專利名稱：內(nèi)存結(jié)構(gòu)及其所使用的控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)及其所使用的控制器，且特別是有關(guān)于一種整合多種內(nèi)存于一體的一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)及其所使用的控制器。
公知整合兩種內(nèi)存的內(nèi)存結(jié)構(gòu)包括一閃存及一靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)，并將此兩種內(nèi)存包含在同一封裝中。此內(nèi)存的結(jié)構(gòu)特征在于閃存及SRAM共同分享地址線及數(shù)據(jù)線，但是各自擁有自己的控制線及電源線，因此，結(jié)合成的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的腳位與閃存不同，無法與閃存兼容。
因此由上述所知，公知技術(shù)具有以下缺點(diǎn)1.因總體腳位數(shù)的不同，而產(chǎn)生兼容性的問題，使印刷電路板需要重新布局。
2.由于控制信號及電源信號的不同，軟件方面必須改寫。
有鑒于此，本發(fā)明提供一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)及其所使用的控制器。此種內(nèi)存結(jié)構(gòu)，是由兩種內(nèi)存組合而成，但是以其中一種內(nèi)存的總體腳位數(shù)為此內(nèi)存結(jié)構(gòu)的總體腳位數(shù)，且此兩種內(nèi)存使用相同的控制線及電源線，因此可以達(dá)到消除兼容性的問題及使軟件不需改寫的目的。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一內(nèi)存容量與第二內(nèi)存容量的總和與該總體內(nèi)存容量相同。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，第二內(nèi)存容量大于第一內(nèi)存容量，且第二內(nèi)存具有內(nèi)存容量分別與第一內(nèi)存容量相當(dāng)?shù)臄?shù)個(gè)儲存區(qū)。此第一內(nèi)存用以取代第二內(nèi)存的儲存區(qū)中的一個(gè)，以使讀取此內(nèi)存結(jié)構(gòu)時(shí)所能讀取的范圍為第一內(nèi)存與第二內(nèi)存除被第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)外的數(shù)個(gè)儲存區(qū)。而且被第一儲存區(qū)所替換的儲存區(qū)可替代第二內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)之外的任一個(gè)儲存區(qū)。此外，還可包括至少一個(gè)第二內(nèi)存替換儲存區(qū)，而每一個(gè)第二內(nèi)存替換儲存區(qū)的內(nèi)存容量系與上述的儲存區(qū)相當(dāng)。任一個(gè)第二內(nèi)存替換儲存區(qū)可替代一個(gè)上述的儲存區(qū)，以使此內(nèi)存結(jié)構(gòu)所能讀取的范圍為上述的第一內(nèi)存、用以替換儲存區(qū)的至少一個(gè)第二內(nèi)存替換儲存區(qū)，以及儲存區(qū)中未被前述兩者所替換的部分。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，此內(nèi)存結(jié)構(gòu)還包括至少一個(gè)替換內(nèi)存，此替換內(nèi)存的內(nèi)存容量與第二內(nèi)存容量相同。當(dāng)讀取此內(nèi)存結(jié)構(gòu)時(shí)，讀取的范圍為第二內(nèi)存或一個(gè)上述替換內(nèi)存所形成的讀取內(nèi)存中未被第一內(nèi)存替換的儲存區(qū)，以及上述的第一內(nèi)存。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，此內(nèi)存結(jié)構(gòu)不但具有至少一個(gè)替換內(nèi)存，還具有至少一個(gè)第二內(nèi)存替換儲存區(qū)。其中，第二內(nèi)存本身或替換整個(gè)第二內(nèi)存的替換內(nèi)存如上被稱為讀取內(nèi)存，而第二內(nèi)存替換儲存區(qū)則用以替換上述讀取內(nèi)存中的部分儲存區(qū)，以使得讀取此內(nèi)存結(jié)構(gòu)時(shí)所能讀取的范圍為上述的第一內(nèi)存、替換讀取內(nèi)存中部分儲存區(qū)所用的第二內(nèi)存替換儲存區(qū)，以及讀取內(nèi)存中未被第一內(nèi)存與第二內(nèi)存替換儲存區(qū)所替換的部分儲存區(qū)。
