觸控顯示裝置的制造方法
【專利摘要】一種觸控顯示裝置包括一觸控顯示面板。觸控顯示面板包括一移位寄存單元。移位寄存單元包括一第一晶體管、一第二晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管以及一電容。第一晶體管的漏極接收一時(shí)鐘信號(hào)。第二晶體管的漏極及柵極耦接在一起，并接收一第一觸發(fā)信號(hào)，其源極耦接第一晶體管的柵極。第三晶體管的漏極耦接第二晶體管的源極，其源極接收一第一操作電壓，其柵極接收一第二觸發(fā)信號(hào)。第四晶體管的漏極耦接第一晶體管的源極，其源極接收一第二操作電壓，其柵極接收第二觸發(fā)信號(hào)。電容耦接于第一晶體管的柵極與源極之間，并且由三金屬層所構(gòu)成。
【專利說明】
觸控顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種觸控顯示裝置，特別涉及一種具有三層金屬架構(gòu)的電容的觸控顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)觸控顯示裝置的觸控結(jié)構(gòu)為嵌入式(in-cell)觸控顯示面板時(shí)，觸控檢測(cè)操作通常是安插在每一顯示幀期間(display frame)里的空白期間(blanking time)。每一顯示幀期間通常具有一致能期間以及一空白期間。在致能期間，面板上的柵極線驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)。在空白期間，柵極線驅(qū)動(dòng)電路停止產(chǎn)生任何掃描信號(hào)。此時(shí)，開始進(jìn)行觸控檢測(cè)操作，用以判斷觸控顯示裝置是否被觸碰，以及被觸碰的位置。待檢測(cè)完畢后，再繼續(xù)致能掃描信號(hào)。然而，由于柵極線驅(qū)動(dòng)電路具有漏電流問題，因此，在完成觸控檢測(cè)操作后，柵極線驅(qū)動(dòng)電路可能無法繼續(xù)致能相對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種觸控顯示裝置，其包括一觸控顯示面板以及一數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路。觸控顯示面板包括多個(gè)像素以及一第一移位寄存單元。第一移位寄存單元提供一第一移位信號(hào)給部分像素，并包括一第一晶體管、一第二晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管以及一電容。第一晶體管的漏極接收一時(shí)鐘信號(hào)，其源極耦接一輸出節(jié)點(diǎn)，用以輸出第一移位信號(hào)。第二晶體管的漏極及柵極耦接在一起，并接收一第一觸發(fā)信號(hào)，其源極耦接第一晶體管的柵極。第三晶體管的漏極耦接第二晶體管的源極，其源極接收一第一操作電壓，其柵極接收一第二觸發(fā)信號(hào)。第四晶體管的漏極耦接第一晶體管的源極，其源極接收一第二操作電壓，其柵極接收第二觸發(fā)信號(hào)。電容耦接于第一晶體管的柵極與源極之間，并且由三金屬層所構(gòu)成。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路用以提供多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)給像素。
[0004]本發(fā)明還提供一種觸控顯示裝置，包括一基板、一數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、一檢測(cè)電極、一液晶層以及一彩色濾波層?；寰哂卸鄠€(gè)像素以及一柵極線驅(qū)動(dòng)電路(GOP)。柵極線驅(qū)動(dòng)電路包括一第一移位寄存單元，用以提供一第一移位信號(hào)給部分像素。第一移位寄存單元包括一第一晶體管、一第二晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管以及一電容。第一晶體管的漏極接收一時(shí)鐘信號(hào)，其源極耦接一輸出節(jié)點(diǎn)，用以輸出第一移位信號(hào)。第二晶體管的漏極與柵極耦接在一起，并接收一第一觸發(fā)信號(hào)，其源極耦接第一晶體管的柵極。