專利名稱：記錄介質(zhì)、其控制裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有預(yù)格式的地址或段的記錄介質(zhì)、該記錄介質(zhì)的記錄裝置及重放裝置(控制裝置)、以及該記錄介質(zhì)的記錄方法及重放方法(控制方法)。
背景技術(shù)：
近年來，光盤作為大容量數(shù)據(jù)文件及音樂和圖像的存儲(chǔ)介質(zhì)雖已達(dá)到實(shí)用化的程度，但是為了適應(yīng)更多的用途，光盤正向大容量化發(fā)展。
為了高效地對(duì)大容量光盤進(jìn)行存取，一般采用的方法是，將記錄數(shù)據(jù)分割成一定單位的數(shù)據(jù)大小的扇段，將該扇段作為基本的重寫單位進(jìn)行記錄重放。
在這種重寫基本單位即扇段中，對(duì)每個(gè)扇段附加識(shí)別該扇段用的地址。
關(guān)于具有這種扇段結(jié)構(gòu)的以往的光盤，下面參照表示該光盤結(jié)構(gòu)示意圖的圖23進(jìn)行說明。
圖23(a)所示為以往例1的光盤簡要整體結(jié)構(gòu)。
在圖23(a)中，2301為聚碳酸酯的光盤基板，2302為記錄膜，2303為第1記錄紋道，2304為第2記錄紋道，2305為將盤片根據(jù)徑向距離分割的區(qū)域，2307為進(jìn)行扇段識(shí)別用的地址，2308為進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的數(shù)據(jù)記錄區(qū)。
另外，在本說明書及權(quán)利要求范圍的敘述中，“數(shù)據(jù)”與“信息”是表示相同的意義。
在圖23(a)中，記錄紋道是具有從光盤的內(nèi)圈向外圈形成螺旋形狀的一條記錄紋道，包含第1記錄紋道2303及第2記錄紋道2304。第1記錄紋道2303及第2記錄紋道2304的結(jié)構(gòu)是各具有1圈的長度，每隔1圈反復(fù)交替。
在圖23的光盤中，為了增加紋道方向的密度，采用將紋道引導(dǎo)用的溝槽部分(groove部分)及溝槽之間部分(臺(tái)階，land部分)這兩部分作為數(shù)據(jù)記錄區(qū)使用的臺(tái)階/溝槽方式。
數(shù)據(jù)記錄區(qū)2308為了提高盤片記錄密度，根據(jù)光盤的徑向距離，分割成多個(gè)區(qū)域2305。各區(qū)域內(nèi)，地址2307沿光盤的徑向排列。在圖23(a)中，有的區(qū)域沿徑向排列的扇段數(shù)不相同，可知數(shù)據(jù)記錄區(qū)2308分割成2個(gè)區(qū)域2305。分割數(shù)據(jù)記錄區(qū)2308的區(qū)域數(shù)是任意的。因而，具有從地址2307的始端至下1個(gè)地址2307的始端的距離的扇段，在各區(qū)域內(nèi)具有相同的角度(以光盤中心為原點(diǎn)的極坐標(biāo)上的角度)。
另外，內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的扇段角度大于外側(cè)區(qū)域內(nèi)的扇段角度。通過這樣，內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的扇段平均線密度與外側(cè)區(qū)域內(nèi)的扇段平均線密度設(shè)定為近似相等。
所謂“線密度”，意味著單位長度的記錄紋道上記錄的信息量。這樣，在盤片上設(shè)置多個(gè)區(qū)域，使每個(gè)區(qū)域的扇段角度改變，使盤片內(nèi)各區(qū)域的平均線密度近似一定，將這樣的方式稱為ZCAV方式(以一定的角速度進(jìn)行記錄或重放，Zoned Constant Angular Velocity，區(qū)域等角速度方式)或ZCLV方式(在區(qū)域內(nèi)以一定的轉(zhuǎn)速進(jìn)行記錄或重放，Zoned Constant Linear Velocity，區(qū)域等線速度方式)。
圖23(b)為1個(gè)扇段2306的放大圖。
扇段2306是分別利用地址2307分割第1記錄紋道2304及第2記錄紋道2304而形成的。各扇段在各區(qū)域內(nèi)具有相同的角度(以光盤中心為原點(diǎn)的極坐標(biāo)上的角度)，記錄相同信息量(例如位數(shù))的數(shù)據(jù)。
1個(gè)扇段2306由地址2307及夾在地址2307中的記錄區(qū)2308(第1記錄紋道2303或記錄紋道2304)構(gòu)成。
在圖23(b)中，第1記錄紋道2303在溝槽部分形成，第2記錄紋道2304在夾在前述溝槽部分之間的溝槽之間部分形成。
光束的跟蹤是通過進(jìn)行跟蹤控制，使得來自盤片的反射光包含的由于溝槽產(chǎn)生的衍射而發(fā)生的一次衍射光的強(qiáng)度平衡，這樣使光學(xué)頭位于溝槽部分的中間或溝槽之間部分的中間。該一次衍射光平衡的點(diǎn)有2點(diǎn)，1點(diǎn)是光束位于第1紋道2303的溝槽上，另一點(diǎn)是光束位于第2紋道2304的溝槽之間上。但是，在這2點(diǎn)上，由于一次衍射光相對(duì)于光束移動(dòng)方向的極性不同，因此通過切換跟蹤控制時(shí)的極性，就能夠簡單地切換在第1紋道2303上控制光束的狀態(tài)與在第2紋道2304上控制光束的狀態(tài)。
但是，由于第1記錄紋道(在溝槽部分，左右為溝槽之間部分)與第2記錄紋道(在溝槽之間部分，左右為溝槽部分)具有每隔盤片1圈交替而且連續(xù)的結(jié)構(gòu)，因此在從第1記錄紋道向第2記錄紋道的轉(zhuǎn)移點(diǎn)或從第2記錄紋道向第1記錄紋道的轉(zhuǎn)移點(diǎn)必須將跟蹤極性翻轉(zhuǎn)。在第1記錄紋道與第2記錄紋道的切換部分設(shè)置極性翻轉(zhuǎn)標(biāo)記2309，作為檢測該切換點(diǎn)的標(biāo)記。
光盤裝置(光盤的記錄裝置或重放裝置的總稱，記錄裝置包含記錄重放裝置，重放裝置也包含記錄重放裝置)檢測出該極性翻轉(zhuǎn)標(biāo)記2309，進(jìn)行跟蹤極性翻轉(zhuǎn)。
在圖23的光盤中，記錄的數(shù)據(jù)利用1-7調(diào)制方式進(jìn)行調(diào)制。1-7標(biāo)記(利用1-7調(diào)制方式進(jìn)行調(diào)制的數(shù)據(jù))能夠從盤片本身取出解調(diào)所必需的時(shí)鐘，因此能夠重放解調(diào)在記錄區(qū)記錄的連續(xù)數(shù)據(jù)。
圖23(c)所示為地址2307的簡要結(jié)構(gòu)。
為了識(shí)別扇段2306及提供在光盤上的位置信息而附加的地址2307由表示是地址區(qū)的扇段標(biāo)記2310、為了生成進(jìn)行地址2307重放用的時(shí)鐘所使用的VFO標(biāo)記2311、表示地址數(shù)據(jù)開始用的地址標(biāo)記2312、扇段號(hào)2313、紋道號(hào)2314及檢錯(cuò)碼2315構(gòu)成。
用凹坑(光盤上設(shè)置的凹凸)形成地址。
扇段標(biāo)記2310及地址標(biāo)記2312由于是識(shí)別地址數(shù)據(jù)開始用的數(shù)據(jù)模式，因此必須是扇段號(hào)2313、記錄紋道號(hào)2314及檢錯(cuò)碼2315中未出現(xiàn)的特殊模式。
為此，2313、2314及2315的地址數(shù)據(jù)在進(jìn)行雙相調(diào)制或游程長度受限調(diào)制(RLL調(diào)制)后進(jìn)行記錄。
利用該調(diào)制處理，由于能夠得到根據(jù)調(diào)制規(guī)則未出現(xiàn)的數(shù)據(jù)模式，因此不按照該調(diào)制規(guī)則的特殊數(shù)據(jù)模式可用于扇段標(biāo)記2310及地址標(biāo)記2312。
另外，2310的扇段標(biāo)記即使在同步用的PLL(Phase Lock Loop，鎖相環(huán))的時(shí)鐘未鎖定時(shí)，為了也容易識(shí)別地址區(qū)的開始，因此采用具有足夠長度的標(biāo)記。
在圖23所示的以往例子中，地址數(shù)據(jù)利用雙相調(diào)制方式進(jìn)行調(diào)制。雙相調(diào)制是將0調(diào)制為00或11，將1調(diào)制為10或01。
利用該調(diào)制，通常的數(shù)據(jù)變換為1或0不連續(xù)3個(gè)以上的數(shù)據(jù)。因而，1或0連續(xù)3個(gè)以上的模式成為不按照調(diào)制規(guī)則的特殊模式。
在圖23所示的以往例中，設(shè)地址標(biāo)記2312為10001110，扇段標(biāo)記2310為1111111100000000。由于這些數(shù)據(jù)是不按照調(diào)制規(guī)則的特殊模式，因此能夠與通常的數(shù)據(jù)進(jìn)行識(shí)別。
下面簡單說明該以往例子的地址2307的重放方法。
首先，進(jìn)行扇段標(biāo)記2310的檢測。扇段標(biāo)記成為1及0連續(xù)8個(gè)的特殊模式，采用PLL的自振時(shí)鐘，若檢測出一定以上長度的標(biāo)記，則能夠容易檢測出扇段標(biāo)記2310。
若檢測出該扇段標(biāo)記2310，則接著用VF02311對(duì)地址解調(diào)用的PLL時(shí)鐘進(jìn)行鎖定。
PLL時(shí)鐘鎖定后，用PLL時(shí)鐘進(jìn)行重放數(shù)據(jù)的1及0的判斷，得到判斷數(shù)據(jù)。
若根據(jù)該判斷數(shù)據(jù)檢測出地址標(biāo)記2312即10001110的模式，則接下來的數(shù)據(jù)成為扇段號(hào)2313、記錄紋道號(hào)2314及檢錯(cuò)碼2315。這樣，通過檢測出地址標(biāo)記2312就知紋道接下來的數(shù)據(jù)是應(yīng)該解調(diào)的扇段號(hào)2313、記錄紋道號(hào)2314及錯(cuò)誤檢測碼2315，然后進(jìn)行數(shù)據(jù)解調(diào)。
這樣，通過讀出地址2307，就根據(jù)讀出的地址信息，利用半徑上的位置信息即記錄紋道號(hào)2314及旋轉(zhuǎn)方向的位置信息即扇段號(hào)2313，來確定盤片上的位置，能夠進(jìn)行某特定扇段2306的識(shí)別，進(jìn)行記錄重放。這樣，以往的光盤根據(jù)扇段所附加的地址信息，能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)的重放及記錄。
如上所述，在圖23的光盤中，光盤基板2301上的凹坑形成地址2307，每個(gè)用1個(gè)地址2307規(guī)定的記錄區(qū)記錄1個(gè)記錄單位即1個(gè)扇段的數(shù)據(jù)。
上述的以往例子是在地址部分2308具有時(shí)鐘同步用的VFO模式2312，但也可以用別的手段得到地址數(shù)據(jù)解調(diào)用的時(shí)鐘，采用這樣的方法進(jìn)行。
關(guān)于這種類型的以往例子的光盤，下面用圖24進(jìn)行說明。
圖24(a)所示為以往例2的光盤簡要整體結(jié)構(gòu)。
在圖24(a)中，2401為聚碳酸酯的光盤基板，2402為記錄膜，2403及2404為記錄紋道，2405為將盤片根據(jù)徑向距離分割的區(qū)域，2407為進(jìn)行扇段識(shí)別用的地址，2408為進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的數(shù)據(jù)記錄區(qū)。
在圖24的光盤中，僅使用溝槽部分作為數(shù)據(jù)記錄區(qū)，設(shè)置能夠利用DWDD方式記你想那個(gè)數(shù)據(jù)重放的記錄膜。在利用磁疇壁移動(dòng)力進(jìn)行超分辨重放的DWDD方式中，必須利用溝槽進(jìn)行磁隔離。因此，為了僅用溝槽部分作為記錄紋道而且實(shí)現(xiàn)窄的紋道間距，必須采用圖24的跟蹤方式。具有每隔一圈跟蹤極性不同的第1紋道2403及第2紋道2404以及在記錄紋道1圈中扇段數(shù)不同的區(qū)域2405，這一點(diǎn)與圖23的前述以往例子相同。另外，數(shù)據(jù)記錄區(qū)2408根據(jù)徑向距離分割成平均線記錄密度為一定的多個(gè)區(qū)域2405，這一點(diǎn)也與圖23的以往例子相同。
因而，具有從地址2407的始端至下1個(gè)地址2407的始端的距離的扇段，在各區(qū)域內(nèi)具有相同的角度(以光盤中心為原點(diǎn)的極坐標(biāo)上的角度)，這一點(diǎn)也前述以往例子相同。如前述以往例子那樣，為了利用來自溝槽的一次衍射光進(jìn)行跟蹤，在僅用溝槽作為記錄紋道時(shí)，其紋道間距有極限。通常，該紋道間距的極限為大約λ/(n·NA)左右。在圖24的以往例子中，為了使紋道間距處于λ/(n·NA)以下，對(duì)跟蹤方式就采用采樣伺服方式。由于該采樣伺服方式相對(duì)于利用溝槽的一次衍射光的方式，具有能承受盤片傾斜等許多優(yōu)點(diǎn)，因此除了實(shí)現(xiàn)窄的紋道間距以外，還用于其它目的。下面簡單說明該采樣伺服方式。
圖24(b)為1個(gè)扇段2406的放大圖。扇段2406是利用地址2407將記錄紋道2403分割而成的。各扇段在各區(qū)域內(nèi)具有相同的角度(以光盤中心為原點(diǎn)的極坐標(biāo)上的角度)。1個(gè)扇段2406由地址2407及夾在地址2407中的多個(gè)分割的段2416構(gòu)成。不管是屬于同一區(qū)域還是屬于不同區(qū)域，所有扇段包含相同數(shù)量的段2416。
圖24(c)為1個(gè)段2416的簡要放大圖。
1個(gè)段2416具有最前面的預(yù)制凹坑區(qū)2419及接在它后面的由溝槽構(gòu)成的數(shù)據(jù)記錄區(qū)2420。預(yù)制凹坑區(qū)2419具有時(shí)鐘凹坑2417及一對(duì)偏差凹坑2418。在預(yù)制凹坑區(qū)2419的最前面設(shè)置生成采樣伺服窗口信號(hào)及數(shù)據(jù)解調(diào)用的時(shí)鐘用的時(shí)鐘凹坑2417。接在它后面，設(shè)置得到跟蹤信號(hào)用的一對(duì)偏差凹坑2418。
在圖24的光盤中，光束跟蹤是對(duì)該一對(duì)偏差凹坑2417的反射光量進(jìn)行采樣來進(jìn)行的。即，對(duì)光盤表面照射光束，來檢查它的反射光的光量。
如果光學(xué)頭的位置向記錄紋道的左右某一方向偏移，則來自靠近一側(cè)的偏差凹坑2418的反射光量減少，而來自遠(yuǎn)離一側(cè)的偏差凹坑2418的反射光量增多。
因而，通過進(jìn)行跟蹤控制，使得1對(duì)偏差凹坑2418的反射光量平衡，就能夠使光學(xué)頭位于記錄紋道2403或記錄紋道2404的中間。這樣，在采樣伺服方式中，由于在盤片的一部分離散埋入紋道控制信號(hào)(偏差凹坑2418)，因此具有的優(yōu)點(diǎn)是，不需要像前述以往例子那樣從溝槽得到跟蹤控制信號(hào)(一次衍射光)，而能夠自由設(shè)定由溝槽構(gòu)成的數(shù)據(jù)記錄區(qū)2420的溝槽形狀及深度。
圖24(d)所示為地址2407的簡要結(jié)構(gòu)。
地址凹坑(光盤上設(shè)置的凹凸)形成。
為了識(shí)別扇段2406及提供在光盤上的位置信息而附加的地址2407由表示地址數(shù)據(jù)開始用的地址標(biāo)記2410、扇段號(hào)2411、記錄紋道號(hào)2412及檢錯(cuò)碼2413構(gòu)成。
與上述以往例1相同，地址標(biāo)記2410是扇段號(hào)2411、記錄紋道號(hào)2412及檢錯(cuò)碼2413中未出現(xiàn)的特殊模式。
在圖24所示的以往例子中，也與上述以往例子相同，將地址數(shù)據(jù)利用雙相調(diào)制方式進(jìn)行調(diào)制，采用10001110作為地址標(biāo)記2410。由于數(shù)據(jù)10001110是不按照雙相調(diào)制規(guī)則的特殊數(shù)據(jù)模式，因此能夠檢測出地址標(biāo)記2410。
下面簡單說明該以往例子的地址部分的重放方法。
首先，進(jìn)行時(shí)鐘凹坑2417的檢測。用該時(shí)鐘凹坑，利用PLL形成N倍，通過這樣生成地址解調(diào)用的PLL時(shí)鐘。
在該P(yáng)LL時(shí)鐘的下降沿，與上述以往例子相同，進(jìn)行重放數(shù)據(jù)1及0的判斷，得到判斷數(shù)據(jù)。
若根據(jù)該判斷數(shù)據(jù)檢測出地址標(biāo)記2410即10001110的模式，則接下來的數(shù)據(jù)為扇段號(hào)2411、記錄紋道號(hào)2412及檢錯(cuò)碼2413。
這樣，通過檢測出地址標(biāo)記2410，就知紋道接下來的數(shù)據(jù)是應(yīng)該解調(diào)的扇段號(hào)2411、記錄紋道號(hào)2412及檢錯(cuò)碼2413，然后進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄及解調(diào)。
該采樣伺服方式也與上述以往例子相同，通過讀出地址，就根據(jù)讀出的地址信息，利用半徑上的位置信息即記錄紋道號(hào)及旋轉(zhuǎn)方向的位置信息即扇段號(hào)，來確定盤片上的位置，能夠進(jìn)行某特定扇段的識(shí)別，進(jìn)行記錄重放。這樣，根據(jù)扇段所附加的地址信息，能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)的重放及記錄。
如上所述，在圖24的光盤中，在光盤基板2410的地址2407及預(yù)制凹坑區(qū)2419上形成凹坑，每個(gè)用1個(gè)地址2407規(guī)定的記錄區(qū)記錄1個(gè)記錄單位即1個(gè)扇段的數(shù)據(jù)。
如上所述，在以往的盤片介質(zhì)中，1個(gè)扇段的記錄紋道長度或角度在盤片上預(yù)先利用凹坑等(利用預(yù)格式)來確定。即，利用由預(yù)制凹坑形成的地址確定每個(gè)扇段的記錄紋道長度或角度。同樣，各扇段的段數(shù)及各段的記錄紋道長度也利用由預(yù)制凹坑形成的地址及預(yù)先凹坑區(qū)來確定。
光盤的容量是由各區(qū)域的扇段數(shù)的總和來決定，由于光盤根據(jù)預(yù)格式具有物理區(qū)域結(jié)構(gòu)及扇段結(jié)構(gòu)，因此要改變光盤上的扇段大小或扇段數(shù)等是極其困難的。
因而，即使隨著技術(shù)的進(jìn)步，光盤記錄膜的特性提高，能夠進(jìn)行更高密度的記錄重放，但也不能增加現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)的光盤的數(shù)據(jù)容量。
為了增加光盤的數(shù)據(jù)容量，必須重新設(shè)定光盤的新標(biāo)準(zhǔn)，制造與新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的光盤(將新的扇段大小或新的扇段數(shù)進(jìn)行預(yù)格式化)。
在使按照新標(biāo)準(zhǔn)高密度化的光盤實(shí)現(xiàn)商品化時(shí)，由于已在市場上普及的盤片裝置與該新格式不對(duì)應(yīng)，因此存在的問題是，用已在市場上普及的盤片裝置不能對(duì)新光盤記錄數(shù)據(jù)，或者不能從新光盤重放數(shù)據(jù)。在以往的光盤中，由于記錄密度的極限取決于光束尺寸(光束強(qiáng)度是半峰值以上的區(qū)域的直徑)即λ/(2·NA)(NA為數(shù)值孔徑，λ為重放光的波長)，因此為了提高記錄密度，不僅必須提高記錄介質(zhì)的性能，而且還必須使激光光源采用短波長或大的NA。若改變NA或λ等光學(xué)常數(shù)，則光盤標(biāo)準(zhǔn)也必須重新制訂，另外也必然需要改變記錄重放裝置的光源波長及透鏡常數(shù)等。因而，以往用上述市場已普及的盤片裝置不能實(shí)現(xiàn)高密度化的問題，是與其它問題(NA或λ等光學(xué)常數(shù)問題)具有很強(qiáng)的相關(guān)性的問題，被認(rèn)為是不能解決的問題。
但是，近年來，通過在光磁記錄領(lǐng)域?qū)τ涗浤みM(jìn)行深入研究，提出了許多能夠不取決于λ/(2·NA)的數(shù)值而實(shí)現(xiàn)高密度化的超分辨率重放方式的方案。
在本說明書中，將能夠重放的記錄密度不取決于λ/(2·NA)的數(shù)值的重放方式稱為“超分辨重放方式”。其中，利用磁疇壁的移動(dòng)而放大的進(jìn)行記錄數(shù)據(jù)重放的DWDD方式(Domain Wall Displacement Detection，磁疇壁移動(dòng)檢測)是能夠用半幅值0.6μm左右的光束重放0.1μm以下記錄標(biāo)記的非常優(yōu)異的方式(日本專利特開平6-290496號(hào)公報(bào))。在采用這樣的超分辨重放方式的光磁盤中，能夠不改變?chǔ)?(2·NA)，而僅通過提高記錄介質(zhì)的性能，來實(shí)現(xiàn)提高記錄密度。若是這樣的DWDD方式等超分辨重放方式的記錄介質(zhì)，則通過使用高性能的記錄介質(zhì)，利用已在市場上出售的光盤裝置，也有可能簡單地能夠?qū)崿F(xiàn)高密度記錄重放。
但是，在以往的光盤中，如上所述，設(shè)置預(yù)格式化的區(qū)域及地址，不能改變與該地址一一對(duì)應(yīng)的扇段大小或扇段數(shù)。因此，即使是高性能的記錄介質(zhì)的記錄膜，但在盤片介質(zhì)的格式是相同的條件下，由于記錄介質(zhì)的高性能化顯現(xiàn)不出來，因此要簡單地提高記錄密度也是極其困難的，必須要改變盤片標(biāo)準(zhǔn)(對(duì)于用戶要重新買光盤裝置)。
另外，預(yù)格式的地址等信息是在光盤上用凹凸的凹坑刻制的。這些凹坑的記錄密度由于取決于λ/(2·NA)的數(shù)值的重放極限，故受到一定的限制。另外，若采用DWDD方式等超分辨計(jì)數(shù)，則數(shù)據(jù)部分的記錄密度不受λ/(2·NA)的限制。這將產(chǎn)生以下的問題。
例如，在考慮地址為40字節(jié)、數(shù)據(jù)為2048字節(jié)的扇段的情況下，在以往的光盤(不采用超分辨重放方式的介質(zhì))中，地址部分(記錄地址的區(qū)域)的記錄密度為0.5μm/bit，數(shù)據(jù)部分(記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域)的記錄密度也同樣為0.5μm/bit左右。
在這種情況下，地址數(shù)據(jù)占全部數(shù)據(jù)的比例(稱為“地址冗余度”)為0.5×40×8/(0.5×(40+2048)×8)＝1.91％在采用DWDD方式(或CAD方式、FAD(Front Aperture Detection，前孔徑檢測)方式或RAD(Rear Aperture Detection，后孔徑檢測)方式等)那樣的超分辨重放方式的光盤中，由于地址部分的記錄密度為0.5μm/bit，而數(shù)據(jù)部分的記錄密度為0.1μm/bit左右，則地址冗余度為0.5×40×8/((0.5×40+0.1×2048)×8)＝8.9％，將大幅度增加。
該格式效率的降低是由于采用1個(gè)扇段附加1個(gè)地址的以往的光盤格式結(jié)構(gòu)而引起的。
這在實(shí)現(xiàn)超分辨重放方式的高密度光盤的情況下，也成為1個(gè)大問題。
另外，在具有區(qū)域結(jié)構(gòu)的光盤中，在對(duì)區(qū)域邊界進(jìn)行存取時(shí)，通過一次的尋紋道動(dòng)作，由于盤片偏心或?qū)ぜy道誤差，不能夠正確移動(dòng)至目標(biāo)區(qū)域。在不能夠移動(dòng)至目標(biāo)區(qū)域時(shí)，驅(qū)動(dòng)器的處理將非常麻煩，尋紋道時(shí)間也增加。
例如，在圖23(a)中，在區(qū)域內(nèi)地址2307沿徑向排列，而在相鄰的區(qū)域之間，地址2307沒有沿徑向排列。因此，若光學(xué)頭在2個(gè)相鄰區(qū)域之間來來去去，則每次在區(qū)域移動(dòng)，將丟失地址信息，必須重新進(jìn)行地址2307的搜索。因此，地址2307的檢測非常慢。
所以，以往采用了下述的方法，即在與現(xiàn)在的區(qū)域相鄰的區(qū)域內(nèi)的扇段中，在使光學(xué)頭對(duì)現(xiàn)在的區(qū)域與相鄰的區(qū)域邊界附近的扇段進(jìn)行存取時(shí)，預(yù)先使光學(xué)頭移動(dòng)得稍多一些，使得即使包含尋紋道誤差，也一定能夠移動(dòng)至目標(biāo)區(qū)域，再從那里通過跨越記錄紋道，而使光學(xué)頭移動(dòng)至目標(biāo)記錄紋道。
這樣，在預(yù)先具有預(yù)格式的區(qū)域結(jié)構(gòu)及扇段結(jié)構(gòu)的光盤中存在的問題是，在對(duì)區(qū)域邊界進(jìn)行存取時(shí)，尋紋道時(shí)間很長。
另外，以往還存在的問題是，即使扇段中包含的1個(gè)段有缺陷(不能記錄或重放)，但由于記錄介質(zhì)上的扇段配置是固定的，另外由于該扇段對(duì)應(yīng)的記錄區(qū)沒有備用的段，因此該整個(gè)扇段就不能使用。

發(fā)明內(nèi)容
在以下的說明中，所謂“扇段”是指該記錄介質(zhì)的記錄裝置對(duì)該記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)的最小重寫單位(最小數(shù)據(jù)記錄量)的數(shù)據(jù)量的記錄區(qū)。另外，所謂“段”是指能夠記錄的數(shù)據(jù)容量能夠改變的記錄介質(zhì)上的最小連續(xù)記錄區(qū)，用多個(gè)段構(gòu)成扇段。
另外，“記錄介質(zhì)”意味著是記錄或重放信息用的任意記錄重放方式的介質(zhì)。包含盤片介質(zhì)或卡等。另外，包含光盤、磁盤、磁卡、IC(半導(dǎo)體存儲(chǔ)器)卡等。
“盤片介質(zhì)”意味著是任意記錄重放方式的盤片形式的記錄介質(zhì)。例如，包含光盤及磁盤等。另外，包含能夠與盤片裝置分開的盤片介質(zhì)(例如CD盤片、DVD盤片等)以及不能與盤片裝置分開的盤片介質(zhì)(例如硬盤裝置)。“光盤”包含光磁盤及相變光盤。
第1發(fā)明的記錄介質(zhì)，是具有表示記錄介質(zhì)上的位置的地址、并將扇段作為數(shù)據(jù)重寫單位或數(shù)據(jù)讀出單位進(jìn)行記錄或重放的記錄介質(zhì)，所述地址的開始位置與所述扇段的開始位置不同。
第2發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)中，1個(gè)扇段具有與1個(gè)地址長度的n倍(n為1以上的整數(shù))的長度不同的長度。
第3發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)，具有圓盤狀的形狀，1個(gè)扇段具有與1個(gè)地址角度的n倍(n為1以上的整數(shù))的角度不同的角度。
第4發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)中，具有圓盤狀的形狀，具有1個(gè)以上的記錄紋道、通過將所述記錄紋道分割成放射線狀而生成的多個(gè)段、根據(jù)盤片的徑向距離分割的多個(gè)區(qū)域、地址及扇段，1個(gè)扇段包含的段的數(shù)量m與1個(gè)地址包含的段的數(shù)量n的k倍(k為1以上的整數(shù))為不同的數(shù)。
在以往的記錄介質(zhì)中，由于1個(gè)扇段包含的數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)上利用預(yù)制凹坑等規(guī)定的一定長度的記錄區(qū)或一定數(shù)量的段中，因此即使記錄膜的性能提高，但被已有的格式限制，不能夠增加記錄容量。這是由于采用扇段與地址是一一對(duì)應(yīng)的以往的記錄介質(zhì)結(jié)構(gòu)而引起的。
下面用圖25說明以往例子的記錄介質(zhì)與本發(fā)明記錄介質(zhì)的不同點(diǎn)。圖25(a)所示為以往例子的記錄介質(zhì)的簡要結(jié)構(gòu)，圖25(b)所示為本發(fā)明記錄介質(zhì)(實(shí)施例)的簡要結(jié)構(gòu)。圖25(a)及(b)的記錄介質(zhì)具有盤片形狀。記錄介質(zhì)具有從內(nèi)圈向外圈的螺旋形記錄紋道，記錄紋道利用地址進(jìn)行等角度分割。用地址分割的區(qū)域邊界沿徑向排列，呈放射狀延伸。各地址分割成多個(gè)段(未圖示)。
