一種圖像多層數(shù)據(jù)處理方法和裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種圖像多層數(shù)據(jù)處理方法和裝置，所述圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元、填充單元、多個(gè)緩存單元、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元和圖層疊加單元。所述方法在緩存單元中圖層數(shù)據(jù)填充到預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)才調(diào)整該緩存單元的優(yōu)先級(jí)，使得在獲取圖層數(shù)據(jù)時(shí)能夠盡可能地對同一個(gè)圖層數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)地址進(jìn)行批量訪問，進(jìn)而節(jié)省了DDR讀不同地址帶來的消耗，提高DDR的利用率。此外，所述方法通過對各個(gè)緩存單元的優(yōu)先級(jí)進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整，可以使得各個(gè)圖層數(shù)據(jù)可以得到快速地填充，使得多個(gè)圖層數(shù)據(jù)處理是并行的，有效提高了系統(tǒng)性能，便于圖層疊加操作。
【專利說明】
一種圖像多層數(shù)據(jù)處理方法和裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及圖像處理領(lǐng)域，尤其涉及一種圖像多層數(shù)據(jù)處理方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]—幅圖像往往是由多個(gè)圖層數(shù)據(jù)疊加而成的，系統(tǒng)在處理這些圖層數(shù)據(jù)時(shí)，需要從DDR中獲取這些圖層的原始數(shù)據(jù)，再進(jìn)行疊加合成，這就涉及到大量的大量的圖層數(shù)據(jù)搬運(yùn)操作。通常，在搬運(yùn)這些圖層數(shù)據(jù)時(shí)，是在某一個(gè)通道搬運(yùn)完成后再開始另一個(gè)通道的搬運(yùn)操作，以此來滿足滿足數(shù)據(jù)流水處理的要求，由于圖像的形成需要所有圖層都有數(shù)據(jù)才可疊加形成，這就導(dǎo)致數(shù)據(jù)處理效率十分低下，無法滿足系統(tǒng)高性能的要求。為了提高數(shù)據(jù)效率，人們又提出了另一組圖層數(shù)據(jù)搬運(yùn)方法，就是每當(dāng)一個(gè)通道內(nèi)完成一筆圖層數(shù)據(jù)的搬運(yùn)時(shí)，就切換到下一個(gè)通道開始另一個(gè)圖層數(shù)據(jù)的搬運(yùn)，以此來提高圖層疊加的效率，但頻繁地切換DDR的讀數(shù)據(jù)地址，不僅導(dǎo)致DDR利用率低下，也大大增加了功耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為此，需要提供一種圖像多層數(shù)據(jù)處理的技術(shù)方案，用以解決現(xiàn)有的圖像多層數(shù)據(jù)處理過程中，效率低下、性能低、DDR利用率低、功耗大等問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，發(fā)明人提供了一種圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，所述圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元、填充單元、多個(gè)緩存單元、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元和圖層疊加單元;每一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)一緩存單元，所述緩存單元包括多行緩存區(qū)；所述數(shù)據(jù)獲取單元與填充單元連接，所述填充單元與緩存單元連接，所述圖層疊加單元與緩存單元連接；
[0005]所述數(shù)據(jù)獲取單元用于獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù)；
[0006]所述填充單元用于將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0007]所述優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第一緩存單元已被第一圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)；
[0008]所述填充單元用于在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0009]所述優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第二緩存單元已被第二圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0010]所述圖層疊加單元用于在所有緩存單元中都填充有該緩存單元對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，疊加圖層數(shù)據(jù)形成圖像。
[0011]進(jìn)一步地，所述裝置還包括FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與緩存單元連接，每一緩存單元對應(yīng)一 FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與圖層疊加單元連接;所述FIFO存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)緩存單元中的圖層數(shù)據(jù);所述圖層疊加單元用于疊加所有FIFO存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的圖層數(shù)據(jù)形成圖像。
[0012]進(jìn)一步地，所述裝置還包括變換單元，所述變換單元與緩存單元連接，所述變換單元用于對緩存單元中的圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行變換處理。
[0013]進(jìn)一步地，所述填充單元執(zhí)行填充操作的緩存單元為優(yōu)先級(jí)最高的緩存單元，則“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低；“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低。
[0014]進(jìn)一步地，所述裝置還包括行數(shù)配置單元，所述行數(shù)配置單元用于配置每一緩存單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)行數(shù)。
[0015]發(fā)明人還提供了一種圖像多層數(shù)據(jù)處理方法，圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，所述方法應(yīng)用于圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元、填充單元、多個(gè)緩存單元、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元和圖層疊加單元;每一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)一緩存單元，所述緩存單元包括多行緩存區(qū);所述數(shù)據(jù)獲取單元與填充單元連接，所述填充單元與緩存單元連接，所述圖層疊加單元與緩存單元連接;所述方法包括:
