1]需要說明的是，所述基板上形成邊框是通過絲網(wǎng)印刷油墨得到。可選地，絲網(wǎng)印刷可以采用絲、尼龍、聚酯纖維或不銹鋼金屬絲網(wǎng)。將上述絲網(wǎng)繃在網(wǎng)框上，使其張緊固定。采用手工刻漆膜或光化學(xué)制版的方法制得絲網(wǎng)印刷所用網(wǎng)版。印刷時，在絲網(wǎng)印版的一端倒入油墨，油墨在無外力的作用下不會自行通過網(wǎng)孔，當(dāng)用刮墨板以一定的傾斜角及壓力刮動油墨時，油墨通過網(wǎng)版轉(zhuǎn)移到網(wǎng)版下的基板上。網(wǎng)版與基板之間有間隙，印刷時，在刮墨板的作用下，印版與基板形成一條壓印線，無數(shù)條壓印線構(gòu)成印刷面，從而實現(xiàn)邊框的形成。其中，絲網(wǎng)印刷得到的最小壓印線寬度可做到100 μπι左右。印刷有邊框的基板構(gòu)成了所述第一半成品。所述預(yù)留區(qū)域為在基板上進(jìn)行油墨印刷邊框時未印刷有油墨的區(qū)域。
[0032]步驟102，在所述第一半成品上鍍金屬膜，以形成第二半成品。
[0033]需要說明的是，所述金屬膜為Ag膜或Mo-Al-Mo金屬膜。在本實施例中，在所述第一半成品上鍍金屬膜是采用磁控濺射方式在所述第一半成品上鍍金屬膜。具體地，真空磁控濺射技術(shù)利用Ar-02混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面。能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。在磁控濺射鍍膜技術(shù)中，濺出的原子是與具有數(shù)千電子伏的高能離子交換能量后飛濺出來的，其能量較高，往往比蒸發(fā)原子高出I?2個數(shù)量級，因而用濺射法形成的薄膜與襯底的粘附性較蒸發(fā)更佳。若在濺射時襯底加適當(dāng)?shù)钠珘海梢约骖櫼r底的清潔處理，這對生成薄膜的臺階覆蓋也有好處。另外，用濺射法可以制備不能用蒸發(fā)工藝制備的高熔點、低蒸氣壓物質(zhì)膜，便于制備化合物或合金的薄膜。
[0034]步驟103，利用掩膜對所述第二半成品曝光顯影，以將掩膜上的預(yù)設(shè)圖案形成在所述第二半成品的對應(yīng)所述預(yù)留區(qū)域的區(qū)域上。
[0035]需要說明的是，本實施例采用濕法顯影方式。顯影液為濃度較低的堿液，如Κ0Η、NaOH、有機(jī)堿等。
[0036]請參閱圖3，可選地，本步驟S103可以包括:
[0037]步驟1031，在所述第二半成品上涂布光阻劑。
[0038]需要說明的是，本實施例中，采用旋涂方式或輥涂方法在所述第二半成品表面上涂布光阻劑。在其他實施例中，也可以采用其他的方式在所述第二半成品表面上涂布光阻劑。
[0039]步驟1032，利用預(yù)設(shè)波長的紫外線通過掩膜后照射在涂有光阻劑的第二半成品上，從而將所述掩膜上的預(yù)設(shè)圖案完整地復(fù)制到所述第二半成品的對應(yīng)所述預(yù)留區(qū)域的區(qū)域上。
[0040]需要說明的是，在本實施例中，所述光阻劑為正型光阻劑。所述正型光阻劑在所述預(yù)設(shè)波長的紫外線的照射下光阻劑的光照部分發(fā)生分解，溶解度增大，在所述第二半成品的邊框區(qū)域上形成與所述掩膜上的預(yù)設(shè)圖案一致的圖案。在其他的實施例中，所述光阻劑也可以為負(fù)型光阻劑。所述負(fù)型光阻劑在所述預(yù)設(shè)波長的紫外線的照射下光阻劑的光照部分發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，溶解度變小，在所述第二半成品的邊框區(qū)域上形成與所述掩膜上的預(yù)設(shè)圖案相反的圖案。
[0041]步驟104，通過對具有所述圖案的所述第二半成品進(jìn)行蝕刻、剝膜在所述預(yù)留區(qū)域上形成金屬LOGO圖案。
[0042]請參閱圖4，可選地，本步驟S104可以包括:
[0043]步驟1041，采用混合酸作為蝕刻劑與所述第二半成品上的未被所述光阻劑保護(hù)的金屬膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，蝕刻得到LOGO圖案，以形成第三半成品。
[0044]其中，所述混合酸包括磷酸及硝酸。
[0045]步驟1042，通過預(yù)設(shè)濃度的堿液剝離所述第三半成品的光阻劑，從而在所述預(yù)留區(qū)域得到金屬LOGO圖案。
[0046]所述預(yù)設(shè)濃度的堿液為Κ0Η、NaOH或有機(jī)堿。
[0047]在本實施例中，觸摸屏LOGO制作方法包括:通過印刷在基板上形成邊框，以形成第一半成品，其中，所述邊框上具有預(yù)留區(qū)域；在所述第一半成品上鍍金屬膜，以形成第二半成品；利用掩膜對所述第二半成品曝光顯影，以將掩膜上的預(yù)設(shè)圖案形成在所述第二半成品的對應(yīng)所述預(yù)留區(qū)域的區(qū)域上；以及通過對具有所述圖案的所述第二半成品進(jìn)行蝕亥|J、剝膜在所述預(yù)留區(qū)域上形成金屬LOGO圖案。因此，本實用新型的LOGO制作方法，不會出現(xiàn)傳統(tǒng)LOGO制作中的溢墨問題，從而避免了油墨溢墨后導(dǎo)致觸摸屏導(dǎo)電膜接合區(qū)的短路問題，因此，不會影響觸摸屏的電性能，提高了觸摸屏的良率。
