專利名稱：用于封裝后dram修復(fù)的耐熔熔絲電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到可用電信號(hào)編程的集成電路和一種用來構(gòu)成非易失性存儲(chǔ)器的有關(guān)器件結(jié)構(gòu)；具體涉及到一種耐熔熔絲電路，其能夠用電信號(hào)編程的耐熔熔絲有效地實(shí)現(xiàn)封裝后的修復(fù)。
激光修理的多晶硅熔絲結(jié)構(gòu)被廣泛地用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片的可編程修復(fù)工作，該修復(fù)芯片通常是在老化試驗(yàn)之前的晶片階段。在一種采用激光修理的多晶硅熔絲結(jié)構(gòu)的激光修理方法中，可通過晶片探測(cè)試驗(yàn)程序識(shí)別出有缺陷的存儲(chǔ)單元。然后用激光修理技術(shù)為多晶硅熔絲結(jié)構(gòu)編程，激活一個(gè)地址譯碼的冗余存儲(chǔ)器單元，以便對(duì)DRAM芯片進(jìn)行修復(fù)。盡管激光修理的熔絲結(jié)構(gòu)是緊湊和可靠的，激光修理的修復(fù)方法僅僅能夠在晶片階段上有效地進(jìn)行。因而就排除了對(duì)封裝工序之后往往是在老化試驗(yàn)過程中發(fā)現(xiàn)的任何有缺陷的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行修復(fù)的可能性。
另一方面，對(duì)于用電信號(hào)編程的非易失性存儲(chǔ)器來說，許多種封裝后的缺陷都是可以修復(fù)的，這樣就能明顯地提高高密度DRAM的產(chǎn)量。
在非易失性存儲(chǔ)器件中通常都包括適合用于集成電路的耐熔熔絲結(jié)構(gòu)及其相關(guān)電路。使用冗余存儲(chǔ)容量對(duì)DRAM進(jìn)行電信號(hào)編程的修復(fù)技術(shù)是特別有用的。具體地說，通過采用特定的測(cè)試方法就可以實(shí)現(xiàn)這一功能，不需要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品的引線規(guī)格做任何的改動(dòng)。
另一方面，除了用于制造DRAM之外，還可以設(shè)想使用者在現(xiàn)場(chǎng)或最終在作為測(cè)試和修復(fù)程序中的一部分有效地利用這種功能。同樣也可以在DRAM元件中編制其他有用的并且是唯一的非易失性數(shù)據(jù)，諸如密鑰，序號(hào)，生成日期，以及其他質(zhì)量跟蹤標(biāo)志等等。
基本的耐熔熔絲元件通常是一種電阻性熔絲元件，它在初始的未編程狀態(tài)下具有很高的電阻(＞100兆歐)，而在經(jīng)過適當(dāng)?shù)木幊滩僮髦髣t具有明顯降低的電阻(＜10千歐)。這種耐熔熔絲元件通常是由很薄的介電材料構(gòu)成的，例如二氧化硅，氮化硅，氧化鉭或是夾在兩個(gè)導(dǎo)體之間的一種介電材料的夾層組合，例如是ONO(二氧化硅-氮化硅-二氧化硅)。如果在足夠的時(shí)間內(nèi)施加適當(dāng)?shù)木幊屉妷?，讓足夠的電流流過耐熔熔絲的端子，就可以對(duì)這種耐熔熔絲編程，使耐熔熔絲的電阻永久性地從高變成低。
編程電壓的幅值通常大于正常操作電壓，因此，編程電壓有可能損害并且會(huì)降低相關(guān)的鄰近器件和那些絕緣不當(dāng)?shù)耐鈬娐房煽啃?。特別是用來提供編程電壓和用來讀出耐熔熔絲電阻的外圍電路往往是直接靠在耐熔熔絲元件上的，因而很有可能受到損害。
由于多方面的因素，耐熔熔絲的完整性在初始的未編程狀態(tài)和編程狀態(tài)下都可能受到不利影響。例如，長(zhǎng)時(shí)間暴露于過高的溫度或是在耐熔熔絲元件上持續(xù)施加偏置電流或是電壓都可能會(huì)改變這種薄介電材料的特性，導(dǎo)致耐熔熔絲電阻的增大或是降低，并且有可能造成其出現(xiàn)錯(cuò)誤或是性能的劣化。在對(duì)單個(gè)耐熔熔絲元件編程時(shí)，在足夠的時(shí)間內(nèi)將內(nèi)部或是外部產(chǎn)生的編程電壓(或是電流)信號(hào)Vhv(Ihv)施加在耐熔熔絲元件的端子上。然而，在使用諸如多路轉(zhuǎn)換陣列那樣的許多耐熔熔絲元件時(shí)，未選中的耐熔熔絲元件可能會(huì)承受不應(yīng)有的編程信號(hào)，造成薄介電體的導(dǎo)電性產(chǎn)生偶然的變化。
耐熔熔絲的可靠的編程和讀出需要有幾個(gè)重要的關(guān)鍵部件。
第一，必須要在內(nèi)部產(chǎn)生或是從外部提供適當(dāng)?shù)木幊屉妷夯蚴请娏餍盘?hào)。具體地說，對(duì)耐熔熔絲編程的內(nèi)部高電壓需要與諸如為PN結(jié)和門絕緣體的器件結(jié)構(gòu)精心隔離和偏置，保證它們不會(huì)承受高電壓差。高電壓差可能會(huì)造成永久性的擊穿，降低可靠性，過大的漏電流，場(chǎng)氧化層逆轉(zhuǎn)，鎖定或者是造成故障。同樣，如果編程電壓是從外部提供的，必須有一種提供這一電壓的方法，不能受到來自集成電路輸出焊點(diǎn)和/或插針上通常使用的正常靜電放電(ESD)電路的干擾。
第二還要有一種地址選擇方法，并且單個(gè)耐熔熔絲的編程需要進(jìn)一步使用編程信號(hào)。
第三還需要有一種適當(dāng)?shù)姆椒?，用于檢測(cè)或是讀出耐熔熔絲的狀態(tài)。耐熔熔絲的狀態(tài)通常是在器件被起動(dòng)的狀態(tài)下讀出的，或者是在剛剛接通電源之后。為了減少耐熔熔絲由于持續(xù)的讀出操作出現(xiàn)故障，并且改善耐熔熔絲信息的讀出訪問速度，可以為易失性存儲(chǔ)器提供一種適當(dāng)?shù)碾娐?，用來在寬范圍的操作狀態(tài)下有效地檢測(cè)/鎖定耐熔熔絲的操作狀態(tài)。