[0016]數(shù)據(jù)獲取單元獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù)；
[0017]填充單元將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0018]優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)；
[0019]填充單元在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0020]優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第二圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0021]圖層疊加單元在所有緩存單元中都填充有該緩存單元對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，疊加圖層數(shù)據(jù)形成圖像。
[0022]進(jìn)一步地，所述裝置還包括FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與緩存單元連接，每一緩存單元對應(yīng)一 FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與圖層疊加單元連接;所述方法還包括:
[0023]FIFO存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)緩存單元中的圖層數(shù)據(jù)；
[0024]圖層疊加單元疊加所有FIFO存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的圖層數(shù)據(jù)形成圖像。
[0025]進(jìn)一步地，所述裝置還包括變換單元，所述變換單元與緩存單元連接;所述方法包括:
[0026]變換單元對緩存單元中的圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行變換處理。
[0027]進(jìn)一步地，所述填充單元執(zhí)行填充操作的緩存單元為優(yōu)先級(jí)最高的緩存單元，則所述步驟“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低；“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低。
[0028]進(jìn)一步地，所述裝置還包括行數(shù)配置單元，所述方法包括:
[0029]行數(shù)配置單元配置每一緩存單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)行數(shù)。
[0030]區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，上述技術(shù)方案所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理方法和裝置，所述圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，所述方法應(yīng)用于圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元、填充單元、多個(gè)緩存單元、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元和圖層疊加單元;每一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)一緩存單元，所述緩存單元包括多行緩存區(qū);所述數(shù)據(jù)獲取單元與填充單元連接，所述填充單元與緩存單元連接，所述圖層疊加單元與緩存單元連接;所述方法包括:首先數(shù)據(jù)獲取單元獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù);而后填充單元將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元;而后優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)；而后填充單元在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元;而后優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第二圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元;而后圖層疊加單元在所有緩存單元中都填充有該緩存單元對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，疊加圖層數(shù)據(jù)形成圖像。緩存單元中圖層數(shù)據(jù)填充到預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)才調(diào)整該緩存單元的優(yōu)先級(jí)，使得在獲取圖層數(shù)據(jù)時(shí)能夠盡可能地對同一個(gè)圖層數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)地址進(jìn)行批量訪問，進(jìn)而節(jié)省了DDR讀不同地址帶來的消耗，提高DDR的利用率。此外，通過對各個(gè)緩存單元的優(yōu)先級(jí)進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整，可以使得各個(gè)圖層數(shù)據(jù)可以得到快速地填充，使得多個(gè)圖層數(shù)據(jù)處理是并行的，有效提高了系統(tǒng)性能，便于圖層疊加操作。
【附圖說明】
[0031]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例涉及的圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置的示意圖；
[0032]圖2為為本發(fā)明一實(shí)施例涉及的緩存單元的示意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例涉及的圖像多層數(shù)據(jù)處理方法的流程圖；
[0034]附圖標(biāo)記說明:
[0035]101、數(shù)據(jù)獲取單元；
[0036]102、填充單元；
[0037]103、緩存單元；
[0038]104、FIF0 存儲(chǔ)單元；
[0039]105、圖層疊加單元；
[0040]106、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元；
[0041 ]107、行數(shù)配置單元。
【具體實(shí)施方式】
[0042]為詳細(xì)說明技術(shù)方案的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合具體實(shí)施例并配合附圖詳予說明。
[0043]請參閱圖1，為本發(fā)明涉及的圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置的示意圖。所述圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元101、填充單元102、多個(gè)緩存單元103、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元106和圖層疊加單元105;每一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)一緩存單元，所述緩存單元包括多行緩存區(qū)；所述數(shù)據(jù)獲取單元與填充單元連接，所述填充單元與緩存單元連接，所述圖層疊加單元與緩存單元連接；