本發(fā)明還提供一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)，此內(nèi)存結(jié)構(gòu)包括具有第一容量的第一內(nèi)存，以及具有第二容量的第二內(nèi)存。其中，此內(nèi)存結(jié)構(gòu)的總體腳位數(shù)符合第一內(nèi)存于總體內(nèi)存容量時(shí)的第一總體腳位數(shù)。
本發(fā)明另外還提供一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，其適用于具有第一內(nèi)存與第二內(nèi)存的內(nèi)存結(jié)構(gòu)中。此控制器具有區(qū)塊辨識單元、命令辨識單元，以及內(nèi)存選擇單元。其中，區(qū)塊辨識單元根據(jù)所輸入的存取地址而輸出內(nèi)存存取信息。命令辨識單元?jiǎng)t根據(jù)所輸入的控制信號輸出一個(gè)內(nèi)存模式信號。內(nèi)存選擇單元即根據(jù)此內(nèi)存存取信息與內(nèi)存模式信號以決定存取第一內(nèi)存或第二內(nèi)存。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，內(nèi)存結(jié)構(gòu)使用的控制器的區(qū)塊辨識單元具有第一內(nèi)存地址緩存器及第一比較器。其中，第一內(nèi)存地址緩存器用以儲存可辨識用以表示第一內(nèi)存的地址的辨識第一內(nèi)存地址位。第一比較器用以比較該辨識第一內(nèi)存地址位與所輸入的存取地址中對應(yīng)于該辨識第一內(nèi)存地址位的部分位，并根據(jù)比較結(jié)果輸出一比較信號。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，此控制器還具有一個(gè)取代儲存區(qū)緩存器、第二比較器、虛擬儲存區(qū)緩存器以及一個(gè)多任務(wù)器組。其中，定義辨識取代儲存區(qū)地址位為可辨識用以表示第二內(nèi)存中被第一內(nèi)存所取代的儲存區(qū)所要取代的第二內(nèi)存的儲存區(qū)的地址。取代儲存區(qū)緩存器則用以儲存此辨識取代儲存區(qū)地址位。第二比較器則比較辨識取代儲存區(qū)地址位與存取地址中對應(yīng)于辨識取代儲存區(qū)地址位的部份，并根據(jù)比較所得的結(jié)果輸出一個(gè)致能信號。虛擬儲存區(qū)緩存器用以儲存辨識第一內(nèi)存地址位。而多任務(wù)器組則根據(jù)上述的致能信號，將辨識第一內(nèi)存地址位或存取地址的相對應(yīng)位傳送到譯碼器。
此外，控制器還可以包括一個(gè)接口電路，此接口電路用以更動(dòng)上述的第一內(nèi)存地址緩存器，取代儲存區(qū)緩存器與虛擬儲存區(qū)緩存器三者中至少一個(gè)的儲存內(nèi)容。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，此控制器除了區(qū)塊辨識單元，命令辨識單元，以及內(nèi)存選擇單元外，還具有取代儲存區(qū)緩存器、第二比較器、交換儲存區(qū)緩存器，以及多任務(wù)器組。其中，取代儲存區(qū)緩存器用以儲存前述的辨識取代儲存區(qū)地址位。第二比較器則比較此辨識取代儲存區(qū)地址位與存取地址中對應(yīng)于此辨識取代儲存區(qū)地址位的部份，并根據(jù)比較所得的結(jié)果輸出致能信號。交換儲存區(qū)緩存器儲存辨識第一內(nèi)存地址位與表示替換內(nèi)存的編號的一個(gè)替換編號。其中，替換內(nèi)存用以替換第二內(nèi)存。而多任務(wù)器組則根據(jù)此致能信號以將交換儲存區(qū)緩存器中所儲存的辨識第一內(nèi)存地址位或所輸入的存取地址的相對應(yīng)位傳送到譯碼器。
綜上所述，本發(fā)明由控制信號及總體腳位數(shù)的整合，再加上本發(fā)明設(shè)計(jì)的可選擇任一種內(nèi)存的存取地址的控制器，可使由兩種內(nèi)存所組成的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的總體腳位數(shù)能與其中一種內(nèi)存總體腳位數(shù)相符。因此，本發(fā)明可以解決的前多種內(nèi)存組成新內(nèi)存結(jié)構(gòu)時(shí)所產(chǎn)生的總體腳位數(shù)不符而導(dǎo)致電路必須重新設(shè)計(jì)的問題。
圖9繪示的是根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的再一實(shí)施例的再一內(nèi)存配置方框圖；以及