然而，迄今為止還沒有一種電路能夠有效地實(shí)現(xiàn)上述三個(gè)要求。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于耐熔熔絲式隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)特別是同步DRAM(SDRAM)的耐熔熔絲電路，它能夠提高RAM的產(chǎn)量，改善RAM的可靠性和功能。


圖1中表示本發(fā)明的一個(gè)簡(jiǎn)化的示意性框圖。本發(fā)明包括這樣三個(gè)子框一個(gè)多路轉(zhuǎn)換器，它具有控制信號(hào)和地址的輸入，并且起動(dòng)產(chǎn)生編程信號(hào)和編程地址(子框10)；由一個(gè)振蕩器和一個(gè)電荷泵構(gòu)成的編程電壓發(fā)生器(子框20)；以及用于編程/讀出耐熔熔絲狀態(tài)的一個(gè)耐熔熔絲單元電路(子框30)。
首先，為了在特定的測(cè)試狀態(tài)下為耐熔熔絲編程，具有控制信號(hào)和地址輸入的子框10啟動(dòng)編程電壓發(fā)生器，并且產(chǎn)生一個(gè)用于選擇耐熔熔絲的具體的編程地址。在正常模式下，子框10和子框20保持在禁止?fàn)顟B(tài)下。在子框30中，如果在對(duì)耐熔熔絲元件編程時(shí)選定了一個(gè)耐熔熔絲，就用來自編程電壓發(fā)生器的編程地址和編程電壓信號(hào)將耐熔熔絲的端子切換到編程電壓電平。
按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，子框中的內(nèi)部電壓發(fā)生器包括若干個(gè)用來承受負(fù)電壓或是高電壓的專用元件。如圖2所示，在圖中用二極管和專用的電容器表示了兩種類型的電壓發(fā)生器。電容器(C2～C6)耦合到一個(gè)高電壓發(fā)生器，而每個(gè)二極管端子都具有多晶(poly)和各金屬層，構(gòu)成層挨層的層疊陣列(被稱為“指狀層疊陣列電容器”)。它們的電容比相同面積的平面金屬電容器大(6～7倍)，并且耐壓值(＜20V)比ONO或是柵電容器要高。圖2中所示的二極管是用具有優(yōu)良性能的三阱制成的，以便防止漏電流并且將其他器件與編程模式下的負(fù)電壓或是高電壓隔離。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，子框10中使用的多路轉(zhuǎn)換器在其他耐熔熔絲被編程時(shí)防止不應(yīng)有的電壓被提供給子框30中的耐熔熔絲。因此，根據(jù)編程電壓或是用于編程電源轉(zhuǎn)換的晶體管的類型，子框30中的耐熔熔絲單元電路可以有各種各樣的方案，例如是單極和雙極。例如，在某些類型的系統(tǒng)中，在讀出模式下，設(shè)計(jì)某些電路來改善耐熔熔絲的可靠性，是通過基本上消除施加在耐熔熔絲端子上的不需要的持續(xù)電壓，并且改善對(duì)編程的耐熔熔絲故障位修復(fù)的檢測(cè)速度。對(duì)耐熔熔絲的狀態(tài)諸如“編程”或是“未編程”的評(píng)定是在接通電源的過程中用專用的電路來操作的，因而不需要額外的時(shí)間對(duì)耐熔熔絲進(jìn)行評(píng)定。然后通過一個(gè)緩沖器將代表耐熔熔絲狀態(tài)的信號(hào)存儲(chǔ)在一個(gè)鎖存器中，這樣就能有效地提高對(duì)編程的耐熔熔絲的阻抗發(fā)生變化或者是不應(yīng)有的噪聲的抗擾性。如果耐熔熔絲是沒有經(jīng)過編程的，它的鎖存信號(hào)就是高電平，而代替多晶熔絲或是金屬熔絲用于激光器修復(fù)方案的NMOS晶體管處在正常的導(dǎo)通狀態(tài)。按照這種方式，除了在接通電源時(shí)之外，不需要執(zhí)行耐熔熔絲狀態(tài)的直接讀出操作，并且響應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)芯片操作模式的讀出電流不會(huì)通過耐熔熔絲。這樣就能避免加在耐熔熔絲的兩個(gè)端子上的持續(xù)的電壓，而未編程的耐熔熔絲不容易恢復(fù)到其高阻抗?fàn)顟B(tài)(也就是未編程狀態(tài))。該電路進(jìn)一步包括能夠通過一個(gè)評(píng)定緩沖器由鎖存器電路連接或是斷開耐熔熔絲的存儲(chǔ)系統(tǒng)。
通過以下參照附圖對(duì)最佳實(shí)施例的說明就可以了解到本發(fā)明的上述及其他目的和特征，在附圖中圖1表示按照本發(fā)明的第一實(shí)施例用于一種DRAM冗余方案的可編程耐熔熔絲電路的示意圖；圖2A到2F表示用于編程電壓源的電路圖及其器件，諸如按三阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的二極管和具有多晶和金屬層的指狀層疊陣列電容器等等；圖3A和3B是按照本發(fā)明另一實(shí)施例的耐熔熔絲單元電路的電路圖，用于按照耐熔熔絲的兩個(gè)端子之間的-4V和4V編程電壓來改善耐熔熔絲的讀出性能和可靠性，以及用來表示耐熔熔絲單元電路工作方式的時(shí)序圖；圖4表示按照本發(fā)明又一實(shí)施例的耐熔熔絲單元電路的電路圖，用于按照耐熔熔絲的兩個(gè)端子之間的8V和0V編程電壓來改善耐熔熔絲的讀出性能和可靠性；以及圖5A和5B表示按照本發(fā)明再一實(shí)施例的耐熔熔絲單元電路的電路圖，用于按照修改的晶體管和耐熔熔絲的兩個(gè)端子之間的8V和0V編程電壓來改善耐熔熔絲的讀出性能和可靠性，以及一個(gè)用來表示在耐熔熔絲單元電路中采用的混合晶體管的結(jié)構(gòu)圖。
本發(fā)明包括非易失性存儲(chǔ)器性能所需的所有功能或是器件，例如但是不僅限于1)存儲(chǔ)器件的電信號(hào)冗余編程；2)集成電路的序號(hào)或是識(shí)別程序；3)集成電路的加密和密鑰程序；4)集成電路的功能選項(xiàng)程序；以及5)只讀存儲(chǔ)器(ROM)和可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)的替換。