在圖25(a)所示的以往例子的記錄介質(zhì)中，扇段2501的開始位置一定與用地址規(guī)定的區(qū)域2502的開始位置(最前面位置)一致。例如，在將2個(gè)扇段記錄數(shù)據(jù)連續(xù)記錄在記錄介質(zhì)上時(shí)，最初的記錄數(shù)據(jù)最后一位的記錄位置即使是在用地址規(guī)定的區(qū)域當(dāng)中，下1個(gè)扇段的開始位置也成為下1個(gè)地址的開始位置。即，最初的扇段的結(jié)束位置與最初的用地址規(guī)定的區(qū)域的結(jié)束位置一致。最初的扇段成為用第1個(gè)地址規(guī)定的區(qū)域。如果最前面的記錄數(shù)據(jù)最后一位的記錄位置超過用第1個(gè)地址規(guī)定的區(qū)域，而在用第2個(gè)地址規(guī)定的區(qū)域當(dāng)中，則下1個(gè)扇段的開始位置與用第3個(gè)地址規(guī)定的區(qū)域的開始位置一致。即，最初的扇段的結(jié)束位置與用第2個(gè)地址規(guī)定的區(qū)域的結(jié)束位置一致。最初的扇段成為用第1個(gè)地址及第2個(gè)地址規(guī)定的區(qū)域。如上所述，從記錄數(shù)據(jù)最后一位的記錄位置至下1個(gè)地址的開始位置的記錄區(qū)處于未使用狀態(tài)。
與上不同的是，在圖25(b)所示的實(shí)施例的記錄介質(zhì)中，扇段2511的開始位置與用地址規(guī)定的區(qū)域2512的開始位置(最前面位置)不需要一致(也有的情況是一致的，但有一定概率)。例如在將2個(gè)扇段記錄數(shù)據(jù)連續(xù)記錄在記錄介質(zhì)上時(shí)，若最初的記錄數(shù)據(jù)最后一位的記錄位置是用地址規(guī)定的區(qū)域當(dāng)中的段，則該段是扇段的結(jié)束位置，下1個(gè)扇段的開始位置成為該段的下1個(gè)段(用地址規(guī)定的區(qū)域的當(dāng)中成為開始位置)。如果最前面的記錄數(shù)據(jù)最后一位的記錄位置超過用第1個(gè)地址規(guī)定的區(qū)域，而是用第2個(gè)地址規(guī)定的區(qū)域當(dāng)中的段，則該段是扇段的結(jié)束位置，下1個(gè)扇段的開始位置成為該段的下1個(gè)段(用地址規(guī)定的區(qū)域的當(dāng)中成為開始位置)。因未使用而剩下的記錄區(qū)僅僅是扇段的最后段的未使用部分。
若扇段的大小一定，則能夠在記錄介質(zhì)設(shè)置對(duì)該扇段最佳的地址。但是，若設(shè)置例如不同大小的扇段，則在以往的記錄介質(zhì)中，記錄區(qū)的使用效率下降。本發(fā)明不管扇段的大小，能夠?qū)崿F(xiàn)僅產(chǎn)生極少量的無用(因未使用而剩下的)記錄區(qū)的高記錄密度的記錄介質(zhì)。
段是根據(jù)設(shè)置跟蹤控制用的伺服區(qū)等的必要性而設(shè)置的，它不具有與其本身位置有關(guān)的固有識(shí)別信息(例如表示記錄介質(zhì)中的徑向位置或圓周方向位置的固有識(shí)別信息)。這一點(diǎn)和與位置有關(guān)的固有信息的地址有本質(zhì)上的區(qū)別。
在以往的記錄介質(zhì)中，扇段的開始位置固定設(shè)定為地址的開始位置。在以往的記錄介質(zhì)中，扇段固定在用地址信息分割的區(qū)域。這意味著扇段的開始位置是固定的。因此在以往的記錄介質(zhì)中，即使將來記錄膜的性能提高，但為了提高記錄密度，必須改變記錄介質(zhì)本身的格式。本發(fā)明的記錄介質(zhì)根據(jù)上述第1～第4發(fā)明，沒有必要使扇段的記錄區(qū)與用地址規(guī)定的記錄區(qū)一致，能夠自由設(shè)定。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，以往扇段固定在用地址信息分割的區(qū)域而不能改變的每個(gè)扇段中的段數(shù)能夠可變。因此，即使是記錄密度不同的記錄膜，也能夠通過改變每個(gè)扇段中的段數(shù)，自由地設(shè)定光盤的記錄密度，產(chǎn)生了上述這樣大的效果。
在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，即使盤片上全部段一定，若記錄膜的性能提高，則也能夠通過增加每個(gè)段的信息量而減少每個(gè)扇段中的段數(shù)，來增加整個(gè)記錄介質(zhì)的記錄容量。
這意味著在保持盤片上用凹坑形成的物理格式固定不變的前提下，能夠?qū)崿F(xiàn)可增加記錄容量的格式。在標(biāo)準(zhǔn)化時(shí)，若決定與記錄膜將來性能提高相對(duì)應(yīng)的多種記錄密度，或者以預(yù)先規(guī)定的區(qū)域所預(yù)先規(guī)定的格式及記錄密度記錄扇段與段的關(guān)系，則通過采用記錄重放裝置讀出這些信息而動(dòng)作的結(jié)構(gòu)，就能夠簡單地用已有的記錄重放裝置或重放裝置進(jìn)行高密度記錄或重放高密度記錄的數(shù)據(jù)。這樣，本發(fā)明具有的效果是，通過保持已有的格式，能夠維持市場上的產(chǎn)品互換性，同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)更高數(shù)據(jù)容量的記錄介質(zhì)。通過這樣能夠隨著記錄膜的性能提高，或者根據(jù)記錄介質(zhì)的形狀(例如圓盤狀的形狀)，自由設(shè)定光盤的記錄密度，產(chǎn)生上述這樣大的效果。
第5發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)中，具有包含第1扇段及第2扇段的多個(gè)扇段，所述第1扇段包含的段數(shù)比所述第2扇段包含的段數(shù)要少，而且所述第1扇段的段中記錄的信息量比所述第2扇段的段中記錄的信息量要多。
第6發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)中，具有圓盤狀的形狀，具有多個(gè)扇段，外圈部分1個(gè)扇段包含的段數(shù)比內(nèi)圈部分1個(gè)扇段包含的段數(shù)要少，而且外圈部分的1個(gè)段中記錄的信息量比內(nèi)圈部分的1個(gè)段中記錄的信息量要大。
第7發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)中，具有包含第1區(qū)域及第2區(qū)域的多個(gè)區(qū)域，所述第1區(qū)域的1個(gè)扇段包含的段數(shù)比所述第2區(qū)域的1個(gè)扇段包含的段數(shù)要少，而且第1區(qū)域的扇段的段中記錄的信息量比所述第2區(qū)域的扇段的段中記錄的信息量要多。
根據(jù)該上述第5～第7發(fā)明，使得按照記錄介質(zhì)的形狀等產(chǎn)生的因扇段位置引起的記錄密度變化保持一定，通過這樣能夠力圖使記錄容量達(dá)到最大化。
在以往的記錄介質(zhì)中，由于各扇段包含的段數(shù)相同，因此為了增加記錄容量，沿徑向分割成區(qū)域，并且采用使該區(qū)域的扇段數(shù)向著外圈而增加的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明使每個(gè)扇段的段數(shù)是靈活的，使段內(nèi)記錄的信息量是靈活的，通過這樣實(shí)現(xiàn)具有盤片內(nèi)的段按放射狀配置的結(jié)構(gòu)，而且使盤片內(nèi)的記錄密度近似一定。
例如在盤片形狀的記錄介質(zhì)的情況下，隨著記錄介質(zhì)的記錄密度提高，能夠簡單實(shí)現(xiàn)與記錄密度相應(yīng)的ZCAV或ZCLV結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì)，第6發(fā)明的1個(gè)例子的記錄介質(zhì)具有圓盤狀的形狀，1個(gè)地址的角度從記錄介質(zhì)的內(nèi)圈至外圈為一定，記錄介質(zhì)上的內(nèi)圈1個(gè)扇段的角度比外圈1個(gè)扇段的角度要大。
在以往的記錄介質(zhì)中，在進(jìn)行區(qū)域之間尋紋道時(shí)，由于區(qū)域之間的地址數(shù)不同，因此必須確實(shí)移動(dòng)至目標(biāo)區(qū)域。采用了下述的方法，即在與現(xiàn)在區(qū)域相鄰的區(qū)域內(nèi)的扇段中，在使光學(xué)頭對(duì)現(xiàn)在的區(qū)域與相鄰的區(qū)域邊界附近的扇段進(jìn)行存取時(shí)，預(yù)先使光學(xué)頭移動(dòng)得稍多一些，使得即使包含尋紋道誤差，也一定能夠移動(dòng)至目標(biāo)區(qū)域，再從那里通過跨越記錄紋道，而使光學(xué)頭移動(dòng)至目標(biāo)記錄紋道。
這樣，在預(yù)先具有預(yù)格式的區(qū)域結(jié)構(gòu)及扇段結(jié)構(gòu)的光盤中存在的問題是，在對(duì)區(qū)域邊界進(jìn)行存取時(shí)，尋紋道時(shí)間很長。
但是，本發(fā)明的記錄介質(zhì)采用上述結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)例如地址信息在盤片上呈放射狀整齊排列、但是扇段在盤片上不呈放射狀排列配置的盤片介質(zhì)。通過這樣，由于能夠?qū)崿F(xiàn)盤片內(nèi)使記錄密度從內(nèi)圈至外圈近似保持一定、但是不具有物理區(qū)域結(jié)構(gòu)的光盤，因此還具有的效果是，能夠防止至今發(fā)生的在區(qū)域之間的尋紋道時(shí)間增加，能夠?qū)崿F(xiàn)搜索時(shí)間短的高記錄密度的記錄介質(zhì)。
例如若沿盤片形狀記錄介質(zhì)的徑向?qū)⒍渭暗刂沸畔⒌日R排列，則在頭部尋紋道時(shí)容易得到位置信息，能夠縮短尋紋道時(shí)間。
另外，在具有多個(gè)區(qū)域的盤片介質(zhì)中，若在區(qū)域內(nèi)段的邊界沿盤片的徑向排列，而在區(qū)域之間段的邊界不沿該盤片的徑向排列(例如是圖23及圖24的光盤)，則在對(duì)相鄰2個(gè)區(qū)域邊界附近的記錄紋道進(jìn)行存取時(shí)，尋紋道時(shí)間將延長。
但是，為了使尋紋道高速化，若使段的邊界沿該盤片的徑向排列，則由于各段具有的弧形記錄紋道將具有相同的角度，因此越是接近盤片外圈的記錄紋道，則1個(gè)段具有的記錄紋道的長度越長。在以往的記錄介質(zhì)中，由于1個(gè)段中記錄的數(shù)據(jù)量在同1個(gè)記錄介質(zhì)上從內(nèi)圈至外圈為一定，因此越是距離盤片中心遠(yuǎn)的記錄紋道，則記錄數(shù)據(jù)的線密度越低(單位長度的記錄紋道中記錄的數(shù)據(jù)量少)。因而，若使段的邊界沿該盤片的徑向排列，則記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)容量下降。這是由于采用了地址與扇段一一對(duì)應(yīng)的以往的記錄介質(zhì)結(jié)構(gòu)引起的。
本發(fā)明的記錄介質(zhì)是例如使段的邊界沿盤片的徑向排列，越是接近盤片外圈的記錄紋道，則1個(gè)段中越是記錄更多的數(shù)據(jù)。
即，使得每1個(gè)扇段(數(shù)據(jù)量為一定)的段數(shù)越是接近外圈越少。即，越是接近外圈的記錄紋道，則1個(gè)段中越是記錄更多的數(shù)據(jù)。利用這樣的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明具有的作用是能夠?qū)崿F(xiàn)可靈活改變記錄容量但是相反可高速尋紋道的盤片介質(zhì)。
為了高效地實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)，必須有以下所示的功能?？紤]構(gòu)成盤片的紋道數(shù)為T、將1個(gè)紋道分割成k個(gè)段的系統(tǒng)。在設(shè)構(gòu)成1個(gè)扇段的段數(shù)為m時(shí)，則第r個(gè)扇段紋道號(hào)t及段號(hào)s為如上所示。
t＝[r×m/k] (0≤t≤T-1)s＝r×mMOD k (0≤s≤k-1)[]是高斯符號(hào)([r×m/k]給出不超過r×m/k的最大整數(shù))，MOD給出余數(shù)(上式的s為用k去除r×m的余數(shù))。
在以往的光盤中，m的值是固定的(構(gòu)成扇段的段數(shù)固定)，而且k是m的整數(shù)倍(呈放射線狀配置扇段)。因此，若對(duì)每構(gòu)成1個(gè)扇段的m個(gè)段附加1個(gè)識(shí)別信息即地址，則通過讀出該地址，就能夠?qū)θ我馍榷芜M(jìn)行存取。
但是，在本發(fā)明的光盤中具有的很大特性是，構(gòu)成1個(gè)扇段的段數(shù)m可以取任意的值。通過m取任意的值，將來就能夠允許有改變的自由。
M即使是任意的值，為了使頭部能夠?qū)θ我馍榷?第r個(gè)扇段)進(jìn)行存取，必須具有頭部對(duì)任意紋道t及任意段s進(jìn)行存取的功能。
所謂“頭部”，是對(duì)盤片介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)或從盤片介質(zhì)重放數(shù)據(jù)用的接口部分的總稱，包含光學(xué)頭等。
在以往的光盤中，為了對(duì)任意的位置進(jìn)行存取，對(duì)想要存取的位置附加識(shí)別號(hào)即地址。
根據(jù)構(gòu)成1個(gè)扇段的段數(shù)m，能夠決定扇段的數(shù)據(jù)使用效率。由于扇段大小是固定的，若m允許取任意的值，則在扇段的最后一段會(huì)產(chǎn)生僅記錄一位而剩下的數(shù)據(jù)記錄區(qū)中什么也沒有記錄的情況。在這種情況下的扇段使用效率為最差。
若假設(shè)m的值為100，則由于能夠以1/m的分辨率控制構(gòu)成1個(gè)扇段的段數(shù)，因此最差的扇段使用效率成為1-1/m＝99％(在1個(gè)扇段的最后一段中僅記錄一位數(shù)據(jù)的情況)。若是這樣大小的數(shù)據(jù)使用效率，則在實(shí)用的范圍內(nèi)。
若m的值為20左右，則最差的扇段使用效率變成1-1/m＝95％，格式效率相當(dāng)差(由格式?jīng)Q定的扇段使用效率等)。因而，每1個(gè)扇段的段數(shù)m越大，則扇段使用效率越高。
但是，若取m的值較大，而且m能夠取任意的值，每個(gè)段即使成為扇段的最前面的段，為了使得頭部能夠?qū)υ撋榷芜M(jìn)行存取，在以往的格式中，都必須對(duì)每個(gè)段附加地址。若對(duì)所有的段附加地址，則地址的冗余度增加，格式效率下降。
在對(duì)各段附加地址并且1個(gè)扇段由m個(gè)段構(gòu)成的情況下，若設(shè)地址線密度為p，地址字節(jié)數(shù)為a，數(shù)據(jù)部分線密度為q，扇段的字節(jié)大小為Z，則地址部分對(duì)于記錄數(shù)據(jù)部分的冗余度用下式表示。
d＝(a×p)/(a×p+q×Z/m)例如，若設(shè)扇段大小Z為32kB，m＝100，數(shù)據(jù)部分的線密度為q＝0.15μm/bit，地址部分的線密度p＝0.5μm/bit，地址字節(jié)數(shù)a＝10字節(jié)，則地址部分的長度占全長的比例(地址冗余度)為d＝(10×0.5)/(10×0.5+0.15×32×1024/100)＝9.2％在以往的方式中，附加地址將使格式效率大大降低。
以往，為了消除這樣的格式效率大大降低的情況，要增大m，這雖是非常困難的，但根據(jù)以下的地址格式及第31發(fā)明的對(duì)任意段的存取方法，解決了該問題。關(guān)于這一點(diǎn)將在下面詳細(xì)說明。
提出了1個(gè)結(jié)構(gòu)，即將地址數(shù)據(jù)對(duì)各段每一位分散配置，形成分散地址格式(根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人的發(fā)明即日本專利特愿平11-021885及特愿平11-329265)，將該分散地址格式用于光盤，則使段的結(jié)構(gòu)在整個(gè)記錄介質(zhì)中相同，通過這樣非常容易對(duì)任意的段進(jìn)行存取。若采用該結(jié)構(gòu)，則即使取m的值較大，而且能夠取任意值的m，地址的冗余度也不增加。
但是，關(guān)于對(duì)任意的段進(jìn)行存取的手段并沒有解決。
第31發(fā)明是第19發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置中，所述記錄介質(zhì)是光盤，具有1個(gè)以上的紋道，所述紋道分割成呈放射線狀的多個(gè)段，對(duì)所述多個(gè)分割的段分?jǐn)?shù)配置地址數(shù)據(jù)，地址數(shù)據(jù)具有表示盤片旋轉(zhuǎn)方向的位置信息的段管理號(hào)及表示盤片徑向的位置信息紋道號(hào)，所述記錄介質(zhì)的控制裝置具有與根據(jù)所述段管理號(hào)生成的所述段的位置同步的計(jì)數(shù)器、以及根據(jù)所述計(jì)數(shù)器的值對(duì)多個(gè)所述段集中形成1個(gè)重寫單位的扇段的記錄或重放的開始位置及結(jié)束位置進(jìn)行控制的控制單元。
第31發(fā)明的光盤裝置，數(shù)據(jù)記錄重放的開始位置及結(jié)束位置的控制是根據(jù)加法器的值來進(jìn)行，所述加法器根據(jù)從地址信息讀出的值以預(yù)置值或某一值初始化而且每隔記錄數(shù)據(jù)的最小單位(段)進(jìn)行加法計(jì)數(shù)。
在分散地址格式的光盤中，由于各段具有類似的結(jié)構(gòu)，因此例如位于同一半徑的相鄰2個(gè)段的間隔相同。所以每個(gè)段即使成為扇段的最前面的段，也能夠以相同的控制方法進(jìn)行記錄或重放的控制。
地址數(shù)據(jù)集中配置在1個(gè)地方的以往的光盤(例如圖23或圖24)中，將配置地址數(shù)據(jù)部分夾在當(dāng)中的2個(gè)段的間隔與當(dāng)中未夾有地址數(shù)據(jù)的位于同一半徑的2個(gè)段的間隔不同。因此，若設(shè)任意的段成為扇段的最前面的段，則光盤裝置必須對(duì)每個(gè)段要根據(jù)其固有位置改變光盤的記錄或重放的時(shí)刻，必須進(jìn)行非常復(fù)雜的控制。
因而，分散地址格式的光盤特別適合于本發(fā)明。具有與根據(jù)分散地址格式的光盤的段管理號(hào)生成的段的位置同步的計(jì)數(shù)器的光盤裝置(第31發(fā)明)，能夠很容易對(duì)任意地址的段進(jìn)行存取。
第9發(fā)明是第1發(fā)明所述的記錄介質(zhì)中，具有多個(gè)區(qū)域，各區(qū)域的1個(gè)扇段包含的段數(shù)至少在2個(gè)區(qū)域之間相互不同。根據(jù)本發(fā)明，例如能夠設(shè)置每個(gè)區(qū)域具有不同信息量的扇段(段數(shù)不同，每段的信息量可以相同，也可以不同)。例如在記錄信息量不同的二種數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)其信息量記錄在具有最佳扇段(能夠?qū)⒃摂?shù)據(jù)全部記錄、而且剩下的記錄區(qū)為最少的扇段)的區(qū)域中。
在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，不需要在區(qū)域間設(shè)置物理邊界，可以設(shè)定邏輯邊界。因而，通過改變設(shè)定值，也能夠改變區(qū)域的記錄容量。如實(shí)施例所述，通過將記錄多信息量的區(qū)域面積設(shè)定得較大，而將記錄少信息量的區(qū)域面積設(shè)定得較小，就能夠?qū)崿F(xiàn)更容易使用的記錄介質(zhì)。
第10發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)中，具有確定記錄介質(zhì)上的扇段位置的信息。第11發(fā)明是第10發(fā)明的記錄介質(zhì)，所述信息是能夠根據(jù)它利用運(yùn)算式導(dǎo)出扇段位置的信息。第12發(fā)明是第10發(fā)明的記錄介質(zhì)，所述信息是根據(jù)地址及段數(shù)確定扇段起點(diǎn)的信息。
另外，第13發(fā)明是第10發(fā)明的記錄介質(zhì)中，具有包含地址與扇段的關(guān)系的扇段信息，所述扇段信息具有各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)或段號(hào)或各區(qū)域的每個(gè)扇段的段數(shù)中的至少1個(gè)數(shù)據(jù)、以及用該數(shù)據(jù)導(dǎo)出扇段開始位置的運(yùn)算式。
第14發(fā)明是第10發(fā)明的記錄介質(zhì)，還具有每個(gè)段的數(shù)據(jù)位數(shù)或振蕩器的分頻比的信息。
本發(fā)明通過特別與第1～9的發(fā)明一起實(shí)施，特別具有效果。
本發(fā)明的記錄介質(zhì)在記錄介質(zhì)上的特定區(qū)域(若記錄介質(zhì)是盤片介質(zhì)，則最好是內(nèi)圈部分或外圈部分的特定區(qū)域)具有各扇段的位置信息。最好是根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定的。
通過這樣，扇段與地址即使沒有一對(duì)n(n為正整數(shù))的關(guān)系，或者即使不同扇段包含不同數(shù)量的段，也能夠通過重放該記錄介質(zhì)記錄的信息，確定扇段在記錄介質(zhì)上的位置。
另外，若記錄介質(zhì)的記錄膜性能提高，則通過重寫該信息或生產(chǎn)商作為預(yù)制凹坑信息預(yù)先記錄，即使在市場出售的光盤裝置下，也能夠很容易實(shí)現(xiàn)更高密度記錄。
由于該信息記錄在該記錄介質(zhì)本身，即使對(duì)該記錄介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的數(shù)據(jù)記錄裝置5從該記錄介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)重放的數(shù)據(jù)重放裝置是另外的裝置，也能夠根據(jù)該記錄介質(zhì)記錄的表示扇段與段之間關(guān)系的數(shù)據(jù)，在數(shù)據(jù)重放裝置中正確進(jìn)行數(shù)據(jù)重放。
所謂“確定扇段位置的信息”，可以是直接確定扇段位置的信息(例如第5扇段，從地址12的起點(diǎn)設(shè)第5段作為扇段的起點(diǎn)，從地址14的起點(diǎn)設(shè)第2段作為扇段的終點(diǎn))，也可以是間接(例如用運(yùn)算式)確定扇段位置的信息。例如，若設(shè)紋道的1圈的段數(shù)為1280，構(gòu)成1個(gè)扇段的段數(shù)為1050，則表示為“第r個(gè)扇段的起點(diǎn)是，在0≤r≤2437中，第p＝[1050×r/1280]([]為高斯符號(hào))個(gè)記錄紋道的第(1050×rMOD1280)的段為最前面的段”。
本發(fā)明在扇段的單位與地址單位的n倍(n為1以上的整數(shù))不相同的盤片介質(zhì)中特別有效果。
第15發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)中，1個(gè)扇段具有備用的段。第16發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)，分配在1個(gè)扇段中的全部段具有大于該扇段信息量的信息記錄容量。
第17發(fā)明是第1發(fā)明的記錄介質(zhì)中，包含缺陷段的扇段所包含的段數(shù)比不包含缺陷段的扇段所包含的段數(shù)要多。第18發(fā)明是第13發(fā)明至第17發(fā)明的任一項(xiàng)發(fā)明所述的記錄介質(zhì)，具有缺陷段的位置信息。
第18發(fā)明具有的作用是，若是已經(jīng)記錄了數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)，則每次在扇段內(nèi)發(fā)現(xiàn)缺陷段，則必須改變各扇段的配置，而且按照新的扇段配置重寫數(shù)據(jù)，但從記錄容量的觀點(diǎn)來說，能夠?qū)崿F(xiàn)完全無浪費(fèi)的記錄介質(zhì)。
與上不同的是，在第15及第16發(fā)明中，雖然從最初就必須有備用的段或備用的記錄容量，但能夠得到的有利效果是，在扇段內(nèi)即使發(fā)現(xiàn)缺陷段，也不需要改變其它扇段的配置，僅在該缺陷段發(fā)生的扇段內(nèi)改變數(shù)據(jù)配置，就能夠正常使用扇段。
例如，不產(chǎn)生浪費(fèi)的扇段所包含的段數(shù)，在(qMODr)＝0時(shí)，利用式子[q/r]([]為高斯符號(hào))來決定，而在(qMODr)≠0時(shí)，利用式子[q/r]+1([]為高斯符號(hào))來決定。通過將扇段所包含的段數(shù)作為用前述式子求得的數(shù)加1，就能夠使用該多余的記錄容量作為缺陷位發(fā)生時(shí)的代替記錄容量。它具有的作用是，能夠?qū)崿F(xiàn)即使發(fā)生缺陷位也能夠使該扇段恢復(fù)使用而且沒有浪費(fèi)的記錄介質(zhì)。
所謂“備用段”是指若所有的段都正常而不使用的段。
若有缺陷位(記錄的值與重放的值不一致的位)，則將該位是缺陷位的信息記錄在各扇段內(nèi)或記錄介質(zhì)的特定部分。然后，在記錄時(shí)不對(duì)包含該缺陷位的段記錄數(shù)據(jù)，在重放時(shí)不從包含該缺陷位的段重放數(shù)據(jù)。
第19發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置，具有從所述記錄介質(zhì)讀出表示記錄介質(zhì)上的位置的地址及表示所述地址與作為數(shù)據(jù)重寫單位或數(shù)據(jù)讀出單位的扇段的關(guān)系的扇段信息的信號(hào)重放單元、以及利用所述地址及所述扇段信息使頭部移動(dòng)至扇段開始位置的控制單元，至少1個(gè)扇段的開始位置與根據(jù)所述地址確定的區(qū)域的最前面部分不同。
第20發(fā)明是第19發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置中，所述記錄介質(zhì)具有圓盤狀的形狀，而且具有螺旋狀或同心圓上配置的紋道，所述紋道具有分割成多個(gè)區(qū)域的段，對(duì)多個(gè)段記錄1個(gè)地址，所述控制單元將所述記錄介質(zhì)上的所述地址作為起點(diǎn)，沿圓周方向?qū)Χ螖?shù)或與所述段同步的計(jì)數(shù)器的輸出信號(hào)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，使頭部移動(dòng)至扇段的開始位置。
第21發(fā)明是第19發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置中，所述扇段信息具有各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)或段號(hào)或各區(qū)域的每個(gè)扇段的段數(shù)中的至少1個(gè)數(shù)據(jù)、以及用該數(shù)據(jù)導(dǎo)出扇段開始位置的運(yùn)算式。
在以往的記錄介質(zhì)的控制裝置(記錄裝置或重放裝置)中，根據(jù)記錄介質(zhì)上預(yù)格式的各地址，對(duì)與各地址對(duì)應(yīng)的扇段記錄數(shù)據(jù)，或者從扇段重放數(shù)據(jù)。因而，扇段的開始位置與根據(jù)地址確定的區(qū)域的最前面部分一定是一致的。
但是，在上述本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，由于失去了扇段與地址的一對(duì)n(n為正整數(shù))的關(guān)系，因此用以往的記錄介質(zhì)的記錄裝置或重放裝置，不能對(duì)本發(fā)明的記錄介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄或重放。
本發(fā)明的記錄介質(zhì)的記錄裝置或重放裝置是根據(jù)該記錄介質(zhì)上記錄的上述數(shù)據(jù)來確定各扇段的位置。
本發(fā)明具有的作用是，能夠?qū)崿F(xiàn)確定上述本發(fā)明的記錄介質(zhì)上的扇段位置并對(duì)確定的扇段記錄數(shù)據(jù)或重放數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)的記錄裝置或重放裝置。
“記錄介質(zhì)的控制裝置”包含記錄介質(zhì)的記錄裝置、重放裝置及記錄重放裝置。
所謂“頭部”，是對(duì)記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)或從記錄介質(zhì)重放數(shù)據(jù)用的接上部分的總稱，包含磁盤等的記錄頭、重放頭及記錄重放頭、以及光盤(包含光磁盤及相變光盤)等的記錄透鏡及光學(xué)頭。