圖10繪示的是根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器的再一實(shí)施例的電路圖。附圖標(biāo)記說明20、50、70、80、90內(nèi)存結(jié)構(gòu)100、22、52、72、82、92屏蔽式只讀存儲器102、24、54、74、84、94閃存208、508、708、808、908閃存儲存區(qū)200-206、500-507、700-707、709、800-807、800’-807’、900-907、900’-907’、909、910屏蔽式只讀存儲器的儲存區(qū)104、210、210a、510、510a、710、810、810a、912控制器30區(qū)塊辨識單元32命令辨識單元34內(nèi)存選擇單元402、606、1006第一內(nèi)存地址(FS)緩存器404、620比較器602取代儲存區(qū)(RS)緩存器604虛擬儲存區(qū)(VS)緩存器608、1008控制器部分電路610接口電路612多任務(wù)器組614、616、618緩沖器1004交換儲存區(qū)(SS)緩存器
具體實(shí)施例方式
在說明實(shí)施例之前必須注意的是，在以下的實(shí)施例中雖然為了方便起見僅以閃存與屏蔽式只讀存儲器(Mask ROM)為例說明，但熟知此技術(shù)的人應(yīng)當(dāng)知道，只要是以兩種不同的內(nèi)存組合成一個(gè)內(nèi)存結(jié)構(gòu)，而想以符合其中一種內(nèi)存的總體腳位數(shù)為此內(nèi)存結(jié)構(gòu)的總體腳位數(shù)的狀況，就適用本發(fā)明。其中總體腳位數(shù)為使用腳位數(shù)與未使用腳位數(shù)的和。使用腳位數(shù)包括地址、數(shù)據(jù)、控制、電源及接地等信號所使用的腳位數(shù)。而未使用腳位數(shù)是不需連接至其它地方的腳位數(shù)。換言之，本發(fā)明對熟悉此技術(shù)的人而言，當(dāng)可適用于以兩種不同的內(nèi)存組合成一個(gè)內(nèi)存結(jié)構(gòu)的狀況，而非僅能限定于閃存與屏蔽式只讀存儲器的組合上。
圖1繪示的是本發(fā)明所提供的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的電路方框圖，此內(nèi)存結(jié)構(gòu)包括內(nèi)存容量為64M位的Mask ROM100、內(nèi)存容量為8M位的閃存102、以及控制器104。此內(nèi)存結(jié)構(gòu)的特征在于其腳位配置必須與64M位的閃存所使用的腳位配置完全相同。而在此內(nèi)存結(jié)構(gòu)中的控制器，則是用來決定以哪一種內(nèi)存存取數(shù)據(jù)。
請參照圖2，其繪示的是根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例的內(nèi)存配置方框圖。在圖2中，讀取范圍為64M位的內(nèi)存結(jié)構(gòu)20包括內(nèi)存容量為56M位Mask ROM(22)、內(nèi)存容量為8M位的閃存24、以及控制器210。其中以閃存24的儲存區(qū)208的大小做為Mask ROM(22)分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)，也就是每個(gè)分區(qū)為8M位。因此，內(nèi)存結(jié)構(gòu)20可分為8個(gè)儲存區(qū)，這8個(gè)儲存區(qū)是通過儲存區(qū)地址中的最高三個(gè)位(PA21、PA20及PA19)做譯碼。其中，Mask ROM(22)被分為7個(gè)儲存區(qū)(圖中標(biāo)號為200至206)，當(dāng)存取到標(biāo)號為207的儲存區(qū)時(shí)，在此內(nèi)存結(jié)構(gòu)20之下就會(huì)轉(zhuǎn)而存取由閃存24所提供的8M內(nèi)存空間(標(biāo)號208)。
在以兩種內(nèi)存組合而成的新內(nèi)存結(jié)構(gòu)下，當(dāng)兩種內(nèi)存的容量總和與外界讀取新內(nèi)存結(jié)構(gòu)時(shí)所看到的總體內(nèi)存容量相同，則此新內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器的一個(gè)實(shí)施例可以圖3繪示的方框圖表示。在本實(shí)施例中，控制器包含三個(gè)部分(1)區(qū)塊辨識單元30，用以根據(jù)所輸入的存取地址輸出相對應(yīng)的內(nèi)存存取信息；(2)命令辨識單元32，用以根據(jù)所輸入的控制信號輸出內(nèi)存模式信號；以及(3)內(nèi)存選擇單元34，其根據(jù)上述的內(nèi)存存取信息與內(nèi)存模式信號，決定存取兩種內(nèi)存的其中一種。