本發(fā)明的功能可以簡(jiǎn)單地描述為1)為選定的耐熔熔絲產(chǎn)生具體地址，在專用測(cè)試模式下用選擇電路和諸如專用地址多路轉(zhuǎn)換器的另一個(gè)地址電路進(jìn)行編程；(2)產(chǎn)生用于編程的內(nèi)部電壓；以及(3)在專用測(cè)試模式期間進(jìn)行編程，在接通電源期間讀出。在編程期間，選擇性地并且按順序?qū)⒕幊屉妷菏┘拥奖恢付ㄓ糜诰幊痰拿總€(gè)耐熔熔絲兩端。將沒有被指定的耐熔熔絲與編程電壓隔離，防止不應(yīng)該的編程操作。這種方案通?？梢曰旌鲜褂脙?nèi)部和外部電源。也就是說，在必要時(shí)可以將內(nèi)部電源發(fā)生器連接到需要編程的集成電路或是DRAM芯片的外部電源插針上。如果使用一個(gè)外部電源插針，就應(yīng)該包括外部電源焊點(diǎn)的ESD保護(hù)電路。
按照本發(fā)明，最好將耐熔熔絲的狀態(tài)存儲(chǔ)在一個(gè)鎖存器中，因?yàn)轭A(yù)先鎖存的緩沖器可以用來在接通電源的過程中有效地檢測(cè)耐熔熔絲的狀態(tài)，盡管已編程的耐熔熔絲的阻抗可能有很大的變化。由于已編程耐熔熔絲阻抗的讀出操作是比較可靠的，編程時(shí)間的周期，編程電壓的幅值，以及編程電流的量值也是可以降低的。
參見圖1，在圖中表示了按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的可編程耐熔熔絲電路?？删幊棠腿廴劢z電路包括一個(gè)程序地址發(fā)生電路10，內(nèi)部電源發(fā)生器20，和多個(gè)耐熔熔絲單元電路30。
每個(gè)耐熔熔絲單元電路連接到一個(gè)開關(guān)晶體管G50，晶體管連接到一個(gè)虛擬單元G51并且用來啟動(dòng)虛擬單元G51。程序地址發(fā)生電路10具有一個(gè)測(cè)試解碼器11和一個(gè)地址解碼器12，它們通過接受一個(gè)代表專用測(cè)式模式的控制信號(hào)來啟動(dòng)，為耐熔熔絲單元電路30產(chǎn)生一個(gè)程序地址。專用測(cè)試模式信號(hào)例如可以由用戶評(píng)定來產(chǎn)生。在利用一個(gè)外部控制信號(hào)啟動(dòng)了專用測(cè)試模式時(shí)，程序地址發(fā)生電路10利用程序地址來選擇一個(gè)耐熔熔絲電路30對(duì)耐熔熔絲編程，并且向內(nèi)部電源發(fā)生器20提供一個(gè)內(nèi)部控制信號(hào)。然后將同樣是響應(yīng)這一內(nèi)部控制信號(hào)的內(nèi)部電源發(fā)生器20產(chǎn)生的編程電壓信號(hào)提供給選定的耐熔熔絲單元電路30。在編程操作期間，程序地址電路10可以按順序選擇耐熔熔絲單元電路30。
內(nèi)部電源發(fā)生器20包括兩個(gè)部分一個(gè)振蕩器21和一個(gè)電荷泵電路22。在圖4到6所示的按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)單極電壓系統(tǒng)中，內(nèi)部電源發(fā)生器20產(chǎn)生的高電壓Vhv例如是8V在編程操作期間被連接到選定的耐熔熔絲單元電路30。然而，在圖3所示的本發(fā)明另一實(shí)施例的雙極電壓系統(tǒng)中，在編程操作期間可以用一個(gè)外部電源板將負(fù)電壓Vnv連接到選定的耐熔熔絲單元電路30。當(dāng)編程操作結(jié)束并且代表專用測(cè)試模式的外部控制信號(hào)變成禁止?fàn)顟B(tài)時(shí)，所有耐熔熔絲單元電路30都不會(huì)被選中，內(nèi)部電源發(fā)生器20也改變成禁止?fàn)顟B(tài)。
在開始接通電源的程序時(shí)，在耐熔熔絲單元電路30中執(zhí)行對(duì)耐熔熔絲狀態(tài)的讀出或是評(píng)定。每個(gè)耐熔熔絲單元電路接收一個(gè)電源接通信號(hào)POWERUP，并且將每個(gè)耐熔熔絲單元電路中包含的耐熔熔絲的狀態(tài)作為鎖存信號(hào)發(fā)送給開關(guān)晶體管G50。即，每個(gè)耐熔熔絲單元電路30產(chǎn)生鎖存信號(hào)，其低電平信號(hào)代表耐熔熔絲的編程狀態(tài)，高電平信號(hào)表示耐熔熔絲的未編程狀態(tài)。另外，一個(gè)外部電壓源Vcc可以從編程操作的4V改變成讀出操作的3.3V。
參見圖2A和2B，在圖中分別表示了圖1所示的內(nèi)部電源發(fā)生器20中包含的電荷泵電路的兩個(gè)實(shí)施例。起動(dòng)的控制信號(hào)被提供給圖1所示的振蕩器21和電荷泵電路22的一個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)。在專用測(cè)試模式下的編程操作期間，圖1的程序地址發(fā)生電路10產(chǎn)生的控制信號(hào)PGM變成正、負(fù)兩種電壓的“高”狀態(tài)。圖2A表示的電荷泵電路包含三部分高電壓發(fā)生器28，高電壓驅(qū)動(dòng)器24，和一個(gè)用于提供外部電源電壓Vcc的預(yù)充電電壓發(fā)生器28。在PGM信號(hào)表示“高”狀態(tài)并且提供一個(gè)電壓信號(hào)Vcc-Vtn時(shí)，一個(gè)NMOS晶體管D1按照二極管的方式工作，其中的Vtn是D1的節(jié)點(diǎn)N1上的門限電壓。如圖2C中所示，二極管D2～D7是用將一個(gè)P-阱連接到一個(gè)N-阱結(jié)上的新式的PN二極管。如圖所示，PN二極管結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上是用被插入形成在一個(gè)P-基片上的N-阱中的三P-阱構(gòu)成的。在這種二極管中，P-基片被連接到地Gnd，而N-阱被用來隔離P-阱和P-基片，以防止電流從P-阱流到P-基片。PN二極管構(gòu)造的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是N-阱和P-阱之間的擊穿電壓比編程電壓要高。電容C1～C3用于起電荷泵作用，而電容C4～C6被用做降低輸出電壓(Vhv)振蕩幅值的負(fù)載電容，為這些電容所確定的電容值比電荷泵電容C1～C3要小。