[0044]所述數(shù)據(jù)獲取單元101用于獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù)；
[0045]所述填充單元102用于將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0046]所述優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元106用于在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)；
[0047]所述填充單元102用于在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0048]所述優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元106用于在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元；
[0049]所述圖層疊加單元105用于在所有緩存單元中都填充有該緩存單元對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，疊加圖層數(shù)據(jù)形成圖像。
[0050]在使用圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置時(shí)，首先數(shù)據(jù)獲取單元獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，圖層數(shù)據(jù)保存在DDR中。數(shù)據(jù)獲取單元可以通過總線從DDR中獲取圖層數(shù)據(jù)。而后填充單元將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元。第一緩存單元為若干緩存單元中的某一緩存單元，為了便于說明，第一緩存單元為圖1中的緩存單元a，數(shù)據(jù)獲取單元在從DDR中讀取第一圖層數(shù)據(jù)后，填充單元會(huì)將第一圖層數(shù)據(jù)填充入緩存單元a中。在本實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)獲取單元和填充單元為具有數(shù)據(jù)讀取功能和數(shù)據(jù)處理功能的電子元件，例如DMA。
[0051]而后優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)。如圖2所示，緩存單元包含有5行緩存區(qū)，緩存區(qū)可以用于存儲(chǔ)圖層數(shù)據(jù)。以圖2中的緩存單元為第一緩存單元為例，其對應(yīng)的預(yù)設(shè)行數(shù)(即第一預(yù)設(shè)行數(shù))為2行，則填充單元在第一緩存單元中已被第一圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)行數(shù)達(dá)到2行時(shí)，會(huì)調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)。在本實(shí)施方式中，所述填充單元執(zhí)行填充操作的緩存單元為優(yōu)先級(jí)最高的緩存單元，則“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低。第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)受到調(diào)整后，就可以開始將下一圖層的數(shù)據(jù)填充到下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元中。
[0052]而后填充單元在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元。第二圖層數(shù)據(jù)即為第一圖層數(shù)據(jù)的下一個(gè)圖層數(shù)據(jù)。而后優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元。第一預(yù)設(shè)行數(shù)、第二預(yù)設(shè)行數(shù)可以為任意整數(shù)行，也可以為1/2行、1/3行等，具體可以根據(jù)第一緩存單元與第二緩存單元所包含的緩存區(qū)行數(shù)進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施方式中，“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低。第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)受到調(diào)整后，就可以開始對第二圖層數(shù)據(jù)的下一層數(shù)據(jù)進(jìn)行填充。
[0053]通過動(dòng)態(tài)調(diào)整各個(gè)緩存單元的優(yōu)先級(jí)，可以使得各個(gè)圖層數(shù)據(jù)可以快速地填充入對應(yīng)的緩存單元中，使得多個(gè)圖層數(shù)據(jù)處理是并行的。當(dāng)所有的緩存單元中都填充有對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，圖層疊加單元可以對各個(gè)圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行疊加，以最終形成圖像。
[0054]在本實(shí)施方式中，所述裝置還包括FIFO存儲(chǔ)單元104，所述FIFO存儲(chǔ)單元與緩存單元連接，每一緩存單元對應(yīng)一 FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與圖層疊加單元連接;所述FIFO存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)緩存單元中的圖層數(shù)據(jù);所述圖層疊加單元用于疊加所有FIFO存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的圖層數(shù)據(jù)形成圖像。FIFO存儲(chǔ)單元是一個(gè)先入先出的雙口緩沖器，即第一個(gè)進(jìn)入其內(nèi)的數(shù)據(jù)第一個(gè)被移出，其中一個(gè)存儲(chǔ)器的輸入口，另一個(gè)口是存儲(chǔ)器的輸出口，可以用于處理大量數(shù)據(jù)流，以提高系統(tǒng)的性能。圖層數(shù)據(jù)在被填充入緩存單元后，再從緩存單元進(jìn)入該緩存單元對應(yīng)的FIFO存儲(chǔ)單元中，進(jìn)行短暫存儲(chǔ)。這樣，圖層疊加單元只需在所有的FIFO存儲(chǔ)單元中都存儲(chǔ)有圖層數(shù)據(jù)時(shí)，對所有FIFO存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的圖層數(shù)據(jù)形成圖像，大大提高了圖層數(shù)據(jù)的處理效率。
[0055]對于從DDR中獲取的一些圖層數(shù)據(jù)，在被填充入對應(yīng)的緩存單元前，需要進(jìn)行一定的變換操作，以便于圖層疊加單元對變換處理后的圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行疊加。因而在本實(shí)施方式中，所述裝置還包括變換單元，所述變換單元與緩存單元連接，所述變換單元用于對緩存單元中的圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行變換處理。所述變換處理包括縮放處理、旋轉(zhuǎn)處理等。