圖4繪示的是根據(jù)本發(fā)明，而以閃存與Mask ROM所組成的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器的一實(shí)施例的電路圖。其中，如圖3中的區(qū)塊辨識單元30在圖4中包含以下兩個(gè)部分(1)第一內(nèi)存地址儲存區(qū)(以下簡稱FS)緩存器402，用來儲存可辨識用以表示閃存24的地址的一組辨識第一內(nèi)存地址位，在本實(shí)施例中則是指代表閃存儲存區(qū)208的地址的最高三個(gè)位的值。(2)比較器(Comparator)404，用來比較所輸入的存取地址中的最高三個(gè)位(PA21，PA20及PA19)與FS緩存器302的值，并根據(jù)比較的結(jié)果輸出前述的內(nèi)存存取信息。
控制器210a的運(yùn)作情形如下在FS緩存器402中儲存代表閃存儲存區(qū)的地址的最高三個(gè)位的值，并于接收到外界存取此內(nèi)存結(jié)構(gòu)的地址時(shí)，由比較器404比較所接收到的地址中最高的三個(gè)位與FS緩存器中的值是否相同。當(dāng)相同時(shí)且命令致能信號(Command Enable，以下簡稱CE#)為低位準(zhǔn)時(shí)，無法讀取Mask ROM，并產(chǎn)生閃存命令致能信號(Command enable FLASH，簡稱CE_F)，以存取閃存。相反地，當(dāng)比較器404比較所接收到的地址中最高的三個(gè)位與FS緩存器中的值不同且CE#為低位準(zhǔn)時(shí)，則允許存取Mask ROM中的儲存區(qū)。此外，當(dāng)CE#命令致能信號且寫入致能信號(Write Enable，簡稱WE#)同時(shí)為低準(zhǔn)位時(shí)，例如將寫入(program)或清除(erase)的命令傳送至閃存，故MaskROM不允許被讀取。在本實(shí)施例中，CE#與WE#即為圖3中所述的控制信號，而后續(xù)的信號處理部分則包括了圖3中的命令辨識單元32與內(nèi)存選擇單元34。
為使上述的實(shí)施例更顯而易懂，以下列的例子來做說明。請同時(shí)參照圖2，當(dāng)FS緩存器402的值是(1，1，1)，如果(PA21，PA20，PA19)的地址也是(1，1，1)，則存取閃存儲存區(qū)208；如果(PA21，PA20，PA19)的地址是(1，1，0)，則存取Mask ROM的儲存區(qū)206。其存取數(shù)據(jù)的區(qū)域與輸入地址間的關(guān)系可詳如以下列表(假設(shè)FS緩存器706的值為7)

接下來請參照圖5，其繪示的是根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例的的一內(nèi)存配置方框圖。在此請注意，由于在之后的實(shí)施例中都是以閃存與Mask ROM為例子，因此將以新內(nèi)存結(jié)構(gòu)稱呼之后的內(nèi)存結(jié)構(gòu)。在圖5中，讀取范圍為64M位的新內(nèi)存結(jié)構(gòu)50包括內(nèi)存容量為64M位的Mask ROM(52)、內(nèi)存容量為8M位的閃存54、以及控制器510。在此內(nèi)存結(jié)構(gòu)下，閃存508可以取代任一儲存區(qū)(如507)，而其所使用的方法則與圖2所示的內(nèi)存結(jié)構(gòu)相同。而且被取代的儲存區(qū)(507)還可以取代其它的儲存區(qū)(500-506)。雖然圖5繪示的內(nèi)存配置結(jié)構(gòu)中，Mask ROM與閃存的內(nèi)存容量的總合會(huì)大于外界讀取此內(nèi)存結(jié)構(gòu)時(shí)所看到的總體內(nèi)存容量，但卻可以在設(shè)計(jì)上更有彈性。
而如圖5所示的內(nèi)存配置結(jié)構(gòu)可以以圖6繪示的控制器的電路達(dá)成控制所需的功能。請參照圖6，其繪示的是根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器的另一實(shí)施例的電路圖。其中，控制器部分電路608所執(zhí)行的功能及結(jié)構(gòu)與圖4所示相同，在此不予以重復(fù)贅述。在圖6中的控制器510a與圖4的新內(nèi)存結(jié)構(gòu)控制器的差異在于，(1)虛擬儲存區(qū)(Virtual Segment，簡稱VS)緩存器604所儲存的是被閃存508所取代的儲存區(qū)507的地址的最高三個(gè)位。(2)取代儲存區(qū)(Replaced Segment，簡稱RS)緩存器602所儲存的則是被取代的儲存區(qū)(在本實(shí)施例中為儲存區(qū)507)所要取代的其它儲存區(qū)(500-506)的地址的最高三個(gè)位。(3)接口電路610，其可用來改變FS緩存器606，RS緩存器602及VS緩存器604的值。(4)多任務(wù)器組612，包括三個(gè)多任務(wù)器，用以將VS緩存器604中所儲存的值或存取地址中的最高三個(gè)位(PA21，PA20，PA19)傳送至后續(xù)的譯碼器650。其中，在此實(shí)施例中，因FS與VS所儲存的數(shù)據(jù)相同，皆為儲存區(qū)(507)的地址的最高的三個(gè)位。因此，或可以以一緩存器取代，以簡化電路。
