的比和限幅電平的信息。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光盤裝置，其特征在于還包括存儲(chǔ)所設(shè)置的所述大小的比和所述限幅電平的存儲(chǔ)裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求2或9所述的光盤裝置，其特征在于所述光盤的所述磁道擺動(dòng)；還包括生成與所述擺動(dòng)對(duì)應(yīng)的二值化信號(hào)的擺動(dòng)二值化電路所述預(yù)凹槽檢測(cè)判斷器使用根據(jù)所述擺動(dòng)二值化電路的輸出生成的預(yù)凹槽預(yù)測(cè)信號(hào)，來判斷所述差動(dòng)信號(hào)中表示預(yù)凹槽的信號(hào)成分是否與所述預(yù)凹槽對(duì)應(yīng)。
全文摘要
一種光盤裝置,使用在磁道的側(cè)端部上形成有預(yù)凹槽的光盤,進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄和數(shù)據(jù)再現(xiàn)。包括:在光盤的磁道上照射光束的光照射元件;是檢測(cè)來自照射了光束的磁道的反射光的光檢測(cè)器,即檢測(cè)來自磁道的一方的側(cè)端部的第一反射光和來自磁道的另一方的側(cè)端部的第二反射光的光檢測(cè)器;生成與第一反射光對(duì)應(yīng)的第一檢測(cè)信號(hào)和與第二反射光對(duì)應(yīng)的第二檢測(cè)信號(hào)的差動(dòng)信號(hào)的減法器;是放大來自減法器的輸出的放大器,即能使放大率變化的的放大器。能恰當(dāng)?shù)貦z測(cè)光盤中設(shè)置的預(yù)凹槽。
文檔編號(hào)G11B27/24GK1385840SQ0211934
公開日2002年12月18日 申請(qǐng)日期2002年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月11日
發(fā)明者上岡優(yōu)一, 井口睦, 坂林貴之 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社