[0056]在本實(shí)施方式中，所述裝置還包括行數(shù)配置單元107，所述行數(shù)配置單元用于配置每一緩存單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)行數(shù)。每一緩存單元的預(yù)設(shè)行數(shù)可以根據(jù)緩存單元所包含的緩存區(qū)行數(shù)的多少而設(shè)置，例如可以將預(yù)設(shè)行數(shù)設(shè)置為緩存單元所包含的緩存區(qū)總行數(shù)的一半，當(dāng)然，也可以將預(yù)設(shè)行數(shù)設(shè)置為1/2行、1/3行等。
[0057]如圖3所示，為本發(fā)明一實(shí)施例涉及的圖像多層數(shù)據(jù)處理方法的流程圖。所述圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，所述方法應(yīng)用于圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元、填充單元、多個(gè)緩存單元、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元和圖層疊加單元;每一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)一緩存單元，所述緩存單元包括多行緩存區(qū);所述數(shù)據(jù)獲取單元與填充單元連接，所述填充單元與緩存單元連接，所述圖層疊加單元與緩存單元連接;所述方法包括:
[0058]首先進(jìn)入步驟S301數(shù)據(jù)獲取單元獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，圖層數(shù)據(jù)保存在DDR中。數(shù)據(jù)獲取單元可以通過總線從DDR中獲取圖層數(shù)據(jù)。而后可以進(jìn)入步驟S302填充單元將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元。第一緩存單元為若干緩存單元中的某一緩存單元，為了便于說明，第一緩存單元為圖1中的緩存單元a，數(shù)據(jù)獲取單元在從DDR中讀取第一圖層數(shù)據(jù)后，填充單元會(huì)將第一圖層數(shù)據(jù)填充入緩存單元a中。在本實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)獲取單元和填充單元為具有數(shù)據(jù)讀取功能和數(shù)據(jù)處理功能的電子元件，例如DMA。
[0059]而后進(jìn)入步驟S303優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)。如圖2所示，緩存單元包含有5行緩存區(qū)，緩存區(qū)可以用于存儲(chǔ)圖層數(shù)據(jù)。以圖2中的緩存單元為第一緩存單元為例，其對應(yīng)的預(yù)設(shè)行數(shù)(即第一預(yù)設(shè)行數(shù))為2行，則填充單元在第一緩存單元中已被第一圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)行數(shù)達(dá)到2行時(shí)，會(huì)調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)。在本實(shí)施方式中，所述填充單元執(zhí)行填充操作的緩存單元為優(yōu)先級(jí)最高的緩存單元，則“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低。第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)受到調(diào)整后，就可以開始將下一圖層的數(shù)據(jù)填充到下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元中。
[0060]而后進(jìn)入步驟S304填充單元在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元。第二圖層數(shù)據(jù)即為第一圖層數(shù)據(jù)的下一個(gè)圖層數(shù)據(jù)。而后進(jìn)入步驟S305優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元。第一預(yù)設(shè)行數(shù)、第二預(yù)設(shè)行數(shù)可以為任意整數(shù)行，也可以為1/2行、1/3行等，具體可以根據(jù)第一緩存單元與第二緩存單元所包含的緩存區(qū)行數(shù)進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施方式中，“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低。第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)受到調(diào)整后，就可以開始對第二圖層數(shù)據(jù)的下一層數(shù)據(jù)進(jìn)行填充。
[0061]通過動(dòng)態(tài)調(diào)整各個(gè)緩存單元的優(yōu)先級(jí)，可以使得各個(gè)圖層數(shù)據(jù)可以快速地填充入對應(yīng)的緩存單元中，使得多個(gè)圖層數(shù)據(jù)處理是并行的。當(dāng)所有的緩存單元中都填充有對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，可以進(jìn)入步驟S306圖層疊加單元在所有緩存單元中都填充有該緩存單元對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，疊加圖層數(shù)據(jù)形成圖像。
[0062]在本實(shí)施方式中，所述裝置還包括FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與緩存單元連接，每一緩存單元對應(yīng)一 FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與圖層疊加單元連接;所述FIFO存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)緩存單元中的圖層數(shù)據(jù);所述圖層疊加單元用于疊加所有FIFO存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的圖層數(shù)據(jù)形成圖像。FIFO存儲(chǔ)單元是一個(gè)先入先出的雙口緩沖器，即第一個(gè)進(jìn)入其內(nèi)的數(shù)據(jù)第一個(gè)被移出，其中一個(gè)存儲(chǔ)器的輸入口，另一個(gè)口是存儲(chǔ)器的輸出口，可以用于處理大量數(shù)據(jù)流，以提高系統(tǒng)的性能。圖層數(shù)據(jù)在被填充入緩存單元后，再從緩存單元進(jìn)入該緩存單元對應(yīng)的FIFO存儲(chǔ)單元中，進(jìn)行短暫存儲(chǔ)。這樣，圖層疊加單元只需在所有的FIFO存儲(chǔ)單元中都存儲(chǔ)有圖層數(shù)據(jù)時(shí)，對所有FIFO存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的圖層數(shù)據(jù)形成圖像，大大提高了圖層數(shù)據(jù)的處理效率。
[0063]對于從DDR中獲取的一些圖層數(shù)據(jù)，在被填充入對應(yīng)的緩存單元前，需要進(jìn)行一定的變換操作，以便于圖層疊加單元對變換處理后的圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行疊加。因而在本實(shí)施方式中，所述裝置還包括變換單元，所述變換單元與緩存單元連接，所述變換單元用于對緩存單元中的圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行變換處理。所述變換處理包括縮放處理、旋轉(zhuǎn)處理等。