如圖2E所示，當(dāng)PGM信號(hào)變成高電平為N1節(jié)點(diǎn)預(yù)充電并且由振蕩器21產(chǎn)生的同相和異相時(shí)鐘OSC1和OSC2連續(xù)執(zhí)行振蕩操作時(shí)，高電壓發(fā)生器24產(chǎn)生的高電壓信號(hào)就被提供給選定的耐熔熔絲單元電路30，最初，節(jié)點(diǎn)N1上的電壓在PGM信號(hào)生效時(shí)變成電壓Vcc-Vtn，也就是高電平。當(dāng)OSC1時(shí)鐘從地電壓電平轉(zhuǎn)變成外部電壓電平Vcc時(shí)，由OSC1提供的電荷被送到節(jié)點(diǎn)N1，使其電壓電平變成2Vcc-Vtn。這一電壓電平再次傳遞到節(jié)點(diǎn)N2，使其電壓電平變成2Vcc-Vtn。
然后，當(dāng)OSC2時(shí)鐘從地電壓電平變成外部電壓電平Vcc時(shí)，節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平被充電到3Vcc-2Vtn的電平，而節(jié)點(diǎn)N3的電壓電平則變成了3Vcc-3Vtn。接著，如果OSC1時(shí)鐘從地電壓電平變成外部電壓電平Vcc，節(jié)點(diǎn)N3的電壓電平就會(huì)變成4Vcc-3Vtn。最后，節(jié)點(diǎn)N1，N2，N3和Vhv的電壓電平會(huì)分別變成2Vcc-Vtn，3Vcc-2Vtn，4Vcc-3Vtn和4Vcc-4Vtn。通過上述時(shí)鐘的反復(fù)操作就可以產(chǎn)生Vhv的高電壓輸出。然后將Vhv的高電壓輸出連接到耐熔熔絲單元電路30作為一個(gè)編程電壓信號(hào)。
高壓驅(qū)動(dòng)器26包括兩個(gè)二極管D5-D6，它們被用來分別提供兩個(gè)不同的輸出電壓電平，例如分別是4Vcc-4Vtn和3Vcc-3Vtn的Vhv2和Vhv3。在讀出模式下，預(yù)充電電壓發(fā)生器28將輸出節(jié)點(diǎn)Vhv的電壓電平改變成預(yù)充電電壓電平Vcc-Vtn。預(yù)充電電壓電平可以用來評(píng)定耐熔熔絲的狀態(tài)。
如圖2D所示，用于高電壓的電容器C2～C6是由多晶和多金屬層M1到M2和P1到P2構(gòu)成的。由于采取了被稱為指狀層疊陣列電容器的指狀層疊形式，通過利用電容Cjj，Cji和Cjk相互疊加可以為高電壓電容器C2～C6提供比較大的電容。
參見圖2B，在圖中表示了按照本發(fā)明另一實(shí)施例的電荷泵電路22。電荷泵電路22在耐熔熔絲編程程序的雙極電壓方案中被用做一個(gè)負(fù)電壓發(fā)生器。圖2B中所示的二極管D12～D14與圖2A中類似，在圖2F中表示了每一個(gè)二極管的結(jié)構(gòu)。電容C11和C12是用PMOS形成的并且被用于電荷泵操作，而電容C13是一個(gè)負(fù)載電容。
當(dāng)OSC1時(shí)鐘從地電壓電平轉(zhuǎn)變成外部電壓電平Vcc時(shí)，節(jié)點(diǎn)N5的電壓電平就變成了外部電壓電平Vcc。外部電壓電平Vcc接著傳遞到節(jié)點(diǎn)N4，直至節(jié)點(diǎn)N5的電壓電平達(dá)到二極管D12的門限電壓電平Vtn。節(jié)點(diǎn)N4通過晶體管D11連接到地電壓。當(dāng)OSC1和OSC2時(shí)鐘同時(shí)分別變成地電壓電平和外部電壓電平Vcc時(shí)，節(jié)點(diǎn)N5和節(jié)點(diǎn)N6分別變成電壓電平Vtn-Vcc和Vcc。節(jié)點(diǎn)N6的電壓電平在通過二極管D11，D12和D13放電之后保持在電壓電平2Vtn-Vcc。這樣，輸出節(jié)點(diǎn)Vnv的輸出電壓電平就變成3Vtn-Vcc。當(dāng)OSC1和OSC2時(shí)鐘分別變成地外部電壓電平Vcc和地電壓電平時(shí)，節(jié)點(diǎn)N5和節(jié)點(diǎn)N6分別變成Vtn和2Vtn-Vcc。這樣，輸出節(jié)點(diǎn)Vnv的輸出電壓電平就變成3Vtn-2Vcc。最后，經(jīng)過反復(fù)的時(shí)鐘操作之后，節(jié)點(diǎn)N4，N5，N6和輸出節(jié)點(diǎn)Vnv分別收斂在地電壓電平，Vtn-Vcc，2Vtn-2Vcc，3Vtn-2Vcc。然后將輸出電壓電平Vnv連接到耐熔熔絲單元電路30作為編程電壓信號(hào)。
參見圖3A，在圖中表示了按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例采用雙極電壓編程方案的一種耐熔熔絲單元電路30。耐熔熔絲單元電路30包括耐熔熔絲選擇電路331，耐熔熔絲元件332，耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路333和一個(gè)鎖存電路334。