第三晶體管的漏極耦接第二晶體管的源極，其源極接收一第一操作電壓，其柵極接收一第二觸發(fā)信號(hào)。第四晶體管的漏極耦接第一晶體管的源極，其源極接收一第二操作電壓，其柵極接收第二觸發(fā)信號(hào)。電容耦接于第一晶體管的柵極與源極之間，并由三金屬層所構(gòu)成。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路用以提供多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)給像素。檢測(cè)電極形成在基板之上。液晶層設(shè)置在檢測(cè)電極之上。彩色濾波層設(shè)置在液晶層之上。
[0005]為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0006]圖1為本發(fā)明的觸控顯示裝置的示意圖。
[0007]圖2A、圖2B為本發(fā)明的觸控顯示面板的示意圖。
[0008]圖3A、圖5A及圖5B為本發(fā)明的移位寄存單元的可能實(shí)施例。
[0009]圖3B?圖3D為本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)的示意圖。
[0010]圖3E為圖3A所示的移位寄存單元的控制時(shí)序圖。
[0011]圖4為本發(fā)明的電容的剖面示意圖。
[0012]【符號(hào)說明】
[0013]100:觸控顯示裝置；110:基板；
[0014]120:像素電極層；140:液晶層；
[0015]150:彩色濾光層；160:保護(hù)層；
[0016]EL:圖案化的公共電極；200:觸控顯示面板；
[0017]210:數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路； 220:柵極線驅(qū)動(dòng)電路；
[0018]P11 ?P ηηι:像素；DL DLn1:數(shù)據(jù)線；
[0019]SL1- SLn:掃描線；Tl?T6:晶體管；
[0020]CK、CKl?CK6:時(shí)鐘信號(hào)；Cb:電容；
[0021 ]ND:輸出節(jié)點(diǎn)；TR1、TR2:觸發(fā)信號(hào)；
[0022]VGH:直流信號(hào)；VSS1、VSS2:操作電壓；
[0023]MO ?M2:金屬層；passO、pass 1:絕緣層；
[0024]C2、C1:電容；130:公共電極層；
[0025]B:節(jié)點(diǎn)；SI?S6:信號(hào)線；
[0026]Gl?G6:群組；131:觸控處理器；
[0027]VL、VP、VH:電平；
[0028]SRA!?SRA n、SRB!?SRB n、SR、500A、500B:移位寄存單元；
[0029]Ssi?S Sn、Out (n)、Out (n+1)、Out (n_l)、Out (34)、Out (35):移位信號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0030]圖1為本發(fā)明的觸控顯示裝置的示意圖。如圖所示，觸控顯示裝置100包括一基板110、一像素電極層120、一公共電極層130、一液晶層140、一彩色濾光層150以及一保護(hù)層160。在本實(shí)施例中，基板110為一嵌入式(in-cell)觸控顯示面板，具有許多像素(未顯示)以及驅(qū)動(dòng)像素的元件(未顯示)。
[0031]像素電極層120具有多個(gè)金屬圖案(未顯示)，用以作為像素電極(pixelelectrode) 0公共電極層130具有多個(gè)圖案化的公共電極EL。在本實(shí)施例中，公共電極EL被區(qū)分成群組Gl?G6。每一群組里的公共電極EL彼此電性連接。群組間電性隔離。舉例而言，群組Gl的公共電極并未電性連接至群組G2?G6的公共電極。在本實(shí)施例中，每一群組具有九個(gè)公共電極EL，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中，每一群組具有至少一公共電極EL。
[0032]公共電極EL在不同期間具有不同的功用。舉例而言，在一顯示期間，公共電極EL作為共通電極，用以接收共通電壓(common voltage)。在一觸控檢測(cè)期間，公共電極EL停止接收共通電壓。此時(shí)，公共電極EL作為觸控電極。觸控處理器131通過信號(hào)線SI?S6提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)給群組Gl?G6的公共電極EL，并檢測(cè)每一群組里的公共電極EL與一觸碰物(如手指)之間的容值變化，用以得知觸控事件發(fā)生的位置。在一可能實(shí)施例中，每一公共電極EL覆蓋至少一像素。
