陣列基板及觸控顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及包括其的觸控顯示面板，陣列基板包括基板；多個開關(guān)元件，位于所述基板上方；第一絕緣層，位于所述開關(guān)元件上方，其上表面包括至少一個凹入部；觸控電極層，位于所述開關(guān)元件上方，包括多個觸控電極；觸控走線層，位于所述第一絕緣層上方，包括多個觸控走線，各所述觸控走線與對應的所述觸控電極電連接，并將對應的所述觸控電極連接至驅(qū)動電路，其中，至少一個所述觸控走線包括至少一個凸出部，一個所述凸出部設(shè)置在對應的所述凹入部內(nèi)。本發(fā)明提供的陣列基板及包括其的觸控顯示面板可以改善顯示效果。
【專利說明】
陣列基板及觸控顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及觸控顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人機交互技術(shù)的發(fā)展，觸控技術(shù)越來越多地使用在各種顯示器上。電容性觸控技術(shù)由于其耐磨損、壽命長，用戶使用時維護成本低，并且可以支持手勢識別及多點觸控的優(yōu)點而被廣泛地使用。
[0003]電容性觸控技術(shù)根據(jù)不同對象之間的電容的檢測方式，可以分為自電容式觸控技術(shù)和互電容式觸控技術(shù)。自電容式觸控技術(shù)根據(jù)輸入對象和電極之間的電容變化來檢測輸入對象在觸摸屏上的存在、位置及運動?；ル娙菔接|控技術(shù)則根據(jù)輸入對象導致的電極間的電容變化來檢測輸入對象在觸摸屏上的存在、位置及運動。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，無論自電容觸控技術(shù)還是互電容觸控技術(shù)，陣列基板中的公共電極可以復用為觸控電極來進行觸控檢測。進行顯示時，向公共電極輸入公共電極信號;進行觸控時，向公共電極輸入觸控信號。公共電極的信號傳輸及公共電極電性檢測都需要通過觸控走線來實現(xiàn)。
[0005]具體而言，參見圖1及圖2所示的陣列基板100。陣列基板100包括基板170及依次位于基板170上的開關(guān)元件150、觸控走線層(包括多個觸控走線120)、共用電極層及像素電極層160。陣列基板100沿Y方向的邊長大于陣列基板100沿X方向的邊長。陣列基板100的共用電極層復用為觸控電極層，包括多塊復用為觸控電極的公共電極110。每塊公共電極110通過過孔130與沿Y方向延伸的觸控走線120電連接，并通過觸控走線120連接到觸控IC140。觸控IC140通過各個觸控走線120向公共電極110傳輸信號。
[0006]然而，現(xiàn)有技術(shù)上述結(jié)構(gòu)的陣列基板100由于信號由觸控IC140通過觸控走線120提供到公共電極110，遠離觸控I Cl 40的公共電極110由于觸控走線120負載較大的原因，會產(chǎn)生信號衰減，進而導致顯示畫面偏暗，以及橫紋等顯示不均的問題出現(xiàn)；
[0007]為了解決上述問題，在一些現(xiàn)有技術(shù)中，通常通過增加觸控走線120材料中具有較低電阻率的材料厚度(例如鋁的厚度)來降低觸控走線120的電阻。然而，觸控走線120厚度增加，使得觸控走線120上表面向上凸起，加劇了陣列基板100所在顯示面板的漏光風險。此外，在觸控走線120厚度持續(xù)增加情況下，觸控走線120的制程(例如濕法蝕刻)的時間增加，導致觸控走線120關(guān)鍵尺寸減小，導致觸控走線120截面積減小，進而導致觸控走線120的電阻相對增大。由此可見，這樣的方式，也會產(chǎn)生信號衰減，進而導致顯示不良的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種陣列基板及觸控顯示面板，其提尚顯不效果。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，包括:基板;多個開關(guān)元件，位于所述基板上方;第一絕緣層，位于所述開關(guān)元件上方，所述第一絕緣層的上表面包括至少一個凹入部;觸控電極層，位于所述開關(guān)元件上方，包括多個觸控電極;觸控走線層，位于所述第一絕緣層上方，包括多個觸控走線，各所述觸控走線與對應的所述觸控電極電連接，并將對應的所述觸控電極連接至驅(qū)動電路，其中，至少一個所述觸控走線包括至少一個凸出部，一個所述凸出部設(shè)置在對應的所述凹入部內(nèi)。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供一種觸控顯示面板包括:如上所述的陣列基板。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過在觸控走線層下的第一絕緣層設(shè)置凹入部，對應在觸控走線上設(shè)置凸出部，并具有如下優(yōu)勢:
[0012]I)減小觸控走線的電阻，降低觸控走線負載，緩解信號衰減，減少顯示不良；
[0013]2)增加觸控走線的截面厚度和/或增加觸控走線的關(guān)鍵尺寸，減少觸控走線斷線風險，便于觸控走線的制程；
[0014]3)改善觸控走線的第二表面向上凸起導致觸控顯示面板漏光的問題；