例如+4V的外部電壓電平Vcc通過兩個(gè)PMOS晶體管P0和P2和一個(gè)NMOS晶體管N1提供給耐熔熔絲元件332的一端，而例如-4V的編程電壓信號(hào)Vnv在編程程序期間被提供給元件的另一端。程序地址被提供給PMOS P0的柵極使其導(dǎo)通，因此將外部電壓電平傳遞到PMOS晶體管P2。PMOS晶體管P2與PMOS晶體管P0串聯(lián)連接，并且被用做一個(gè)旁路晶體管，其中的電源接通信號(hào)包括第一電源接通信號(hào)PWRUP，第二電源接通信號(hào)PWRUPB和第三電源接通信號(hào)PWRUP_D。NMOS晶體管N1被連接到節(jié)點(diǎn)A01，并且在耐熔熔絲編程程序過程中響應(yīng)第三電源接通信號(hào)PWRUP_D而保持在關(guān)斷狀態(tài)，而其中第三電源接通信號(hào)PWRUP_D在大約5納秒內(nèi)使節(jié)點(diǎn)A01初始化到地電平。PMOS晶體管P2被用來保護(hù)PMOS晶體管P0和PMOS晶體管P5的結(jié)，不受例如-4V的編程電壓信號(hào)Vnv的作用。編程電壓信號(hào)Vnv被連接在耐熔熔絲元件332的端子和PMOS晶體管P4之間，后者用作為具有一個(gè)公共柵極，一個(gè)基片和一個(gè)漏極的二極管。
在讀出模式下，如圖3B所示，狀態(tài)評(píng)定電路333在電源接通過程中工作。在對(duì)耐熔熔絲元件332編程時(shí)，編程的耐熔熔絲元件332的端子A02被變成低電壓電平。即，端子A02的電壓電平通常就是NMOS晶體管N4的門限電壓電平Vtn，因?yàn)閳D1的電荷泵電路20不工作，而編程電壓信號(hào)Vnv是浮動(dòng)的。第一電源接通信號(hào)PWRUP保持在低電壓電平狀態(tài)，直至電源達(dá)到完全穩(wěn)定并且第二電源接通信號(hào)PWRUPB成比例地增加到外部電壓電平Vcc。在電源接通過程中，外部電壓電平Vcc通過PMOS晶體管P2和PMOS晶體管P5傳遞到節(jié)點(diǎn)A02。如果耐熔熔絲元件332是已經(jīng)編程的，節(jié)點(diǎn)A02的電壓就會(huì)逐漸降低并且變成低電壓電平狀態(tài)(接近1V)。然而，如果耐熔熔絲元件332是沒有編程的，節(jié)點(diǎn)A02的電壓就會(huì)保持在高電壓電平狀態(tài)(接近Vcc)。另外，當(dāng)外部電壓電平Vcc通過PMOS晶體管P6傳遞到節(jié)點(diǎn)A03并且第二電源接通信號(hào)PWRUPB保持在高電壓電平狀態(tài)時(shí)，NMOS晶體管N7就會(huì)變成導(dǎo)通。NMOS晶體管N8的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)是由節(jié)點(diǎn)A02上的電壓來確定的，而節(jié)點(diǎn)A03的電壓電平是由NMOS晶體管N8的狀態(tài)來確定的。如果耐熔熔絲元件332是已經(jīng)編程的，節(jié)點(diǎn)A02保持低電壓電平狀態(tài)，而節(jié)點(diǎn)A03保持高電壓電平狀態(tài)。如果是沒有編程的，節(jié)點(diǎn)A02就是高電壓電平狀態(tài)，而節(jié)點(diǎn)A03變成低電壓電平狀態(tài)。
鎖存電路334通過狀態(tài)評(píng)定電路333保持從耐熔熔絲元件332中讀出的信息作為一個(gè)鎖存信號(hào)。初始鎖存耐熔熔絲元件的狀態(tài)有助于改善修復(fù)單元讀出模式下的檢測(cè)速度和編程偏壓和電流在很寬范圍內(nèi)的編程精度。另外，由于被訪問的耐熔熔絲元件數(shù)量被減少了，耐熔熔絲元件的可靠性也會(huì)得到提高。
參見圖4，在圖中表示的耐熔熔絲單元電路30采用了一種單極高電壓方案，它包括耐熔熔絲選擇電路341，耐熔熔絲342，耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路343和一個(gè)鎖存電路344。用于編程程序的外部電壓信號(hào)Vcc通過一個(gè)PMOS晶體管P0連接到耐熔熔絲元件342。在編程程序期間，編程電壓信號(hào)Vhv通過二極管D1連接到耐熔熔絲元件342的一端，而地電壓通過兩個(gè)NMOS晶體管N2和N4提供給耐熔熔絲元件342的另一端。在讀出操作期間，二極管D1防止來自外部電壓源Vcc的電流流到用于浮動(dòng)的編程電壓信號(hào)Vhv的電源引線。在電源穩(wěn)定操作之后，電源接通信號(hào)PWRUP_D在大約5納秒內(nèi)使節(jié)點(diǎn)A01初始化，以便通過PMOS晶體管P3和NMOS晶體管N2將節(jié)點(diǎn)A01預(yù)充電到接近Vcc。程序地址的高電壓信號(hào)被提供給NMOS晶體管N4使預(yù)充電的電壓信號(hào)Vcc放電，并且將地電壓連接到耐熔熔絲元件342上。因此，節(jié)點(diǎn)A02的電壓電平就變成了地電壓電平，使NMOS晶體管N2和NMOS晶體管N4同時(shí)導(dǎo)通。因此，選定的耐熔熔絲元件342的兩端的電壓差在編程程序期間就會(huì)變成比較高的電壓Vhv。對(duì)于未被選中的耐熔熔絲單元電路30，程序地址的低電壓信號(hào)是不變的，而未選中的耐熔熔絲元件342兩端之間的電壓差保持在接近Vhv-Vcc。NMOS晶體管N2被用來保護(hù)PMOS晶體管P3，NMOS晶體管N4，NMOS晶體管N5和NMOS晶體管N7的結(jié)和柵極，不受編程電壓信號(hào)Vhv的作用，從而防止結(jié)被擊穿或是柵極擊穿。
在讀出模式下，如圖3B所示，耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路343在電源接通過程中工作。第一電源接通信號(hào)PWRUP保持在低電壓電平狀態(tài)，直至電源達(dá)到完全穩(wěn)定并且第二電源接通信號(hào)PWRUPB成比例地增加到外部電壓電平Vcc。通過PMOS晶體管P0使耐熔熔絲元件342的端子通常變成高電壓Vcc-Vtp，因?yàn)閳D1中的電荷泵電路20沒有工作，因而編程電壓信號(hào)Vhv的通路是浮動(dòng)的。如果耐熔熔絲元件342是已經(jīng)編程的，節(jié)點(diǎn)A02的電壓就會(huì)維持高電壓電平狀態(tài)(接近Vcc-Vtn)。如果耐熔熔絲元件342是沒有編程的，節(jié)點(diǎn)A02的電壓就會(huì)保持在地電壓，因?yàn)榈诙娫唇油ㄐ盘?hào)PWRUPB的高電壓電平會(huì)使NMOS晶體管N5保持導(dǎo)通。因此，NMOS晶體管N5尺寸很小，從而NMOS晶體管N5的導(dǎo)通狀態(tài)不會(huì)使節(jié)點(diǎn)A02上的電壓急劇下降。