[0033]液晶層140設(shè)置在公共電極層130與彩色濾光層150之間，根據(jù)像素電極層120上的像素電極(未顯示)與公共電極層130上的公共電極EL之間的壓差而排列。保護(hù)層160設(shè)置在彩色濾光層150之上。在本實(shí)施例中，公共電極層130位于像素電極層120之上，故觸控顯示裝置100可稱為一上電極(topcom)形式。在其它實(shí)施例中，當(dāng)像素電極層120位于公共電極層130之上時(shí)，則觸控顯示裝置100可稱為一上像素(top pixel)結(jié)構(gòu)。
[0034]圖2A為本發(fā)明的基板的示意圖。在本實(shí)施例中，基板為一觸控顯示面板200，其包括一數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路210、一柵極線驅(qū)動(dòng)電路(Gate On Panel ;G0P) 220、像素P11?P ηηι、數(shù)據(jù)線DL1' DLni以及掃描線SL SL n。數(shù)據(jù)線DL1' DL ?耦接在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路210與像素P11?P ?之間，用以傳送數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路210所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)給像素P P ηηι。在一可能實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路210與柵極線驅(qū)動(dòng)電路220同時(shí)存在或分別設(shè)置在觸控顯示面板200之中。
[0035]柵極線驅(qū)動(dòng)電路220包括移位寄存單元SRA1' SRA n。掃描線SL1' SL ?耦接在移位寄存單元SRA1' SRA n與像素P n?P ηηι之間，用以傳送移位寄存單元SRA SRA n所產(chǎn)生的移位信號(hào)Ssi?S Sn給像素P P nn0在本實(shí)施例中，每一移位寄存單元提供一移位信號(hào)給下一級(jí)的移位寄存單元以及位于同一列(水平方向)的像素，并接收下一級(jí)的移位寄存單元所產(chǎn)生的移位信號(hào)。以移位寄存單元SRA1為例，移位寄存單元SRA 1產(chǎn)生一移位信號(hào)S S1，并提供移位信號(hào)Ssi給移位寄存單元SRA 2與第一列的像素(如P P ln)，并接收移位寄存單元SRA2所產(chǎn)生的移位信號(hào)S S2。
[0036]圖2B為本發(fā)明的基板的另一示意圖。圖2B相似圖2A，不同之處在于移位寄存單元SRB1' SRB n提供與接收下二級(jí)移位寄存器元的移位信號(hào)。以移位寄存單元SRB i為例，移位寄存單元31?1產(chǎn)生一移位信號(hào)S S1，并提供移位信號(hào)Ssi給移位寄存單元SRB 3與第一列的像素(如P11?P J，并接收移位寄存單元SRB3所產(chǎn)生的移位信號(hào)S S3。
[0037]圖3A為本發(fā)明的移位寄存單元的一可能實(shí)施例。由于移位寄存單元SR1'
內(nèi)部架構(gòu)均相同，故圖3A僅顯示單一移位寄存器的架構(gòu)。如圖所示，移位寄存單元SR包括晶體管Tl?T4以及一電容Cb。在一可能實(shí)施例中，晶體管Tl?T4均為N型薄膜晶體管(Thin-Film Transistor ;TFT)，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中，晶體管Tl?T4的至少一個(gè)為P型晶體管。