[0064]在本實(shí)施方式中，所述裝置還包括行數(shù)配置單元，所述行數(shù)配置單元用于配置每一緩存單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)行數(shù)。每一緩存單元的預(yù)設(shè)行數(shù)可以根據(jù)緩存單元所包含的緩存區(qū)行數(shù)的多少而設(shè)置，例如可以將預(yù)設(shè)行數(shù)設(shè)置為緩存單元所包含的緩存區(qū)總行數(shù)的一半，當(dāng)然，也可以將預(yù)設(shè)行數(shù)設(shè)置為1/2行、1/3行等。
[0065]上述技術(shù)方案所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理方法和裝置，所述圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，所述方法應(yīng)用于圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元、填充單元、多個(gè)緩存單元、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元和圖層疊加單元;每一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)一緩存單元，所述緩存單元包括多行緩存區(qū);所述數(shù)據(jù)獲取單元與填充單元連接，所述填充單元與緩存單元連接，所述圖層疊加單元與緩存單元連接;所述方法包括:首先數(shù)據(jù)獲取單元獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù);而后填充單元將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元;而后優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)；而后填充單元在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元;而后優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第二圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元;而后圖層疊加單元在所有緩存單元中都填充有該緩存單元對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，疊加圖層數(shù)據(jù)形成圖像。緩存單元中圖層數(shù)據(jù)填充到預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)才調(diào)整該緩存單元的優(yōu)先級(jí)，使得在獲取圖層數(shù)據(jù)時(shí)能夠盡可能地對同一個(gè)圖層數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)地址進(jìn)行批量訪問，進(jìn)而節(jié)省了DDR讀不同地址帶來的消耗，提高DDR的利用率。此夕卜，通過對各個(gè)緩存單元的優(yōu)先級(jí)進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整，可以使得各個(gè)圖層數(shù)據(jù)可以得到快速地填充，使得多個(gè)圖層數(shù)據(jù)處理是并行的，有效提高了系統(tǒng)性能，便于圖層疊加操作。
[0066]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的要素。此夕卜，在本文中，“大于”、“小于”、“超過”等理解為不包括本數(shù)；“以上”、“以下”、“以內(nèi)”等理解為包括本數(shù)。
[0067]本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，上述各實(shí)施例可提供為方法、裝置、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。這些實(shí)施例可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。上述各實(shí)施例涉及的方法中的全部或部分步驟可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)設(shè)備可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中，用于執(zhí)行上述各實(shí)施例方法所述的全部或部分步驟。所述計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括但不限于:個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、嵌入式設(shè)備、可編程設(shè)備、智能移動(dòng)終端、智能家居設(shè)備、穿戴式智能設(shè)備、車載智能設(shè)備等;所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，包括但不限于:RAM、R0M、磁碟、磁帶、光盤、閃存、U盤、移動(dòng)硬盤、存儲(chǔ)卡、記憶棒、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)云存儲(chǔ)等。
[0068]上述各實(shí)施例是參照根據(jù)實(shí)施例所述的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合。可提供這些計(jì)算機(jī)程序指令到計(jì)算機(jī)設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。
[0069]這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)設(shè)備可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)設(shè)備可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。
[0070]這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。
[0071]盡管已經(jīng)對上述各實(shí)施例進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例做出另外的變更和修改，所以以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，所述圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，其特征在于，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元、填充單元、多個(gè)緩存單元、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元和圖層疊加單元;每一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)一緩存單元，所述緩存單元包括多行緩存區(qū)；所述數(shù)據(jù)獲取單元與填充單元連接，所述填充單元與緩存單元連接，所述圖層疊加單元與緩存單元連接； 所述數(shù)據(jù)獲取單元用于獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù)； 所述填充單元用于將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元； 所述優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第一緩存單元已被第一圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)； 所述填充單元用于在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元； 所述優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第二緩存單元已被第二圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元； 所述圖層疊加單元用于在所有緩存單元中都填充有該緩存單元對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，疊加圖層數(shù)據(jù)形成圖像。