當(dāng)?shù)谝浑娫唇油ㄐ盘?hào)PWRUP保持低電壓狀態(tài)時(shí)，外部電壓Vcc通過晶體管P6傳遞到PMOS晶體管P7。然后，第一電源接通信號(hào)PWRUP在變高時(shí)使一個(gè)NMOS晶體管N8導(dǎo)通，從而使PMOS晶體管P7隨著節(jié)點(diǎn)A02的電平而導(dǎo)通。如果是編程的，節(jié)點(diǎn)A02就保持高電壓狀態(tài)，而PMOS晶體管P7是微弱導(dǎo)通狀態(tài)。因此，串聯(lián)連接到NMOS晶體管N8上的節(jié)點(diǎn)A03是低電壓狀態(tài)。如果是未編程的，節(jié)點(diǎn)A02就處在低電壓狀態(tài)，而PMOS晶體管P7則變成完全導(dǎo)通狀態(tài)。由于流過NMOS晶體管N8的電流小于通過PMOS晶體管P7的電流，PMOS晶體管P6和P7的導(dǎo)通狀態(tài)使節(jié)點(diǎn)A03變成高電壓狀態(tài)。NMOS晶體管N8的尺寸足夠小。節(jié)點(diǎn)A04的高、低電壓狀態(tài)是由節(jié)點(diǎn)A03上的電壓來確定的，因?yàn)榈谝浑娫唇油ㄐ盘?hào)PWRUP保持在低電壓狀態(tài)。已編程和未編程狀態(tài)之間的電壓差的變化不足以控制PMOS晶體管P7，因而需要有一個(gè)緩沖器。根據(jù)耐熔熔絲元件342的狀態(tài)很容易評(píng)定出由連接在節(jié)點(diǎn)A03和節(jié)點(diǎn)A04之間的上拉PMOS晶體管P9，PMOS晶體管P10和下拉NMOS晶體管N11構(gòu)成的受控制的緩沖器。通過放大節(jié)點(diǎn)A04上的信號(hào)就能易于用鎖存電路344鎖存耐熔熔絲元件342的狀態(tài)。
鎖存電路344保持從耐熔熔絲元件342讀出的信息作為其鎖存信號(hào)。
參見圖5A，在圖中表示了按照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種采用單極高電壓方案的耐熔熔絲單元電路30，它具有一個(gè)耐熔熔絲選擇電路351，耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路353和一個(gè)鎖存電路354。
除了圖4中所示的PMOS晶體管P3和NMOS晶體管N2之外，耐熔熔絲選擇電路351所包括的電路元件與圖4的耐熔熔絲選擇電路相同。除了圖5A中所示的連接在節(jié)點(diǎn)A01和A02之間的一個(gè)NMOS晶體管之外，耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路353的電路元件與圖4的耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路343相同。在編程程序中，這個(gè)NMOS晶體管被用來將耐熔熔絲選擇電路351和耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路353基本上隔離。
外部電壓Vcc通過PMOS晶體管P0連接到耐熔熔絲元件352的一端。在編程程序中，編程電壓Vhv通過二極管D1連接到耐熔熔絲元件352的一端，而地電壓連接到耐熔熔絲元件352的另一端。在讀出操作期間，二極管D1防止來自外部電壓源Vcc的電流流到用于浮動(dòng)的編程電壓信號(hào)Vhv的電源通路。程序地址的高電壓信號(hào)被提供給NMOS晶體管N2，以利用耐熔熔絲元件352的電容耦合使預(yù)充電的電壓放電，并且將一個(gè)地電壓源連接到耐熔熔絲元件352上。這樣，被選中的耐熔熔絲元件352的兩個(gè)端子之間的電壓差在編程程序期間就會(huì)變成比較高的電壓Vhv。
在耐熔熔絲元件352沒有被選中的情況下，程序地址的低電壓信號(hào)被提供給NMOS晶體管N2。未選中的耐熔熔絲元件352的兩個(gè)端子之間的電壓差是由通過耐熔熔絲元件352和NMOS晶體管N2和N3的結(jié)的泄漏電流的比例來確定的。
如圖5B所示，NMOS晶體管N2和N3是用一種混合晶體管構(gòu)成的。混合晶體管的源極是由一個(gè)重?fù)诫sN+區(qū)515和兩個(gè)輕摻雜N-區(qū)520和521構(gòu)成的，其中之一重疊在混合晶體管柵極區(qū)的下部上。混合晶體管的漏極是僅僅由一個(gè)N-區(qū)518構(gòu)成的。漏極DRAIN通過一個(gè)緩沖多晶523連接到N-區(qū)518，而其中緩沖多晶523的上部延伸到柵極上部的上方。在緩沖多極的下部形成一個(gè)比較小的N+區(qū)，形成在這一N+區(qū)與緩沖多晶的下部之間的電阻性接觸。柵極區(qū)包括一個(gè)多晶氧化層517，一個(gè)多晶層516和形成在其側(cè)面的襯墊512。因此，如果對(duì)混合晶體管施加例如8V的高電壓，在漏極區(qū)518的下部就會(huì)形成一個(gè)耗盡區(qū)519，使得有一個(gè)電場(chǎng)分布在這一耗盡區(qū)519上。耗盡區(qū)519被重疊在柵極區(qū)的下部上，從而有效地保護(hù)柵極，防止高電壓擊穿。
參見圖5A，在讀出模式下，狀態(tài)評(píng)定電路353在電源接通過程中工作。