此結(jié)構(gòu)的特征在于，當(dāng)RS緩存器602所儲存的值與所輸入的存取地址經(jīng)由比較器620的比較得到二者相同的結(jié)果的時(shí)候，就由比較器620輸出一個(gè)致能信號至多任務(wù)器組612，以將VS緩存器中所儲存的值通過多任務(wù)器組以傳送到譯碼器650進(jìn)行后續(xù)的操作。而當(dāng)經(jīng)由比較器620比較所得的結(jié)果是RS緩存器602所儲存的值與所輸入的存取地址不同時(shí)，則比較器620所輸出的致能信號就會(huì)使多任務(wù)器組612選擇將所輸入的存取地址中，經(jīng)由地址緩沖器614，616與618所暫存的最高三個(gè)位(PA21，PA20，PA19)，傳輸至譯碼器650中。
為使其更顯而易懂，以下列的例子來做說明，當(dāng)FS緩存器606與<p>表2

進(jìn)行交換。
圖8繪示的是根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的再一實(shí)施例的另一內(nèi)存配置方框圖。在圖8中，讀取范圍為64M位的新內(nèi)存結(jié)構(gòu)80包括內(nèi)存容量為128M位的Mask ROM(82)、內(nèi)存容量為8M位的閃存84、以及控制器810。此結(jié)構(gòu)的特征在于，閃存808可以取代任一儲存區(qū)(如807)，還可以一組額外的儲存區(qū)(即專利范圍中所述的替換內(nèi)存800’-807’)來與儲存區(qū)800-807相互交換，并且閃存808也可以取代儲存區(qū)807’。在交換后，被閃存808取代的儲存區(qū)807’，還可以取代其它的儲存區(qū)(800’-806’)。
圖9繪示的是根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的再一實(shí)施例的再一內(nèi)存配置方框圖。在圖9中，讀取范圍為64M位的新內(nèi)存結(jié)構(gòu)90包括內(nèi)存容量為144M位的Mask ROM(92)、內(nèi)存容量為8M位的閃存94、以及控制器912。此結(jié)構(gòu)的特征在于，閃存908可以取代儲存區(qū)900～907中的任一儲存區(qū)，且有一組額外的儲存區(qū)(即專利范圍中所述的替換內(nèi)存900’-907’)可與儲存區(qū)900-907相互交換，閃存908可以取代儲存區(qū)900’～907’中的任一儲存區(qū)’，以及在交換后，被閃存908取代的儲存區(qū)907’，可以取代儲存區(qū)(900’-906’)外，還可以儲存區(qū)909，910(即專利范圍中所述的第二內(nèi)存替換儲存區(qū))來與被取代的儲存區(qū)907’所取代的儲存區(qū)外的其它的儲存區(qū)進(jìn)行交換。
而如圖7、8、9所示的內(nèi)存配置結(jié)構(gòu)可以圖10繪示的控制器的電路達(dá)成控制所需的功能。請參照圖10，其繪示的是根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器的再一實(shí)施例的電路圖。由于圖7、8、9的內(nèi)存結(jié)構(gòu)的控制器具有相同的電路，所以配合圖8的內(nèi)存結(jié)構(gòu)作說明。其中，控制器部分電路1008所執(zhí)行的功能及結(jié)構(gòu)與圖4相同。圖10的控制器810a與圖6的控制器510a的差異在于交換儲存區(qū)(SwapSegment，簡稱SS)緩存器1004所儲存的內(nèi)容包括兩個(gè)部分，其一是被閃存所取代的儲存區(qū)的地址的最高三個(gè)位，另一則是用以替換儲存區(qū)800-807的替換內(nèi)存的編號。在本實(shí)施例中，則分別以位S0-S2與位S3來表示。在此要補(bǔ)充說明的是，由于圖9中的Mask ROM(92)的儲存區(qū)為18個(gè)，已經(jīng)超過圖10中的SS緩存器1004所能選擇的儲存區(qū)的最高數(shù)目16個(gè)，所以SS緩存器1004必須多加一個(gè)位，才能達(dá)到圖9的需求。以此類推，為使用更多的Mask ROM，就必須相對應(yīng)于SS緩存器1004中增加適當(dāng)?shù)奈粩?shù)，以符合選擇時(shí)的需求。
此電路的運(yùn)作與前述圖6中的運(yùn)作方式類似，現(xiàn)以圖8為例，將其邏輯特性以下表表示。其中，假設(shè)FS緩存器1006的值為7，且S3＝0時(shí)代表原始的Mask ROM(即儲存區(qū)800-807，后稱為L.B.)，而S3＝1時(shí)則代表替代內(nèi)存(前述的800’-807’，后稱為H.B.)