[0038]晶體管Tl的漏極接收一時(shí)鐘信號(hào)CK，其源極耦接一輸出節(jié)點(diǎn)ND，用以輸出一移位信號(hào)Out (η)。晶體管Τ2的漏極與柵極耦接在一起，并接收一觸發(fā)信號(hào)TR1，其源極耦接晶體管Tl的柵極。在一可能實(shí)施例中，觸發(fā)信號(hào)TR1為上一級(jí)的移位寄存單元所產(chǎn)生的移位信號(hào)Out (n-Ι)。在其它實(shí)施例中，觸發(fā)信號(hào)TR1為一直流信號(hào)VGH，直流信號(hào)VGH的電平保持不變。另外，當(dāng)移位寄存單元SR作為第一級(jí)的移位寄存單元時(shí)，則觸發(fā)信號(hào)TR1為一預(yù)設(shè)的起始信號(hào)。
[0039]晶體管Τ3的漏極耦接晶體管Τ2的源極，其源極接收一操作電壓VSS1，其柵極接收一觸發(fā)信號(hào)TR2。在一可能實(shí)施例中，觸發(fā)信號(hào)TR2為下一級(jí)的移位寄存單元所產(chǎn)生的移位信號(hào)Out (n+1)。在另一可能實(shí)施例中，操作電壓VSS1的電平為一負(fù)電平。
[0040]晶體管T4的漏極耦接晶體管Tl的源極，其源極接收一操作電壓VSS2，其柵極接收觸發(fā)信號(hào)TR2。在一可能實(shí)施例中，操作電壓￥3&等于操作電壓VSS !，但并非用以限制本發(fā)明。在本實(shí)施例中，在不同的操作期間下，操作電壓VSS2具有不同的電平。舉例而言，在一顯示期間下，操作電壓VSS2具有一第一電平。在一觸控檢測(cè)期間下，操作電壓VSS 2具有一第二電平，其中第二電平不同于第一電平。在一可能實(shí)施例中，第一電平小于第二電平。舉例而言，第一電平可能為一負(fù)電平，而第二電平可能為一接地電平或是一正電平。在其它實(shí)施例中，雖然操作電壓VSSj^電平可能是第一或第二電平，但操作電壓VSS i持續(xù)保持在第一電平。
[0041]電容Cb耦接于晶體管Tl的柵極與源極之間，并由三金屬層所構(gòu)成。在一可能實(shí)施例中，構(gòu)成電容Cb的三金屬層分別為具有遮罩電極的第一金屬層、具有掃描線的第二金屬層以及具有數(shù)據(jù)線的第三金屬層。在另一可能實(shí)施例中，構(gòu)成電容Cb的三金屬層分別為具有掃描線的第一金屬層以及具有數(shù)據(jù)線的第二金屬層以及具有公共電極EL的第三金屬層。在一些實(shí)施例中，電容Cb設(shè)置在觸控顯示面板200的一邊沿區(qū)域中，S卩非顯示區(qū)中。
[0042]在一顯示期間，電容Cb存儲(chǔ)電荷，并推動(dòng)晶體管Tl，用以產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的移位信號(hào)。在一觸控檢測(cè)期間，移位寄存單元SR停止產(chǎn)生移位信號(hào)。此時(shí)，電容Cb的電壓因漏電流而逐漸變小。因此，當(dāng)觸控檢測(cè)結(jié)束，進(jìn)入顯示操作時(shí)，電容Cb的電壓將不足以提供推動(dòng)晶體管Tl其柵極所需的電壓，造成移位寄存單元SR無法產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的移位信號(hào)。然而，在本實(shí)施例中，由于電容Cb為三金屬層架構(gòu)，故具有較大的容值，可存儲(chǔ)較大的電壓。因此，當(dāng)觸控檢測(cè)結(jié)束，進(jìn)入顯示操作時(shí)，電容Cb的電壓足以推動(dòng)晶體管Tl。
[0043]另外，在觸控檢測(cè)期間，操作電壓VSSd^電平由第一電平變化至第二電平。根據(jù)電容耦合效應(yīng)，當(dāng)?shù)诙娖酱笥诘谝浑娖綍r(shí)，電容Cb的電壓會(huì)被增加。因此，在結(jié)束觸控檢測(cè)操作后的顯示操作下，電容Cb的電壓足以推動(dòng)晶體管Tl。在其它實(shí)施例中，可加大晶體管T2與T3的通道長(zhǎng)度，以減少漏電流現(xiàn)象。
[0044]圖3B?圖3D為本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)CK的不同實(shí)施例。在圖3B中，時(shí)鐘信號(hào)CKl作為奇數(shù)級(jí)的移位寄存單元的時(shí)鐘信號(hào)CK，而時(shí)鐘信號(hào)CK2作為偶數(shù)級(jí)的移位寄存單元的時(shí)鐘信號(hào)CK。在此例中，時(shí)鐘信號(hào)CKl與CK2為反相信號(hào)。