如果耐熔熔絲元件352是已經(jīng)編程的，節(jié)點(diǎn)A02的電壓就會(huì)維持高電壓電平狀態(tài)(接近Vcc-Vtn)。如果耐熔熔絲元件352是沒有編程的，節(jié)點(diǎn)A02的電壓仍然保持在地電壓，因?yàn)榈谝浑娫唇油ㄐ盘?hào)PWRUP的高電壓狀態(tài)會(huì)使NMOS晶體管N4維持導(dǎo)通狀態(tài)。耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路353的工作方式與圖4的耐熔熔絲電路343是相同的。
接著由鎖存電路354有效地保存從耐熔熔絲元件352上讀出的信息作為其鎖存信號(hào)。
盡管本發(fā)明是僅僅參照了某些最佳實(shí)施例來說明的，在不脫離權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的原理和范圍的條件下還可以實(shí)現(xiàn)其他的修改和變更。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，具有許多更換地址信號(hào)發(fā)生器，各自產(chǎn)生一個(gè)用于啟動(dòng)一個(gè)冗余存儲(chǔ)位置的更換地址信號(hào)，以便更換有缺陷的存儲(chǔ)單元，其特征在于包括一個(gè)程序地址發(fā)生電路，它響應(yīng)測(cè)試模式信號(hào)和地址信號(hào)，產(chǎn)生一個(gè)程序地址信號(hào)；以及許多耐熔熔絲單元電路，每個(gè)耐熔熔絲單元電路連接到上述每一個(gè)更換地址信號(hào)發(fā)生器，并且包括一個(gè)耐熔熔絲元件，在其中用程序地址信號(hào)來選擇耐熔熔絲單元電路，并且用電壓信號(hào)對(duì)選定的耐熔熔絲單元電路中所包含的耐熔熔絲元件編程，以便啟動(dòng)對(duì)應(yīng)的更換地址發(fā)生器。
2.按照權(quán)利要求1的集成電路，其特征在于電壓信號(hào)包括一個(gè)編程電壓信號(hào)，一個(gè)外部電壓信號(hào)和一個(gè)電源接通信號(hào)，并且進(jìn)一步包括一個(gè)響應(yīng)測(cè)試模式信號(hào)的內(nèi)部功率發(fā)生器，用來產(chǎn)生編程電壓信號(hào)。
3.按照權(quán)利要求2的集成電路，其特征在于耐熔熔絲單元電路中包括一個(gè)耐熔熔絲元件；一個(gè)耐熔熔絲選擇電路，用來在耐熔熔絲編程過程中響應(yīng)程序地址和編程電壓信號(hào)對(duì)耐熔熔絲元件編程，并且在耐熔熔絲狀態(tài)讀出操作中響應(yīng)外部電壓信號(hào)和電源接通信號(hào)而產(chǎn)生一個(gè)狀態(tài)信號(hào)；一個(gè)耐熔熔絲狀態(tài)評(píng)定電路，用于在耐熔熔絲狀態(tài)讀出操作中響應(yīng)外部電壓信號(hào)和電源接通信號(hào)而產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)信號(hào)；以及一個(gè)鎖存電路，用來鎖存穩(wěn)定的狀態(tài)信號(hào)并且產(chǎn)生一個(gè)代表這一穩(wěn)定的狀態(tài)信號(hào)的鎖存信號(hào)，將其提供給對(duì)應(yīng)的更換地址信號(hào)發(fā)生器。
4.按照權(quán)利要求3的集成電路，其特征在于耐熔熔絲選擇電路包括一個(gè)開關(guān)裝置，它響應(yīng)程序地址或是電源接通信號(hào)，用于為耐熔熔絲元件的一個(gè)端子提供外部電壓信號(hào)；用來向耐熔熔絲元件的另一端子提供作為負(fù)電壓信號(hào)的編程電壓信號(hào)的一個(gè)裝置，以讓耐熔熔絲元件兩端的電壓為在耐熔熔絲編程程序中的外部電壓信號(hào)和編程電壓信號(hào)的總和；以及在耐熔熔絲狀態(tài)讀出操作中用來產(chǎn)生代表耐熔熔絲元件兩端的電壓的狀態(tài)信號(hào)的裝置。
5.按照權(quán)利要求3的集成電路，其特征在于耐熔熔絲選擇電路包括一個(gè)開關(guān)裝置，它響應(yīng)程序地址為耐熔熔絲元件的一個(gè)端子提供地電壓；用來向耐熔熔絲元件的另一端子提供編程電壓信號(hào)的一個(gè)裝置，以讓耐熔熔絲元件兩端的電壓為耐熔熔絲編程程序中的編程電壓；以及在耐熔熔絲狀態(tài)讀出操作中用來產(chǎn)生代表耐熔熔絲元件兩端的電壓的一個(gè)狀態(tài)信號(hào)的裝置。
6.按照權(quán)利要求4的集成電路，其特征在于耐熔熔絲評(píng)定電路中包括緩沖裝置，它響應(yīng)電源接通信號(hào)而接收狀態(tài)信號(hào)，按照外部電壓信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)信號(hào)。
7.按照權(quán)利要求7的集成電路，其特征在于耐熔熔絲評(píng)定電路中包括緩沖裝置，它響應(yīng)電源接通信號(hào)而接收狀態(tài)信號(hào)，按照外部電壓信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)信號(hào)。
8.按照權(quán)利要求6的集成電路，其特征在于電源接通信號(hào)中包括第一電源接通信號(hào)，第二電源接通信號(hào)和第三電源接通信號(hào)，并且其中的開關(guān)裝置包括第一PMOS晶體管，它響應(yīng)程序地址而有選擇地向耐熔熔絲元件的上述一個(gè)端子提供外部電壓信號(hào)；以及第二PMOS晶體管，它響應(yīng)第一電源接通信號(hào)而有選擇地向耐熔熔絲元件的上述一個(gè)端子提供外部電壓信號(hào)。
9.按照權(quán)利要求8的集成電路，其特征在于開關(guān)裝置進(jìn)一步包括第三PMOS晶體管，它響應(yīng)第三電源接通信號(hào)而有選擇地將外部電壓信號(hào)旁路到地；以及連接在第一和第二PMOS晶體管和耐熔熔絲元件的上述一個(gè)端子之間的第四PMOS晶體管，其柵極連接到地。