綜上所述，本發(fā)明具有如下的優(yōu)點(diǎn)1.由Mask ROM與閃存組合而成的新內(nèi)存結(jié)構(gòu)的使用腳位數(shù)及腳位配置與閃存的使用腳位數(shù)及腳位配置完全相同，可以消除兼容性上的問題。
2.由于Mask ROM與閃存使用相同的控制線及電源線，軟件方面不必重寫。
3.由上述的本發(fā)明所提供的多種內(nèi)存結(jié)構(gòu)，可機(jī)動(dòng)地更改內(nèi)存的組合方式，使運(yùn)用上更具彈性。
4.由組合上述的多種內(nèi)存結(jié)構(gòu)，可以得到各種不同方式的內(nèi)存組合。
在此要重復(fù)強(qiáng)調(diào)的是，上述實(shí)施例中雖然是以閃存與Mask ROM為例，但這并非是本發(fā)明的限制條件。熟知此技術(shù)的人皆可運(yùn)用本發(fā)明的精神于各種不同內(nèi)存的組合上，即，本發(fā)明實(shí)可運(yùn)用于各種不同的內(nèi)存組合，如閃存、Mask ROM、靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存等等。此外，雖然在上述的實(shí)施例中提及的緩存器(如FS緩存器，RS緩存器，或SS緩存器等)是以三個(gè)位為其儲存內(nèi)容，但實(shí)際上其精神在于儲存足以辨識特定儲存區(qū)或特定內(nèi)存的地址位，而非限定一定要是三個(gè)位才行，且也并不限定只能有三個(gè)緩存器。熟悉此技術(shù)的人當(dāng)知，由增加緩存器的個(gè)數(shù)以及電路的小幅修改，就能夠增加所使用的某一特定內(nèi)存的儲存區(qū)個(gè)數(shù)或所能替代的儲存區(qū)的個(gè)數(shù)。同樣的狀況也適用于所輸入的存取地址中用于比較器比較與多任務(wù)器選擇的部分。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例說明于上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技術(shù)的人，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)，該內(nèi)存結(jié)構(gòu)一次能讀取的內(nèi)存范圍為一總體內(nèi)存容量，其特征為該內(nèi)存結(jié)構(gòu)的內(nèi)存容量為該總體內(nèi)存容量時(shí)的全部腳位為一總體腳位數(shù)，其中，該總體腳位數(shù)為一使用腳位數(shù)與一未使用腳位數(shù)的和，該內(nèi)存結(jié)構(gòu)包括一第一內(nèi)存，該第一內(nèi)存的內(nèi)存容量為一第一內(nèi)存容量，且在該第一內(nèi)存的內(nèi)存容量為一固定容量時(shí)所實(shí)際使用的腳位數(shù)量為一第一使用腳位數(shù)；以及一第二內(nèi)存，該第二內(nèi)存的內(nèi)存容量為一第二內(nèi)存容量，且在該第二內(nèi)存的內(nèi)存容量為該固定容量時(shí)所實(shí)際使用的腳位數(shù)量為一第二使用腳位數(shù)；其中，該第一使用腳位數(shù)大于該第二使用腳位數(shù)，且該內(nèi)存結(jié)構(gòu)的該總體腳位數(shù)不少于該固定容量為該總體內(nèi)存容量時(shí)該第一內(nèi)存的該第一使用腳位數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為該第一內(nèi)存容量與該第二內(nèi)存容量的總和與該總體內(nèi)存容量相同。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為該第二內(nèi)存包括內(nèi)存容量分別與該第一內(nèi)存容量相當(dāng)?shù)亩鄠€(gè)儲存區(qū)，該第一內(nèi)存用以取代該第二內(nèi)存的儲存區(qū)中的一個(gè)，以使讀取該內(nèi)存結(jié)構(gòu)時(shí)所能讀取的范圍為該第一內(nèi)存與該第二內(nèi)存除被該第一內(nèi)存替換的儲存區(qū)外的儲存區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為其中被該第一儲存區(qū)所替換的儲存區(qū)可替代該第二內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)之外的任一個(gè)儲存區(qū)。
5.如權(quán)利要求3所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為還包括至少一第二內(nèi)存替換儲存區(qū)，該第二內(nèi)存替換儲存區(qū)的內(nèi)存容量與該第二內(nèi)存中的儲存區(qū)相當(dāng)，且該第二內(nèi)存替換儲存區(qū)可取代該第二內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)的外的任一個(gè)儲存區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為還包括一替換內(nèi)存，該替換內(nèi)存的內(nèi)存容量與該第二內(nèi)存容量相同，且該替換內(nèi)存包括容量分別與該第一內(nèi)存相當(dāng)?shù)亩鄠€(gè)儲存區(qū)，該替換內(nèi)存用以替換該第二內(nèi)存，以使當(dāng)讀取該內(nèi)存結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)時(shí)，讀取的范圍為該第二內(nèi)存與該替換內(nèi)存二者擇一所得的一讀取內(nèi)存中，未被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)，以及替換該讀取內(nèi)存中的部分儲存區(qū)的該第一內(nèi)存。