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，其特征在于，所述裝置還包括FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與緩存單元連接，每一緩存單元對應(yīng)一 FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與圖層疊加單元連接;所述FIFO存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)緩存單元中的圖層數(shù)據(jù);所述圖層疊加單元用于疊加所有FIFO存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的圖層數(shù)據(jù)形成圖像。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，其特征在于，所述裝置還包括變換單元，所述變換單元與緩存單元連接，所述變換單元用于對緩存單元中的圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行變換處理。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，其特征在于，所述填充單元執(zhí)行填充操作的緩存單元為優(yōu)先級(jí)最高的緩存單元，則“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低；“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元用于在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，其特征在于，所述裝置還包括行數(shù)配置單元，所述行數(shù)配置單元用于配置每一緩存單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)行數(shù)。6.—種圖像多層數(shù)據(jù)處理方法，圖像包括多個(gè)圖層數(shù)據(jù)，其特征在于，所述方法應(yīng)用于圖像多層數(shù)據(jù)處理裝置，所述裝置包括數(shù)據(jù)獲取單元、填充單元、多個(gè)緩存單元、優(yōu)先級(jí)調(diào)度單元和圖層疊加單元;每一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)一緩存單元，所述緩存單元包括多行緩存區(qū)；所述數(shù)據(jù)獲取單元與填充單元連接，所述填充單元與緩存單元連接，所述圖層疊加單元與緩存單元連接;所述方法包括: 數(shù)據(jù)獲取單元獲取圖像的多個(gè)圖層數(shù)據(jù)； 填充單元將第一圖層數(shù)據(jù)填充至第一緩存單元中，所述第一緩存單元為第一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元； 優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)； 填充單元在第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)被調(diào)整后，開始將第二圖層數(shù)據(jù)填充至第二緩存單元中，所述第二緩存單元為第二圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元； 優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第二圖層數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)，并開始將下一圖層數(shù)據(jù)填充至下一圖層數(shù)據(jù)對應(yīng)的緩存單元； 圖層疊加單元在所有緩存單元中都填充有該緩存單元對應(yīng)的圖層數(shù)據(jù)時(shí)，疊加圖層數(shù)據(jù)形成圖像。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述裝置還包括FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與緩存單元連接，每一緩存單元對應(yīng)一 FIFO存儲(chǔ)單元，所述FIFO存儲(chǔ)單元與圖層疊加單元連接;所述方法還包括: FIFO存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)緩存單元中的圖層數(shù)據(jù)； 圖層疊加單元疊加所有FIFO存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的圖層數(shù)據(jù)形成圖像。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述裝置還包括變換單元，所述變換單元與緩存單元連接;所述方法包括: 變換單元對緩存單元中的圖層數(shù)據(jù)進(jìn)行變換處理。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述填充單元執(zhí)行填充操作的緩存單元為優(yōu)先級(jí)最高的緩存單元，則所述步驟“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第一緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第一緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低；“優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，調(diào)整第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)”包括:優(yōu)先級(jí)調(diào)整單元在第二緩存單元已被第一數(shù)據(jù)填充的緩存區(qū)的行數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)行數(shù)時(shí)，將第二緩存單元的優(yōu)先級(jí)調(diào)整為最低。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像多層數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述裝置還包括行數(shù)配置單元，所述方法包括: 行數(shù)配置單元配置每一緩存單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)行數(shù)。
【文檔編號(hào)】G06T1/60GK105894440SQ201610193144
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年3月30日
【發(fā)明人】鄭天翼, 張圣欽, 朱祖建, 李仙輝
【申請人】福州瑞芯微電子股份有限公司