只要記錄各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)或段號(hào)或各區(qū)域的每個(gè)扇段的段數(shù)中的任1個(gè)數(shù)據(jù)即可。
記錄各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)的記錄介質(zhì)，一般是分區(qū)方式的記錄介質(zhì)。但是，記錄每個(gè)段的數(shù)據(jù)位數(shù)的記錄介質(zhì)，可以是分區(qū)方式的盤片介質(zhì)，也可以是不采用分區(qū)方式的盤片介質(zhì)。
例如，是分區(qū)方式盤片介質(zhì)的記錄重放裝置的盤片裝置，將根據(jù)各區(qū)域的每個(gè)扇段的段數(shù)等，來控制在盤片介質(zhì)上的頭部位置。
例如，是不采用分區(qū)方式的盤片介質(zhì)的記錄重放裝置的盤片裝置，將根據(jù)每個(gè)紋道號(hào)規(guī)定的各段的數(shù)據(jù)位數(shù)，來控制在盤片介質(zhì)上的頭部位置。
第22發(fā)明是第19發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置中，具有振蕩器；包含用根據(jù)從記錄介質(zhì)讀出的每個(gè)段的數(shù)據(jù)位數(shù)或振蕩器的分頻比信息導(dǎo)出的分頻比將所述振蕩器輸出信號(hào)進(jìn)行分頻的分頻器、并使所述分頻器輸出信號(hào)與所述段同步的鎖相單元；以及用基于所述振蕩器輸出信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)對(duì)所述記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)或從記錄介質(zhì)重放數(shù)據(jù)的信號(hào)處理單元。
在本發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置中，改變利用段要記錄或重放的數(shù)據(jù)量(時(shí)鐘信號(hào))。
在本發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置中，內(nèi)裝有構(gòu)成基準(zhǔn)的振蕩器，根據(jù)從該記錄介質(zhì)讀出出的每個(gè)段的數(shù)據(jù)量，將該振蕩器輸出信號(hào)進(jìn)行分頻，使其同步，通過這樣能夠很容易得到適合各段的時(shí)鐘信號(hào)。
本發(fā)明具有的作用是，能夠提高適合本發(fā)明記錄介質(zhì)的簡單結(jié)構(gòu)控制裝置。
第23發(fā)明是第19發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置中，是記錄介質(zhì)的記錄裝置，具有根據(jù)從記錄介質(zhì)重放的信息確定缺陷段的缺陷位置確定單元；以及若利用所述缺陷位置確定單元判斷為1個(gè)扇段有缺陷段、則對(duì)包含所述缺陷段的扇段追加與缺陷段的數(shù)量相同數(shù)量及以上的段后進(jìn)行分配的扇段分配單元。
在以往的盤片裝置中，若發(fā)現(xiàn)缺陷段或缺陷位，則將包含該缺陷段或缺陷位的整個(gè)扇段判斷為缺陷，并放棄使用整個(gè)扇段。
但是，放棄僅1個(gè)段(例如是100B的大小)或僅1個(gè)位是缺陷的整個(gè)扇段(例如是32kB大小)，則造成很多的浪費(fèi)。
在本發(fā)明的盤片裝置中，通過對(duì)1個(gè)扇段記錄數(shù)據(jù)并將其重放后將兩者進(jìn)行比較等，來發(fā)現(xiàn)扇段所包含的缺陷段。若發(fā)現(xiàn)缺陷段，則將彌補(bǔ)它的記錄區(qū)追加給該扇段，然后進(jìn)行分配。
通過這樣，能夠從功能上恢復(fù)具有缺陷段的扇段，對(duì)該扇段能夠正常記錄數(shù)據(jù)或讀出數(shù)據(jù)。
本發(fā)明具有的作用是能夠?qū)崿F(xiàn)即使發(fā)生缺陷段也不產(chǎn)生浪費(fèi)、能夠恢復(fù)扇段功能的盤片裝置。
第24發(fā)明是第19發(fā)明的記錄介質(zhì)的控制裝置中，是記錄介質(zhì)的記錄裝置，具有檢測缺陷段的檢測單元；以及若所述檢測單元檢測出缺陷段、則在記錄介質(zhì)上進(jìn)行扇段再配置的再配置單元。
在本發(fā)明的記錄裝置中，通過對(duì)1個(gè)扇段記錄數(shù)據(jù)并將其重放后將兩者進(jìn)行比較等，未發(fā)現(xiàn)扇段鎖包含的缺陷段。若發(fā)現(xiàn)缺陷段，則將彌補(bǔ)它的新的段追加給該扇段，然后進(jìn)行分配(該扇段的長度變長(或角度變大))。
通過這樣，能夠從功能上恢復(fù)具有缺陷段等的扇段，對(duì)該扇段能夠正常記錄數(shù)據(jù)或讀出數(shù)據(jù)。
若該扇段的長度變長，則后續(xù)扇段的位置也必須向后移位。
因此，在本發(fā)明的記錄裝置中，若發(fā)現(xiàn)缺陷段，則對(duì)包含該缺陷段的扇段重新分配補(bǔ)充的段，而且將后續(xù)扇段的位置向后移位(進(jìn)行再配置)。
所謂“扇段的再配置”，意味著重新決定已決定的扇段位置。
本發(fā)明具有的作用是，在沒有缺陷段的情況下(不具有備用段)，即使產(chǎn)生缺陷段等，也能夠?qū)崿F(xiàn)不產(chǎn)生浪費(fèi)、能恢復(fù)扇段功能的盤片裝置。
如上所述，在以往的記錄介質(zhì)中，相對(duì)于記錄1個(gè)扇段的數(shù)據(jù)的記錄區(qū)，一般在記錄介質(zhì)上有1個(gè)地址進(jìn)行預(yù)格式。1個(gè)扇段的數(shù)據(jù)記錄在該地址規(guī)定的記錄區(qū)。
本發(fā)明具有的作用是，通過使扇段與地址有靈活的關(guān)系，能夠?qū)崿F(xiàn)搜索時(shí)間短、高記錄密度的記錄介質(zhì)。特別是對(duì)地址在記錄介質(zhì)上進(jìn)行預(yù)格式(意味著用戶不能改變地址在記錄介質(zhì)上的位置)的記錄介質(zhì)，能得到很大的效果。
在以往的記錄介質(zhì)中，各扇段具有進(jìn)行預(yù)格式的1個(gè)地址，扇段與地址的關(guān)系通過硬件固定。例如，每個(gè)扇段用預(yù)制凹坑在記錄介質(zhì)上形成1個(gè)地址。本發(fā)明基于的創(chuàng)新思想是，將以往固定建立的扇段與地址的關(guān)系置換為可變的關(guān)系。
在以往的記錄介質(zhì)中，記錄1個(gè)扇段的信息的記錄區(qū)是能夠以地址作為單元確定的。在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，記錄1個(gè)扇段的信息的記錄區(qū)是能夠以段作為單位任意決定的，扇段與地址沒有1對(duì)1(或1對(duì)n(n為正整數(shù)))的關(guān)系。所謂段，如上所述，是記錄介質(zhì)上的最小記錄區(qū)，在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，1個(gè)地址有多個(gè)段。若1個(gè)地址僅包含1個(gè)段，則該記錄介質(zhì)不包含在本發(fā)明的計(jì)數(shù)范圍內(nèi)。例如，在1個(gè)地址包含k個(gè)段的以往的記錄介質(zhì)中，具有與地址1對(duì)1的關(guān)系的1個(gè)扇段也具有k個(gè)段。
如上所述，在以往的記錄介質(zhì)中，記錄單位是扇段及地址。
為了進(jìn)行光盤的采樣伺服，必須在光盤每一圈(360度的角度)分散配置100對(duì)左右的偏差凹坑，由于僅在光盤每一圈只有幾十個(gè)左右的地址凹坑區(qū)配置偏差凹坑是不夠的，因此在相鄰的2個(gè)地址之間(即利用1個(gè)地址確定的記錄紋道內(nèi))分散配置多個(gè)偏差凹坑。
利用該偏差凹坑區(qū)分割的1個(gè)1個(gè)記錄紋道稱為段。另外，各段設(shè)置起始凹坑，生成偏差凹坑的檢測窗口信號(hào)，同時(shí)生成記錄數(shù)據(jù)的讀出時(shí)鐘。如上所述，以往的段不是以數(shù)據(jù)記錄開始點(diǎn)或結(jié)束點(diǎn)的概念來理解的，而單純僅是作為取樣伺服或數(shù)據(jù)讀出時(shí)鐘生成用等的區(qū)域來理解的。
與上不同的是，在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，任意的段能夠成為扇段的開始點(diǎn)或結(jié)束點(diǎn)。因此，扇段沒有必要具有與地址一對(duì)一(或一對(duì)n(n為正整數(shù)))的關(guān)系。所以，在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，1個(gè)扇段具有與1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍(n為1以上的整數(shù))的長度(或角度)不同的長度(或角度)。
扇段的最前面的段的位置信息及最后面的段的位置信息、或者扇段的最前面的段的位置信息及1個(gè)扇段所包含的段數(shù)的信息是作為管理數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)的。最好該管理數(shù)據(jù)記錄在該記錄介質(zhì)本身。通過這樣，即使對(duì)該記錄介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的數(shù)據(jù)記錄裝置與從該記錄介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)重放的數(shù)據(jù)重放裝置是另外的裝置，也能夠根據(jù)該盤片記錄的表示扇段與段之間關(guān)系的管理數(shù)據(jù)，在數(shù)據(jù)重放裝置中正確進(jìn)行數(shù)據(jù)重放。
本發(fā)明的記錄介質(zhì)例如是盤片介質(zhì)。盤片介質(zhì)能夠適用于CAV(ConstantAngular Velocity，等角速度)或CLV(Constant Linear Velocity，等線速度)方式的任一種盤片。本發(fā)明的記錄介質(zhì)最好是具有與1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍(n為1以上的整數(shù))的長度(或角度)不同的長度(或角度)的扇段，具有所有扇段為相同長度(或角度)的扇段(例如具有相同數(shù)量的段的扇段)。
另外，其它的本發(fā)明的記錄介質(zhì)是盤片形狀，各扇段具有與盤片徑向相應(yīng)的不同長度(或角度)，其中包含具有與1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍(n為1以上的整數(shù))的長度(或角度)不同的長度(或角度)的扇段。其中也可以包含具有1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍長度(或角度)的扇段。
另外，其它的本發(fā)明的記錄介質(zhì)也可以具有多個(gè)區(qū)域。例如，在各區(qū)域內(nèi)各扇段具有相同的長度(或角度)，不同區(qū)域的扇段具有不同的長度(或角度)，在某一區(qū)域內(nèi)1個(gè)扇段具有與1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍(n為1以上的整數(shù))的長度(或角度)不同的長度(或角度)。
在某一區(qū)域內(nèi)，也可以各扇段具有1個(gè)地址的長度的(或角度)的n倍長度(或角度)。本發(fā)明能夠適用于例如ZCAV方式或ZCLV方式的盤片介質(zhì)。
若盤片介質(zhì)上的1個(gè)扇段具有與1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍長度(或角度)不同的長度(或角度)，則包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。因而，所有的扇段沒有必要具有與1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍長度(或角度)不同的長度(或角度)。例如，即使一部分扇段具有1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍長度(或角度)，而若其它的扇段具有與1個(gè)地址的長度(或角度)的n倍長度(或角度)不同的長度(或角度)，則也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
所謂“地址”，是指記錄在盤片介質(zhì)上而確定盤片介質(zhì)上的位置的固有位置信息。例如，是第2354個(gè)地址等位置信息。例如不包含“從某一點(diǎn)向4段的外圈的點(diǎn)”的“4段”那樣的相對(duì)位置信息。
所謂“地址的長度(或角度)”，意味著相鄰2個(gè)地址數(shù)據(jù)(地址的數(shù)據(jù))的間距，例如以段數(shù)為單位表示。例如，相對(duì)于80個(gè)段記錄了1個(gè)地址數(shù)據(jù)的情況下(地址的長度(或角度)為80段)，例如可以在最前面的1個(gè)段記錄地址數(shù)據(jù)，而在最前面一段的后續(xù)79個(gè)段不記錄地址數(shù)據(jù)，也可以是由80位構(gòu)成的地址數(shù)據(jù)在80個(gè)段中各記錄2位。
另外，也可以對(duì)80個(gè)段設(shè)置1個(gè)與段區(qū)域不同的另外區(qū)域即專用的地址區(qū)，在各地址區(qū)記錄地址數(shù)據(jù)，也可以以其它的任意方式記錄地址數(shù)據(jù)。
所謂“長度”，意味著沿記錄紋道的長度方向測定的構(gòu)成1個(gè)扇段或地址的記錄紋道長度。所謂“角度”，意味著在以盤片中心為原點(diǎn)的極坐標(biāo)中沿記錄紋道的長度方向測定的構(gòu)成1個(gè)扇段或地址的記錄紋道角度。
發(fā)明的創(chuàng)新特征不外乎是在所附的權(quán)利要求中特別敘述的特征，但有關(guān)構(gòu)成及內(nèi)容的兩方面，本發(fā)明與其它目的及特征一起，參照附圖進(jìn)行理解，根據(jù)以下的詳細(xì)說明，將更好地理解并評(píng)價(jià)。
附圖簡要說明

圖1(a)為實(shí)施例1的光盤的整體簡要結(jié)構(gòu)，圖1(b)及(c)為該段的簡要放大圖。
圖2所示為實(shí)施例1的光盤的區(qū)域示意配置圖。
圖3所示為實(shí)施例1的光盤的地址格式圖。
圖4為實(shí)施例1的光盤的記錄裝置或重放裝置的地址解調(diào)器方框圖。
圖5所示為實(shí)施例1的光盤的記錄裝置或重放裝置的地址解調(diào)器時(shí)序圖。
圖6所示為實(shí)施例1的光盤的扇段數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)及段的記錄方法圖。
圖7所示為實(shí)施例1的光盤的結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖8所示為實(shí)施例1的光盤的結(jié)構(gòu)立體圖。
圖9(a)所示為光盤的記錄膜剖面圖，圖9(b)為表示與(a)的剖面圖對(duì)應(yīng)的位置X與記錄膜的溫度T的關(guān)系圖，圖9(c)所示為磁能分布圖，圖9(d)所示為使位置X的磁疇壁移動(dòng)的力F的曲線圖。
圖10所示為實(shí)施例1的光磁盤伴隨相對(duì)引動(dòng)的記錄膜磁疇變化的情況。
圖11為實(shí)施例1的光盤的記錄裝置方框圖。
圖12為實(shí)施例1的光盤的重放裝置方框圖。
圖13所示為實(shí)施例1的光盤的記錄方法流程圖。
圖14所示為實(shí)施例1的光盤的記錄方法或重放方法流程圖。
圖15所示為實(shí)施例2的光盤的扇段數(shù)據(jù)格式圖。
圖16為實(shí)施例2的光盤的記錄裝置或重放裝置的寫入/讀出控制單元方框圖。
圖17所示為實(shí)施例2的光盤的記錄裝置或重放裝置利用軟件進(jìn)行寫入/讀出控制的流程圖。
圖18(a)所示為實(shí)施例3的光盤的整體簡要結(jié)構(gòu)圖，圖18(b)為該段的簡要放大圖，圖18(c)為切換點(diǎn)的簡要放大圖。
圖19(a)所示為實(shí)施例4的光盤的整體簡要結(jié)構(gòu)圖，圖19(b)為該段的簡要放大圖。
圖20(a)所示為實(shí)施例5的光盤的整體簡要結(jié)構(gòu)圖，圖20(b)為該段的簡要放大圖。
圖21(a)所示為實(shí)施例7的光盤的整體簡要結(jié)構(gòu)圖，圖21(b)為該段的簡要放大圖。
圖22(a)所示為實(shí)施例6的光盤的整體簡要結(jié)構(gòu)圖，圖22(b)為該段的簡要放大圖。
圖23(a)所示為以往例1的光盤的整體簡要結(jié)構(gòu)圖，圖23(b)為該扇段的放大圖，圖23(c)所示為該地址的簡要結(jié)構(gòu)圖。
圖24(a)所示以往例2的光盤的整體簡要結(jié)構(gòu)圖，圖24(b)為其扇段的放大圖，圖24(c)為該段2416的放大圖，圖24(d)所示為該地址2407的簡要結(jié)構(gòu)圖。
附圖的一部分或全部是以圖示為目的，通過簡要的表現(xiàn)形式描繪的，不一定忠實(shí)地畫出其中所示的要素的實(shí)際大小及位置，這一點(diǎn)請考慮到。
圖25(a)所示為以往例子的記錄介質(zhì)的地址與扇段的關(guān)系圖，圖25(b)所示為本發(fā)明的記錄介質(zhì)的地址與扇段的關(guān)系圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)上述目的是利用以下的本發(fā)明達(dá)到的。
下面詳細(xì)說明具體表示實(shí)施本發(fā)明用的最佳形態(tài)的實(shí)施例，但本發(fā)明只要不超出其宗旨，就不限定于以下的實(shí)施例。
《實(shí)施例1》圖1～圖14所示為本發(fā)明實(shí)施例1的光磁盤及記錄裝置、重放裝置、記錄方法或重放方法。
說明書中所述的實(shí)施例是光磁盤及其記錄裝置、重放裝置、記錄方法或重放方法，但本發(fā)明的應(yīng)用不限定于光磁盤，對(duì)任意的記錄介質(zhì)都能適用。
<光磁盤的整體結(jié)構(gòu)說明(圖1)>
圖1(a)為本發(fā)明實(shí)施例1的光磁盤的整體簡要結(jié)構(gòu)。
在圖1(a)中，101為光盤基板，102為記錄膜(圖7的重放層13、中間層14及記錄層15)，103為第1記錄紋道，104為與第1記錄紋道相鄰的第2記錄紋道，105為將第1記錄紋道103及第2記錄紋道104分割成1280個(gè)的段，106及113為包含跟蹤用伺服凹坑及表示盤片位置信息的地址凹坑的預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))。如圖所示，第1記錄紋道103及第2記錄紋道104是分別以113的預(yù)制凹坑區(qū)作為起點(diǎn)及終點(diǎn)的螺旋狀區(qū)域在從光磁盤的內(nèi)圈向外圈沿著螺旋狀的記錄紋道前進(jìn)時(shí)，第2記錄紋道104在預(yù)制凹坑區(qū)113結(jié)束，從第2記錄紋道104結(jié)束的地方(預(yù)制凹坑區(qū)113)起，第1記錄紋道103開始。
在圖1(a)中，光磁盤是直徑約為50mm的圓盤，第1記錄紋道103與第2記錄紋道104的紋道間距約為0.6μm。在以說明光磁盤的格式結(jié)構(gòu)為目的的圖1(a)中，與整個(gè)光磁盤的大小相比，將相鄰的第1記錄紋道103及第2記錄紋道104明顯放大加以表示。
圖1(b)為1個(gè)段105的簡要放大圖。在圖1(b)中，105為段(由1個(gè)記錄紋道及1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)構(gòu)成)。106為預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))，具有107長度的溝槽部分(groove部分)111(圖7的2a及2b)為進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的記錄紋道(數(shù)據(jù)記錄區(qū))。預(yù)制凹坑區(qū)106具有檢測跟蹤信號(hào)用的偏差凹坑108及109、以及將表示光磁盤上位置信息的地址一位一位分散配置在段的開始處的地址凹坑110。
本發(fā)明的光磁盤具有形成螺旋狀的記錄紋道103及104等，各記錄紋道103及104等再利用呈放射線狀(沿光磁盤的徑向)設(shè)置的預(yù)制凹坑區(qū)106分別分割成1280個(gè)段105。各段的預(yù)制凹坑區(qū)106分別沿光磁盤的徑向排列。因而，在以光磁盤的中心為原點(diǎn)的角坐標(biāo)表示時(shí)，與記錄紋道的位置相距原點(diǎn)的距離無關(guān)，在光磁盤上每隔360度/1280個(gè)＝0.28125度設(shè)置預(yù)制凹坑區(qū)。1個(gè)段105具有1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)106及1個(gè)數(shù)據(jù)記錄區(qū)即溝槽部分111。
本發(fā)明的光磁盤是假設(shè)記錄重放用的光點(diǎn)的光學(xué)常數(shù)是光波長為660nm、聚焦透鏡的NA為0.6而制成的。在這種情況下的光束半幅值為λ/(2·NA)＝約0.6μm?？紤]到消除記錄時(shí)來自相鄰紋道的串寫、強(qiáng)占及由于盤片傾斜等產(chǎn)生的影響所必須的余量，紋道間距設(shè)定為0.6μm。另外，取溝槽部分111的深度為因相鄰溝槽部分相互磁隔離而利用DWDD方式能夠重放信號(hào)的深度，而且為能夠確保來自設(shè)置在溝槽部分的記錄紋道的反射光達(dá)到60％左右(設(shè)來自無凹凸的平坦表面的反射光為100％)的深度，即設(shè)定為52nm(約λ/(8n))。偏差凹坑108、109及地址凹坑110也形成與溝槽部分111相同的深度。
在具有光束半幅度相同程度及其以下的紋道間距的光磁盤中，為了實(shí)現(xiàn)跟蹤伺服的目的，本發(fā)明的光磁盤在預(yù)制凹坑區(qū)106具有跟蹤用偏差凹坑108及109，公用相鄰記錄紋道之間的偏差凹坑108或109的某1個(gè)凹坑。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，每隔1圈交替形成跟蹤極性不同(偏差凹坑108及109有的情況位于記錄紋道延長線的左右側(cè)，有的情況相反位于右左側(cè))的第1記錄紋道103及第2記錄紋道104。第1記錄紋道與第2記錄紋道相互切換的段112成為圖1(c)所示的結(jié)構(gòu)。如圖所示，在該切換點(diǎn)的段112的記錄紋道左右預(yù)制凹坑區(qū)106中，偏差凹坑108與109的前后關(guān)系相反。通過這樣，從第2記錄紋道104切換為第1記錄紋道103。這樣交替重復(fù)，連續(xù)配置第1記錄紋道103及第2記錄紋道104。
本發(fā)明雖然在任意記錄介質(zhì)中都是有效的，但如上所述，采用DWDD方式(或CAD方式、FAD方式或RAD方式等)的光磁記錄介質(zhì)等超分辨重放方式的光盤，由于能夠不改變?chǔ)?(2·NA)的數(shù)值，而通過提高記錄介質(zhì)性能及采用本發(fā)明，來提高現(xiàn)有格式的記錄介質(zhì)的記錄密度，因此更適合采用本發(fā)明，在本實(shí)施例中，記錄膜102采用DWDD記錄重放膜。下面簡單說明DWDD方式。
<DWDD方式的說明(圖7至圖10)>
圖7所示為是能夠利用DWDD方式進(jìn)行重放的光磁盤的本發(fā)明實(shí)施例1的光磁記錄介質(zhì)(光磁盤)結(jié)構(gòu)剖面圖，圖8所示為本發(fā)明實(shí)施例1的光磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)立體圖。
圖7所示為將具有圓盤狀的形狀的光磁盤沿徑向切割的剖面圖。由溝槽部分2a及2b構(gòu)成的記錄紋道沿圖7紙面的垂直方向相互相鄰并延伸，所述記錄紋道從光磁盤內(nèi)圈向外圈呈螺旋狀延伸。圖7所示為從圖8的I-I剖面來看的剖面圖。
2a及2b為溝槽部分，3a及3b為臺(tái)階部分。溝槽部分2a及2b具有60nm的深度。利用臺(tái)階部分3a及3b，溝槽部分2a與2b相互磁隔離。實(shí)施例1的光磁記錄介質(zhì)1的紋道間距為0.6μm，溝槽部分寬度為0.4μm。
如圖7所示，實(shí)施例1的光磁記錄介質(zhì)1在光盤基板11上，具有撥號(hào)上述磁性膜的層疊多層的記錄膜。在圖7中，11為由聚碳酸酯形成的透明的光盤基板，12為調(diào)整記錄膜保護(hù)及介質(zhì)光學(xué)特性用的介質(zhì)層。利用磁疇壁的移動(dòng)來檢測信息用的重放層13、控制重放層與記錄層之間交換耦合用的中間層14、以及保持信息的記錄層15構(gòu)成層疊的記錄膜。再有，16為記錄膜保護(hù)用的介質(zhì)層，17為覆蓋層。
圖7及圖8所示的實(shí)施例1的光磁記錄介質(zhì)具有的結(jié)構(gòu)是，使照射重放光束的磁疇壁接連不斷地移動(dòng)，檢測因磁疇壁的移動(dòng)而放大的重放層的磁疇信息，通過這樣實(shí)現(xiàn)超過由重放光的波長及物鏡數(shù)值孔徑?jīng)Q定的檢測極限的超分辨率重放，能夠采用實(shí)現(xiàn)該超分辨重放的DWDD方式(Domain Wall DisplacementDetection，磁疇壁移動(dòng)檢測)的信息重放。實(shí)施例1的光磁記錄介質(zhì)的記錄膜也可以是能夠以DWDD方式進(jìn)行信息重放的其它磁性膜。例如如日本專利特開平6-290496號(hào)公報(bào)所述，本發(fā)明的光磁記錄介質(zhì)的記錄膜包含具有大的界面飽和矯頑力的磁性膜即記錄層、具有磁疇壁能夠移動(dòng)的小的界面飽和矯頑力的磁性膜即重放層、以及具有較低居里溫度的磁性膜即切換用的中間層。
下面參照圖9及圖10說明上述DWDD方式的重放原理。
如9(a)所示為旋轉(zhuǎn)的盤片記錄膜的剖面圖。在基板(未圖示)及介質(zhì)層12上，形成用重放層13、中間層14及記錄層15這三層構(gòu)成的記錄膜，在其上形成介質(zhì)層16，再在其上形成紫外線硬化樹脂的保護(hù)覆蓋層(未圖示)。重放層用磁疇壁矯頑力小的磁性膜材料形成，中間層用居里溫度低的磁性膜形成，記錄層用以小的磁疇直徑也能夠保持記錄磁疇的磁性膜形成。
如圖所示，在記錄層作為熱磁記錄的記錄磁疇形成信息信號(hào)。在不照射激光點(diǎn)(光束點(diǎn)5)的室溫下，由于記錄膜的記錄層、中間層與重放層分別強(qiáng)烈交換耦合，因此記錄層的記錄磁疇照原樣轉(zhuǎn)寫至重放層，在重放層形成轉(zhuǎn)寫磁疇。在記錄信號(hào)重放時(shí)，光磁盤(光磁記錄介質(zhì))旋轉(zhuǎn)，由激光形成的重放光束點(diǎn)沿著紋道照射。
在認(rèn)為光磁盤固定的情況下，光束點(diǎn)5在圖9中沿著從左向右的方向(在X軸上為從負(fù)向正的方向)相對(duì)移動(dòng)。這時(shí)，記錄膜顯示圖9(b)所示的溫度分布(X軸處于沿光磁盤的紋道的位置)，中間層存在居里溫度Tc以上的溫度區(qū)域，在該溫度區(qū)域中，中間層將重放層與記錄層的交換耦合加以隔離。
圖9(c)所示為與溫度相關(guān)的磁疇壁能量密度σ的分布。根據(jù)圖9(c)的磁疇壁能量密度σ的梯度，如圖9(d)所示，在位置X對(duì)各層磁疇壁將作用使磁疇壁移動(dòng)的力F。作用于該記錄膜的力F與磁疇壁能量密度σ(圖9(c))的微分成正比，如圖9(d)所示，作用的力使磁疇壁從磁疇壁能量密度σ高的一邊向低的一邊移動(dòng)。在圖9(d)中，在F(X)＞0的情況下，力F是在X軸上從負(fù)向正的方向起作用，在F(X)＜0的情況下，力F是在X軸上從正向負(fù)的方向起作用。
重放層13由于磁疇壁矯頑力小而磁疇壁移動(dòng)度大，因此在具有不閉合的磁疇壁時(shí)的單獨(dú)重放層13中(中間層14超過居里溫度Tc的區(qū)域)，利用該力F，磁疇壁容易移動(dòng)。因而，與中間層14超過居里溫度Tc的區(qū)域接觸的重放層13的區(qū)域形成近似單一的寬磁疇。在前述近似單一的寬磁疇中，轉(zhuǎn)印了與緊接中間層14超過居里溫度Tc的區(qū)域后面接觸的磁疇信息。
即使記錄層15的記錄磁疇非常小，但由于在重放層13生成與超過居里溫度Tc的中間層14區(qū)域相同大小的寬磁疇，因此能夠達(dá)到一定振幅以上的重放信號(hào)。