7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為其中被該第一儲存區(qū)所替換的儲存區(qū)可替代該讀取內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)的外的任一個(gè)儲存區(qū)。
8.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為還包括至少一第二內(nèi)存替換儲存區(qū)，該第二內(nèi)存替換儲存區(qū)的內(nèi)存容量與該讀取內(nèi)存中的儲存區(qū)相當(dāng)，且該第二內(nèi)存替換儲存區(qū)可取代該讀取內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)的外的任一個(gè)儲存區(qū)。
9.一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為該內(nèi)存結(jié)構(gòu)包括一第一內(nèi)存，具有一第一內(nèi)存容量；以及一第二內(nèi)存，具有一第二內(nèi)存容量；其中，該內(nèi)存結(jié)構(gòu)的腳位配置符合該第一內(nèi)存于一總體內(nèi)存容量時(shí)的腳位配置。
10.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為該第一內(nèi)存容量與該第二內(nèi)存容量的總和與該總體內(nèi)存容量相同。
11.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為該第二內(nèi)存包括內(nèi)存容量分別與該第一內(nèi)存容量相當(dāng)?shù)亩鄠€(gè)儲存區(qū)，該第一內(nèi)存用以取代該第二內(nèi)存的儲存區(qū)中的一個(gè)，以使讀取該內(nèi)存結(jié)構(gòu)時(shí)所能讀取的范圍為該第一內(nèi)存與該第二內(nèi)存除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)的外的儲存區(qū)。
12.如權(quán)利要求11所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為其中被該第一儲存區(qū)所替換的儲存區(qū)可替代該第二內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)的外的任一個(gè)儲存區(qū)。
13.如權(quán)利要求11所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為還包括至少一第二內(nèi)存替換儲存區(qū)，該第二內(nèi)存替換儲存區(qū)的內(nèi)存容量與該第二內(nèi)存中的儲存區(qū)相當(dāng)，且該第二內(nèi)存替換儲存區(qū)可取代該第二內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)的外的任一個(gè)儲存區(qū)。
14.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為還包括一替換內(nèi)存，該替換內(nèi)存的內(nèi)存容量與該第二內(nèi)存容量相同，且該替換內(nèi)存包括容量分別與該第一內(nèi)存相當(dāng)?shù)亩鄠€(gè)儲存區(qū)，該替換內(nèi)存用以替換該第二內(nèi)存，以使當(dāng)讀取該內(nèi)存結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)時(shí)，讀取的范圍為該第二內(nèi)存與該替換內(nèi)存二者擇一所得的一讀取內(nèi)存中，未被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)，以及替換該讀取內(nèi)存中的部分儲存區(qū)的該第一內(nèi)存。
15.如權(quán)利要求14所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為其中被該第一儲存區(qū)所替換的儲存區(qū)可替代該讀取內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)的外的任一個(gè)儲存區(qū)。
16.如權(quán)利要求14所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，其特征為還包括至少一第二內(nèi)存替換儲存區(qū)，該第二內(nèi)存替換儲存區(qū)的內(nèi)存容量與該讀取內(nèi)存中的儲存區(qū)相當(dāng)，且該第二內(nèi)存替換儲存區(qū)可取代該讀取內(nèi)存的儲存區(qū)中，除被該第一內(nèi)存所替換的儲存區(qū)的外的任一個(gè)儲存區(qū)。