10.按照權(quán)利要求9的集成電路，其特征在于緩沖裝置包括第五PMOS晶體管，它響應(yīng)第一電源接通信號(hào)而有選擇地提供外部電壓信號(hào)；以及第一和第二NMOS晶體管，它們各自響應(yīng)第二電源接通信號(hào)和狀態(tài)信號(hào)，按照狀態(tài)信號(hào)提供作為穩(wěn)定的狀態(tài)信號(hào)的外部電壓信號(hào)。
11.按照權(quán)利要求7的集成電路，其特征在于開關(guān)裝置中包括一個(gè)NMOS晶體管，它響應(yīng)程序地址將耐熔熔絲元件的另一個(gè)端子連接到地。
12.按照權(quán)利要求11的集成電路，其特征在于用來提供編程電壓信號(hào)的裝置中包括一個(gè)二極管，用來向耐熔熔絲元件的上述一個(gè)端子提供編程電壓信號(hào)。
13.按照權(quán)利要求12的集成電路，其特征在于電源接通信號(hào)中包括第一電源接通信號(hào)，第二電源接通信號(hào)和第三電源接通信號(hào)；并且其中的緩沖裝置包括分別由第一電源接通信號(hào)，狀態(tài)信號(hào)和第二電源接通信號(hào)來控制的第一串聯(lián)連接的第六PMOS晶體管，第七PMOS晶體管和第三NMOS晶體管；以及第二串聯(lián)連接的第八PNMOS晶體管，第九PMOS晶體管和第四NMOS晶體管，用第一電源接通信號(hào)控制第八PMOS晶體管，并且用第一串聯(lián)連接的輸出來控制第九PMOS晶體管和第四NMOS晶體管。
14.按照權(quán)利要求13的集成電路，其特征在于緩沖裝置中包括一個(gè)NMOS晶體管，它響應(yīng)第二電源接通信號(hào)為第一串聯(lián)連接回路提供狀態(tài)信號(hào)。
15.按照權(quán)利要求14的集成電路，其特征在于NMOS晶體管是一個(gè)混合晶體管，這種混合晶體管的源極包括一個(gè)重?fù)诫s的N+區(qū)域和兩個(gè)輕摻雜的N-區(qū)域，其中的一個(gè)與混合晶體管柵極的下部重疊；并且將一個(gè)漏極通過一個(gè)緩沖多晶連接到漏極區(qū)域。
16.按照權(quán)利要求15的集成電路，其特征在于漏極區(qū)域是由N-區(qū)域構(gòu)成的，并且它小于源極的N+區(qū)域。
17.按照權(quán)利要求10的集成電路，其特征在于內(nèi)部電源發(fā)生器包括一個(gè)振蕩器，它響應(yīng)測(cè)試模式信號(hào)而產(chǎn)生一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)和一個(gè)反時(shí)鐘信號(hào)；以及一個(gè)電荷泵電路，它響應(yīng)測(cè)試模式信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)而產(chǎn)生編程電壓信號(hào)。
18.按照權(quán)利要求17的集成電路，其特征在于電荷泵電路中包括連接在一個(gè)輸出端口和地之間的串聯(lián)連接的NMOS晶體管，第一，第二和第三二極管，其中由測(cè)試模式信號(hào)來控制上述的NMOS晶體管；以及分別連接到第一，第二和第三二極管的陽極三個(gè)PMOS晶體管，它們分別被連接到時(shí)鐘信號(hào)，反時(shí)鐘信號(hào)和地。
19.按照權(quán)利要求16的集成電路，其特征在于內(nèi)部電源發(fā)生器包括一個(gè)振蕩器，它響應(yīng)測(cè)試模式信號(hào)而產(chǎn)生一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)和一個(gè)反時(shí)鐘信號(hào)；以及一個(gè)電荷泵電路，它響應(yīng)測(cè)試模式信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)而產(chǎn)生編程電壓信號(hào)。
20.按照權(quán)利要求17的集成電路，其特征在于電荷泵電路中包括連接在一個(gè)外部電壓源和一個(gè)輸出端口之間的串聯(lián)連接的NMOS晶體管，第一，第二和第三二極管，其中由測(cè)試模式信號(hào)來控制上述的NMOS晶體管；以及分別連接到第一，第二和第三二極管的陽極三個(gè)電容器，它們分別被連接到時(shí)鐘信號(hào)，反時(shí)鐘信號(hào)和地。
21.按照權(quán)利要求20的集成電路，其特征在于電容器是一種指狀層疊陣列電容器。
22.按照權(quán)利要求21的集成電路，其特征在于二極管是用被插入形成在一個(gè)P-基片上形成的N-阱中的三個(gè)P-阱構(gòu)成的。
全文摘要
耐熔熔絲電路包括三個(gè)子模塊:具有控制信號(hào)和地址輸入的多路轉(zhuǎn)移器;由振蕩器和電荷泵構(gòu)成的一個(gè)編程電壓發(fā)生器;以及用于編程/讀出耐熔熔絲狀態(tài)的耐熔熔絲單元電路。針對(duì)在特定測(cè)試模式下編程的一個(gè)耐熔熔絲,由一個(gè)具有控制信號(hào)和地址輸入的程序地址發(fā)生電路來啟動(dòng)編程電壓發(fā)生器,并且提供一個(gè)用于選擇耐熔熔絲的具體的編程地址。在耐熔熔絲單元電路中,在選定了用于編程的耐熔熔絲元件時(shí),來自編程電壓發(fā)生器的程序地址和編碼電壓信號(hào)被用來將耐熔熔絲的端子切換到一個(gè)編程電壓電平。
文檔編號(hào)G11C17/18GK1266285SQ0010486
公開日2000年9月13日 申請(qǐng)日期2000年1月11日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月11日
發(fā)明者楊羽暎, 崔周善, 魏在慶, 薛永鎬, 吳進(jìn)根, 金泌中, 趙浩燁 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社