圖10所示為本發(fā)明實(shí)施例1中隨著光磁記錄介質(zhì)的相對(duì)移動(dòng)而產(chǎn)生的記錄膜磁疇的變化情況圖。
在圖10(a)中，記錄層15的記錄磁疇21a通過中間層14的磁疇21b，與重放層13的轉(zhuǎn)寫磁疇21c耦合。中間層14的磁疇21b與超過居里溫度的區(qū)域19的前方相鄰。在超過居里溫度的區(qū)域上的重放層13中，通過轉(zhuǎn)寫磁疇21c的磁疇壁移動(dòng)，轉(zhuǎn)印磁疇21c在超過居里點(diǎn)的區(qū)域上擴(kuò)大。利用光束點(diǎn)5，將轉(zhuǎn)寫磁疇21c的信息重放。
然后，在圖10(b)中，光磁記錄介質(zhì)相對(duì)于光束點(diǎn)相對(duì)移動(dòng)，記錄磁疇21a處于中間層14的超過居里溫度區(qū)域的下面，與記錄磁疇21a耦合的中間層14的磁疇消失。代之以記錄磁疇22a通過中間層14的磁疇22b，與重放層13的轉(zhuǎn)寫磁疇22c耦合。中間層14的磁疇22b與超過居里溫度的區(qū)域19前方相鄰。在超過居里溫度的區(qū)域上面的重放層13中，轉(zhuǎn)寫磁疇22c的磁疇壁瞬間沿圖示方向移動(dòng)，通過這樣轉(zhuǎn)寫磁疇22c擴(kuò)大。結(jié)果，如圖10(c)所示，在超過居里溫度的區(qū)域上面的重放層13中，轉(zhuǎn)寫磁疇22c的磁疇壁移動(dòng)，通過這樣轉(zhuǎn)寫磁疇22c在超過居里溫度點(diǎn)的區(qū)域上擴(kuò)大。
(光磁盤的制造方法)下面說明本發(fā)明實(shí)施例1的光磁盤的制造方法。
參照圖1、圖7及圖8說明實(shí)施例1的光磁記錄介質(zhì)1的制造方法。首先，生成具有溝槽部分、臺(tái)階部分及地址凹坑等預(yù)制凹坑的聚碳酸酯形成的透明光盤基板11。注射時(shí)通過從壓印機(jī)進(jìn)行轉(zhuǎn)印，在光盤基板101上形成偏差凹坑108及109、地址凹坑110及溝槽部分111。在利用該注射法成形的聚碳酸酯基板101上，利用濺射法形成DWDD方式的記錄膜102。具有107長度的溝槽之間部分(臺(tái)階部分)114(圖7的3a及3b)將相鄰的溝槽部分相互磁隔離。
下面說明濺射方法。在直流磁控管濺射裝置中，設(shè)置摻B的Si靶，將前述光盤基板11固定在基板支架上之后，利用低溫泵將腔室內(nèi)進(jìn)行抽真空排氣，一直達(dá)到1×10-5Pa以下的高真空。在進(jìn)行真空排氣情況下，將Ar氣體及N2氣體引入腔室內(nèi)，一直達(dá)到0.3Pa，一面使基板旋轉(zhuǎn)，一面利用反應(yīng)濺射，支承80nm的SiN層薄膜作為介質(zhì)層12。
接著在介質(zhì)層12上，同樣在進(jìn)行真空排氣情況下，將Ar氣體引入腔室內(nèi)，一直達(dá)到0.4Pa，一面使基板旋轉(zhuǎn)，一面利用DC磁控管濺射法，依次分別用Gd、Fe、Co及Cr靶形成30nm的由GdFeCoCr構(gòu)成的重放層13，分別用Tb、Dy及Fe靶形成10nm的TbDyFe的中間層14，以及分別用Tb、Fe及Co靶形成50nm的TbFeCo的記錄層。這里各層的膜組成可以通入各靶的輸入功率比，組合成所希望的膜組成。
然后，設(shè)置摻B的Si靶，將Ar氣體及N2氣體引入腔室內(nèi)，一直達(dá)到0.3Pa，一面使基板旋轉(zhuǎn)，一面利用反應(yīng)濺射，形成80nm的由SiN構(gòu)成的第2介質(zhì)層16。然后，在介質(zhì)層16上，將環(huán)氧丙烯酸系樹脂構(gòu)成的覆蓋層17滴下后，利用旋涂法涂布形成6μm的膜厚，照射紫外線燈，使前述覆蓋層17硬化。這里，設(shè)定各靶的輸入功率，調(diào)整組成使得GdFeCoCr的重放層13的補(bǔ)償組成溫度為150℃，居里溫度為270℃，TbDyFe的中間層14的居里溫度為150℃，在居里溫度以下通常稀土類金屬組成有優(yōu)勢。另外，TbFeCo的記錄層15的補(bǔ)償組成溫度為80℃，居里溫度為290℃。
如上所述制成的光磁盤如圖7及圖8所示，記錄紋道2a及2b具有在寬度方向并排設(shè)置的溝槽形狀，在相鄰的記錄紋道2a與2b的邊界設(shè)置的臺(tái)階部分3a及3b，將記錄信息的各記錄紋道2a與2b相互分離。通過這樣，由于相鄰的溝槽部分2a與2b利用臺(tái)階部分3a及3b碳隔離，記錄信息的各溝槽部分獨(dú)立，因此在溝槽部分內(nèi)的重放層轉(zhuǎn)寫磁疇的磁疇壁容易移動(dòng)，能夠利用前述的DWDD方式進(jìn)行重放。
在本實(shí)施例中，使用波長λ為660nm的激光，數(shù)值孔徑NA為0.60。因而，若是以往的重放方法(不是DWDD的重放方法)，則檢測極限為λ/(2·NA)＝0.55～0.60μm。本發(fā)明的光磁記錄介質(zhì)能夠利用DWDD方式進(jìn)行重放，根據(jù)實(shí)驗(yàn)?zāi)軌蛑胤?.1μm標(biāo)記長度的信號(hào)。
(地址格式的說明(圖3))另外，地址凹坑110利用其有無表示地址數(shù)據(jù)的1位。這時(shí)與根據(jù)本申請發(fā)明人的發(fā)明的分散地址格式(及本發(fā)明專利特愿平11一021885及特愿平11-329265)對(duì)應(yīng)的。下面用圖3說明該分散地址格式。關(guān)于圖3，僅圖示了凹坑部分，而溝槽部分由于與該說明無關(guān)，因此未描述。繞光磁記錄介質(zhì)1圈的紋道被分割成1280段，在1280段的各預(yù)制凹坑區(qū)，分別分配1位的地址(有或沒有地址凹坑)。
這樣，通過采用實(shí)施例1所用的分散地址格式，在盤片上的所有段可以具有相同的物理結(jié)構(gòu)，能夠更簡單地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的要點(diǎn)即以往不能實(shí)現(xiàn)的以段為單位的記錄重放管理。下面簡單說明該分散地址格式。
將盤片1圈中的1280個(gè)段105分割成16個(gè)，生成以1280/16＝80位地址為單位的地址信息(利用有無地址凹坑的信息)。80位的地址信息包含7位的段管理號(hào)(旋轉(zhuǎn)方向的位置信息)301、11位的段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302、16位的奇數(shù)紋道103的紋道號(hào)信息(記錄紋道的紋道號(hào))303、15位的奇數(shù)紋道紋道號(hào)信息BCH編碼的糾錯(cuò)信息、304、16位的偶數(shù)紋道104的紋道號(hào)信息305、以及15位的偶數(shù)紋道號(hào)信息BCH編碼的糾錯(cuò)信息306。
利用段信息，能夠得到光磁記錄介質(zhì)的角度信息。段管理號(hào)301及段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302分別沿徑向排列。每1周配置16個(gè)的段管理號(hào)301表示16個(gè)段的管理號(hào)。以16個(gè)段為起點(diǎn)計(jì)算段數(shù)，通過這樣能夠確定任意段的段號(hào)。
另外，由于從最內(nèi)圈紋道至最外圈紋道沿徑向排列的相鄰并排的段具有相同的段管理號(hào)301及段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302，即使不進(jìn)行跟蹤控制(例如即使是尋紋道中)，也能夠檢測出段管理號(hào)。因而，即使在不進(jìn)行跟蹤控制的狀態(tài)下，也能夠檢測出切換點(diǎn)的預(yù)制凹坑區(qū)113。
通過進(jìn)行跟蹤控制，讀出紋道號(hào)303及305，就得到徑向的位置信息。該紋道號(hào)303及305用作為盤片尋紋道等的檢索信息。在存在有奇數(shù)紋道103的紋道號(hào)信息303及奇數(shù)紋道號(hào)信息的糾錯(cuò)信息304的預(yù)制凹坑中，在相鄰的預(yù)制凹坑區(qū)中沒有偶數(shù)紋道104的紋道號(hào)信息305及偶數(shù)紋道紋道號(hào)信息的糾錯(cuò)信息306。同樣，在存在有偶數(shù)紋道104的紋道號(hào)信息305及偶數(shù)紋道紋道號(hào)信息的糾錯(cuò)信息306的預(yù)制凹坑區(qū)中，在相鄰的預(yù)制凹坑中沒有奇數(shù)紋道103的紋道號(hào)信息303及奇數(shù)紋道紋道號(hào)信息的糾錯(cuò)信息304。
在一圈16個(gè)地址信息中，上述具有奇數(shù)紋道103的紋道號(hào)信息303等的地址信息與具有偶數(shù)紋道104的紋道號(hào)信息305等的地址信息，在每一周交替各配置8個(gè)。通過這樣，能夠防止由于相鄰紋道間的串?dāng)_而誤讀取紋道號(hào)。另外，即使處于不能完全在紋道上的狀態(tài)下，也能夠正確讀取紋道號(hào)。本發(fā)明的光磁盤由于每隔一圈紋道控制的極性改變，必須檢測光磁盤上的光學(xué)頭的位置，進(jìn)行控制使跟蹤極性適當(dāng)翻轉(zhuǎn)，而為此的時(shí)序控制是檢測出段管理號(hào)301后進(jìn)行。
另外，根據(jù)紋道號(hào)進(jìn)行尋紋道動(dòng)作。下面說明該段管理號(hào)等的讀出方法及與盤片的旋轉(zhuǎn)方向的位置同步方法。
<地址凹坑的解調(diào)器的說明(圖4及圖5)>
圖4為用本發(fā)明的光盤進(jìn)行地址凹坑110解調(diào)的地址解調(diào)器的方框圖。另外，圖5為地址解調(diào)器的時(shí)序圖。下面用圖4及圖5說明本發(fā)明的光盤中地址110的重放方法。
在圖4中，401為預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器，402為邊緣窗口發(fā)生器，403為壓控型振蕩器(VCO，Voltagge Controlled Oscillator)，404為分頻器，405為相位比較器，406為微型計(jì)算機(jī)，407為輸出判斷有無地址凹坑用的同步脈沖的地址凹坑同步信號(hào)發(fā)生器，408為判斷地址凹坑110是1還是0的判斷器(將利用與地址凹坑位置一致的時(shí)鐘重放的數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖存)，409為18位的移位寄存器，410為對(duì)移位寄存器409的內(nèi)容(段管理號(hào)301及段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302)進(jìn)行檢錯(cuò)的CRC檢錯(cuò)器。
411為保存紋道號(hào)信息303及305、以及紋道號(hào)信息的糾錯(cuò)信息304及306的31位移位寄存器，415為進(jìn)行紋道號(hào)信息的檢錯(cuò)及糾錯(cuò)的BCH檢錯(cuò)糾錯(cuò)器，412為從段管理號(hào)301變換為段號(hào)的運(yùn)算器，414為進(jìn)行段計(jì)數(shù)的段計(jì)數(shù)器，413為檢測段失步的比較器，416為門電路。
為了在實(shí)施例1的光盤應(yīng)該記錄的扇段位置使光學(xué)頭(也包含記錄透鏡)進(jìn)行存取，要檢測出預(yù)制凹坑信號(hào)。通過將來自光盤的反射光量變換為電信號(hào)，并進(jìn)行二值化處理(數(shù)字化)，這樣生成重放信號(hào)，該重放信號(hào)是與有無預(yù)制凹坑對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)(是后述圖11的二值化器1107的輸出信號(hào))。該重放數(shù)據(jù)傳送至預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器401、相位比較器405及判斷器408。在圖1(b)(c)中，在溝槽部分的記錄與平坦的預(yù)制凹坑區(qū)(除了預(yù)制凹坑)的邊界處，反射光量發(fā)生變化。
另外，在光學(xué)頭通過記錄紋道(圖1(b)的溝槽部分111)期間(從預(yù)制凹坑區(qū)的終端至起始端的期間)，反射光量因來自溝槽的衍射，是持續(xù)保持低水平的最長期間。根據(jù)該最長期間(能夠與其它信號(hào)識(shí)別的唯一期間)，預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器401檢測出預(yù)制凹坑區(qū)的起始端，將起始端信號(hào)送至邊緣窗口生成器402及地址凹坑同步信號(hào)生成器407。邊緣窗口生成器402將該起始端信號(hào)輸入，生成以該起始端為中心的一定寬度的窗口信號(hào)后輸出。
壓控型振蕩器(VCO)403將振蕩器輸出信號(hào)輸出，輸入至分頻器404的時(shí)鐘輸入端及地址凹坑同步信號(hào)生成器407。分頻器404將時(shí)鐘輸入端輸入的振蕩輸出信號(hào)以一定的分頻比(在實(shí)施例1中為1/325)進(jìn)行分頻，輸出分頻信號(hào)。
相位比較器405將前述重放數(shù)據(jù)、前述分頻器404輸出的分頻信號(hào)及邊緣窗口生成器402輸出的窗口信號(hào)輸入，在窗口信號(hào)的窗口寬度內(nèi)，將前述重放數(shù)據(jù)的輸出信號(hào)與前述分頻器404輸出的分頻信號(hào)進(jìn)行相位比較，輸出相位誤差信號(hào)。該相位誤差信號(hào)反饋至VCO403。利用以上電路結(jié)構(gòu)，VCO403的輸出信號(hào)與預(yù)制凹坑區(qū)的起始端邊沿同步，而且具有預(yù)制凹坑頻率(預(yù)制凹坑區(qū)的起始端邊緣的頻率)的325倍的振蕩頻率。
如上所述，以預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器401檢測的起始端信號(hào)為基礎(chǔ)，利用由VCO403及相位比較器405等構(gòu)成的PLL，生成325倍的時(shí)鐘，再將該時(shí)鐘分頻為1/325，使分頻為1/325的信號(hào)與前述起始端信號(hào)進(jìn)行鎖相。通過這樣，能夠得到偏差凹坑108及109、以及地址凹坑110等檢測用時(shí)鐘(VCO403的輸出信號(hào))。
地址凹坑同步信號(hào)生成器407將預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器401輸出的起始端信號(hào)輸入，生成地址凹坑110(圖1(b))的同步信號(hào)，送至判斷器408、移位寄存器409及411、以及段計(jì)數(shù)器414、判斷器408將重放數(shù)據(jù)輸入至數(shù)據(jù)輸入端，將前述同步信號(hào)(地址凹坑同步信號(hào)生成器407)輸入至?xí)r鐘輸入端。重放數(shù)據(jù)用前述同步信號(hào)鎖存。通過這樣，進(jìn)行地址凹坑是1還是0的判斷(地址凹坑信號(hào))。如圖5的示意圖所示，地址凹坑信號(hào)依次讀入24位移位寄存器409。同樣，地址凹坑信號(hào)依次讀入31位移位寄存器411。
18位移位寄存器409的內(nèi)容送至檢錯(cuò)器410及運(yùn)算器412。檢錯(cuò)器410對(duì)由移位移存器409傳送的18位數(shù)據(jù)(7位的段管理號(hào)301及11位的段管理號(hào)的CRC檢錯(cuò)碼302)進(jìn)行CRC(Cyclic Redundancy Check，循環(huán)冗余碼校驗(yàn))判斷，判斷CRC檢錯(cuò)碼302與運(yùn)算結(jié)果是否一致。
移位寄存器409是能夠存放7位的段管理號(hào)301及11位的段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302的18位移位寄存器。圖5所示為移位寄存器409及檢錯(cuò)器401的動(dòng)作。移位寄存器409在不知紋道讀入的地址凹坑信號(hào)是由80位構(gòu)成的地址信息的第幾位情況下，依次讀入地址凹坑信號(hào)。
在7位的段管理號(hào)301及11位的段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302錯(cuò)位裝入18位移位寄存器409的情況下(在讀入移位寄存器的數(shù)據(jù)中混入紋道號(hào)信息303、305或紋道號(hào)信息的BCH編碼的糾錯(cuò)信息304、306的情況下)，檢錯(cuò)起410輸出1(為出錯(cuò))作為CRC校驗(yàn)結(jié)果。只有在7位的段管理號(hào)301及11位的段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302準(zhǔn)確無誤地裝入18位移位寄存器409的情況下，不產(chǎn)生段管理號(hào)的CRC錯(cuò)誤，檢錯(cuò)器410輸出0(不出錯(cuò))作為CRC校驗(yàn)結(jié)果。
采用該檢錯(cuò)器410不輸出出錯(cuò)時(shí)的解調(diào)的段管理號(hào)301，能夠?qū)Φ玫降刂返闹胤艜r(shí)序同步及盤片上旋轉(zhuǎn)方向的位置信息的段計(jì)數(shù)器414進(jìn)行初始化。本發(fā)明的光盤具有的主要特征在于，通過采用段計(jì)數(shù)器414，進(jìn)行以往不可能的以段為單位的細(xì)微記錄重放開始位置的控制。下面對(duì)該段計(jì)數(shù)器414的動(dòng)作進(jìn)行說明。
<段計(jì)數(shù)器的說明>
段計(jì)數(shù)器414的動(dòng)作大致可分為以下三種動(dòng)作模式(1)檢測段計(jì)數(shù)器初始值的模式；(2)對(duì)初始化的值是否正確進(jìn)行校驗(yàn)的模式；(3)對(duì)段計(jì)數(shù)器是否正確計(jì)數(shù)進(jìn)行校驗(yàn)的模式。
下面對(duì)這些動(dòng)作模式分別進(jìn)行說明。另外，段計(jì)數(shù)器414在本實(shí)施例中，是對(duì)與盤片1圈中的段數(shù)相等的1280進(jìn)行計(jì)數(shù)的從0開始、在1279又返回0的周期性的計(jì)數(shù)器。
<(1)檢測段計(jì)數(shù)器初始值的模式的說明>
段管理號(hào)(旋轉(zhuǎn)方向的位置信息)301及段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302，在實(shí)施例1中，盤片1圈中記錄16次，檢錯(cuò)器410不輸出出錯(cuò)的狀態(tài)在盤片1圈中最大發(fā)生16次。
在盤片上所有的段管理號(hào)不出錯(cuò)解調(diào)時(shí)，檢錯(cuò)器410在盤片1圈中出現(xiàn)16次沒有出錯(cuò)的狀態(tài)。偶爾產(chǎn)生讀入出錯(cuò)，則該次數(shù)(16次)減少。
在該沒有出錯(cuò)狀態(tài)下讀出的段管理號(hào)，由于具有規(guī)律性，沿盤片旋轉(zhuǎn)方向配置，因此若設(shè)沒有出錯(cuò)讀出的段管理號(hào)為S(1≤S≤16)，則檢錯(cuò)器410不產(chǎn)生出錯(cuò)的段號(hào)N(0≤N≤1279)為N＝80×(S-1)+18。即能夠按照前式，根據(jù)讀出的段管理號(hào)求出光束進(jìn)行讀出的段號(hào)N(盤片上的旋轉(zhuǎn)方向的位置)。
運(yùn)算器412進(jìn)行上述的運(yùn)算。該運(yùn)算結(jié)果作為段號(hào)N的初始值預(yù)置入段計(jì)數(shù)器414。
<(2)對(duì)初始化的值是否正確進(jìn)行校驗(yàn)的模式的說明>
若預(yù)置了初始值，則段計(jì)數(shù)器414利用與段同步輸出的CLK1，對(duì)每個(gè)段進(jìn)行加法計(jì)數(shù)。
若正常地對(duì)計(jì)數(shù)器404預(yù)置，則對(duì)段計(jì)數(shù)器414預(yù)置了置以后，通過80段后，檢錯(cuò)器410的輸出由于下1個(gè)段管理號(hào)301即檢測碼302準(zhǔn)確無誤地裝入移位寄存器409，因此不輸出出錯(cuò)。
而且，根據(jù)這時(shí)讀出的段管理號(hào)S利用運(yùn)算器412運(yùn)算的段號(hào)N應(yīng)該與段計(jì)數(shù)器414的值一致。
將該條件復(fù)位后開始向(3)的模式轉(zhuǎn)移。
在11位的管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302中，有可能因誤讀出(以地址的誤碼率×211大小的概率)未正確建立同步。通過對(duì)11位的管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302進(jìn)行2次校驗(yàn)，以提高可靠性。
<(3)對(duì)段計(jì)數(shù)器是否正確計(jì)數(shù)進(jìn)行校驗(yàn)的模式的說明>
在(3)的模式中，也與(2)的模式相同，段計(jì)數(shù)器414利用與段同步的CLK1，對(duì)每個(gè)段進(jìn)行加法計(jì)數(shù)。
若計(jì)數(shù)器404正常進(jìn)行加法計(jì)數(shù)，段管理號(hào)301正常讀出，則每隔80段，檢錯(cuò)器410不輸出出錯(cuò)，根據(jù)讀出的段管理號(hào)S利用運(yùn)算器412運(yùn)算的段號(hào)N將與段計(jì)數(shù)器414的值一致。
通過對(duì)該一致進(jìn)行校驗(yàn)，對(duì)于段計(jì)數(shù)器414是否正確進(jìn)行加法計(jì)數(shù)，段計(jì)數(shù)器414的值是否與盤片的段號(hào)N一致，在盤片的每一圈要校驗(yàn)16次。
如果不一致時(shí)，則作為失步，立即向(1)的模式轉(zhuǎn)移。另外，在段管理號(hào)S處于正規(guī)位置時(shí)(是根據(jù)段計(jì)數(shù)器414決定的位置，對(duì)移位寄存器409準(zhǔn)確無誤地裝入段管理號(hào)301及檢測碼302的位置)，在規(guī)定次數(shù)未正確讀出段管理號(hào)S的情況下，也同樣作為失步，向(1)的模式轉(zhuǎn)移。
這樣，本法名的光盤的重放裝置是這樣構(gòu)成的，即段計(jì)數(shù)器414利用段進(jìn)行同步加法計(jì)數(shù)，這樣不僅能夠利用該段計(jì)數(shù)器414以段為單位控制光盤的記錄重放開始及結(jié)束位置，而且定期校驗(yàn)該值的正確性。
下面詳細(xì)說明段計(jì)數(shù)器414的具體動(dòng)作。檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)(校驗(yàn)結(jié)果)送至移位寄存器411、檢錯(cuò)糾錯(cuò)器415、門電路416、微型計(jì)算機(jī)406、比較器413及運(yùn)算器412。
如上所述，在對(duì)相鄰記錄紋道之間公用的數(shù)據(jù)(段管理號(hào)301)附加該檢錯(cuò)碼302的分散地址方式中，通過校驗(yàn)段管理號(hào)301及段管理號(hào)的檢錯(cuò)碼302，能夠得到地址解調(diào)時(shí)刻。在該檢錯(cuò)器410的輸出為0時(shí)，段管理號(hào)301準(zhǔn)確無誤地裝入移位寄存器409。該段管理號(hào)301記錄了表示與盤片1圈中第幾個(gè)地址對(duì)應(yīng)的從1至16的值。
因此，若設(shè)檢錯(cuò)器410不輸出出錯(cuò)時(shí)的段管理號(hào)301為S，則運(yùn)算器412從移位寄存器409將段管理號(hào)301輸入，利用運(yùn)算式N＝80×(S-1)+18，求出現(xiàn)在的段號(hào)N。
在運(yùn)算器412中求出的現(xiàn)在的段號(hào)N，從運(yùn)算器412送至段計(jì)數(shù)器414及比較器413。門電路416將檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)(校驗(yàn)結(jié)果)及微型計(jì)算機(jī)406的控制信號(hào)輸入。
在微型計(jì)算機(jī)406搜索段管理號(hào)的模式(是例如進(jìn)行尋紋道動(dòng)作而暫時(shí)丟失段管理號(hào)的情況)中，門電路416根據(jù)微型計(jì)算機(jī)406的控制信號(hào)，將輸入的檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)(校驗(yàn)結(jié)果)送至段計(jì)數(shù)器的預(yù)置的可知端PSET。在微型計(jì)算機(jī)406未搜索段管理號(hào)的模式(是例如檢測出正確的段管理號(hào)并進(jìn)行重放動(dòng)作的情況)中，門電路416根據(jù)微型計(jì)算機(jī)406的控制信號(hào)，不將輸入的檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)(校驗(yàn)結(jié)果)送至段計(jì)數(shù)器414的預(yù)置的控制端PSET。
段計(jì)數(shù)器414在門電路416輸出為0(不出錯(cuò))的檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)的時(shí)刻，將從運(yùn)算器412送來的段號(hào)N進(jìn)行預(yù)置。若門電路416將檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)0(不出錯(cuò))輸入，則微型計(jì)算機(jī)406在利用該輸出信號(hào)將運(yùn)算器412的輸出信號(hào)對(duì)段計(jì)數(shù)器414預(yù)置后，禁止門電路416輸出檢錯(cuò)結(jié)果。在門電路416被禁止輸出后，段計(jì)數(shù)器414不預(yù)置運(yùn)算器412的輸出信號(hào)。
段計(jì)數(shù)器414將由地址凹坑同步信號(hào)生成器407每1個(gè)段輸出的地址凹坑同步信號(hào)輸入至?xí)r鐘輸入端1(CLK1)，將預(yù)置的段號(hào)N依次進(jìn)行加法計(jì)數(shù)，將加法計(jì)數(shù)的值即段號(hào)輸出。該段號(hào)(現(xiàn)在的段號(hào))輸入至微型計(jì)算機(jī)406。段計(jì)數(shù)器414的最大值為1279，變成1279后，若輸入下1個(gè)地址凹坑同步信號(hào)，則變?yōu)?。然后，再一次輸入地址凹坑同步信號(hào)，進(jìn)行加法計(jì)數(shù)。通過這樣，段計(jì)數(shù)器414的計(jì)數(shù)值與盤片上分割成1280個(gè)的段同步動(dòng)作。
移位寄存器409即檢錯(cuò)器410在盤片1圈中讀出16次段管理碼。運(yùn)算器412將該段管理碼輸入，運(yùn)算現(xiàn)在的段號(hào)后輸出。運(yùn)算器412輸出的現(xiàn)在的段號(hào)N輸入至比較器413。比較器413在檢錯(cuò)器410輸出0(不出錯(cuò))的時(shí)刻，將運(yùn)算器412輸出的現(xiàn)在的段號(hào)與段計(jì)數(shù)器414的值進(jìn)行比較，校驗(yàn)有無失步。比較器413的輸出信號(hào)(有無失步的校驗(yàn)結(jié)果)輸入至微型計(jì)算機(jī)406。
若兩者一致，則微型計(jì)算機(jī)406在控制中使用段計(jì)數(shù)器輸出的現(xiàn)在的段號(hào)。若兩者不一致，則微型計(jì)算機(jī)406再次使門電路416導(dǎo)通。
31位的移位寄存器411在緊接檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)(校驗(yàn)結(jié)果)為0(不出錯(cuò))之后，根據(jù)地址凹坑同步信號(hào)(地址凹坑同步信號(hào)生成器407的輸出信號(hào))，將判斷器408的輸出信號(hào)(地址凹坑信號(hào))輸入。若移位寄存器411將31位的數(shù)據(jù)取入結(jié)束，則將31位數(shù)據(jù)送至檢錯(cuò)糾錯(cuò)器415。因根據(jù)光學(xué)頭位于的記錄紋道是偶數(shù)紋道還是奇數(shù)紋道，31位數(shù)據(jù)(16位的紋道號(hào)信息(記錄紋道的紋道號(hào))303或305、15位的紋道號(hào)信息的BCH編碼糾錯(cuò)信息304或306)的時(shí)序不同，因此重復(fù)2次取入31位數(shù)據(jù)。
