觸控面板與觸控顯示設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及觸控面板，特別是涉及其結(jié)構(gòu)與包含其的觸控顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]觸控面板已廣泛應(yīng)用于家庭用品、通訊裝置、及電子信息裝置等電子產(chǎn)品，逐漸取代實(shí)體鍵盤與鼠標(biāo)等現(xiàn)有的輸入接口，并提供有效率的操作接口。目前的觸控面板已發(fā)展出直接將感測電極制作形成于保護(hù)蓋板上的單片基板結(jié)構(gòu)。此類結(jié)構(gòu)的觸控面板雖輕薄，但若感測電極為蝕刻圖案時(shí)，蝕刻區(qū)域與非蝕刻區(qū)域間的光反射不同，造成觸控面板的外觀具有色差等光學(xué)問題。因此在觸控面板中設(shè)有光學(xué)補(bǔ)償層來改善光學(xué)問題。
[0003]然而，目前具有光學(xué)補(bǔ)償層的觸控面板經(jīng)紫外光環(huán)境下使用有機(jī)會產(chǎn)生觸控不靈敏的問題，因此亟需新的觸控面板結(jié)構(gòu)以克服上述問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種觸控面板與觸控顯示設(shè)備，以解決目前具有光學(xué)補(bǔ)償層的觸控面板在紫外光環(huán)境下使用會產(chǎn)生觸控不靈敏的問題。
[0005]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供的觸控面板，包括:蓋板；折射率匹配層，位于蓋板下；觸控裝置，位于折射率匹配層下；以及光學(xué)匹配層，位于觸控裝置下，其中折射率匹配層包括第一低折射率介電層與第一高折射率介電層，其中第一低折射率介電層直接接觸觸控裝置的上表面，且第一高折射率介電層位于第一低折射率介電層與蓋板之間，其中光學(xué)匹配層包括第二低折射率介電層與第二高折射率介電層，其中第二低折射率介電層直接接觸觸控裝置的下表面，并位于觸控裝置與第二高折射率介電層之間，其中第二高折射率介電層的方阻值在照射紫外光后大于19奧姆每方。
[0006]該觸控裝置包括:感測電極區(qū)；以及金屬走線區(qū)，位于該感測電極區(qū)外圍。
[0007]該觸控面板還包括一透明保護(hù)層位于該光學(xué)匹配層下，且該透明保護(hù)層僅對應(yīng)該金屬走線區(qū)而不對應(yīng)該感測電極區(qū)。
[0008]該透明保護(hù)層包括厚度介于20nm至30nm的光油。
[0009]該感測電極區(qū)包含厚度介于20nm至30nm的透明導(dǎo)電圖案。
[0010]該透明導(dǎo)電圖案的折射率大于該第一低折射率介電層與該第二低折射率介電層的折射率，該第一高折射率介電層的折射率大于該第一低折射率介電層與該蓋板的折射率，且該第二高折射率介電層的折射率大于該第二低折射率介電層的折射率。
[0011]該第一低折射率介電層的厚度介于25nm至35nm且折射率介于1.2至1.5之間，且該第一高折射率介電層的厚度介于5nm至15nm且折射率介于1.8至2.5之間。
[0012]該第一低折射率介電層包括氧化硅，且該第一高折射率介電層包括氧化鈮或氮化娃。
[0013]該第二低折射率介電層的厚度介于15nm至35nm且折射率介于1.2至1.5之間，且該第二高折射率介電層的厚度介于1nm至20nm且折射率介于1.8至2.5之間。
[0014]該第二低折射率介電層包括氧化硅，且該第二高折射率介電層包括氮化硅。
[0015]該觸控面板還包括一抗反射層位于該蓋板上，且該抗反射層的折射率大于該蓋板。
[0016]本實(shí)用新型另提供的觸控顯示設(shè)備，包括:上述的觸控面板；以及顯示面板，位于觸控面板下，其中觸控裝置包括:感測電極區(qū)；以及金屬走線區(qū)，位于感測電極區(qū)外圍；其中顯示面板包括:顯示區(qū)，實(shí)質(zhì)上對應(yīng)感測電極區(qū)；以及邊框區(qū)，對應(yīng)金屬走線區(qū)。
[0017]該觸控顯示設(shè)備還包括一光學(xué)膠貼合該觸控面板與該顯示面板，且該光學(xué)膠直接接觸該第二高折射率介電層。
[0018]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，由于本實(shí)用新型的第二高折射率介電層在照射紫外光后方阻值仍大于19奧姆每方，減少光學(xué)膠和第二高折射率介電層照射紫外光后所產(chǎn)生的自由載流子對后端處理器偵測觸控裝置時(shí)的影響，增加觸控的靈敏度。
【附圖說明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中，觸控面板的剖視圖；