[0045]在圖3C中，時(shí)鐘信號(hào)CKl?CK4分別提供給四個(gè)連續(xù)的移位寄存單元。以移位寄存單元SR1- SR s為例，時(shí)鐘信號(hào)CKl?CK4分別作為移位寄存單元SR SR 4的時(shí)鐘信號(hào)CK,以及作為移位寄存單元SR5?SR8的時(shí)鐘信號(hào)CK。換句話說，移位寄存單元31^與31?5接收相同的時(shí)鐘信號(hào)(即CKl);移位寄存單元SR6接收相同的時(shí)鐘信號(hào)(即CK2);移位寄存單元SRr^ SR7接收相同的時(shí)鐘信號(hào)(即CK3);移位寄存單元31?4與SR8接收相同的時(shí)鐘信號(hào)(即CK4)。在此例中，時(shí)鐘信號(hào)CKl與CK3為反相信號(hào)，時(shí)鐘信號(hào)CK2與CK4為反相信號(hào)。另外，時(shí)鐘信號(hào)CKl的上升邊沿領(lǐng)先時(shí)鐘信號(hào)CK2的上升邊沿。
[0046]在圖3D中，時(shí)鐘信號(hào)CKl?CK6分別提供給六個(gè)連續(xù)的移位寄存單元。以移位寄存單元SR1' SR 12為例，時(shí)鐘信號(hào)CKl?CK6分別作為移位寄存單元SR SR6的時(shí)鐘信號(hào)CK,以及分別作為移位寄存單元SR7? SR 12的時(shí)鐘信號(hào)CK。在此例中，時(shí)鐘信號(hào)CKl與CK4為反相信號(hào)，時(shí)鐘信號(hào)CK2與CK5為反相信號(hào)，時(shí)鐘信號(hào)CK3與CK6為反相信號(hào)。另外，時(shí)鐘信號(hào)CKl的上升邊沿領(lǐng)先時(shí)鐘信號(hào)CK2的上升邊沿，時(shí)鐘信號(hào)CK2的上升邊沿領(lǐng)先時(shí)鐘信號(hào)CK3的上升邊沿。
[0047]圖3E為圖3A所示的移位寄存單元的控制時(shí)序圖。符號(hào)CK2表示第34級(jí)的移位寄存單元所接收到的時(shí)鐘信號(hào)。符號(hào)CKl表示第35級(jí)的移位寄存單元所接收到的時(shí)鐘信號(hào)。符號(hào)Out (34)表示第34級(jí)的移位寄存單元所產(chǎn)生的移位信號(hào)。符號(hào)Out (35)表示第35級(jí)的移位寄存單元所產(chǎn)生的移位信號(hào)。
[0048]在期間311，由于移位信號(hào)Out (34)為電平VH，因此，第35級(jí)的移位寄存單元的晶體管T2導(dǎo)通，用以對(duì)第35級(jí)的移位寄存單元的電容Cb充電。因此，移位信號(hào)Out (35)由電平VL被預(yù)充電至電平VP。
[0049]在期間312，由于時(shí)鐘信號(hào)CK2為低電平，故移位信號(hào)Out (34)由電平VH變化至電平VL。因此，第35級(jí)的移位寄存單元的晶體管T2不導(dǎo)通。此時(shí)，由于第35級(jí)的移位寄存單元的電容Cb存儲(chǔ)電荷，故可導(dǎo)通晶體管Tl。由于時(shí)鐘信號(hào)CKl為高電平，因此，第35級(jí)的移位寄存單元的晶體管Tl完全導(dǎo)通，故移位信號(hào)Out (35)由電平VP上升至電平VH。
[0050]圖4為電容Cb的一可能剖面圖。首先，定義金屬層MO的圖案。然后沉積一絕緣層passO在金屬層MO之上。隨后在絕緣層passO上，定義金屬層Ml的圖案。此時(shí)，金屬層MO、絕緣層passO與金屬層Ml可定義出一電容Cl。然后，在金屬層Ml上沉積一絕緣層passlo在一可能實(shí)施例中，絕緣層passl為一柵極介電層(gate nitride)。隨后挖開絕緣層passl，再沉積一導(dǎo)電通道層M2，使得導(dǎo)電通道層M2電性連接金屬層MO。因此，由金屬層Ml、絕緣層passl與導(dǎo)電通道層M2定義出的電容C2并聯(lián)電容Cl，作為電容Cb。由于電容Cl與C2的大小與金屬層MO、M1、導(dǎo)電通道層M2重疊的面積成正比，故可有效地減少電容Cb的面積。
[0051]在本實(shí)施例中，藉由調(diào)整金屬層MO?M2的重疊面積，便可增加電容Cb的容值，在一顯示期間，存儲(chǔ)更多的電荷在電容Cb中。在顯示期間之后的一觸控檢測(cè)期間，即使電容Cb的電壓因漏電流而降低時(shí)，其仍具有足夠的電荷，用以在之后的顯示期間，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl，用以提供適當(dāng)?shù)囊莆恍盘?hào)。