檢錯(cuò)糾錯(cuò)器415從檢錯(cuò)器410輸出0(不出錯(cuò))的時(shí)刻起，在第31段及第62段取入移位寄存器411輸出的31位數(shù)據(jù)，進(jìn)行BCH錯(cuò)誤的校驗(yàn)及糾正，輸出有無出錯(cuò)的信號(hào)及紋道號(hào)(或糾正的紋道號(hào))。
微型計(jì)算機(jī)將段號(hào)(段計(jì)數(shù)器414的輸出信號(hào))、紋道號(hào)(檢錯(cuò)糾錯(cuò)器415的輸出信號(hào))及檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)輸入，知紋道光學(xué)頭現(xiàn)在的位置。另外，將檢錯(cuò)器410的輸出信號(hào)及比較器413的輸出信號(hào)輸入，判斷是能夠檢測出段號(hào)，還是丟失了光盤上的現(xiàn)在位置。
以往旋轉(zhuǎn)方向的位置信息是利用盤片1刻制的扇段號(hào)(或者與扇段號(hào)1比n對(duì)應(yīng)的地址信息)進(jìn)行管理的。根據(jù)記錄紋道的使用效率上的理由，實(shí)質(zhì)上盤片1圈即使最大的極限也是加入幾十個(gè)地址信息。因此，在以往的盤片裝置中，盤片1圈能夠管理的圓周方向的分辨率受到該1圈地址數(shù)的限制。但是，本發(fā)明的光盤由于采用上述段計(jì)數(shù)器作為管理單位，因此能夠以段為單位對(duì)圓周方向的記錄重放位置進(jìn)行管理。
而且，本發(fā)明的光盤還具有1個(gè)重要特征是，由于將地址每一位分散地址在段中，因此所有的段具有完全相同的物理結(jié)構(gòu)。例如，記錄開始的時(shí)鐘信號(hào)，以往是以開始凹坑為基準(zhǔn)生成的，在以往的光盤中，開始凹坑僅在扇段的最前面(設(shè)置地址凹坑等)有1個(gè)。而此不同的是，在實(shí)施例1的光盤中，預(yù)制凹坑區(qū)的起始端信號(hào)(相當(dāng)于開始凹坑)在每個(gè)段中能夠得到1個(gè)。
因此，在以往的光盤中，只能在緊接地址信息之后開始記錄，而在本發(fā)明的光盤中，通過利用段計(jì)數(shù)器414的值，能夠從盤片上任意段的起始點(diǎn)開始記錄數(shù)據(jù)。
即，與以往的光盤裝置相比，能夠以非常細(xì)的分辨率指定讀寫位置，而且，由于盤片上是全部相同的物理結(jié)構(gòu)，因此即使從任何地方都能夠從任意進(jìn)行記錄重放。在本發(fā)明的光盤中，至少1個(gè)扇段的開始位置與地址的開始位置不同。
<光盤裝置的記錄系統(tǒng)的說明(圖11)>
另外，本發(fā)明的光磁盤還具有1個(gè)重要特征是，將多個(gè)段105集中起來構(gòu)成以往的扇段。在本實(shí)施例中，將DVD等使用的32kB的ECC信號(hào)塊作為1個(gè)扇段，將1個(gè)扇段(32kB)分散記錄在多個(gè)段中。圖6所示為本實(shí)施例的扇段數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)及對(duì)段的記錄方法。通過對(duì)16個(gè)2kB邏輯扇段分別附加PI，再對(duì)這些數(shù)據(jù)附加PO，生成交織的32kB的ECC塊。然后，將交織的32kB的ECC塊輸入至DC不受限NRZI變換器，生成1個(gè)扇段部分的數(shù)據(jù)序列(DC不受限的NRZI)。將這分解為各段105能夠記錄的位數(shù)，記錄在各段105的數(shù)據(jù)區(qū)107。
下面用圖11說明具體的實(shí)施例1的光盤裝置記錄系統(tǒng)。圖11所示為實(shí)施例1的盤片裝置(光盤的記錄裝置(包含記錄重放裝置))的記錄系統(tǒng)方框圖。在圖11中，附加與圖4所示符號(hào)相同符號(hào)的方框(400多號(hào)的符號(hào))是與圖4相同符號(hào)的方框相同的環(huán)節(jié)。為了使光學(xué)頭(包含記錄透鏡)1102對(duì)實(shí)施例的光盤1101的想要記錄的目標(biāo)扇段位置進(jìn)行存取，要檢測預(yù)制凹坑信號(hào)。光學(xué)頭1102接受來自光盤1101的反射光，送至分光鏡1103。
分光鏡1103將反射光分為不同偏振面的光分量，將各光分量分別送至光檢測器1104及1105(典型的是光電二極管)。光檢測器1104及1105對(duì)光分量進(jìn)行檢測，變換為電信號(hào)。
加法器1106將2個(gè)光檢測器1104與1105的輸出信號(hào)相加。該加法結(jié)果與光學(xué)頭受光的反射光量成正比。該加法器的輸出信號(hào)是與預(yù)制凹坑的有無對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)。加法器1106的輸出信號(hào)輸入至2值化器1107，變換為數(shù)字信號(hào)。二值化器1107的輸出信號(hào)送至預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器401、相位比較器1119及地址信息生成器1109。在圖1(b)(c)中，在溝槽部分即記錄紋道與平坦的預(yù)制凹坑區(qū)(除了預(yù)制凹坑)的邊界處，反射光量發(fā)生變化。
另外，光學(xué)頭通過記錄紋道(圖1(b)的溝槽部分111)的期間(從預(yù)制凹坑區(qū)的終端至起始端的期間)是反射光量持續(xù)保持低水平的最長期間。根據(jù)該最長期間(能夠與其它信號(hào)識(shí)別的唯一的期間)，預(yù)制凹坑起始端檢測器401檢測出預(yù)制凹坑區(qū)的起始端，將起始端信號(hào)送至邊緣窗口生成器402、數(shù)據(jù)窗口生成器1108及地址凹坑同步信號(hào)生成器407。邊緣窗口生成器402將該起始端信號(hào)輸入，生成以該起始端為中心的一定寬度的窗口信號(hào)后輸出。
壓控型振蕩器(VCO)1117將振蕩輸出信號(hào)輸出，輸出至分頻器1118的時(shí)鐘輸入端(CLK)、寫入/讀出控制單元111及NRZI變換器1115。
微型計(jì)算機(jī)406讀出RAM(Random Access Memory，隨機(jī)存儲(chǔ)器)1113中存儲(chǔ)的各區(qū)域時(shí)鐘生成用的分頻器的分頻比，將該分頻比輸入至分頻器1118的預(yù)置端(PRE)。分頻器1118將輸入至?xí)r鐘端的振蕩輸出信號(hào)以輸入至預(yù)置端的分頻比進(jìn)行分頻，輸出分頻信號(hào)。
相位比較器1119將前述二值化器1107的輸出信號(hào)、前述分頻器1118輸出的分頻信號(hào)及邊緣窗口生成器402輸出的窗口信號(hào)輸入，在窗口信號(hào)的窗口寬度內(nèi)，將前述二值化器1107的輸出信號(hào)與前述分頻器1118輸出的分頻信號(hào)進(jìn)行相位比較，輸出相位誤差信號(hào)。該相位誤差信號(hào)反饋至VCO1117。利用以上電路結(jié)構(gòu)，VCO1117的輸出信號(hào)與預(yù)制凹坑區(qū)的起始端邊緣同步，而且具有端頻率的所述分頻比倍的振蕩頻率。例如，若是表1的區(qū)域1，則分頻比為325。VCO1117的輸出信號(hào)用作為各區(qū)域中數(shù)據(jù)寫入/讀出用的時(shí)鐘等。
數(shù)據(jù)窗口生成器1108將預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器401輸出的前述起始端信號(hào)輸入，輸出每個(gè)段的數(shù)據(jù)期間的窗口信號(hào)，送至寫入/讀出控制單元1111。窗口信號(hào)若是例如表1的第1區(qū)域，則是從第27個(gè)時(shí)鐘(VCO1117的輸出信號(hào))至第318個(gè)時(shí)鐘的期間為高電平、而在其它期間(從第1個(gè)時(shí)鐘至第26個(gè)時(shí)鐘的期間及從第318個(gè)時(shí)鐘至第325個(gè)時(shí)鐘的期間)為低電平的信號(hào)。
地址凹坑同步信號(hào)生成器407將預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器401輸出的前述起始端信號(hào)輸入，生成地址凹坑110(圖1(b))的同步信號(hào)，送至地址信息生成器1109。地址信息生成器1109將地址凹坑110的同步信號(hào)及二值化器1107的輸出信號(hào)輸入，生成地址信息，將該地址信息送至微型計(jì)算機(jī)406及寫入/讀出控制單元1111。地址信息生成器1109是用1個(gè)方框表示圖4的判斷器408及段計(jì)數(shù)器414等輸入數(shù)據(jù)輸入至編碼器1110，進(jìn)行編碼(例如里德所羅門編碼)，寫入RAM1113。寫入/讀出控制單元1111將輸入數(shù)據(jù)輸入，生成將該輸入數(shù)據(jù)寫入RAM1113用的寫入時(shí)鐘。RAM1113起到將輸入數(shù)據(jù)寫入記錄介質(zhì)用的緩沖存儲(chǔ)器的作用。寫入/讀出控制單元1111將VCO1117輸出的時(shí)鐘信號(hào)、數(shù)據(jù)窗口生成器1108輸出的窗口信號(hào)、地址信息生成器1109輸出的段號(hào)等地址信息、以及微型計(jì)算機(jī)406的控制信號(hào)輸入，在每個(gè)段的數(shù)據(jù)期間輸出時(shí)鐘信號(hào)(VCO1117的輸出信號(hào))，使用該時(shí)鐘信號(hào)作為RAM1113的讀出時(shí)鐘。
將從記錄介質(zhì)規(guī)定的記錄區(qū)讀出的區(qū)域、扇段及段等信息存入RAM1113(1114)。在光學(xué)頭1102到達(dá)想要進(jìn)行記錄的扇段上時(shí)，微型計(jì)算機(jī)406進(jìn)行控制，使得寫入/讀出控制單元1111將前述時(shí)鐘信號(hào)供給RAM1113。
接受了微型計(jì)算機(jī)406的指令后，寫入/讀出控制單元1111對(duì)RAM1113供給讀出時(shí)鐘信號(hào)，RAM1113將存儲(chǔ)的編碼數(shù)據(jù)輸出給各段記錄的每個(gè)數(shù)據(jù)塊。
利用寫入/讀出控制單元1111供給的時(shí)鐘信號(hào)讀出的RAM1113的數(shù)據(jù)(輸入數(shù)據(jù))，輸入至DC不受限NRZI變換器1115。DC不受限NRZI變換調(diào)制器1115將從RAM1113讀出的編碼數(shù)據(jù)給VCO1117的時(shí)鐘信號(hào)輸入，將前述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行DC不受限NRZI變換。進(jìn)行了DC不受限NRZI變換的數(shù)據(jù)從DC不受限NRZI變換器1115送至磁場驅(qū)動(dòng)電路1116(典型的是磁頭)，變換為磁信號(hào)。光學(xué)頭1102對(duì)記錄介質(zhì)照射激光脈沖，使記錄膜的溫度上升，再利用磁頭1120記錄數(shù)據(jù)。
<光盤裝置的重放系統(tǒng)的說明(圖12)>
圖12所示為實(shí)施例1的盤片裝置(光盤的重放裝置(包含記錄重放裝置))的重放系統(tǒng)方框圖。在圖12中，附加與圖4或圖11所示符號(hào)相同符號(hào)的方框(400多號(hào)或1100多號(hào)的符號(hào))是與圖4或圖11相同符號(hào)的方框相同的環(huán)節(jié)。為了使光學(xué)頭1102對(duì)實(shí)施例的光盤1101的想要重放的目標(biāo)扇段位置進(jìn)行存取，腰檢測預(yù)制凹坑信號(hào)，光學(xué)頭1102接受來自光盤1101的反射光，送至分光鏡1103。分光鏡1103將反射光分為不同偏振面的分光量，將各光分量分別送至光檢測器1104及1105(典型的是光電二極管)。光檢測器1104及1105對(duì)光分量進(jìn)行檢測，變換為電信號(hào)。
加法器1106將二個(gè)光檢測器1104與1105的輸出信號(hào)相加。該加法結(jié)果與光學(xué)頭受光的反射光量成正比。根據(jù)該加法器的輸出信號(hào)，使VCO1117進(jìn)行鎖相(VCO1117的振蕩輸出信號(hào)頻率＝段頻率×分頻比(RAM1113中存儲(chǔ)的各區(qū)域的時(shí)鐘生成用的分頻比))，數(shù)據(jù)窗口生成器1108輸出窗口信號(hào)，地址信息生成器1109將地址信息送至微型計(jì)算機(jī)4406及寫入/讀出控制單元1111。由于這些處理與圖的11記錄系統(tǒng)方框圖的詳述內(nèi)容相同，故在圖12中不進(jìn)行重復(fù)說明。另外，微型計(jì)算機(jī)406將分頻比送至分頻器1118的預(yù)置端(PRE)。
減法器1201將二個(gè)光檢測器1104及1105的輸出信號(hào)輸入，輸出二個(gè)輸出信號(hào)的差分信號(hào)。實(shí)施例1的光盤1101是光磁盤，差分信號(hào)根據(jù)記錄膜磁化方向的變化而變化。
減法器1201輸出的差分信號(hào)輸入至8位ADC(A/D轉(zhuǎn)換器)1202，變換為8位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。
1-D運(yùn)算器1207將8位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(ADC1202的輸出信號(hào))輸入，生成相鄰數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的差分信號(hào)。
1-D運(yùn)算器1207具有減法器1203及1個(gè)時(shí)鐘的延遲單元1204。
延遲單元1204將8位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(設(shè)為信號(hào)S)輸入，將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)S延遲1個(gè)時(shí)鐘(1個(gè)采樣期間)，將延遲的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)Sdelay輸出。
減法器1203將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)S與延遲的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)Sdelay輸入，將差分信號(hào)(S-Sdelay)(是8位數(shù)字信號(hào))輸出。NRZI維持比譯碼器1205將差分信號(hào)(S-Sdalay)及數(shù)據(jù)窗口生成器1108輸出的窗口信號(hào)輸入，對(duì)每個(gè)段的數(shù)據(jù)期間(利用窗口信號(hào)規(guī)定的)的該差分信號(hào)考慮最大似然進(jìn)行二值化處理，將二值化的數(shù)字信號(hào)輸出。NRZI維持比譯碼器1205的輸出信號(hào)是進(jìn)行NRZI譯碼的數(shù)據(jù)。
NRZI譯碼的數(shù)據(jù)記錄在RAM1113中。
寫入/讀出控制單元1111將VCO1117的振蕩輸出信號(hào)、每個(gè)段的數(shù)據(jù)期間的窗口信號(hào)、地址信息生成器1109的輸出信號(hào)、以及微型計(jì)算機(jī)的控制信號(hào)輸入，在微型計(jì)算機(jī)的控制信號(hào)發(fā)生信號(hào)重放的指示(例如不是記錄模式)而且是每個(gè)段的數(shù)據(jù)期間時(shí)，將VCO1117的振蕩輸出信號(hào)作為時(shí)鐘信號(hào)輸入至RAM。利用該時(shí)鐘信號(hào)，將NRZI譯碼的數(shù)據(jù)寫入RAM1113。RAM1113在重放時(shí)也用作緩沖存儲(chǔ)器。
寫入/讀出控制單元1111將內(nèi)置的振蕩器的輸出信號(hào)讀出，作為時(shí)鐘信號(hào)送至RAM1113。利用該時(shí)鐘將寫入RAM1113的每個(gè)段的數(shù)據(jù)作為連續(xù)的信號(hào)讀出，輸入至譯碼器1206。譯碼器1206將輸入的信號(hào)進(jìn)行譯碼(例如里德所羅門譯碼)譯碼的信號(hào)(輸出數(shù)據(jù))從盤片裝置的輸出端輸出。
另外，在上述的實(shí)施例中，是從溝槽的終端抽取記錄重放用的時(shí)鐘，但也可以檢測溝槽的起始端部分或偏差凹坑的中心部分。
<對(duì)光盤記錄的記錄方法的說明(圖13)>
圖13所示為對(duì)未記錄的光盤記錄數(shù)據(jù)時(shí)或者沒有記錄用預(yù)制凹坑預(yù)先在各區(qū)域的1個(gè)扇段所包含的段數(shù)等管理數(shù)據(jù)時(shí)的流程圖。
首先，選擇光盤的記錄密度模式(步驟1301)。操作者從例如表1至表5的記錄密度模式中選擇所希望的記錄密度模式，將該選擇的記錄密度模式通過盤片裝置的操作面板輸入。
然后，使記錄透鏡對(duì)光盤最內(nèi)圈的規(guī)定記錄區(qū)進(jìn)行存取(步驟1302)。
然后，在該規(guī)定的記錄區(qū)記錄各區(qū)域的1個(gè)扇段所包含的段數(shù)等管理數(shù)據(jù)(步驟1303)。
然后，使記錄透鏡對(duì)開始記錄的扇段位置進(jìn)行存取(步驟1304)。
然后，開始數(shù)據(jù)記錄(步驟1305)。
<從光盤重放的重放方法等的說明(圖14)>
對(duì)利用能夠重寫已經(jīng)在各區(qū)域的1個(gè)扇段所包含的段數(shù)等管理數(shù)據(jù)的信號(hào)或不能重寫的預(yù)制凹坑記錄的光盤追加或改變數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄時(shí)，或者在讀出已經(jīng)記錄了數(shù)據(jù)的光盤的數(shù)據(jù)時(shí)，按照圖14的流程圖進(jìn)行。下面根據(jù)圖14進(jìn)行說明。
首先，使光學(xué)頭對(duì)盤片最內(nèi)圈的規(guī)定記錄區(qū)進(jìn)行存取(步驟1401)。
在盤片插入時(shí)，從讀規(guī)定區(qū)讀出各區(qū)域的1個(gè)扇段所包含的段數(shù)等管理數(shù)據(jù)(步驟1402)。
然后，將進(jìn)行記錄或重放的扇段即目標(biāo)扇段輸入(步驟1403)。
然后，根據(jù)所述管理數(shù)據(jù)，導(dǎo)出目標(biāo)扇段的最前面的段的紋道號(hào)及段號(hào)(步驟1404)。
然后，使光學(xué)頭對(duì)目標(biāo)扇段的最前面的段進(jìn)行存取(步驟1405)。
然后，從目標(biāo)扇段的最前面的段開始進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄或重放(步驟1406)。
<區(qū)域結(jié)構(gòu)的說明(圖2)>
圖2所示為實(shí)施例1的光磁盤的區(qū)域示意配置。
實(shí)施例1的光磁盤假設(shè)(意味著沒有物理上相同結(jié)構(gòu)的邊界)按徑向距離分為9個(gè)區(qū)域201。9個(gè)區(qū)域分別包含2000個(gè)記錄紋道(由第1記錄紋道103及第2記錄紋道104形成)。各區(qū)域具有環(huán)形形狀，各環(huán)形具有不同的半徑和相同的寬度(2000個(gè)記錄紋道的寬度)。相鄰區(qū)域的邊界(是第1記錄紋道103與第2記錄紋道104的邊界)與其它的同一區(qū)域內(nèi)的第1記錄紋道103與第2記錄紋道104的邊界沒有不同，如后所述，也能夠使區(qū)域邊界移動(dòng)(也可以改變)。
另外，在以往的光盤中，是沿徑向進(jìn)行區(qū)域分割，使每個(gè)區(qū)域的扇段數(shù)改變，使記錄密度在盤片的內(nèi)外圈一定，通過進(jìn)行這樣的ZCAV或ZCLV記錄，達(dá)到高密度記錄。本發(fā)明的光盤的段是呈放射線狀(沿徑向排列)配置，不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施例中，將盤片假設(shè)分割成9個(gè)區(qū)域(圖2)，越是外圈，越增加1個(gè)段記錄的數(shù)據(jù)量。這是因?yàn)?，越是外圈?個(gè)段的記錄紋道越長。這樣，使每單位記錄紋道長度的記錄密度從內(nèi)圈至外圈近似一定。通過這樣，從內(nèi)圈至外圈能夠以實(shí)用上的上限高密度記錄數(shù)據(jù)。因此，越是外圈的區(qū)域，1個(gè)扇段(為了記錄1個(gè)ECC塊的數(shù)據(jù)所必需的記錄區(qū)，在實(shí)施例1中，1個(gè)扇段＝306500位)所包含的段數(shù)越少。表1所示為本實(shí)施例所用的表格。越是外圈的區(qū)域，1個(gè)段中記錄的信息量越多。
1個(gè)地址具有80個(gè)段。本發(fā)明的記錄介質(zhì)(也包含其它實(shí)施例)中，扇段所包含段數(shù)及段中記錄的信息量是靈活的。扇段的開始位置通常與用地址規(guī)定的區(qū)域的開始位置不同(也有的情況下兩者的開始位置相同，但有一定概率)。
表1

這樣，即使光盤不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)，也能夠通過具有虛擬的區(qū)域結(jié)構(gòu)，與以往的ZCAV或ZCLV相同，提高光盤的記錄密度。另外，由于不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)(不是不能改變那樣的區(qū)域結(jié)構(gòu)，而是虛擬的(邏輯上的)區(qū)域)，因此能夠提高容易存取、可靈活應(yīng)對(duì)將來高密度化的光盤。在以往的記錄介質(zhì)中，若用超分辨重放方式，則地址冗余度變大(相對(duì)于記錄介質(zhì)的表面積，地址區(qū)域所占面積的比例增大)。實(shí)施例1的記錄介質(zhì)與以往的光盤相比，由于在扇段的開始點(diǎn)不存在地址，因此能夠大大減少冗余度。
表1的扇段分配信息(管理數(shù)據(jù))記錄在實(shí)施例1的光盤的最內(nèi)圈規(guī)定記錄區(qū)。雖也可以將各扇段的最前面的段的位置信息(紋道號(hào)及段號(hào))、各扇段的段數(shù)及各段的數(shù)據(jù)量全部記錄下來，但由于數(shù)據(jù)量過于龐大，因此最好減少記錄的數(shù)據(jù)量，而必需的數(shù)據(jù)根據(jù)記錄的數(shù)據(jù)通過運(yùn)算求得。在實(shí)施例的光盤中，將扇段數(shù)據(jù)量、區(qū)域數(shù)、各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)LSN_z(i)、紋道號(hào)及段號(hào)、各區(qū)域的1個(gè)扇段所包含的段數(shù)SN_s(i)、各區(qū)域中時(shí)鐘生成用的分頻器的分頻比(在實(shí)施例1中，分頻比＝時(shí)鐘頻率/段頻率)、以及各段中記錄開始時(shí)鐘號(hào)及記錄結(jié)束時(shí)時(shí)鐘號(hào)記錄在光盤的最內(nèi)圈規(guī)定記錄區(qū)。
在表1中，扇段的數(shù)據(jù)量為306500位。區(qū)域數(shù)為9個(gè)。各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)為0、2438、5077、7930、10984、14289、17713、21385、25257、各區(qū)域起點(diǎn)的紋道號(hào)為0、2000、4000、6000、8000、10000、12000、14000、16000。各區(qū)域起點(diǎn)的段號(hào)在所有區(qū)域中都為0。各區(qū)域的1個(gè)扇段包含的段數(shù)為1050、97-、897、838、784、739、697、661、627。各區(qū)域中時(shí)鐘生成用的分頻器的分頻比為325、351、378、404、431、457、484、510、537。各段中記錄開始位的位置為27、29、30、32、34、36、38、40、42。各段中記錄結(jié)束位的位置為318、344、371、371、397、424、450、477、503、530。
例如，在第1區(qū)域中，分頻器的分頻比為325，一段期間中雖生成325個(gè)時(shí)鐘，但從第1個(gè)時(shí)鐘至第26個(gè)時(shí)鐘以及從第319個(gè)時(shí)鐘至第325個(gè)時(shí)鐘，由于是預(yù)制凹坑區(qū)上的時(shí)鐘，因此不用于對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)的記錄或重放。
任意扇段(從現(xiàn)在開始進(jìn)行記錄或重放的扇段)的最前面的段紋道號(hào)及段號(hào)可通過下述簡單的運(yùn)算求得。若設(shè)LSN為從現(xiàn)在開始進(jìn)行記錄或重放的扇段的扇段號(hào)(0≤LSN≤29338)，ZN為從現(xiàn)在開始進(jìn)行記錄或重放的扇段屬于的區(qū)域號(hào)(1≤ZN≤9)，SN_s(i)為各區(qū)域構(gòu)成1個(gè)扇段所必需的段數(shù)，LSN_z(i)為各區(qū)域構(gòu)成1個(gè)扇段所必需的段數(shù)，LSN_z(I)為各區(qū)域的最前面的扇段號(hào)，則ZN是滿足LSN_z(I+1)＞LSN＞LSN_z(i)的I。
從現(xiàn)在開始進(jìn)行記錄或重放的扇段的最前面的段所屬的記錄紋道的紋道號(hào)及最前面的段的段號(hào)為紋道號(hào)＝(ZN-1)×2000+[(LSN-LSN_z(ZN))×SN_s(ZN)/1280]段號(hào)＝(LSN-LSN_z(ZN))×SN_s(ZN)MOD1280例如，對(duì)于扇段號(hào)8888，由于7930(第4區(qū)域)≤8888≤10984(第5區(qū)域)，因此屬于第4區(qū)域。
扇段號(hào)8888的最前面的段的紋道號(hào)為(4-1)×2000+[(8888-7930)×838/1280]＝6627。另外，扇段號(hào)8888的最前面的段的段號(hào)為，段號(hào)＝((8888-7930)×838MOD1280)＝244。
扇段號(hào)8888具有從上述最前面的段起全部838段的長度。在各段中，通過將分頻器的分頻比設(shè)定為404，能夠生成記錄或重放時(shí)鐘(在實(shí)施例1中，是段頻率的404倍的頻率)。將從該記錄或重放時(shí)鐘的第32個(gè)時(shí)鐘至第397個(gè)時(shí)鐘的全部366個(gè)時(shí)鐘的信號(hào)進(jìn)行記錄或重放。
上述管理數(shù)據(jù)是表示1個(gè)例子，在規(guī)定區(qū)域保存的管理數(shù)據(jù)的種類是任意的。例如，若扇段的數(shù)據(jù)量、區(qū)域數(shù)、各區(qū)域的紋道數(shù)或各區(qū)域起點(diǎn)的段號(hào)等是固定值(例如，區(qū)域數(shù)為9個(gè)，各區(qū)域的紋道數(shù)為2000紋道，各區(qū)域起點(diǎn)的段號(hào)為1)，則不需要記錄區(qū)域數(shù)、各區(qū)域的紋道數(shù)或各區(qū)域起點(diǎn)的紋道號(hào)等。
另外，若記錄各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)，則如上所述，雖容易進(jìn)行運(yùn)算，但也可以根據(jù)各區(qū)域的1個(gè)扇段所包含的段數(shù)等導(dǎo)出。
例如，扇段號(hào)8888的最前面的段的紋道號(hào)可以用下述計(jì)算式算出。第1區(qū)域所包含的扇段數(shù)為[2000紋道×1280段/1050]＝2438扇段，第2區(qū)域所包含的扇段數(shù)為[2000紋道×1280段/970]＝1280段/897]＝2853扇段，第4區(qū)域所包含的扇段數(shù)為[2000紋道×1280段/838]＝3054扇段([]為高斯符號(hào))。將這些相加，可以簡單求得8888扇段是哪一區(qū)域。由于888扇段滿足以下的條件，2438+2639+2853＝7930(區(qū)域4的開始扇段號(hào))≤8888≤2438+2639+2853+3054＝10984(區(qū)域4的開始扇段號(hào))，因此可知包含在第4區(qū)域。
同樣，即使不記錄1個(gè)扇段所包含的段數(shù)，例如若是第4區(qū)域，則也可以求出段數(shù)＝[1個(gè)扇段的全部位數(shù)/每1個(gè)段的記錄位數(shù)]+1＝[306500位/366位]+1＝838([]為高斯符號(hào))。