[0048]請參閱圖5，本實用新型第一方案第二實施例提供一種觸摸屏LOGO制作方法。所述第二實施例提供的方法與所述第一實施例提供的方法相似，在所述第二實施例中，所述方法步驟401-404。其中，所述步驟401與所述步驟101相同。所述步驟402與所述步驟102相同。故，步驟401及402不再贅述。
[0049]步驟403，利用掩膜對所述第二半成品曝光顯影，以將掩膜上的預(yù)設(shè)圖案形成在所述第二半成品的對應(yīng)所述預(yù)留區(qū)域的區(qū)域上的同時，掩膜上的預(yù)設(shè)外圍走線圖案形成在所述第二半成品的對應(yīng)所述邊框的區(qū)域上。
[0050]步驟404，通過對具有預(yù)設(shè)圖案及預(yù)算外圍走線圖案的所述第二半成品進(jìn)行蝕刻、剝膜在所述預(yù)留區(qū)域上形成金屬LOGO圖案，并在所述邊框上形成外圍金屬走線。
[0051]需要說明的是，通過步驟403及404可知，所述金屬LOGO與所述外圍金屬走線同時制作而成(即兩者無縫連接)，進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率。且所述金屬LOGO與所述外圍金屬走線材質(zhì)相同。
[0052]另外，所述觸摸屏LOGO制作方法包括通過印刷在基板上形成邊框，以形成第一半成品，其中，所述邊框上具有預(yù)留區(qū)域；在所述第一半成品上鍍金屬膜，以形成第二半成品；利用掩膜對所述第二半成品曝光顯影，以將掩膜上的預(yù)設(shè)圖案形成在所述第二半成品的對應(yīng)所述預(yù)留區(qū)域的區(qū)域上的同時，掩膜上的預(yù)設(shè)外圍走線圖案形成在所述第二半成品的對應(yīng)所述邊框的區(qū)域上；以及通過對具有預(yù)設(shè)圖案及預(yù)算外圍走線圖案的所述第二半成品進(jìn)行蝕刻、剝膜在所述預(yù)留區(qū)域上形成金屬LOGO圖案，并在所述邊框上形成外圍金屬走線。因此，本實用新型的LOGO制作方法，不會出現(xiàn)傳統(tǒng)LOGO制作中的溢墨問題，從而避免了油墨溢墨后導(dǎo)致觸摸屏導(dǎo)電膜接合區(qū)的短路問題，因此，不會影響觸摸屏的電性能，提高了觸摸屏的良率。
[0053]以上所述是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本實用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種觸摸屏，包括基板、邊框及顯示電路，所述基板包括邊框區(qū)及由所述邊框區(qū)圍成的可視區(qū)，所述邊框形成在所述邊框區(qū)，所述顯示線路形成在所述可視區(qū)，其中，所述邊框區(qū)上具有印刷油墨層及預(yù)留區(qū)域，所述預(yù)留區(qū)域為在基板上未被所述印刷油墨層覆蓋的區(qū)域，所述預(yù)留區(qū)域鍍有金屬LOGO。2.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述金屬LOGO的厚度在2.5微米到3微米之間。3.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述金屬LOGO由金屬Ag或Mo-Al-Mo復(fù)合金屬鍍層形成。4.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏還包括外圍電路，所述外圍電路形成在所述邊框區(qū)并形成在印刷油墨層表面，且與所述金屬LOGO —體成型。5.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏為一體化電容式觸摸屏。
【專利摘要】本實用新型提供一種觸摸屏，包括基板、邊框及顯示電路，所述基板包括邊框區(qū)及由所述邊框區(qū)圍成的可視區(qū)，所述邊框形成在所述邊框區(qū)，所述顯示線路形成在所述可視區(qū)，其中，所述邊框區(qū)上具有印刷油墨層及預(yù)留區(qū)域，所述預(yù)留區(qū)域為在基板上未被所述印刷油墨層覆蓋的區(qū)域，所述預(yù)留區(qū)域鍍有金屬LOGO。因此，本實用新型觸摸屏不會出現(xiàn)傳統(tǒng)觸摸屏的導(dǎo)電膜接合區(qū)的短路問題，不會影響觸摸屏的電性能，從而提高了觸摸屏的良率。
【IPC分類】G06F3/044
【公開號】CN204833227
【申請?zhí)枴緾N201520468605
【發(fā)明人】方瑩, 程志政, 寨虎
【申請人】南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年7月2日