17.一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，適用于具有一第一內(nèi)存與一第二內(nèi)存的內(nèi)存結(jié)構(gòu)中，其特征為該控制器包括一區(qū)塊辨識單元，用以根據(jù)所輸入的一存取地址輸出一內(nèi)存存取信息；一命令辨識單元，用以根據(jù)所輸入的一控制信號輸出一內(nèi)存模式信號；以及一內(nèi)存選擇單元，根據(jù)該內(nèi)存存取信息與該內(nèi)存模式信號，決定存取該第一內(nèi)存與該第二內(nèi)存二者擇一。
18.如權(quán)利要求17所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，其特征為該區(qū)塊辨識單元包括一第一內(nèi)存地址緩存器，用以儲存可辨識用以表示該第一內(nèi)存的地址的一辨識第一內(nèi)存地址位；一第一比較器，用以比較該辨識第一內(nèi)存地址位與所輸入的該存取地址中對應(yīng)于該辨識第一內(nèi)存地址位的部分位，并根據(jù)比較結(jié)果輸出該內(nèi)存存取信息。
19.如權(quán)利要求17所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，其特征為還包括一取代儲存區(qū)緩存器，用以儲存可辨識用以表示該第二內(nèi)存中被該第一內(nèi)存所取代的儲存區(qū)所要取代的該第二內(nèi)存的儲存區(qū)的地址的一辨識取代儲存區(qū)地址位；一第二比較器，比較該辨識取代儲存區(qū)地址位與該存取地址中對應(yīng)于該辨識取代儲存區(qū)地址位的部份，并根據(jù)比較所得的結(jié)果輸出一致能信號；一虛擬儲存區(qū)緩存器，用以儲存該辨識第一內(nèi)存地址位；以及一多任務(wù)器組，根據(jù)該致能信號，將該虛擬儲存區(qū)緩存器所儲存的該辨識第一內(nèi)存地址位與所輸入的該存取地址的相對應(yīng)位二者擇一傳送到譯碼器。
20.如權(quán)利要求19所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，其特征為還包括一接口電路，該接口電路用以更動(dòng)該第一內(nèi)存地址緩存器，該取代儲存區(qū)緩存器與該虛擬儲存區(qū)緩存器三者中至少一者的儲存內(nèi)容。
21.如權(quán)利要求19所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，其特征為還包括一地址緩沖器組，用以儲存該存取地址中與該辨識第一內(nèi)存地址位相對應(yīng)的部份位。
22.如權(quán)利要求17所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，其特征為還包括一取代儲存區(qū)緩存器，用以儲存可辨識用以表示該第二內(nèi)存中被該第一內(nèi)存所取代的儲存區(qū)所要取代的該第二內(nèi)存的儲存區(qū)的地址的一辨識取代儲存區(qū)地址位；一第二比較器，比較該辨識取代儲存區(qū)地址位與該存取地址中對應(yīng)于該辨識取代儲存區(qū)地址位的部份，并根據(jù)比較所得的結(jié)果輸出一致能信號；一交換儲存區(qū)緩存器，儲存該辨識第一內(nèi)存地址位與表示一替換內(nèi)存的編號的一替換編號，其中，該替換內(nèi)存用以替換該第二內(nèi)存；以及一多任務(wù)器組，根據(jù)該致能信號，將該交換儲存區(qū)緩存器中所儲存的該辨識第一內(nèi)存地址位與所輸入的該存取地址的相對應(yīng)位二者擇一傳送到譯碼器。
23.如權(quán)利要求22所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，其特征為還包括一接口電路，該接口電路用以更動(dòng)該第一內(nèi)存地址緩存器，該取代儲存區(qū)緩存器與該交換儲存區(qū)緩存器三者中至少一者的儲存內(nèi)容。
24.如權(quán)利要求22所述的內(nèi)存結(jié)構(gòu)所使用的控制器，其特征為還包括一地址緩沖器組，用以儲存該存取地址中與該辨識第一內(nèi)存地址位相對應(yīng)的部份位。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)存結(jié)構(gòu)及其所使用的控制器。此內(nèi)存結(jié)構(gòu)一次能讀取的內(nèi)存范圍稱為總體內(nèi)存容量。此內(nèi)存結(jié)構(gòu)包括容量為第一內(nèi)存容量的第一內(nèi)存，與容量為第二內(nèi)存容量的第二內(nèi)存。且第一內(nèi)存的內(nèi)存容量為特定的固定容量時(shí)所實(shí)際使用的腳位數(shù)為第一使用腳位數(shù)，而第二內(nèi)存的內(nèi)存容量為固定容量時(shí)則實(shí)際使用數(shù)量為第二使用腳位數(shù)的腳位。其中，第一使用腳位數(shù)大于第二使用腳位數(shù)，且此內(nèi)存結(jié)構(gòu)的總體腳位數(shù)符合第一內(nèi)存的內(nèi)存容量為總體內(nèi)存容量時(shí)的總體腳位數(shù)。
文檔編號G11C5/00GK1412775SQ0114153
公開日2003年4月23日 申請日期2001年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月10日
發(fā)明者閻慶芳, 徐曉陽, 倪福隆 申請人:旺宏電子股份有限公司