因而，為了確定各扇段的位置，規(guī)定記錄區(qū)中記錄的管理數(shù)據(jù)的種類雖是任意的，但考慮到運(yùn)算的方便性，最好記錄各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)。
表1的扇段位置分配不是固定的。本發(fā)明的記錄介質(zhì)由于將扇段的位置與地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系以規(guī)定記錄區(qū)中記錄的管理數(shù)據(jù)加以保持，因此通過重寫該管理數(shù)據(jù)，就能夠改變扇段的位置與地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系。即，能夠改變扇段位置的分配。
例如，若實(shí)施例1的光盤的記錄膜性能提高20％，最短標(biāo)記長度縮短20％，則采用該光盤(不改變地址、段等預(yù)格式)，只要將利用軟件的數(shù)據(jù)設(shè)定從表1改變?yōu)橄率霰?(在表2中，與表1的設(shè)定相比，將扇段所包含的段減少20％，使各段中記錄的數(shù)據(jù)量增加20％)，就能夠?qū)崿F(xiàn)提高20％的高記錄密度。
表2

在表2中，若例如取第1區(qū)域?yàn)槔瑒t通過將第1區(qū)域中四種生成用的分頻器的分頻比從325變?yōu)?90，一段中記錄的數(shù)據(jù)量從表1的292位增至357位，每1個(gè)扇段的段數(shù)從表1的1050減至859。由于將段分割的預(yù)制凹坑區(qū)進(jìn)行預(yù)格式化，因此記錄介質(zhì)的全部段數(shù)為一定，所示整個(gè)記錄介質(zhì)的記錄容量從29339扇段增至35799扇段。
另外，在本實(shí)施例中，是根據(jù)溝槽的終端生成數(shù)據(jù)記錄重放及地址解調(diào)等所用的同步用時(shí)鐘，但也可以根據(jù)偏差凹坑生成基準(zhǔn)時(shí)鐘，基準(zhǔn)時(shí)鐘的生成方法對(duì)本發(fā)明無任何限制。
如上所述，在實(shí)施例1的光盤中，使扇段與段具有靈活的關(guān)系，使扇段所包含的段數(shù)改變，來實(shí)現(xiàn)高記錄密度的記錄介質(zhì)。另外，通過使扇段與地址具有靈活的關(guān)系，使扇段的長度或角度、或者扇段所包含的段數(shù)為與地址的長度或角度、或者地址所包含的段數(shù)完全無關(guān)的值，實(shí)現(xiàn)高記錄密度的記錄介質(zhì)。另外，使1個(gè)段中記錄的數(shù)據(jù)量因段而變化，實(shí)現(xiàn)高記錄密度的光盤。通過根據(jù)記錄介質(zhì)上寫入的管理數(shù)據(jù)進(jìn)行上述扇段的分布，靈活地實(shí)現(xiàn)用戶可任意改變的記錄介質(zhì)。因而，至少1個(gè)扇段的長度或角度與地址的長度或角度的n倍不同。
以往的記錄介質(zhì)是假設(shè)記錄重放某格式的數(shù)據(jù)，只能將該假設(shè)的格式數(shù)據(jù)塊(1個(gè)扇段的數(shù)據(jù)量)作為單位進(jìn)行記錄重放。
本發(fā)明的記錄介質(zhì)由于將地址與扇段用規(guī)定記錄區(qū)中記錄的管理數(shù)據(jù)建立關(guān)系，因此通過改變管理數(shù)據(jù)，也能夠作為不同大小扇段的記錄介質(zhì)使用。即，能夠?qū)⑼挥涗浗橘|(zhì)用于完全不同的多種用途。
表3所示為適合于1個(gè)扇段包含64kB數(shù)據(jù)情況的扇段分布表。
表3

另外，由于各區(qū)域是虛擬的，因此各區(qū)域的增減或區(qū)域數(shù)的改變等也是任意的。
表4所示的例子是，使第3區(qū)域的紋道數(shù)從2000紋道增加至3000紋道，使第4區(qū)域的紋道數(shù)從2000紋道減少至1000紋道，使第8區(qū)域的紋道數(shù)從2000紋道增加至4000紋道，取消第9區(qū)域(將區(qū)域數(shù)從9個(gè)減少至8個(gè))。
這樣，通過重寫管理數(shù)據(jù)，能夠改變區(qū)域的分布，這對(duì)于例如以區(qū)域?yàn)閱挝还芾頂?shù)據(jù)，不同區(qū)域應(yīng)該保存的數(shù)據(jù)量有差別的情況，是有用的。
表4

《實(shí)施例2》下面用圖15～圖17說明本發(fā)明實(shí)施例2的光磁盤、其記錄裝置及重放裝置、及其記錄方法及重放方法。
實(shí)施例2的光磁盤、其記錄裝置及重放裝置、以及其記錄方法及重放方法，基本上與實(shí)施例1的光磁盤等相同。
實(shí)施例2的光磁盤在具有與缺陷段(不能正確記錄或重放數(shù)據(jù)的段)有關(guān)的信息及補(bǔ)足缺陷段的備用段這一點(diǎn)上，與實(shí)施例1的光磁盤不同。
同樣，實(shí)施例2的光磁盤的記錄裝置及重放裝置、以及其記錄方法及重放方法，在寫入或讀出光磁盤的與缺陷段有關(guān)的信息、避開缺陷段記錄或?qū)懭霐?shù)據(jù)這一點(diǎn)上，與實(shí)施例1的光磁盤的記錄裝置等不同。
表5所示為實(shí)施例2中所用的表格。表5雖與實(shí)施例的表1類似，但各扇段比實(shí)施例1的各扇段多1個(gè)段(備用段)。
表5

<實(shí)施例2的數(shù)據(jù)格式的說明(圖15)>
在實(shí)施例2的光盤中，還包括缺陷段信息的全部管理數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)的最內(nèi)圈的規(guī)定記錄區(qū)中，各扇段僅記錄圖6的數(shù)據(jù)。但是，不限定于此，其它實(shí)施例的光盤在各扇段記錄圖15所示格式的數(shù)據(jù)。
如上所述，實(shí)施例2的光磁盤的各扇段具有1個(gè)備用段(備用段也可以是1個(gè)以上)。在扇段內(nèi)沒有缺陷段(不能正確記錄或重放數(shù)據(jù)的段)時(shí)，不使用備用段，若在扇段內(nèi)有缺陷段，則使用備用段以代替該缺陷段。
下面說明圖15的光磁盤各扇段的格式。在各扇段的最前面設(shè)置48位的首部。首部數(shù)據(jù)是能與通常數(shù)據(jù)(里德所羅門編碼及NRZI變換的數(shù)據(jù))識(shí)別的唯一的數(shù)據(jù)。
然后，配置24位的扇段號(hào)1502。通過這樣，不根據(jù)管理數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，或者不利用管理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)表，直接能夠知紋道現(xiàn)在的扇段號(hào)。然后配置缺陷段信號(hào)1503(24位)。缺陷段信息1503是該扇段所包含的缺陷段是扇段中第幾個(gè)段的信息。在沒有缺陷段時(shí)，寫入能夠與段號(hào)(若取表1為例，為0～1049的任一值)區(qū)別的固有值(例如2047)。
另外，缺陷段信息1503也可以是該扇段中所包含的缺陷段的紋道號(hào)及段號(hào)。扇段號(hào)1502及缺陷段信息1503分別進(jìn)行編碼，使其能夠糾錯(cuò)。最后配置用戶數(shù)據(jù)1504。
圖15所示的數(shù)據(jù)記錄在實(shí)施例2的光磁盤的各扇段中，如上所述，在光磁盤中沒有缺陷段時(shí)，在除了備用段(配置在扇段的最后)的各段中記錄數(shù)據(jù)，在有缺陷段時(shí)，在除了缺陷段的各段(包含備用段)中記錄數(shù)據(jù)。
在其它實(shí)施例中，缺陷段信息在光磁盤最內(nèi)圈部分的特定區(qū)域與其他管理數(shù)據(jù)一起匯總記錄。
實(shí)施例2的光磁盤的記錄裝置及重放裝置具有與圖11及圖12所示實(shí)施例1的光磁盤的記錄裝置及重放裝置類似的結(jié)構(gòu)，但在將從光磁盤讀出(或檢查光磁盤而檢測出)的缺陷段信息存入RAM1113(在發(fā)現(xiàn)有缺陷時(shí)或讀出缺陷段信息1503時(shí)，寫入RAM1113)、以及寫入/讀出控制單元1111根據(jù)缺陷段信息進(jìn)行RAM1113的寫入/讀出控制方面，這與實(shí)施例1的光磁盤的記錄裝置等不同。
<盤片裝置中寫入/讀出控制單元的說明(圖16)>
圖16所示為實(shí)施例2的光盤的記錄裝置或重放裝置的寫入/讀出控制單元1111(圖11及圖12)的方框圖(表示記錄時(shí)從RAM1113的數(shù)據(jù)讀出控制(對(duì)光磁盤的寫入數(shù)據(jù)控制)、以及重放時(shí)對(duì)RAM1113的數(shù)據(jù)寫入控制(從光磁盤的讀出數(shù)據(jù)控制)的方框圖。
另外，從圖16刪除缺陷段檢測方框即比較器1605，就是實(shí)施例1的記錄裝置及重放裝置的寫入/讀出控制單元1111(圖11及圖12)。
下面說明圖16。虛線的方框表示寫入/讀出控制單元1111。寫入/讀出控制單元1111包括比較器1602、1605、1608、與門1611、計(jì)數(shù)器1614、門電路1613、寫入或讀出地址指示器1615及RS觸發(fā)器1616。
微型計(jì)算機(jī)406將開始寫入或讀出的扇段的最前面的段的地址信息(紋道號(hào)及段號(hào))1601送至比較器1602，將結(jié)束寫入或讀出的段的地址信息1607送至比較器1608。是進(jìn)行寫入或讀出的最后段的下1個(gè)段的紋道號(hào)及段號(hào)。若在最后的扇段內(nèi)沒有缺陷段，則結(jié)束寫入或讀出的段的地址是最后扇段的備用段(配置在扇段的最后)的地址，若在最后的扇段內(nèi)有缺陷段，則結(jié)束寫入或讀出的段的地址是最后扇段的下1個(gè)扇段的最前面段的地址。
RAM113中存儲(chǔ)的缺陷段的地址信息(信號(hào)及段號(hào))1604送至比較器1605。
地址信息生成器1109將現(xiàn)在光學(xué)頭位于的紋道號(hào)及段號(hào)送至比較器1602、1605、1608及寫入或讀出地址指示器1615。數(shù)據(jù)窗口生成器1108將表示各段的數(shù)據(jù)期間的窗口信號(hào)1610送至與門1611。VCO1117將時(shí)鐘信號(hào)送至門電路1613的輸入端。
比較器1602將開始寫入或讀出的扇段的最前面地址(紋道號(hào)及段號(hào))1601及現(xiàn)在光學(xué)頭位于的紋道號(hào)及段號(hào)輸入，將一致信號(hào)1603輸出。一致信號(hào)1603在兩者一致時(shí)為高電平，在不一致時(shí)為低電平。RS觸發(fā)器1616將一致信號(hào)1603輸入至置位輸入端。
同樣，比較器1608將結(jié)束寫入或讀出的段的地址信息(紋道號(hào)及段號(hào))1607及現(xiàn)在光學(xué)頭位于的紋道號(hào)及段號(hào)輸入，將一致信號(hào)1609輸出。一致信號(hào)1609在兩者一致時(shí)為高電平，在不一致時(shí)為低電平。RS觸發(fā)器1616將一致信號(hào)1609輸入至復(fù)位輸入端。
RS觸發(fā)器1616在現(xiàn)在光學(xué)頭位于的紋道號(hào)及段號(hào)與開始寫入或讀出的扇段的最前面地址1601一致時(shí)置位(高電平輸出信號(hào))，在現(xiàn)在光學(xué)頭位于的紋道號(hào)及段號(hào)與結(jié)束寫入或讀出的段的地址1607一致時(shí)復(fù)位(低電平輸出信號(hào))。
比較器1605將缺陷段的地址信息(紋道號(hào)及段號(hào))1604及現(xiàn)在光學(xué)頭位于的紋道號(hào)及段號(hào)輸入，將一致信號(hào)1606輸出。一致信號(hào)1606在兩者一致時(shí)(光學(xué)頭的現(xiàn)在位置是缺陷段)為低電平，在不一致是為高電平。
與門1611將RS觸發(fā)器1616的輸出信號(hào)(在發(fā)出記錄或重放(寫入或讀出)指令時(shí)為高電平輸出)、一致信號(hào)1606(光學(xué)頭的現(xiàn)在位置是缺陷段時(shí)為低電平輸出)及數(shù)據(jù)窗口生成器1108的輸出信號(hào)(各段的數(shù)據(jù)期間為高電平輸出)輸入，將記錄或重放的執(zhí)行控制信號(hào)輸出(在輸入信號(hào)全部為高電平時(shí)，與門1611輸出高電平(進(jìn)行記錄或重放))。
門電路1613將VCO1117輸出的時(shí)鐘信號(hào)輸入，在前述記錄或重放的執(zhí)行控制信號(hào)(與門1611的輸出信號(hào))為高電平時(shí)，將該時(shí)鐘信號(hào)輸出。門電路1613輸出的時(shí)鐘信號(hào)作為對(duì)RAM1113寫入或讀出時(shí)鐘信號(hào)輸入，同時(shí)輸入至計(jì)數(shù)器1614的時(shí)鐘端。計(jì)數(shù)器1614將門電路1613輸出的時(shí)鐘信號(hào)輸入，進(jìn)行加法計(jì)數(shù)。
寫入或讀出地址指示器1615將地址信息生成器1109的輸出信號(hào)(光學(xué)頭現(xiàn)在的地址信息)及計(jì)數(shù)器1614的計(jì)數(shù)值輸入，將與光學(xué)頭現(xiàn)在地址對(duì)應(yīng)的RAM地址(存儲(chǔ)光磁盤現(xiàn)在地址所記錄的數(shù)據(jù)的RAM地址(記錄時(shí))或存儲(chǔ)從光磁盤現(xiàn)在地址重放的數(shù)據(jù)的RAM地址(重放時(shí)))進(jìn)行運(yùn)算后輸出。RAM1113將門電路1613輸出的時(shí)鐘信號(hào)作為時(shí)鐘，將寫入或讀出地址指示器1615指定的地址所存在的數(shù)據(jù)讀出(記錄時(shí))，或?qū)υ摰刂穼懭霐?shù)據(jù)(重放時(shí))。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，若記錄時(shí)沒有缺陷段，則對(duì)光磁盤的扇段內(nèi)的各段(除了備用段)依次記錄數(shù)據(jù)，若記錄時(shí)有缺陷段，則對(duì)除了缺陷段而且包含備用段的段記錄數(shù)據(jù)(在缺陷段中，RAM1113的讀出地址不加1，從RAM1113不讀出數(shù)據(jù))。
同時(shí)，若重放時(shí)沒有缺陷段，則從光磁盤的扇段內(nèi)的段(除了備用段)依次讀出數(shù)據(jù)，并存入RAM1113，若重放時(shí)有缺陷段，則從除了缺陷段而且包含備用段的段讀出數(shù)據(jù)，并將讀出的數(shù)據(jù)存入RAM1113(在缺陷段中，寫入RAM1113的地址不加1)。
<利用軟件進(jìn)行寫入/讀出控制的流程圖(圖17)>
圖17所示為實(shí)施例2的光盤的記錄裝置或重放裝置的其它實(shí)施例即采用微型計(jì)算機(jī)利用軟件進(jìn)行寫入/讀出控制的流程圖(表示1個(gè)扇段的數(shù)據(jù)記錄或重放處理)。在圖17中，由于用微型計(jì)算機(jī)的軟件處理的處理速度大大低于用硬件的處理，因此以位為單位的處理。以段為單位的處理也同樣，在提出申請時(shí)若不是相當(dāng)高速度的微型計(jì)算機(jī)也不能執(zhí)行(處理速度跟不上)，但若看到微型計(jì)算機(jī)的性能逐年提高，則可以想到在不遠(yuǎn)的將來用廉價(jià)的微型計(jì)算機(jī)確實(shí)能夠執(zhí)行該處理。
首先，取得想要進(jìn)行記錄或重放的扇段所具有的全部段數(shù)及缺陷段的地址信息(步驟1701)。如表1等所示，段數(shù)因區(qū)域而異。在已經(jīng)將管理數(shù)據(jù)寫入記錄介質(zhì)的規(guī)定區(qū)域的記錄介質(zhì)中，步驟1710是通過讀出記錄介質(zhì)的規(guī)定記錄區(qū)域所記錄的管理數(shù)據(jù)來進(jìn)行的。在未記錄的記錄介質(zhì)中，步驟1710是這樣進(jìn)行的，即操作者設(shè)定記錄密度模式，將根據(jù)該記錄密度模式的管理數(shù)據(jù)寫入記錄介質(zhì)的規(guī)定區(qū)域。在未記錄的記錄介質(zhì)中，對(duì)光磁盤實(shí)際記錄數(shù)據(jù)，對(duì)正確記錄數(shù)據(jù)的情況進(jìn)行校驗(yàn)，通過這樣取得缺陷段信息。
然后，設(shè)定段計(jì)數(shù)器＝1(步驟1702)。然后，使光學(xué)頭移動(dòng)至開始記錄或重放的扇段位置，利用預(yù)制凹坑區(qū)的起始端進(jìn)行中斷允許，發(fā)出記錄或重放開始指令(步驟1703)。用軟件程序的主程序處理以上步驟，在軟件程序的利用預(yù)制凹坑區(qū)的起始端信號(hào)產(chǎn)生的中斷處理程序中執(zhí)行下述的處理。
利用預(yù)制凹坑區(qū)的起始端信號(hào)產(chǎn)生中斷(步驟1704)。然后，校驗(yàn)段計(jì)數(shù)器與缺陷段的地址是否一致(步驟1705)。若段計(jì)數(shù)器與缺陷段的地址一致，則跳轉(zhuǎn)至步驟1711。若段計(jì)數(shù)器與缺陷段的地址不一致，則進(jìn)入步驟1706。
在步驟1706中，發(fā)出對(duì)RAM1113輸入寫入或讀出時(shí)鐘的指令。然后，將段計(jì)數(shù)器僅加1(段計(jì)數(shù)器＝段計(jì)數(shù)器+1，步驟1707)。然后，校驗(yàn)段計(jì)數(shù)器的值是否大于該扇段的全部段數(shù)(是在該扇段中進(jìn)行記錄或重放的段數(shù)，例如在第1區(qū)域的扇段內(nèi)，若沒有缺陷段為1050，若有缺陷段為1051)步驟1708)。若段計(jì)數(shù)器的值大于該扇段的全部段數(shù)，則進(jìn)入步驟1710。若段計(jì)數(shù)器的值不大于該扇段的全部段數(shù)(等于或小于)，則執(zhí)行返回處理，結(jié)束利用預(yù)制凹坑區(qū)的起始端信號(hào)產(chǎn)生的中斷處理(步驟1709)。
在步驟1710中，禁止利用預(yù)制凹坑區(qū)的起始端信號(hào)產(chǎn)生中斷，發(fā)出記錄或重放結(jié)束的指令。圖17是對(duì)1個(gè)扇段執(zhí)行記錄或重放處理的流程圖，在對(duì)1個(gè)扇段結(jié)束記錄或重放時(shí)刻，執(zhí)行步驟1710的處理。在對(duì)多個(gè)扇段進(jìn)行記錄或重放時(shí)，設(shè)定扇段數(shù)計(jì)數(shù)器，在每次段計(jì)數(shù)器變成大于全部段數(shù)，則該扇段數(shù)計(jì)數(shù)器加1，這時(shí)使段計(jì)數(shù)器＝0，重復(fù)步驟1704以后的中斷處理。在該扇段數(shù)計(jì)數(shù)器的值達(dá)到目標(biāo)扇段數(shù)時(shí)，執(zhí)行步驟1710的處理。
在步驟1710的后面執(zhí)行步驟1711。在步驟1711中，停止對(duì)RAM1113輸入寫入或讀出時(shí)鐘。然后，執(zhí)行返回處理(步驟1712)。
實(shí)施例2的光盤具有與實(shí)施例1的光盤同樣的效果，同時(shí)實(shí)現(xiàn)在產(chǎn)生缺陷段時(shí)使失去的記錄區(qū)限制在最小程度的記錄介質(zhì)。
《實(shí)施例3》實(shí)施例1的光磁盤具有溝槽部分，在溝槽部分形成記錄紋道，但圖18所示的實(shí)施例3的光磁盤具有反射率高的平板剖面形狀，在平板的光盤上形成螺旋狀的記錄紋道。
圖18(a)為本發(fā)明實(shí)施例3的光磁盤的整體簡要結(jié)構(gòu)。
在圖18(a)中，1801為光盤基板，1802為記錄膜(圖7的重放層13、中間層14即記錄層15)，1803為第1記錄紋道，1804為與第1記錄紋道相鄰的第2記錄紋道，1805為將第1記錄紋道1803及第2記錄紋道1804分割成1280個(gè)的段，1806及1813為包含開始凹坑、跟蹤用伺服凹坑及表示盤片位置信息的地址凹坑的預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))。
如圖所示，第1記錄紋道1803及第2記錄紋道1804是分別以1813的預(yù)制凹坑區(qū)作為起點(diǎn)及終點(diǎn)的螺旋狀區(qū)域，在從光磁盤的內(nèi)圈向外圈沿著螺旋狀的記錄紋道前進(jìn)時(shí)，第2記錄紋道1804在預(yù)制凹坑區(qū)1813結(jié)束，從第2記錄紋道1804結(jié)束的地方(預(yù)制凹坑區(qū)1813)起，第1記錄紋道1803開始。在圖18(a)中，光磁盤是直徑約為50mm的圓盤，第1記錄紋道1803與第2記錄紋道1804的紋道間距約為0.6μm。在以說明光磁盤的格式結(jié)構(gòu)為目的的圖18(a)中，與整個(gè)光磁盤的大小相比，將相鄰的第1記錄紋道1803及第2記錄1804明顯放大加以表示。
圖18(b)為1個(gè)段1805的簡要放大圖。
在圖18(b)中，1805為段(由1個(gè)記錄紋道及1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)構(gòu)成)。1806為預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))，具有1807長度的溝槽部分1815為進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的記錄紋道(數(shù)據(jù)記錄區(qū))。
預(yù)制凹坑區(qū)1806具有開始凹坑1816、檢測跟蹤信號(hào)用的偏差凹坑1808及1809、以及將表示光磁盤上位置信息的地址信息一位一位分散配置在段的開始處的地址凹坑1810。
記錄紋道1815為了得到高S/N信號(hào)，具有平板形狀。
實(shí)施例3的光磁盤具有適合于CAD方式(Center Aperture Detection，中心孔徑超分辨重放方式)的記錄膜。
在日本專利特開平5-12732號(hào)公報(bào)、特開平10-74343號(hào)公報(bào)及特開平10-241218號(hào)公報(bào)中揭示了CAD方式的光磁盤。
CAD方式的光磁盤是超分辨重放方式的光磁盤的一種，與DWDD方式的光磁盤相同，由于能夠不改變?chǔ)?(2·NA)的值，而通過提高記錄介質(zhì)的性能及采用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)提高現(xiàn)有格式的記錄介質(zhì)的記錄密度，因此適合采用本發(fā)明。
本發(fā)明的光磁記錄介質(zhì)是紋道間距為1μm及其以下(在實(shí)施例3中為0.6μm)的利用CAD方式進(jìn)行信號(hào)記錄重放的光磁記錄介質(zhì)，是相鄰紋道具有公用的采樣伺服方式的跟蹤伺服用偏差凹坑1808及1809的光磁記錄介質(zhì)。
下面說明實(shí)施例3的光磁盤制造方法及動(dòng)作原理。
在由聚碳酸酯制成的光盤基板1801上，在注射時(shí)通過由壓印機(jī)進(jìn)行轉(zhuǎn)印，形成預(yù)格式區(qū)1806的時(shí)鐘凹坑1816、偏差凹坑1808及1809、以及地址凹坑1810。在利用注射法成形的光盤基板1801上，利用濺射法形成CAD方式的記錄重放膜1802，通過這樣制成光磁盤。
在圖18(a)中，為了簡化起見，以單層表示CAD記錄重放膜1802，但是在介質(zhì)層上，形成重放層、中間層及記錄層的3層結(jié)構(gòu)的激勵(lì)膜，再形成保護(hù)層的紫外線硬化樹脂保護(hù)覆蓋層。重放層在室溫附近其磁化形成與膜面平行的面內(nèi)磁化，形成不重放信號(hào)的屏蔽層。重放時(shí)，若照射激光，使重放層溫度升高，則重放層的磁化減少，形成垂直磁化，成為利用交換耦合力將記錄膜的磁化轉(zhuǎn)寫的孔徑區(qū)域。重放時(shí)，由于僅僅從激光折射點(diǎn)的高溫部分(孔徑區(qū)域)重放信號(hào)，因此實(shí)際效果上，重放點(diǎn)變小，光磁盤上的最短標(biāo)記長度減小。例如重放層采用因溫度上升而引起從面內(nèi)向垂直膜轉(zhuǎn)移的磁性膜材料，中間層采用非磁性膜，記錄層采用即使以小的磁疇直徑也能夠保持記錄磁疇的磁性膜。
這樣制成的本發(fā)明的光磁盤具有形成螺旋狀的記錄紋道1803及1804等，各記錄紋道1803及1804等再利用呈放射線狀(沿光磁盤的徑向)設(shè)置的預(yù)制凹坑區(qū)1806，分別分割成1280個(gè)的段1805。各段的預(yù)制凹坑區(qū)1806分別沿光磁盤的徑向排列。因而，在以光磁盤的中心為原點(diǎn)的角坐標(biāo)表示時(shí)，與記錄紋道的位置相距原點(diǎn)的距離無關(guān)，在光磁盤上每隔360度/1280個(gè)＝0.28125度設(shè)置預(yù)制凹坑區(qū)。1個(gè)段1805具有1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)1806及1個(gè)記錄紋道1815。
本發(fā)明的光磁盤是假設(shè)記錄重放用的光點(diǎn)的光學(xué)常數(shù)是光波長為660nm、聚焦透鏡的NA為0.6而制成的。在這種情況下的光束半幅值為λ/(2·NA)＝約0.6μm?？紤]到清除記錄時(shí)來自相鄰到的串寫、強(qiáng)占及由于盤片傾斜等產(chǎn)生的影響所必須的余量，紋道間距設(shè)定為0.6μm。
在具有光束半幅度相同程度及其以下的紋道間距的光磁盤中，為了實(shí)現(xiàn)跟蹤伺服的目的，本發(fā)明的光磁盤在預(yù)制凹坑區(qū)1806具有跟蹤用偏差凹坑1808及1809，公用相鄰記錄紋道之間的偏差凹坑1808或1809的某1個(gè)凹坑。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，每隔1圈交替形成跟蹤極性不同(偏差凹坑1808及1809有的情況位于記錄紋道延長線的左右側(cè)，有的情況相反位于右左側(cè))的第1記錄紋道1803及第2記錄紋道1804。
第1記錄紋道與第2記錄紋道相互切換的段成為圖18(c)所示的結(jié)構(gòu)。如圖所示，在該切換點(diǎn)的段1812的記錄紋道左右預(yù)制凹坑區(qū)1806中，偏差凹坑1808與1809的前后關(guān)系相反。通過這樣，從第2記錄紋道1804切換為第1記錄紋道1803。這樣交替重復(fù)，連續(xù)配置第1記錄紋道1803及第2記錄紋道1804。
實(shí)施例3的光磁盤與實(shí)施例1的光磁盤相比，不同點(diǎn)僅在于具有CAD方式的記錄膜、在平面上設(shè)置記錄紋道1815、以及設(shè)置時(shí)鐘凹坑1816。實(shí)施例3的光磁盤由于光反射率高，因此能夠得到高S/N的重放信號(hào)。在實(shí)施例3的光磁盤中，由于沒有溝槽部分，因此在盤片裝置中不能采用檢測溝槽部分與預(yù)制凹坑區(qū)的邊界的方法(例如預(yù)制凹坑區(qū)起始端檢測器401)。實(shí)施例3的光磁盤由于具有時(shí)鐘凹坑1816，因此檢測時(shí)鐘凹坑1816，以代替檢測預(yù)制凹坑區(qū)的起始端。
在光學(xué)頭通過記錄紋道1815期間(從預(yù)制凹坑區(qū)的終端至起始端的期間)是反射光量持續(xù)保持高水平的最長期間。根據(jù)該最長期間(能夠與其它信號(hào)識(shí)別的唯一期間)，能夠檢測時(shí)鐘凹坑1816。以時(shí)鐘凹坑1816為基準(zhǔn)，檢測偏差凹坑1808、1809及地址凹坑1810等，能夠生成對(duì)記錄紋道進(jìn)行記錄或重放的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)。通過這樣，與實(shí)施例1的盤片介質(zhì)及盤片裝置相同，能夠進(jìn)行跟蹤控制、地址信息生成、數(shù)據(jù)記錄或重放等。
本發(fā)明的光盤的段呈放射狀配置，不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，將盤片虛擬分割成9個(gè)區(qū)域，越是外圈，使分頻器的分頻比越大(越是外圈，越增加1個(gè)段中記錄的數(shù)據(jù)量。這是因?yàn)?，越是外圈?個(gè)段的記錄紋道越長)，使每個(gè)單位記錄紋道長度的記錄密度從內(nèi)圈至外圈近似一定。通過這樣，從內(nèi)圈至外圈能夠以實(shí)用上的上限的高密度記錄數(shù)據(jù)。因此，越是外圈的區(qū)域，1個(gè)扇段(記錄1個(gè)ECC塊的數(shù)據(jù)所必需的記錄區(qū)，在實(shí)施例3中，1個(gè)扇段＝306500位)所包含的段數(shù)越少。實(shí)施例3的光磁盤例如根據(jù)表1～表5的任意扇段分布，進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或重放等。