[0015]4)通過凸出部的第二表面不低于所述第一絕緣層遠離所述基板的表面，來緩解觸控走線在第一絕緣層上脫落的問題
[0016]5)通過凸出部的第二表面部分低于所述第一絕緣層遠離所述基板的表面，來緩解觸控顯示面板混色色偏的問題。
【附圖說明】
[0017]通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加明顯。
[0018]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的示意圖。
[0019]圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的截面圖。
[0020]圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的陣列基板的截面圖。
[0021]圖4不出圖3的陣列基板的局部放大圖。
[0022]圖5示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的陣列基板的截面圖。
[0023]圖6示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的陣列基板的截面圖。
[0024]圖7示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的陣列基板的截面圖。
[0025]圖8示出根據(jù)本發(fā)明第五實施例的陣列基板的截面圖。
[0026]圖9至圖11示出根據(jù)本發(fā)明提供的觸控走線的制造方法的示意圖。
【具體實施方式】
[0027]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的實施方式;相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對它們的重復描述。
[0028]所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本發(fā)明的實施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應意識到，沒有特定細節(jié)中的一個或更多，或者采用其它的方法、組元、材料等，也可以實踐本發(fā)明的技術(shù)方案。在某些情況下，不詳細示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明。
[0029]本發(fā)明的附圖僅用于示意相對位置關(guān)系，附圖中元件的大小并不代表實際大小的比例關(guān)系。
[0030]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中部分觸控走線負載較大的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及觸控顯示面板，該一種陣列基板，包括基板、多個開關(guān)元件、第一絕緣層、觸控電極層及觸控走線層。多個開關(guān)元件位于基板上方。第一絕緣層位于開關(guān)元件上方。第一絕緣層的上表面包括至少一個凹入部。觸控電極層位于開關(guān)元件上方，并包括多個觸控電極。觸控走線層位于第一絕緣層上方，并包括多個觸控走線。各觸控走線與對應的觸控電極電連接，并將對應的觸控電極連接至驅(qū)動電路。至少一個觸控走線包括至少一個凸出部，一個凸出部設(shè)置在對應的凹入部內(nèi)。
[0031]下面分別結(jié)合圖3至圖8描述本發(fā)明提供的陣列基板的多個實施例。
[0032]第一實施例
[0033]首先參見圖3及圖4，圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的陣列基板200的截面圖，圖4示出圖3的陣列基板200的局部放大圖。
[0034]陣列基板200包括:基板210、多個開關(guān)元件220、第一絕緣層230、觸控電極層及觸控走線層。
[0035]多個開關(guān)元件220位于基板210上方。開關(guān)元件220可以是薄膜晶體管。例如，在圖3所示的實施例中，開關(guān)元件220為頂柵型薄膜晶體管。每個頂柵型薄膜晶體管220包括依次在基板210上的有源層222、柵絕緣層225、柵極221及源極223和漏極224。源極223和漏極224位于同一層。開關(guān)元件220還可以是底柵型薄膜晶體管或雙柵極薄膜晶體管，不同位置或不同作用的開關(guān)元件220可以是不同的類型，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實現(xiàn)更多的變化例，在此不予贅述。
[0036]第一絕緣層230位于開關(guān)元件220上方。第一絕緣層230可以是位于源極223和漏極224上方的平坦化層。第一絕緣層230的上表面232包括至少一個凹入部231。凹入部231可以是一線型槽體。線型槽體231的延展方向以及與觸控走線層中的觸控走線240的延伸方向(例如圖1所示的Y方向)相平行。在本實施例中，該線型槽體231垂直于觸控走線240延伸方向的截面(如圖2所示的截面)為梯形。