[0020]圖2A至圖2D為本實(shí)用新型一實(shí)施例中，觸控裝置的制作工藝上視圖；
[0021]圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例中，觸控面板的剖視圖；
[0022]圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例中，觸控顯示設(shè)備的剖視圖；
[0023]圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例中，蓋板、反射層、與抗臟污層的復(fù)合結(jié)構(gòu)對不同波長的光的反射率的不意圖；
[0024]圖6為本實(shí)用新型一實(shí)施例中，蓋板與折射率匹配層的復(fù)合結(jié)構(gòu)對不同波長的光的反射率的示意圖；
[0025]圖7為本實(shí)用新型一實(shí)施例中，透明導(dǎo)電圖案與光學(xué)匹配層的復(fù)合結(jié)構(gòu)對不同波長的光的反射率的示意圖。
[0026]符號說明
[0027]10觸控面板
[0028]21A、23A 觸控電極
[0029]21B、23B 連接電極
[0030]27A、27B 接觸孔
[0031]24金屬走線
[0032]25介電層
[0033]40觸控顯示設(shè)備
[0034]45顯示面板
[0035]45A顯示區(qū)
[0036]45B邊框區(qū)
[0037]47光學(xué)膠
[0038]100 蓋板
[0039]101折射率匹配層
[0040]101H、107H高折射率介電層
[0041]101LU07L低折射率介電層
[0042]103觸控裝置
[0043]103A感測電極區(qū)
[0044]103B金屬走線區(qū)
[0045]107光學(xué)匹配層
[0046]109透明保護(hù)層
[0047]301抗反射層
【具體實(shí)施方式】
[0048]下面內(nèi)容將結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】，以進(jìn)一步詳述本實(shí)用新型。接下來將提供不同實(shí)施例以實(shí)施本實(shí)用新型?？梢岳斫獾氖?，這些實(shí)施例僅用以說明而非局限本實(shí)用新型。此外，第一組件形成于第二組件上，指的是第一組件與第二組件可直接接觸，或具有額外組件夾設(shè)于第一組件與第二組件之間(無直接接觸)。另外，下述方向性用語「之上」及「之下」，僅用以說明附圖中的相對位置。當(dāng)附圖中的裝置旋轉(zhuǎn)至其他方向，則可能具有其他相對方向。再者，為使附圖清晰簡潔，組件不一定依實(shí)際比例繪示。
[0049]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中，觸控面板10的剖視圖。觸控面板10具有蓋板100、位于蓋板100下的折射率匹配層101、位于折射率匹配層101下的觸控裝置103、與位于觸控裝置103下的光學(xué)匹配層107。蓋板100可為強(qiáng)化蓋板，除了用來承載觸控裝置103之夕卜，更可提供堅(jiān)硬的保護(hù)作用。在一實(shí)施例中，強(qiáng)化蓋板的形成方法可為化學(xué)離子交換或類似制作工藝。在一實(shí)施例中，蓋板100為透明板材如玻璃或高分子材料。在另一實(shí)施例中，蓋板100為丙稀酸酯類的熱塑性塑料材料。此外，蓋板100的厚度可介于約0.2mm至2.0mm之間。若蓋板100的厚度過厚，則會增加觸控面板10的重量與體積。若蓋板100的厚度過薄，可能無法支撐形成其下的觸控裝置103與其他單元。
[0050]在圖1中，折射率匹配層101包括低折射率介電層10IL與高折射率介電層1lH的多層結(jié)構(gòu)。如圖1所示，低折射率介電層1lL直接接觸觸控裝置103的上表面，且第一高折射率介電層1lH位于低折射率介電層1lL與蓋板100之間。雖然圖1的折射率匹配層101僅為雙層結(jié)構(gòu)，但應(yīng)理解其可為更多層的結(jié)構(gòu)(由下至上)可為101L/101H/101L/101H...的多層結(jié)構(gòu)(最下層為低折射率介電層101L，而最上層為高折射率介電層101H)，其層數(shù)可為2至50之間。上述折射率匹配層101用以避免在強(qiáng)環(huán)境光照射下，觸控裝置103的感測電極圖案干擾顯示設(shè)備顯示的圖像的問題。在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，低折射率介電層1lL的厚度介于25nm至35nm，且折射率介于1.2至1.5之間；高折射率介電層