這樣，即使光盤不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)，也能夠通過具有虛擬的區(qū)域結(jié)構(gòu)，像以往的ZCAV或ZCLV那樣提高光盤的記錄密度。另外，由于不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)(不是不能改變那樣的區(qū)域結(jié)構(gòu))，因此能夠提供容易存取、對(duì)于將來的高密度化有靈活性的光盤。再有，若采用超分辨重放方式，則以往的光盤的地址冗余度增大(相對(duì)于記錄介質(zhì)的表面積，地址區(qū)域所占面積的比例增大)，與該以往的光盤相比，與實(shí)施例1相同，由于地址數(shù)與扇段數(shù)不相同，因此能夠減少地址部分所占的冗余度。
表1等的扇段分布信息(管理數(shù)據(jù))記錄在實(shí)施例3的光盤的最內(nèi)圈規(guī)定記錄區(qū)。為了確定各扇段的位置而在固定記錄區(qū)中記錄的管理數(shù)據(jù)的種類雖是任意的，但從運(yùn)算的方便性考慮，最好記錄各區(qū)域起始點(diǎn)的扇段號(hào)等。另外，通過重寫該管理數(shù)據(jù)，能夠改變光磁盤的扇段分布。
CAD方式的光磁記錄介質(zhì)等采同超分辨重放方式的實(shí)施例3的光磁盤，由于能夠不改變?chǔ)?(2·NA)的值，而通過提高記錄介質(zhì)的性能及采用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)提高現(xiàn)有格式的記錄介質(zhì)的記錄密度，因此適合采用本發(fā)明。但是，通過對(duì)以往的記錄介質(zhì)(例如具有λ/(2·NA)的標(biāo)記長度(記錄介質(zhì)上的1個(gè)數(shù)據(jù)的長度)的記錄極限的光盤等)采用本發(fā)明，也能夠得到實(shí)現(xiàn)縮短尋紋道時(shí)間及高記錄密度等的作用。因而，本發(fā)明的適用對(duì)象不限定于采用超分辨重放方式的光盤。
也可以將實(shí)施例3的光磁盤的CAD方式記錄膜換成DWDD方式記錄膜。在DWDD方式記錄膜中，由于重放層必須有高的磁疇遷移率，因此例如對(duì)相鄰記錄紋道1815之間的區(qū)域(相當(dāng)于實(shí)施例1的光磁盤的溝槽之間部分)照射激光，進(jìn)行退火處理，將相鄰的記錄紋道1815相互進(jìn)行磁隔離。
《實(shí)施例4》實(shí)施例1的光磁盤具有溝槽部分，在溝槽部分形成記錄紋道，但在圖19所示的實(shí)施例4的光磁盤中，在臺(tái)階部分形成記錄紋道。
圖19(a)為本發(fā)明實(shí)施例4的光磁盤的整體簡要結(jié)構(gòu)。
在圖19(a)中，1901為光盤基板，1902為記錄膜(圖7的重放層13、中間層14及記錄層15)，1903為第1記錄紋道，1904為與第1記錄紋道相鄰的第2記錄紋道，1905為將第1記錄紋道1903及第2記錄紋道1904分割成1280個(gè)的段，1906及1913為包含跟蹤用伺服凹坑及表示盤片位置信息的地址凹坑的預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))。如圖所示，第1記錄紋道1903及第2記錄紋道1904是分別以1913的預(yù)制凹坑區(qū)作為起點(diǎn)及終點(diǎn)的螺旋裝區(qū)域，在從光磁盤的內(nèi)圈向外圈沿著螺旋狀的記錄紋道前進(jìn)時(shí)，第2記錄紋道1904在預(yù)制凹坑區(qū)1913結(jié)束，從第2記錄紋道1904結(jié)束的地方(預(yù)制凹坑區(qū)1913)起，第1記錄紋道1903開始。
在圖19(a)中，光磁盤是直徑約為50mm的圓盤，第1記錄紋道1903與第2記錄紋道1904的紋道間距約為0.6μm。在以說明光磁盤的格式結(jié)構(gòu)為目的的圖19(a)中，與整個(gè)光磁盤的大小相比，將相鄰的第1記錄紋道1903及第2記錄紋道1904明顯放大加以表示。
圖19(b)為1個(gè)段1905的簡要放大圖。在圖19(b)中，1905為段(由1個(gè)記錄紋道及1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)構(gòu)成)。1906為預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))，具有1907長度的溝槽之間部分1914設(shè)置進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的記錄紋道(數(shù)據(jù)記錄區(qū))。預(yù)制凹坑區(qū)1906具有檢測跟蹤信號(hào)用的偏差凹坑1908及1909、以及將表示光磁盤上位置信息的地址信息一位一位分散配置在段的開始處的地址凹坑1910。
在實(shí)施例4的光磁盤上中，如上所述，在臺(tái)階部分設(shè)置記錄紋道，在相鄰的二個(gè)溝槽之間部分1914相互磁隔離。通過這樣，實(shí)施例4的光磁盤適合DWDD方式的重放。
本發(fā)明的光磁記錄介質(zhì)是紋道間距為1μm及其以下(在實(shí)施例4中為0.6μm)的利用DWDD方式進(jìn)行信號(hào)記錄重放的光磁記錄介質(zhì)，是相鄰紋道具有公用的采樣伺服方式的跟蹤伺服用偏差凹坑1909及1909的光磁記錄介質(zhì)。
下面說明實(shí)施例4的光磁盤制造方法及動(dòng)作原理。在由聚碳酸酯制成的光盤基板1901上，在注射時(shí)通過由壓印機(jī)進(jìn)行轉(zhuǎn)印，形成預(yù)格式區(qū)1906的偏差凹坑1908及1909、以及地址凹坑1910。在利用注射法成形的光盤基板1901上，利用濺射法形成采用磁疇壁移動(dòng)的超分辨方式即DWDD記錄重放膜1902，通過這樣制成光磁盤。
在圖1(a)中，為了簡化起見，以單層表示DWDD記錄重放沒1902，但是在介質(zhì)層上，形成重放層、中間層及記錄曾的3層結(jié)構(gòu)的記錄膜，再形成保護(hù)層的紫外線硬化樹脂保護(hù)覆蓋層(是與實(shí)施例1的光磁盤的記錄膜相同的結(jié)構(gòu))。
這樣制成的本發(fā)明的光磁盤具有形成螺旋狀的記錄紋道1903及1904等，各記錄紋道1903及1904等再利用呈放射線狀(沿光磁盤的徑向)設(shè)置的預(yù)制凹坑區(qū)1906，分別分割成1280個(gè)的段1905。各段的預(yù)制凹坑區(qū)1906分別沿光磁盤的徑向排列。因而，在以光磁盤的中心為原點(diǎn)的角坐標(biāo)表示時(shí)，與記錄紋道的位置相距原點(diǎn)的距離無關(guān)，在光磁盤上每隔360度/1280個(gè)＝0.28125度設(shè)置預(yù)制凹坑區(qū)。1個(gè)段1905具有1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)1906及1個(gè)數(shù)據(jù)記錄區(qū)(溝槽之間部分1914)。
本發(fā)明的光磁盤是假設(shè)記錄重放用的光點(diǎn)的光學(xué)常數(shù)是光波長為660nm、聚焦透鏡的NA為0.6而制成的。在這種情況下的光束半幅值為λ/(2·NA)＝約0.6μm?？紤]到消除記錄時(shí)來自相鄰紋道的串寫、強(qiáng)占及由于盤片傾斜等產(chǎn)生的影響所必須的余量，紋道間距設(shè)定為0.6μm。
在具有光束半幅度相同程度及其以下的紋道間距的光磁盤中，為了實(shí)現(xiàn)跟蹤伺服的目的，本發(fā)明的光磁盤在預(yù)制凹坑區(qū)1906具有跟蹤用偏差凹坑1908及1909，公用相鄰記錄紋道之間的偏差凹坑1908或1909的某1個(gè)凹坑。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，每隔一圈交替形成跟蹤極性不同(偏差凹坑1908及1909，有的情況位于記錄紋道延長線的左右側(cè)，有的情況相反，位于右左側(cè))的第1記錄紋道1903及第2記錄紋道1904。
切換段1912的記錄紋道左右預(yù)制凹坑區(qū)1906中，偏差凹坑1908與1909的前后關(guān)系相反。通過這樣，從第2記錄紋道1904切換為第1記錄紋道1903。這樣交替重復(fù)，連續(xù)配置第1記錄紋道1903及第2記錄紋道1904。
實(shí)施例4的光磁盤與實(shí)施例1的光磁盤相比，不同點(diǎn)僅在于在臺(tái)階部分形成記錄紋道。實(shí)施例4的光磁盤能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度的光磁盤。與預(yù)制凹坑區(qū)的激光反射光量相比，臺(tái)階部分1914的激光反射光量受兩側(cè)溝槽部分發(fā)影響，反射光量少。因此，與實(shí)施例1的光磁盤相同，能夠檢測出預(yù)制凹坑區(qū)的起始端。因此，實(shí)施例4的光磁盤及其盤片裝置與實(shí)施例1的光磁盤及盤片裝置相同，能夠進(jìn)行跟蹤控制、地址信息生成、數(shù)據(jù)記錄或重放等。
本發(fā)明的光盤的段呈放射狀配置，不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，將盤片虛擬分割成9個(gè)區(qū)域，越是外圈，使分頻器的分頻比越大(越是外圈，越增加1個(gè)段中記錄的數(shù)據(jù)量。這是因?yàn)椋绞峭馊Γ?個(gè)段的記錄紋道越長)，使每個(gè)單位記錄紋道長度的記錄密度從內(nèi)圈到外圈近似一定。通過這樣，從內(nèi)圈至外圈能夠以實(shí)用上的上限的高密度記錄數(shù)據(jù)。因此，越是外圈的區(qū)域，1個(gè)扇段(記錄1個(gè)ECC塊的數(shù)據(jù)所必需的記錄區(qū)，在實(shí)施例4中，1個(gè)扇段＝306500位)所包含的段數(shù)越少。實(shí)施例4的光磁盤例如根據(jù)表1～表5的任意扇段分布，進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或重放等。
這樣，即使光盤不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)，也能夠通過具有虛擬的區(qū)域結(jié)構(gòu)，像以往的ZCAV或ZVLV那樣提高光盤的記錄密度。另外，由于不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)(不是不能改變那樣的區(qū)域結(jié)構(gòu))，因此能夠提供容易存取、對(duì)于將來的高密度化有靈活性的光盤。再有。若采用超分辨重放方式，則以往的光盤的地址冗余度增大(相對(duì)于記錄介質(zhì)的表面積，地址區(qū)域所占面積的比例增大)，與該以往的光盤相比，與實(shí)施例1相同，由于地址數(shù)與扇段數(shù)不相同，因此能夠減少地址部分所占的冗余度。
表1等的扇段分布信息(管理數(shù)據(jù))記錄在實(shí)施例4的光盤的最內(nèi)圈規(guī)定記錄區(qū)。為了確定各扇段的位置而在規(guī)定記錄區(qū)中記錄的管理數(shù)據(jù)的種雖是任意的。但從運(yùn)算的方便性考慮，最好記錄各區(qū)域起始點(diǎn)的扇段號(hào)等。另外，通過重寫該管理數(shù)據(jù)，能夠改變光磁盤的扇段分布。
DWDD方式的光磁記錄介質(zhì)等采用超分辨重放方式的實(shí)施例4的光磁盤，由于能夠不改變?chǔ)?(2·NA)的值，而通過提高記錄介質(zhì)的性能及采用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)提高現(xiàn)有格式的記錄介質(zhì)的記錄密度，因此適合采用本發(fā)明。但是，通過對(duì)以往的記錄介質(zhì)(例如具有λ/(2·NA)的標(biāo)記長度(記錄介質(zhì)上的1個(gè)數(shù)據(jù)的長度)的記錄極限的光盤等)采用本發(fā)明，也能夠得到實(shí)現(xiàn)縮短尋紋道時(shí)間及高記錄密度等的作用。
因而，本發(fā)明的使用對(duì)象不限定于采用超分辨重放方式的光盤。
《實(shí)施例5》實(shí)施例1的光磁盤具有溝槽部分，在溝槽部分形成記錄紋道，但在圖20所示的實(shí)施例5的光磁盤是在臺(tái)階部分及溝槽部分分別形成記錄紋道的臺(tái)階/溝槽方式光磁盤。
圖20(a)為為記錄膜(圖7的重放層13、中間層及記錄層15)，2003為第1記錄紋道，2004為與第1記錄紋道相鄰的第2記錄紋道，2005為將第1記錄紋道2003及第2記錄紋道2004分割成1280個(gè)的段，2006及2013為包含跟蹤用伺服凹坑及表示盤片位置信息的地址凹坑的預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))。如圖所示，第1記錄紋道2003及第2記錄紋道2004是分別以2013的預(yù)制凹坑區(qū)作為起點(diǎn)及終點(diǎn)的螺旋狀區(qū)域，在從光磁盤的內(nèi)圈向外圈沿著螺旋狀的記錄紋道前進(jìn)時(shí)，第2記錄紋道2004在預(yù)制凹坑區(qū)2013結(jié)束，從第2記錄紋道2004結(jié)束的地方(預(yù)制凹坑區(qū)2013)起，第1記錄紋道2003開始。
在圖20(a)中，光磁盤是直徑約為50mm的圓盤，第1記錄紋道2003與第2記錄紋道2004的紋道間距約為0.6μm。在以說明光磁盤的格式結(jié)構(gòu)為目的的圖20(a)中，與整個(gè)光磁盤的大小相比，將相鄰的第1記錄紋道2003及第2記錄紋道2004明顯放大加以表示。
圖20(b)為1個(gè)段2005的簡要放大圖。
在圖20(b)中，2005為段(由1個(gè)記錄紋道及1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)構(gòu)成)。2006為預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))，在具有2007長度的溝槽部分，2011及具有相同2007長度的溝槽部分2014設(shè)置進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的記錄紋道(數(shù)據(jù)記錄區(qū))。
預(yù)制凹坑區(qū)2006具有檢測跟蹤信號(hào)用的偏差凹坑2008及2009、以及將表示光磁盤上位置信息的地址信息一位一位分散配置在段的開始處的地址凹坑2010。
在實(shí)施例5的光磁盤中，如上所述，由于在臺(tái)階部分及溝槽部分都設(shè)置記錄紋道，因此記錄密度高。另外，相鄰的溝槽部分2011及溝槽之間部分2014相互磁隔離。通過這樣，實(shí)施例5的光磁盤適合DWDD方式的重放。
本發(fā)明的光磁記錄介質(zhì)是紋道間距為1μm及其以下(在實(shí)施例5中為0.6μm)的利用DWDD方式進(jìn)行信號(hào)記錄重放的光磁記錄介質(zhì)，是相鄰紋道具有公用的采樣伺服方式的跟蹤伺服用偏差凹坑2008及2009的光磁記錄介質(zhì)。
下面說明實(shí)施例5的光磁盤制造方法及動(dòng)作原理。在由聚碳酸酯制成的光盤基板2001上，在注射時(shí)通過由壓印機(jī)進(jìn)行轉(zhuǎn)印，形成預(yù)格式區(qū)2006的偏差凹坑2008及2009、以及地址凹坑2010。在利用注射法成形的光盤基板2001上，利用濺射法形成采用磁疇壁移動(dòng)的超分辨方式即DWDD方式記錄重放膜2002，通過這樣制成光磁盤。
在圖20(a)中，簡化表示的DWDD方式記錄重放膜2002具有在介質(zhì)層上設(shè)置的重放層、中間層即記錄層的3層結(jié)構(gòu)的記錄膜、以及再在其上設(shè)置的保護(hù)層(紫外線硬化樹脂保護(hù)覆蓋層(是與實(shí)施例1的光磁盤的記錄膜相同的結(jié)構(gòu))。
這樣制成的本發(fā)明的光磁盤具有形成螺旋狀的記錄紋道2003及2004等，各記錄紋道2003及2004等再利用呈放射狀(沿光磁盤的徑向)設(shè)置的預(yù)制凹坑區(qū)2006，分別分割成1280個(gè)的段2005。各段的預(yù)制凹坑區(qū)2006分別沿光磁盤的徑向排列。因而，在以光磁盤的中心為原點(diǎn)的角坐標(biāo)表示時(shí)，與記錄紋道的位置相距原點(diǎn)的距離無關(guān)，在光磁盤上每隔360度/1280個(gè)＝0.28125度設(shè)置預(yù)制凹坑區(qū)。1個(gè)段2005具有1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)2006及1個(gè)數(shù)據(jù)記錄區(qū)(溝槽部分2011或溝槽之間部分2014)。
本發(fā)明的光磁盤是假設(shè)記錄重放用的光點(diǎn)的光學(xué)常數(shù)是光波長為660nm、聚焦透鏡的NA為0.6而制成的。在這種情況下的光束半幅值為λ/(2·NA)＝約0.6μm。考慮到消除記錄時(shí)來自相鄰紋道的串寫、強(qiáng)占及由于盤片傾斜等產(chǎn)生的影響所必須的余量，紋道間距設(shè)定為0.6μm。
在具有光束半幅度相同程度及其以下的紋道間距的光磁盤中，為了實(shí)現(xiàn)跟蹤伺服的目的，本發(fā)明的光磁盤在預(yù)制凹坑區(qū)2006具有跟蹤用偏差凹坑2008及2009，公用相鄰記錄紋道之間的偏差凹坑2008或2009的某1個(gè)凹坑。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，每個(gè)一圈交替形成跟蹤極性不同(偏差凹坑2008及2009有的情況位于記錄紋道延長線的左右側(cè)，有的情況相反，位于右左側(cè))的第1記錄紋道2003及第2記錄紋道2004。
切換段2012的記錄紋道左右預(yù)制凹坑區(qū)2006中，偏差凹坑2008與2009的前后關(guān)系相反。通過這樣，從第2記錄紋道2004的切換為第1記錄紋道2003。這樣交替重復(fù)，連續(xù)配置第1記錄紋道2003及第2記錄紋道2004。
實(shí)施例5的光磁盤與實(shí)施例1的光磁盤相比，不同點(diǎn)僅在于是不僅在溝槽部分，而且在臺(tái)階部分也形成記錄紋道的臺(tái)階/溝槽方式光磁盤。實(shí)施例5的光磁盤能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度的光磁盤。實(shí)施例5的光磁盤及其盤片裝置于實(shí)施例1的光磁盤及盤片裝置相同，能夠進(jìn)行跟蹤控制、地址信息生成、數(shù)據(jù)記錄或重放等。
本發(fā)明的光盤的段呈放射狀配置，不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，將盤片虛擬分割成9個(gè)區(qū)域，越是外圈，使分頻器的分頻比越大(越是外圈，越增加1個(gè)段中的記錄的數(shù)據(jù)量。這是因?yàn)椋绞峭馊Γ?個(gè)段的記錄紋道越長)，使每個(gè)單位記錄紋道長度的記錄密度從內(nèi)圈至外圈近似一定。通過這樣，從內(nèi)圈至外圈能夠以實(shí)用上的上限的高密度記錄數(shù)據(jù)。因此，越是外圈的區(qū)域，1個(gè)扇段(記錄1個(gè)ECC塊的數(shù)據(jù)所必須的記錄區(qū)，在實(shí)施例5中，1個(gè)扇段＝306500位)所包含的段數(shù)越少。實(shí)施例5的光磁盤例如根據(jù)表1～表5的任意扇段分布，進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或重放等。
這樣，即使光盤不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)，也能夠通過具有虛擬的區(qū)域結(jié)構(gòu)，像以往的ZCAV或ZCLV那樣提高光盤的記錄密度。另外，由于不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)(不是不能改變那樣的區(qū)域結(jié)構(gòu))，因此能夠提供容易存取、對(duì)于將來的高密度化有靈活性的光盤。再有，若采用超分辨重放方式，則以往的光盤的地址冗余度增大(相對(duì)于記錄介質(zhì)的表面積，地址區(qū)域所占面積的比例增大)，與該以往的光盤相比，與實(shí)施例1相同，由于地址數(shù)與扇段數(shù)不相同，因此能夠減少地址部分所占的冗余度。
表1等的扇段分布信息(管理數(shù)據(jù))記錄在實(shí)施例5的光盤的最內(nèi)圈規(guī)定記錄區(qū)。為了確定各扇段的位置而在規(guī)定記錄區(qū)中記錄的管理數(shù)據(jù)的種類雖是任意的，但從運(yùn)算的方便性考慮，最好記錄各區(qū)域起始點(diǎn)的扇段號(hào)等。另外，通過重寫該管理數(shù)據(jù)，能夠改變光磁盤的扇段分布。
采用超分辨重放方式之一的DWDD方式的實(shí)施例5的光磁盤，由于能夠不改變?chǔ)?(2·NA)的值，而通過提高記錄介質(zhì)性能及采用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)提高現(xiàn)有格式的記錄介質(zhì)的記錄密度，因此適合采用本發(fā)明。但是，通過對(duì)以往的記錄介質(zhì)(例如具有λ/(2·NA)的標(biāo)記長度(記錄介質(zhì)上的1個(gè)數(shù)據(jù)的長度)的記錄極限的光盤等)采用本發(fā)明，也能夠得到實(shí)現(xiàn)縮短尋紋道時(shí)間及高記錄密度等的作用。
因而，本發(fā)明的使用對(duì)象不限定于采用超分辨重放方式的光盤。
《實(shí)施例6》圖22所示的實(shí)施例6的光磁盤于實(shí)施例5的光盤相同，是在臺(tái)階部分及溝槽部分分別形成記錄紋道的臺(tái)階/溝槽方式光磁盤。
實(shí)施例5的光盤具有將臺(tái)階部分設(shè)置的記錄紋道與溝槽部分設(shè)置的記錄紋道交替調(diào)換的結(jié)構(gòu)。與此不同的是，在實(shí)施例6的光盤中，溝槽部分設(shè)置的第1記錄紋道2203與臺(tái)階部分設(shè)置的第2記錄紋道2204是分別獨(dú)立的記錄紋道，兩者不相交，從內(nèi)圈至外圈平行配置。
另外，在實(shí)施例5的光盤中，處于相距中心同一半徑位置的溝槽部分的記錄紋道與臺(tái)階部分的記錄紋道屬于同一區(qū)域，同一區(qū)域內(nèi)的臺(tái)階部分設(shè)置的記錄紋道的記錄密度與溝槽部分設(shè)置的記錄紋道的記錄密度相等(1個(gè)段中記錄的數(shù)據(jù)位數(shù)相等)。與此不同的是，在實(shí)施例6的光盤中，處于相距中心同一半徑位置的溝槽部分的記錄紋道與臺(tái)階部分的記錄紋道屬于不同的區(qū)域(有兩種區(qū)域，一種區(qū)域僅具有溝槽部分設(shè)置的第1記錄紋道2203，另一種區(qū)域僅具有臺(tái)階部分設(shè)置的第2記錄紋道2204)，處于相距中心同一半徑位置的溝槽部分記錄紋道的記錄密度與臺(tái)階部分記錄紋道的記錄密度不同(1個(gè)段中記錄的數(shù)據(jù)位數(shù)不同)。
圖22(a)為本發(fā)明實(shí)施例6的光磁盤的整體簡要結(jié)構(gòu)，在圖22(a)中，2201為光盤基板，2202為記錄膜(圖7的重放層13、中間層14及記錄層15)，2203為溝槽部分設(shè)置的第1記錄紋道，2204為與第1記錄紋道相鄰的臺(tái)階部分設(shè)置的第2記錄紋道，2205為將第1記錄紋道2203及第2記錄紋道2204分割成1280個(gè)的段，2206及2213為包含跟蹤用伺服凹坑及表示盤片位置信息的地址凹坑的預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))。如上所述，第1記錄紋道2203及第2記錄紋道2204是平行配置的分別獨(dú)立的螺旋狀區(qū)域。
在圖22(a)中，光磁盤是直徑約為50mm的圓盤，第1記錄紋道2203及第2記錄紋道2204的紋道間距約為0.6μm。在以說明光磁盤的格式結(jié)構(gòu)為目的的圖22(a)中，與整個(gè)光磁盤的大小相比，將相鄰的第1記錄紋道2203及第2記錄紋道2204明顯放大加以表示。
圖22(b)所示為1個(gè)段2205的簡要放大圖。
在圖22(b)中，2205為段(由1個(gè)記錄紋道及1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)構(gòu)成)，2206為預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)制格式區(qū))。在具有2207長度的溝槽部分2211及具有相同2207長度的溝槽部分之間部分2214分別設(shè)置進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的第1記錄紋道(數(shù)據(jù)記錄區(qū))2203及第2記錄紋道。
預(yù)制凹坑區(qū)2206具有檢測跟蹤信號(hào)用的偏差凹坑2208及2209、以及將表示光磁盤上位置信息的地址信息一位一位分散配置在段的開始處的地址凹坑2210。
在實(shí)施例6的光磁盤中，相鄰的溝槽部分2211與溝槽之間部分2214相互磁隔離。通過這樣，實(shí)施例6的光磁盤適合DWDD方式的重放。
本發(fā)明的光磁記錄介質(zhì)是紋道間距為1μm及其以下(在實(shí)施例6中為0.6μm)的利用DWDD方式進(jìn)行信號(hào)記錄重放的光磁記錄介質(zhì)，是相鄰紋道具有公用的采樣伺服方式的跟蹤伺服用偏差凹坑2208及2209的光磁記錄介質(zhì)。
下面說明實(shí)施例6的光磁盤制造方法及動(dòng)作原理。在由聚碳酸酯制成的光盤基板2201上，在注射時(shí)通過由壓印機(jī)進(jìn)行轉(zhuǎn)印，形成預(yù)格式區(qū)2206的偏差凹坑2208、2209及地址凹坑2210。在利用該注射法成形的光盤基板2201上，利用濺射法形成利用磁疇壁移動(dòng)的超分辨方法即DWDD方式的記錄膜2202，通過這樣制成光磁盤。
在圖22(a)中簡化表示的DWDD方式的記錄重放膜2202具有與實(shí)施例1的光磁盤的記錄膜相同的結(jié)構(gòu)。
這樣制成的本發(fā)明的光磁盤具有形成螺旋狀的記錄紋道2203及2204等，各記錄紋道2203及2204等再利用呈放射狀(沿光磁盤的徑向)設(shè)置的預(yù)制凹坑區(qū)2206，分別分割成1280個(gè)段2205。各段的預(yù)制凹坑區(qū)2206分別沿光磁盤的徑向排列。因而，在以光磁盤的中心為原點(diǎn)的角坐標(biāo)表示時(shí)，與記錄紋道的位置相距原點(diǎn)的距離無關(guān)，在光磁盤上每隔360度/1280個(gè)＝0.28125度設(shè)置預(yù)制凹坑區(qū)。1個(gè)段2205具有1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)2206及1個(gè)數(shù)據(jù)記錄區(qū)(溝槽部分2211或溝槽之間部分2214)。
本發(fā)明的光磁盤是假設(shè)記錄重放用的光點(diǎn)的光學(xué)常數(shù)是光波長為660nm、聚焦透鏡的NA為0.6而制成的。在這種情況下的光束半幅值為λ/(2·NA)＝約0.6μm?？紤]到消除記錄時(shí)來自相鄰紋道的串寫、強(qiáng)占及由于盤片傾斜等產(chǎn)生的影響所必須的余量，紋道間距設(shè)定為0.6μm。
在具有光束半幅度相同程度及其以下的紋道間距的光磁盤中，為了實(shí)現(xiàn)跟蹤伺服的目的，本發(fā)明的光磁盤在預(yù)制凹坑區(qū)2206具有跟蹤用偏差凹坑2208及2209，公用相鄰記錄紋道之間的偏差凹坑2208或2209的某1個(gè)凹坑。
本發(fā)明的光盤的段呈放射狀配置，不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，如圖2所示，根據(jù)徑向距離將盤片虛擬分割成9個(gè)區(qū)域，再將各區(qū)域分割成由第1記錄紋道2203(在溝槽部分221 1設(shè)置)構(gòu)成的區(qū)域(下面稱為“第1記錄紋道區(qū)域”)及由第2記錄紋道2204(在溝槽之間部分2214設(shè)置)構(gòu)成的區(qū)域(下面稱為“第2記錄紋道區(qū)域”)(全部為9×2＝18個(gè)區(qū)域)。
在盤上處于同一徑向距離的2個(gè)區(qū)域(第1記錄紋道區(qū)域與第2記錄紋道區(qū)域)的分頻比不同。在第2記錄紋道區(qū)域中，與第1記錄紋道區(qū)域相比，使分頻器的分頻比約大20％，增大1個(gè)段中記錄的數(shù)據(jù)量。這是由于，在溝槽之間部分(臺(tái)階部分)2214中，與溝槽部分2211相比，記錄的標(biāo)記的穩(wěn)定性好，甚至于短的記錄標(biāo)記也能夠不丟失加以記錄，能夠提高記錄密度。