[0037]觸控電極層位于開關(guān)元件220上方。觸控電極層包括多個觸控電極250(如圖1所示多個觸控電極110)。觸控電極250可通過自容式或互容式的方式進行觸控感測。優(yōu)選地，觸控電極層共用為公共電極層。
[0038]觸控走線層位于第一絕緣層230上方。在本實施例中，觸控走線層位于觸控電極層與第一絕緣層230之間。觸控走線層包括多個觸控走線240。各觸控走線240與對應的觸控電極250電連接，并將對應的觸控電極250連接至驅(qū)動電路(如圖1所示的觸控IC140)。觸控走線240將驅(qū)動電路提供的觸控信號或公共信號傳輸至觸控電極250。為了降低觸控走線240的電阻，至少一個觸控走線240包括至少一個凸出部241。一個凸出部241設(shè)置在對應的凹入部231內(nèi)。在本實施例中，對應于凹入部231，凸出部241是與凹入部231相匹配的線型凸起。線型凸起的延展方向與觸控走線240的延伸方向(例如圖1所示的Y方向)相平行。
[0039]在本實施例中，在陣列基板200所在平面上，各觸控走線240的寬度大于等于與該觸控走線240的凸出部241對應的凹入部231的寬度。換言之，各觸控走線240從凹入部231延伸至第一絕緣層230的上表面232。
[0040]具體而言，參見圖4，凸出部241包括第一表面242及第二表面243。第一表面242與凹入部231的內(nèi)壁接觸。第二表面243遠離基板210。部分第二表面243低于凹入部231邊緣的第一絕緣層232遠離基板210的表面232(也就是凹入部231邊緣的第一絕緣層230的上表面232)。換言之，在圖3及圖4所示的第一實施例中，凸出部241并未完全填滿凹入部231。
[0041]進一步地，根據(jù)圖3及圖4所示的實施例，可見，由于凹入部231與凸出部241的配合，在相同的寬度Dl下，觸控走線240的截面積相對現(xiàn)有技術(shù)(如圖2所示)的觸控走線120的截面積增大。根據(jù)電阻公式R = PL/S(其中，R為電阻，P為電阻率，L為長度，S為截面積)，可知，觸控走線240相比觸控走線120的截面積增大，則觸控走線240的電阻減小。由此，可以降低觸控走線240負載，緩解信號衰減，減少顯示不良。
[0042]更進一步地，根據(jù)圖3及圖4所示的實施例，在相同的寬度Dl下，觸控走線240的實際關(guān)鍵尺寸D2相對現(xiàn)有技術(shù)(如圖2所示)的觸控走線120的關(guān)鍵尺寸Dl增大。在一具體實施例中，當觸控走線120的關(guān)鍵尺寸Dl為4微米時，觸控走線240的實際關(guān)鍵尺寸D2可達9微米?？梢?，觸控走線240的實際關(guān)鍵尺寸D2相比Dl可大大增加。由此，可以減少觸控走線240斷線風險，便于觸控走線240的制程。上述Dl及D2的值僅僅示意性地描述觸控走線240關(guān)鍵尺寸，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)陣列基板200的大小及制程工藝的需求調(diào)節(jié)上述關(guān)鍵尺寸，在此不予贅述。
[0043]此外，根據(jù)圖3及圖4所示的實施例，第一絕緣層230的厚度為Hl，凹入部231的截面深度為H2，觸控走線240的厚度小于H2。凹入部231側(cè)壁與陣列基板200所在平面所成角度A可為30度至75度。在一個具體實施例中，Hl為3.5微米，H2為2.5微米，角度A為60度。觸控走線240的厚度盡管小于H2，但相比觸控走線120的厚度，可以有所增加。由此，可以緩解由于觸控走線240過厚導致的漏光問題。上述H1、H2及A的值僅僅示意性地描述第一絕緣層230及凹入部231的尺寸，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)陣列基板200的大小及制程工藝的需求調(diào)節(jié)上述尺寸，在此不予贅述。
[0044]在本實施例中，還包括像素電極層260。像素電極層260位于觸控電極250上方。換言之，觸控電極250位于像素電極層260和觸控走線之間。像素電極層260和觸控電極250之間還包括絕緣層270。像素電極層260通過過孔283與漏極224電連接。觸控電極250通過淺孔281與像素電極層260電連接，像素電極層260通過深孔282與觸控走線240電連接，以將觸控走線240電連接至觸控電極250。
[0045]在一個具體實施例中，僅在離驅(qū)動電路較遠的觸控電極250對應的觸控走線240上設(shè)置凸出部241，而離驅(qū)動電路較近的觸控電極250對應的觸控走線240不設(shè)置凸出部241。通過這樣的方式，可以均一化各觸控電極250對應的觸控走線240的負載，進而實現(xiàn)更加靈敏的觸控感測。在另一個具體實施例中，所有觸控走線240上都設(shè)置凸出部241，由此減少所有觸控走線240上的負載。
[0046]第二實施例
[0047]參見圖5，圖5示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的陣列基板300的截面圖。圖5所示的陣列基板300的結(jié)構(gòu)與圖3所示的陣列基板200結(jié)構(gòu)類似。與圖3所示的陣列基板200不同的是，陣列基板300的凹入部331垂直于觸控走線340延伸方向的截面(如圖5所示的截面)為V形。V形的凹入部331除了可以緩解漏光問題，其還可以緩解混色色偏的問題。