[0052]在一可能實(shí)施例中，圖案化金屬層MO?M2后，便可在金屬層MO上形成遮罩電極、在金屬層Ml上形成掃描電極與掃描線，并在金屬層M2上形成數(shù)據(jù)電極與數(shù)據(jù)線。在另一可能實(shí)施例中，圖案化金屬層MO?M2后，在金屬層MO上形成掃描電極與掃描線、在金屬層Ml上形成數(shù)據(jù)電極與數(shù)據(jù)線，并在金屬層M2上形成觸控信號(hào)線，即圖1所示的信號(hào)線SI?S6o
[0053]圖5A及圖5B為本發(fā)明的移位寄存單元的其它示意圖。圖5A及圖5B相似圖3，不同之處在于圖5A及圖5B的移位寄存單元500A與500B多了晶體管T5與T6，用以減少移位寄存單元500A與500B的漏電流。
[0054]晶體管T5耦接于晶體管T2與T3之間。晶體管T6耦接于晶體管T5與T3之間。在圖5A中，晶體管T5的漏極與柵極耦接在一起，其源極耦接晶體管T6的漏極。晶體管T6的源極耦接晶體管T3的漏極，其柵極接收觸發(fā)信號(hào)TR2。在圖5B中，晶體管T5的漏極耦接晶體管T2的源極，其柵極耦接晶體管T2的柵極，其源極耦接晶體管T6的漏極。藉由晶體管T5與T6，可減少電容Cb的漏電流。因此，在觸控檢測(cè)期間之后的顯示期間，電容Cb具有足夠的電壓以產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的移位信號(hào)，如Out (η)。
[0055]除非另作定義，在此所有詞匯(包含技術(shù)與科學(xué)詞匯)均屬本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的一般理解。此外，除非明白表示，詞匯于一般字典中的定義應(yīng)解釋為與其相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的文章中意義一致，而不應(yīng)解釋為理想狀態(tài)或過分正式的語態(tài)。
[0056]雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求書界定范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種觸控顯示裝置，包括: 觸控顯示面板，包括: 多個(gè)像素；以及 第一移位寄存單元，用以提供第一移位信號(hào)給所述像素中的第一部分像素，該第一移位寄存單元包括: 第一晶體管，具有第一漏極、第一源極以及第一柵極，該第一漏極接收時(shí)鐘信號(hào)，該第一源極耦接輸出節(jié)點(diǎn)，用以輸出該第一移位信號(hào)； 第二晶體管，具有第二漏極、第二源極以及第二柵極，該第二漏極接收第一觸發(fā)信號(hào)，并耦接該第二柵極，該第二源極耦接該第一柵極； 第三晶體管，具有第三漏極、第三源極以及第三柵極，該第三漏極耦接該第二源極，該第三源極接收第一操作電壓，該第三柵極接收第二觸發(fā)信號(hào)； 第四晶體管，具有第四漏極、第四源極以及第四柵極，該第四漏極耦接該第一源極，該第四源極接收第二操作電壓，該第四柵極接收該第二觸發(fā)信號(hào)；以及 電容，耦接于該第一柵極與該第一源極之間，并且由第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層構(gòu)成；以及 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，用以提供多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)給所述像素。2.如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其中在顯示期間，該第二操作電壓具有第一電平，在觸控檢測(cè)期間，該第二操作電壓具有第二電平，該第二電平大于該第一電平。3.如權(quán)利要求2所述的觸控顯示裝置，其中在該顯示期間及該觸控檢測(cè)期間，該第一操作電壓等于該第一電平。4.如權(quán)利要求2所述的觸控顯示裝置，其中該第一金屬層具有掃描線，用以傳送該第一移位信號(hào)、該第二金屬層具有一數(shù)據(jù)線，用以傳送所述數(shù)據(jù)信號(hào)中的一個(gè)、該第三金屬層具有公共電極，該公共電極在該顯示期間接收共通電壓，并在該觸控檢測(cè)期間停止接收該共通電壓。5.