越是外圈的區(qū)域，使分頻器的分頻比越大(越是外圈的區(qū)域，越增加1個(gè)段中記錄的數(shù)據(jù)量。這是因?yàn)椋绞峭馊Φ膮^(qū)域，1個(gè)段的記錄紋道越長)，分別在第1記錄紋道區(qū)域及第2記錄紋道區(qū)域中，使每個(gè)單位記錄紋道長度的記錄密度從內(nèi)圈至外圈近似一定。
實(shí)施例6的光磁盤根據(jù)表6的扇段分布進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄或重放等(表6是表示1個(gè)例子)。在表6中，奇數(shù)區(qū)域是第1記錄紋道區(qū)域(記錄與表1相同的位數(shù))，偶數(shù)區(qū)域是第2記錄紋道區(qū)域(記錄與表2相同的位數(shù))。
表6

通過這樣，從內(nèi)圈至外圈能夠以實(shí)用上的上限的高密度記錄數(shù)據(jù)。因此，越是外圈的區(qū)域，1個(gè)扇段(記錄1個(gè)ECC塊的數(shù)據(jù)所必須的記錄區(qū)，在實(shí)施例3中，1個(gè)扇段＝306500位)所包含的段數(shù)越少。
以往的臺(tái)階/溝槽方式光磁盤與僅僅在溝槽部分設(shè)置記錄紋道的光磁盤等相比，雖能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度，但不得不將溝槽部分及溝槽之間部分的各段的記錄密度設(shè)定為S/N低的溝槽部分的上限記錄密度。
本實(shí)施例的光磁盤，由于能夠設(shè)定不受光磁盤物理結(jié)構(gòu)(例如段的長度等)限制的扇段結(jié)構(gòu)，因此能夠在臺(tái)階部分記錄紋道(第2記錄紋道2204)與溝槽部分記錄紋道(第1記錄紋道2203)中使記錄密度不同。因而，實(shí)施例6的光磁盤能夠在溝槽部分2211的段中以溝槽部分的上限記錄密度記錄數(shù)據(jù)，而在溝槽之間部分2214的段中以溝槽之間部分的上限記錄密度記錄數(shù)據(jù)。
實(shí)施例6的光磁盤及其盤片裝置與實(shí)施例1的光磁盤及盤片裝置相同，能夠進(jìn)行跟蹤控制、地址信息生成、數(shù)據(jù)記錄或重放等。
這樣，即使光盤不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)，也能夠通過具有虛擬的區(qū)域結(jié)構(gòu)，像以往的ZCAV或ZCLV那樣提高光盤的記錄密度。另外，由于不具有物理上的區(qū)域結(jié)構(gòu)(不是不能改變那樣的區(qū)域結(jié)構(gòu))，因此能夠提供容易存取、對(duì)于將來的高密度化有靈活性的光盤。再有，若采用超分辨重放方式，則以往的光盤的地址冗余度增大(相對(duì)于記錄介質(zhì)的表面積，地址區(qū)域所占面積的比例增大)，與該以往的光盤相比，與實(shí)施例1相同，由于地址數(shù)與扇段數(shù)不相同，因此能夠減少地址部分所占的冗余度。
表6等的扇段分布信息(管理數(shù)據(jù))記錄在實(shí)施例6的光盤的最內(nèi)圈規(guī)定記錄區(qū)。為了確定各扇段的位置而在規(guī)定記錄區(qū)中記錄的管理數(shù)據(jù)的種類雖是任意的，但從運(yùn)算的方便性考慮，最好記錄各區(qū)域起始點(diǎn)的扇段號(hào)等。另外，通過重寫該管理數(shù)據(jù)，能夠改變光磁盤的扇段分布。
采用DWDD方式的實(shí)施例6的光磁盤，由于能夠不改變?chǔ)?(2·NA)的值，而通過提高記錄介質(zhì)的性能及采用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)提高現(xiàn)有格式的記錄介質(zhì)的記錄密度，因此適合采用本發(fā)明。但是，通過對(duì)以往的記錄介質(zhì)(例如具有λ/2·NA)的標(biāo)記長度(記錄介質(zhì)上的1個(gè)數(shù)據(jù)的長度)的記錄極限的光盤等)采用本發(fā)明，也能夠得到實(shí)現(xiàn)縮短尋紋道時(shí)間及高記錄密度等的作用。在以往的記錄介質(zhì)中，例如將溝槽部分設(shè)置的第1記錄紋道與溝槽之間部分設(shè)置的第2記錄紋道作為分別獨(dú)立的記錄紋道，分別形成獨(dú)立的區(qū)域，通過這樣能夠在溝槽部分的段中以溝槽部分的上限記錄密度記錄數(shù)據(jù)，而且在溝槽之間部分2214的段中以溝槽之間部分的上限記錄密度記錄數(shù)據(jù)。
因而，本發(fā)明的適用對(duì)象不限定于采用超分辨重放方式的光盤。
《實(shí)施例7》圖21所示為本發(fā)明實(shí)施例7的光盤。實(shí)施例7的光盤與實(shí)施例1的光盤相比，不同點(diǎn)在于預(yù)制凹坑區(qū)的形狀。在實(shí)施例1的光盤中，預(yù)制凹坑區(qū)具有從光盤中心向外圈呈放射狀擴(kuò)展的形狀。因此，預(yù)制凹坑區(qū)的長度(所謂“長度”意味著沿記錄紋道的長度方向測量的長度)在內(nèi)圈要盡可能短，而在外圈具有超過需要的長度。
另外，在實(shí)施例7的光盤中，預(yù)制凹坑區(qū)從光盤中心向外圈以近似長方形的形狀延伸。預(yù)制凹坑區(qū)的長度無論在內(nèi)圈還是在外圈，都是相同長度。最好預(yù)制凹坑區(qū)的起始端或終端的某一段沿光盤的徑向排列。除了該預(yù)制凹坑區(qū)形狀的差別及基于該差別而引起的扇段分布的差別以外，實(shí)施例7的光盤與實(shí)施例1的光盤相同。因而，下面與與實(shí)施例1的不同點(diǎn)為中心說明實(shí)施例7。
圖21(a)為本發(fā)明實(shí)施例7的光磁盤的整體簡要結(jié)構(gòu)。在圖21(a)中，2101為光盤基板，2102為記錄膜(圖7的重放層13、中間層14及記錄層15)，2103為第1記錄紋道，2104為與第1記錄紋道相鄰的第2記錄紋道，2105為將第1記錄紋道2103及第2記錄紋道2104分割成1280個(gè)的段，2106及2113為包含跟蹤用伺服凹坑及表示盤片位置信息的地址凹坑的預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))。如圖所示，第1記錄紋道2103及第2記錄紋道2 104是分別以2113的預(yù)制凹坑區(qū)作為起點(diǎn)及終點(diǎn)的螺旋狀區(qū)域在從光磁盤的內(nèi)圈向外圈沿著螺旋狀的記錄紋道前進(jìn)時(shí)，第2記錄紋道2104在預(yù)制凹坑區(qū)2113結(jié)束，從第2記錄紋道2104結(jié)束的地方(預(yù)制凹坑區(qū)2113)起，第1記錄紋道2103開始。
在圖21(a)中，光磁盤是直徑約為50mm的圓盤，第1記錄紋道2103與第2記錄紋道2104的紋道間距約為0.6μm。在以說明光光盤的格式結(jié)構(gòu)為目的的圖21(a)中，與整個(gè)光磁盤的大小相比，將相鄰的第1記錄紋道2103及第2記錄紋道2104明顯放大加以表示。
圖21(b)所示為預(yù)制凹坑區(qū)2106等的放大圖(光磁盤的平面放大圖)。在圖21(b)中，2105為段(由1個(gè)記錄紋道及1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)構(gòu)成)。2106為預(yù)制凹坑區(qū)(預(yù)格式區(qū))，在具有2107長度的溝槽部分2111設(shè)置進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的記錄紋道(數(shù)據(jù)記錄區(qū))。預(yù)制凹坑區(qū)2106具有檢測跟蹤信號(hào)用的偏差凹坑2108及2109、以及將表示光磁盤上位置信息的地址信息一位一位分散配置在段的開始處的地址凹坑2110。
在實(shí)施例7的光磁盤中，如上所述，在溝槽部分設(shè)置記錄紋道，相鄰的2個(gè)溝槽部分2111相互磁隔離。通過這樣，實(shí)施例7的光磁盤適合DWDD方式的重放。
本發(fā)明的光磁記錄介質(zhì)是紋道間距為1μm及其以下(在實(shí)施例7中為0.6μm)的利用DWDD方式進(jìn)行信號(hào)記錄重放的光磁記錄介質(zhì)，是相鄰紋道具有公用的采樣伺服方式的跟蹤伺服用偏差凹坑2108及2109的光磁記錄介質(zhì)。實(shí)施例7的光磁盤制造方法及動(dòng)作原理與實(shí)施例1相同，省略其說明。
這樣制成的本發(fā)明的光磁盤具有形成螺旋狀的記錄紋道2103及2105等，各記錄紋道2103及2104等再利用呈放射線狀(沿光磁盤的徑向)設(shè)置的預(yù)制凹坑區(qū)2106，分別分割成1280個(gè)的段2105。各段的預(yù)制凹坑區(qū)2106分別沿光磁盤的徑向以近似長方形的形狀配置。因而，在以光磁盤的中心為原點(diǎn)的角坐標(biāo)表示時(shí)，與記錄紋道的位置相距原點(diǎn)的距離無關(guān)，預(yù)制凹坑區(qū)的長度一定。1個(gè)段2105具有1個(gè)預(yù)制凹坑區(qū)2106及1個(gè)數(shù)據(jù)記錄區(qū)(溝槽之間部分2114)。
實(shí)施例1的光盤具有表1的扇段配置。實(shí)施例1的光盤由于具有呈放射狀擴(kuò)展的預(yù)制凹坑區(qū)，因此越接近外圈，預(yù)制凹坑區(qū)的長度越長。所以，表1的能夠記錄的最前面的位號(hào)越接近外圈，越變成是大的號(hào)。具體來說，在第1區(qū)域中，全部325位中能夠記錄的位號(hào)是從27至318，26+7＝33位大小的區(qū)域分配給預(yù)制凹坑區(qū)，但在第9區(qū)域中，在全部537位中能夠記錄的位號(hào)是從42至530，41+7＝48位大小的區(qū)域分配給預(yù)制凹坑區(qū)。在實(shí)施例1的光盤中，由于預(yù)制凹坑區(qū)從光盤中心呈放射狀配置，越是外圈，預(yù)制凹坑區(qū)的長度越長，因此冗余度變差。
與上不同的是，在實(shí)施例7的光盤中，由于從內(nèi)圈一直到外圈都是相同長度的預(yù)制凹坑區(qū)沿徑向排列配置，因此如表7所示，能夠記錄的最前面的位號(hào)從內(nèi)圈至外圈沒有變化。表7是實(shí)施例7的光盤中的扇段分布表。將表7與實(shí)施例1的光盤中的表1的扇段分布表相比，除了由于將預(yù)制凹坑區(qū)的形狀從放射狀變?yōu)榻崎L方形(從內(nèi)圈至外圈的預(yù)制凹坑區(qū)的長度相同)而使能夠記錄的位號(hào)范圍變化之外，表7將各區(qū)域分配的紋道數(shù)、每個(gè)段的位數(shù)(分頻比)及1個(gè)扇段的數(shù)據(jù)量等條件取得與表1相同。
表7

表1中一片光盤全部能夠記錄29339個(gè)扇段大小的數(shù)據(jù)，而表7中一片光盤全部能夠記錄29875個(gè)扇段的數(shù)據(jù)。即，使預(yù)制凹坑區(qū)的形狀為近似長方形的實(shí)施例7的光盤與以往的具有放射狀的預(yù)制凹坑區(qū)的光盤相比，能夠記錄29875/29339＝101.8％的數(shù)據(jù)。這樣，實(shí)施例7的光盤具有比實(shí)施例1的光盤大1.8％的記錄容量。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，通過使扇段與段有靈活的關(guān)系，能夠?qū)崿F(xiàn)搜索時(shí)間短而且高記錄密度的記錄介質(zhì)。
特別是在記錄介質(zhì)上對(duì)段進(jìn)行預(yù)格式化(意味著用戶不能改變段的劃分)的記錄介質(zhì)中，得到很大的效果。
本發(fā)明得到的有利效果是，特別是在對(duì)段的劃分進(jìn)行預(yù)格式化而形成用戶不能改變的記錄介質(zhì)(例如是利用預(yù)制凹坑區(qū)確定段的劃分的光盤)中，通過提高記錄膜的性能能夠?qū)崿F(xiàn)更高記錄密度的記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，能夠?qū)崿F(xiàn)通過保持現(xiàn)有的格式以維持市場上的互換性、而且更高數(shù)據(jù)容量的記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的記錄介質(zhì)在盤片介質(zhì)上的特定區(qū)域(最好是內(nèi)圈部分或外圈部分的特定區(qū)域)具有各扇段的位置信息。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，若提高記錄介質(zhì)的記錄膜的性能，則能夠通過重寫該信息容易實(shí)現(xiàn)更高密度記錄。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，由于該信息記錄在該記錄介質(zhì)本身，因此即使對(duì)該記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄裝置與從該記錄介質(zhì)重放數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)重放裝置是不同的另外裝置，則根據(jù)該記錄介質(zhì)中記錄的表示扇段與段的關(guān)系的數(shù)據(jù)，也能夠在數(shù)據(jù)重放裝置中正確重放數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，即使產(chǎn)生缺陷段或缺陷位，也能夠?qū)崿F(xiàn)將記錄容量降低抑制在最低限度的記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，確定本發(fā)明盤片介質(zhì)上的扇段的位置，能夠?qū)崿F(xiàn)可對(duì)確定的扇段記錄數(shù)據(jù)或重放數(shù)據(jù)的盤片裝置。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，能夠提供適合本發(fā)明記錄介質(zhì)的簡單結(jié)構(gòu)的盤片裝置。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，即使產(chǎn)生缺陷段等，也能夠?qū)崿F(xiàn)可不產(chǎn)生浪費(fèi)而恢復(fù)扇段功能的盤片裝置。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，確定本發(fā)明盤片介質(zhì)上的扇段的位置，能夠?qū)崿F(xiàn)可對(duì)確定的扇段記錄數(shù)據(jù)或重放數(shù)據(jù)的對(duì)盤片介質(zhì)的記錄或重放方法。
根據(jù)本發(fā)明得到的有利效果是，即使產(chǎn)生缺陷段等，也能夠?qū)崿F(xiàn)可不產(chǎn)生浪費(fèi)而恢復(fù)扇段功能的盤片介質(zhì)的記錄或重放方法。
上面對(duì)發(fā)明以一定的詳細(xì)程度就理想的形態(tài)進(jìn)行了說明，但該理想形態(tài)的現(xiàn)在揭示的內(nèi)容當(dāng)然其構(gòu)成的細(xì)節(jié)部分是會(huì)有變化，在不超出權(quán)利要求的發(fā)明范圍及思想的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)各要素的組合及順序的變化。
工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明適用于記錄各種信息的記錄介質(zhì)、其控制裝置(記錄裝置或重放裝置)及其控制方法(記錄方法或重放方法)。
權(quán)利要求
1.一種記錄介質(zhì)，其特征在于，是具有表示記錄介質(zhì)上的位置的地址、并將扇段作為數(shù)據(jù)重寫單位或數(shù)據(jù)讀出單位進(jìn)行記錄或重放的記錄介質(zhì)，所述地址的開始位置與所述扇段的開始位置不同。
2.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，1個(gè)扇段具有與1個(gè)地址長度的n倍(n為1以上的整數(shù))的長度不同的長度。
3.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有圓盤狀的形狀，1個(gè)扇段具有與1個(gè)地址角度的n倍(n為1以上的整數(shù))的角度不同的角度。
4.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有圓盤狀的形狀，具有1個(gè)以上的記錄紋道，通過將所述記錄紋道分割成放射線狀而生成的多個(gè)段，根據(jù)盤片的徑向距離分割的多個(gè)區(qū)域、地址及扇段，1個(gè)扇段包含的段的數(shù)量m與1個(gè)地址包含的段的數(shù)量n的k倍(k為1以上的整數(shù))為不同的數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有包含第1扇段及第2扇段的多個(gè)扇段，所述第1扇段包含的段數(shù)比所述第2扇段包含的段數(shù)要少，而且所述第1扇段的段中記錄的信息量比所述第2扇段的段中記錄的信息量要多。
6.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有圓盤狀的形狀，具有多個(gè)扇段，外圈部分1個(gè)扇段包含的段數(shù)比內(nèi)圈部分1個(gè)扇段包含的段數(shù)要少，而且外圈部分的1個(gè)段中記錄的信息量比內(nèi)圈部分的1個(gè)段中記錄的信息量要大。
7.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有包含第1區(qū)域及第2區(qū)域的多個(gè)區(qū)域，所述第1區(qū)域的1個(gè)扇段包含的段數(shù)比所述第2區(qū)域的1個(gè)扇段包含的段數(shù)要少，而且第1區(qū)域的扇段段中記錄的信息量比所述第2區(qū)域的扇段的段中記錄的信息量要多。
8.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有多個(gè)區(qū)域，1個(gè)段中記錄的信息量至少在2個(gè)區(qū)域之間互相不同。
9.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有多個(gè)區(qū)域，各區(qū)域的1個(gè)扇段包含的段數(shù)至少在二個(gè)區(qū)域之間相互不同。
10.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有確定記錄介質(zhì)上的扇段位置的信息。
11.如權(quán)利要求10所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述信息是能夠根據(jù)它利用運(yùn)算式導(dǎo)出扇段位置的信息。
12.如權(quán)利要求10所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述信息是根據(jù)地址及扇段確定扇段起點(diǎn)的信息。
13.如權(quán)利要求10所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，包括包含地址與扇段的關(guān)系的扇段信息，所述扇段信息具有各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)或段號(hào)或各區(qū)域的每個(gè)扇段的段數(shù)中的至少1個(gè)數(shù)據(jù)、以及用該數(shù)據(jù)導(dǎo)出扇段開始位置的運(yùn)算式。
14.如權(quán)利要求10所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，還具有每個(gè)段的數(shù)據(jù)位數(shù)或振蕩器的分頻比的信息。
15.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，1個(gè)扇段具有備用的段。
16.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，分配在1個(gè)扇段中的全部段具有大于該扇段信息量的信息記錄容量。
17.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，包含缺陷段的扇段所包含的段數(shù)比不包含缺陷段的扇段所包含的段數(shù)要多。
18.如權(quán)利要求13至17的任一項(xiàng)所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有缺陷段的位置信息。
19.一種記錄介質(zhì)的控制裝置，其特征在于，包括從所述記錄介質(zhì)讀出表示記錄介質(zhì)上的位置的地址及表示所述地址與作為數(shù)據(jù)重寫單位或數(shù)據(jù)讀出單位的扇段的關(guān)系的扇段信息的信號(hào)重放單元，以及利用所述地址及所述扇段信息使頭部移動(dòng)至扇段開始位置的控制單元，至少1個(gè)扇段的開始位置與根據(jù)所述地址確定的區(qū)域的最前面部分不同。
20.如權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)的控制裝置，其特征在于，所述記錄介質(zhì)具有圓盤狀的形狀，而且具有螺旋狀或同心圓上配置的紋道，所述紋道具有分割成多個(gè)區(qū)域的段，對(duì)多個(gè)段記錄1個(gè)地址，所述控制單元將所述記錄介質(zhì)上的所述地址作為起點(diǎn)，沿圓周方向?qū)Χ螖?shù)或與所述段同步的計(jì)數(shù)器的輸出信號(hào)數(shù)進(jìn)行數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，使頭部移動(dòng)至扇段的開始位置。
21.如權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)的控制裝置，其特征在于，所述扇段信息具有各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)或段號(hào)或各區(qū)域的每個(gè)扇段的段數(shù)中的至少1個(gè)數(shù)據(jù)、以及用該數(shù)據(jù)導(dǎo)出扇段開始位置的運(yùn)算式。
22.如權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)的控制裝置，其特征在于，包括振蕩器，包含用根據(jù)從記錄介質(zhì)讀出的每個(gè)段的數(shù)據(jù)位數(shù)或振蕩器的分頻比信息導(dǎo)出的分頻比將所述振蕩器輸出信號(hào)進(jìn)行分頻的分頻器、并使所述分頻器輸出信號(hào)與所述段同步的鎖相單元，以及用基于所述振蕩器輸出信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)對(duì)所述記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)或從記錄介質(zhì)重放數(shù)據(jù)的信號(hào)處理單元。
23.如權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)的控制裝置，其特征在于，是記錄介質(zhì)的記錄裝置，包括根據(jù)從記錄介質(zhì)重放的信息確定缺陷段的缺陷位置確定單元，以及若利用所述缺陷位置確定單元判斷為1個(gè)扇段有缺陷段，則對(duì)包含所述缺陷段的扇段追加與缺陷段的數(shù)量相同數(shù)量以上的段后進(jìn)行分配的扇段分配單元。
24.如權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)的記錄裝置，其特征在于，是記錄介質(zhì)的記錄裝置，包括檢測缺陷段的檢測單元，以及若所述檢測單元檢測出缺陷段，則在記錄介質(zhì)上進(jìn)行扇段再配置的再配置單元。
25.一種記錄介質(zhì)的控制方法，其特征在于，包括下述步驟從所述記錄介質(zhì)讀出表示記錄介質(zhì)上的位置的地址與作為數(shù)據(jù)重寫單位或數(shù)據(jù)讀出單位的扇段的關(guān)系的扇段信息的第1信號(hào)重放步驟，從所述記錄介質(zhì)讀出所述地址的第2信號(hào)重放步驟，以及利用所述地址及所述扇段信息使頭部移動(dòng)至扇段開始位置的控制步驟，至少1個(gè)扇段的開始位置與根據(jù)所述地址確定的區(qū)域的最前面部分不同。
26.如權(quán)利要求25所述的記錄介質(zhì)的控制方法，其特征在于，所述記錄介質(zhì)具有圓盤狀的形狀，而且具有螺旋狀或同心圓上配置的紋道，所述紋道具有分割成多個(gè)區(qū)域的段，對(duì)多個(gè)段記錄1個(gè)地址，在所述控制步驟中，將所述記錄介質(zhì)上的所述地址作為起點(diǎn)，沿圓周方向?qū)Χ螖?shù)或與所述段同步的計(jì)數(shù)器的輸出信號(hào)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，使頭部移動(dòng)至扇段的開始位置。
27.如權(quán)利要求25所述的記錄介質(zhì)的控制方法，其特征在于，所述扇段信息具有各區(qū)域起點(diǎn)的扇段號(hào)或段號(hào)或各區(qū)域的每個(gè)扇段的段數(shù)中的至少1個(gè)數(shù)據(jù)，以及用該數(shù)據(jù)導(dǎo)出扇段開始位置的運(yùn)算式。
28.如權(quán)利要求25所述的記錄介質(zhì)的控制方法，其特征在于，包括下述步驟從記錄介質(zhì)讀出每個(gè)段的數(shù)據(jù)位數(shù)或振蕩器的分頻比信息的第3信號(hào)重放步驟，用根據(jù)所述第3信號(hào)重放步驟讀出的信息導(dǎo)出的分頻比對(duì)振蕩器輸出信號(hào)進(jìn)行分頻并使分頻的信號(hào)與所述段同步的鎖相步驟，以及用基于所述振蕩器輸出信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)對(duì)所述記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)或從記錄介質(zhì)重放數(shù)據(jù)的信號(hào)處理步驟。
29.如權(quán)利要求25所述的記錄介質(zhì)的控制方法，其特征在于，包括在記錄介質(zhì)的記錄方法，根據(jù)從記錄介質(zhì)重放的信息確定缺陷段的缺陷段確定步驟，以及若在所述缺陷段確定步驟中判斷為1個(gè)扇段有缺陷段，則對(duì)包含所述缺陷段的扇段追加與缺陷段的數(shù)量相同數(shù)量及以上的段后進(jìn)行分配的扇段分配步驟。
30.如權(quán)利要求25所述的記錄介質(zhì)的控制方法，其特征在于，包括在記錄介質(zhì)的記錄方法，檢測缺陷段的檢測步驟，以及若在所述檢測步驟中檢測出缺陷段，則在記錄介質(zhì)上進(jìn)行扇段再配置的再配置步驟。
31.如權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)的控制裝置，其特征在于，所述記錄介質(zhì)是光盤，具有1個(gè)以上的紋道，所述紋道分割成呈放射線狀的多個(gè)段，對(duì)所述多個(gè)分割的段分散配置地址數(shù)據(jù)，所述地址數(shù)據(jù)具有表示盤片旋轉(zhuǎn)方向的位置信息的段管理號(hào)以及表示盤片徑向的位置信號(hào)的紋道號(hào)，所述記錄介質(zhì)的控制裝置，包括與根據(jù)所述段管理號(hào)生成的所述段的位置同步的計(jì)數(shù)器，以及根據(jù)所述計(jì)數(shù)器的值對(duì)多個(gè)所述段集中形成1個(gè)重寫單位的扇段的記錄或重放的開始位置及結(jié)束位置進(jìn)行控制的控制單元。
全文摘要
本發(fā)明提供搜尋時(shí)間短而且高記錄密度的記錄介質(zhì)。本發(fā)明的記錄介質(zhì)是具有表示記錄介質(zhì)上的位置的地址、將扇段作為數(shù)據(jù)重寫單位或數(shù)據(jù)讀出單位進(jìn)行記錄或重放的記錄介質(zhì)，所述地址的開始位置與所述扇段的開始位置不同。
文檔編號(hào)G11B27/19GK1502103SQ01820769
公開日2004年6月2日 申請日期2001年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月7日
發(fā)明者日野泰守, 松本年男, 男 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社