[0048]第三實施例
[0049]參見圖6，圖6示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的陣列基板的截面圖。圖6所示的陣列基板400的結(jié)構(gòu)與圖3所示的陣列基板200結(jié)構(gòu)類似。與圖3所示的陣列基板200不同的是，陣列基板400的觸控走線440的凸出部441遠離基板410的第四表面443不低于凹入部邊緣的第一絕緣層430的上表面432(凸出部441的第三表面與圖3所示的第一表面242相同，與凹入部內(nèi)壁接觸KM3制作成埋入式的結(jié)構(gòu)。圖6所示的實施例，除了可以降低觸控走線440的電阻，還可以防止觸控走線440在第一絕緣層430上脫落，且減少觸控走線440的斷線風險。
[0050]第四實施例
[0051]參見圖7，圖7示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的陣列基板的截面圖。圖7所示的陣列基板500的結(jié)構(gòu)與圖3所示的陣列基板200結(jié)構(gòu)類似。與圖3所示的陣列基板200不同的是，開關(guān)元件520為底柵型薄膜晶體管，像素電極層560與觸控走線540位于同一層。
[0052]在本實施例中，在開關(guān)元件520上方依次包括觸控電極550、第一絕緣層530及像素電極層560。換言之，觸控電極550位于像素電極層560和基板之間。觸控走線540通過過孔580直接連接觸控電極550。
[0053]第五實施例
[0054]參見圖8，圖8示出根據(jù)本發(fā)明第五實施例的陣列基板的截面圖。圖8所示的陣列基板600的結(jié)構(gòu)與圖7所示的陣列基板500結(jié)構(gòu)類似。與圖7所示的陣列基板500不同的是，在開關(guān)元件620上方依次包括第一絕緣層630、像素電極層660及觸控電極650。換言之，像素電極層660位于觸控電極650和基板之間。觸控走線640通過過孔680直接連接觸控電極650。
[0055]上述圖3至圖8僅僅是示意性地示出本發(fā)明的多個實施例，本發(fā)明提供的陣列基板并非以此為限，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以實現(xiàn)更多的變化例，例如，自電容式結(jié)構(gòu)、互電容式結(jié)構(gòu)、諸如遮光層、形成電容的電極層等各層的添加，這些變化方式都在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)，在此不予贅述。
[0056]下面結(jié)合圖9至圖11描述根據(jù)本發(fā)明提供的觸控走線的制造方法。以第一實施例的陣列基板為例。
[0057]首先參見圖9，形成第一絕緣層230后，通過利用掩模板700對第一絕緣層230進行曝光顯影。掩模板700包括不透光區(qū)710、透光區(qū)720及部分透光區(qū)730。由于用于連接像素電極層及漏極的過孔283需貫穿第一絕緣層230，而凹入部231的深度小于第一絕緣層230的厚度，因此，掩模板700的透光區(qū)720對應第一絕緣層230上需要形成過孔283的位置，部分透光區(qū)730對應第一絕緣層230上需要形成凹入部231的位置。對第一絕緣層230曝光、顯影后可在第一絕緣層230上制作出凹入部231及過孔283。
[0058]之后參見圖10，在圖形化的第一絕緣層230上形成觸控走線240的膜層。觸控走線240的膜層覆蓋第一絕緣層230。
[0059]之后參見圖11，利用光刻、濕法刻蝕等制程，在凹入部231上形成觸控走線240，觸控走線240包括位于凹入部231內(nèi)的凸出部241。
[0060]上述圖9至圖11僅僅是示例性的說明本發(fā)明提供的觸控走線的制作方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以實現(xiàn)更多的變化例，在此不予贅述。
[0061]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供一種包括上述第一實施例至第五實施例中任一實施例的陣列基板的觸控顯示面板。以采用液晶技術(shù)的觸控顯示面板為例，進行描述。觸控顯示面板包括陣列基板、彩膜基板及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子。陣列基板上還可以形成有柵極線和數(shù)據(jù)線。多條柵極線及多條數(shù)據(jù)線正交設(shè)置，多條柵極線及多條數(shù)據(jù)線圍成的區(qū)域限定像素區(qū)。彩膜基板上設(shè)置有黑矩陣。黑矩陣具有對應多個像素區(qū)的開口，各開口內(nèi)設(shè)置有色阻材料。本發(fā)明提供的觸控顯示面板，由于觸控走線的設(shè)置，可以緩解由于觸控走線凸起而引起的液晶分子配向不良。
[0062]本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，上述采用液晶技術(shù)的觸控顯示面板僅僅是本發(fā)明的一個實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以采用有機發(fā)光顯示等顯示技術(shù)來實現(xiàn)，這些變化方式都在本分發(fā)明的保護范圍之內(nèi)，在此不予贅述。