如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其中該移位寄存器還包括: 第二移位寄存單元，根據(jù)起始信號(hào)，產(chǎn)生第二移位信號(hào)給所述像素的第二部分像素；以及 第三移位寄存單元，根據(jù)該第一移位信號(hào)，產(chǎn)生第三移位信號(hào)給所述像素的第三部分像素，其中該第三移位信號(hào)作為該第二觸發(fā)信號(hào)。6.如權(quán)利要求5所述的觸控顯示裝置，其中該第二移位信號(hào)作為該第一觸發(fā)信號(hào)，該第一觸發(fā)信號(hào)為直流信號(hào)。7.如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，還包括: 第五晶體管，耦接于該第二與第三晶體管之間；以及 第六晶體管，耦接于該第五與第三晶體管之間，其中該第五晶體管具有第五漏極、第五源極以及第五柵極，該第五漏極耦接該第五柵極以及該第二源極，該第六晶體管具有第六漏極、第六源極以及第六柵極，該第六漏極耦接該第五源極，該第六源極耦接該第三漏極，該第六柵極接收該第二觸發(fā)信號(hào)。8.如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其中該第一金屬層具有遮罩電極、該第二金屬層具有掃描線，用以傳送該第一移位信號(hào)、該第三金屬層具有數(shù)據(jù)線，用以傳送所述數(shù)據(jù)信號(hào)中的一個(gè)。9.一種觸控顯示裝置，包括: 基板，具有多個(gè)像素以及柵極線驅(qū)動(dòng)電路(GOP)，該柵極線驅(qū)動(dòng)電路包括第一移位寄存單元，用以提供第一移位信號(hào)給所述像素中的第一部分像素，該第一移位寄存單元包括:第一晶體管，具有第一漏極、第一源極以及第一柵極，該第一漏極接收時(shí)鐘信號(hào)，該第一源極耦接輸出節(jié)點(diǎn)，用以輸出該第一移位信號(hào)； 第二晶體管，具有第二漏極、第二源極以及第二柵極，該第二漏極接收第一觸發(fā)信號(hào)，并耦接該第二柵極，該第二源極耦接該第一柵極； 第三晶體管，具有第三漏極、第三源極以及第三柵極，該第三漏極耦接該第二源極，該第三源極接收第一操作電壓，該第三柵極接收第二觸發(fā)信號(hào)； 第四晶體管，具有第四漏極、第四源極以及第四柵極，該第四漏極耦接該第一源極，該第四源極接收第二操作電壓，該第四柵極接收該第二觸發(fā)信號(hào)；以及 電容，耦接于該第一柵極與該第一源極之間，并且由第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層構(gòu)成； 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，用以提供多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)給所述像素； 檢測(cè)電極，形成在該基板之上； 液晶層，設(shè)置在該檢測(cè)電極之上；以及 彩色濾波層，設(shè)置在該液晶層之上。10.如權(quán)利要求9所述的觸控顯示裝置，其中該第一金屬層具有遮罩電極、該第二金屬層具有掃描線，用以傳送該第一移位信號(hào)、該第三金屬層具有一數(shù)據(jù)線，用以傳送所述數(shù)據(jù)信號(hào)中的一個(gè)。11.如權(quán)利要求10所述的觸控顯示裝置，其中該第一金屬層具有掃描線，用以傳送該第一移位信號(hào)、該第二金屬層具有數(shù)據(jù)線，用以傳送所述數(shù)據(jù)信號(hào)中的一個(gè)、該第三金屬層具有該檢測(cè)電極，在顯示期間，該檢測(cè)電極接收共通電壓，在觸控檢測(cè)期間，該檢測(cè)電極停止接收該共通電壓。12.如權(quán)利要求10所述的觸控顯示裝置，其中該基板為嵌入式(in-cell)觸控顯示面板。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK105824452SQ201510669934
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2015年10月13日
【發(fā)明人】宋立偉, 高毓謙, 周協(xié)利, 黃郁迪, 張又哲, 陳忠樂, 陳弘勛
【申請(qǐng)人】群創(chuàng)光電股份有限公司