[0063]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過在觸控走線層下的第一絕緣層設(shè)置凹入部，對應在觸控走線上設(shè)置凸出部，具有如下優(yōu)勢:
[0064]I)減小觸控走線的電阻，降低觸控走線負載，緩解信號衰減，減少顯示不良；
[0065]2)增加觸控走線的截面厚度和/或增加觸控走線的關(guān)鍵尺寸，減少觸控走線斷線風險，便于觸控走線的制程；
[0066]3)改善觸控走線的第二表面向上凸起導致觸控顯示面板漏光的問題；
[0067]4)通過凸出部的第二表面不低于所述第一絕緣層遠離所述基板的表面，來緩解觸控走線在第一絕緣層上脫落的問題
[0068]5)通過凸出部的第二表面部分低于所述第一絕緣層遠離所述基板的表面，來緩解觸控顯示面板混色色偏的問題。
[0069]以上具體地示出和描述了本發(fā)明的示例性實施方式。應該理解，本發(fā)明不限于所公開的實施方式，相反，本發(fā)明意圖涵蓋包含在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的各種修改和等效置換。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 基板； 多個開關(guān)元件，位于所述基板上方； 第一絕緣層，位于所述開關(guān)元件上方，所述第一絕緣層的上表面包括至少一個凹入部； 觸控電極層，位于所述開關(guān)元件上方，包括多個觸控電極； 觸控走線層，位于所述第一絕緣層上方，包括多個觸控走線，各所述觸控走線與對應的所述觸控電極電連接，并將對應的所述觸控電極連接至驅(qū)動電路，其中，至少一個所述觸控走線包括至少一個凸出部，一個所述凸出部設(shè)置在對應的所述凹入部內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凹入部是一線型槽體，所述凸出部是與所述凹入部相匹配的線型凸起。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述線型槽體的延展方向以及所述線型凸起的延展方向均與所述觸控走線的延伸方向相平行。4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板所在平面上，各所述觸控走線的寬度大于等于與該所述觸控走線的凸出部對應的凹入部的寬度。5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凸出部包括: 第一表面，與所述凹入部的內(nèi)壁接觸；以及 第二表面，遠離所述基板，部分所述第二表面低于所述凹入部邊緣的所述第一絕緣層遠離所述基板的表面。6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凸出部包括: 第三表面，與所述凹入部的內(nèi)壁接觸；以及 第四表面，遠離所述基板，不低于所述凹入部邊緣的所述第一絕緣層遠離所述基板的表面。7.如權(quán)利要求1至6任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述凹入部在垂直于所述觸控走線延伸方向的截面為梯形或者V形。8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括像素電極層，所述觸控走線和所述像素電極層位于同一層。9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述觸控電極層通過過孔直接電連接所述觸控走線。10.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于， 所述像素電極層位于所述觸控電極和所述基板之間;或者 所述觸控電極位于所述像素電極層和所述基板之間。11.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括像素電極層，所述觸控電極位于所述像素電極層和所述觸控走線之間。12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極層通過過孔分別電連接所述觸控電極和所述觸控走線使得所述觸控走線電連接所述觸控電極。13.如權(quán)利要求8至12任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述觸控電極層共用為公共電極層。14.一種觸控顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至13任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G06F3/041GK106020581SQ201610351888
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月25日
【發(fā)明人】文亮
【申請人】廈門天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司