用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求于2014年10月1日在美國專利商標(biāo)局(USPT0)提交的第62/058, 266 號臨時(shí)申請,以及2015年3月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0037521號韓國 專利申請的優(yōu)先權(quán),這些申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 與示例性實(shí)施例一致的方法和系統(tǒng)涉及一種用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0003] 通過在諸如半導(dǎo)體晶片的基底上圖案化器件和互連件來制造半導(dǎo)體裝置。
[0004] 可以通過使用電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)設(shè)計(jì)集成電路(1C)來制造半導(dǎo)體裝置,電子 設(shè)計(jì)自動化(EDA)使設(shè)計(jì)者能夠安置并連接電路的各種組件以彼此交互。換而言之,可以 使用EDA創(chuàng)造半導(dǎo)體裝置的布局。
[0005] 半導(dǎo)體裝置的布局包括電路組件、互連線以及各個(gè)層的物理位置和尺寸。
[0006] 可以通過將半導(dǎo)體裝置的這種布局轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體基底上來制造半導(dǎo)體裝置。然 而,在使用該布局制造半導(dǎo)體裝置之前,半導(dǎo)體裝置的布局必須先通過檢驗(yàn)工藝。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本發(fā)明構(gòu)思的一方面在于提供一種按照將標(biāo)準(zhǔn)單元中的鰭節(jié)距和軌道數(shù)目最優(yōu) 化的方式設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法。
[0008] 本發(fā)明構(gòu)思的另一方面在于提供一種按照將標(biāo)準(zhǔn)單元中的鰭節(jié)距和軌道數(shù)目最 優(yōu)化的方式設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)。
[0009] 然而,本發(fā)明構(gòu)思的方面不受限于這里所闡述的方面。通過參照下面給出的對本 發(fā)明構(gòu)思的具體描述,上述和其他方面對于本發(fā)明構(gòu)思所屬的領(lǐng)域的技術(shù)人員將變得更加 明顯。
[0010] 根據(jù)示例性實(shí)施例的一方面,提供了一種設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法,該設(shè)計(jì)半導(dǎo)體 裝置的方法包括:提供包括有源區(qū)和虛設(shè)區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)單元布局;確定有源區(qū)中的第一有源鰭 與第二有源鰭之間的第一鰭節(jié)距和虛設(shè)區(qū)中的第一虛設(shè)鰭與第二虛設(shè)鰭之間的第二鰭節(jié) 距;使用第一鰭節(jié)距和第二鰭節(jié)距在有源區(qū)中安置第一有源鰭和第二有源鰭并在虛設(shè)區(qū)中 安置第一虛設(shè)鰭和第二虛設(shè)鰭;以及檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)單元布局。
[0011] 根據(jù)示例性實(shí)施例的另一方面,提供了一種設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法,該設(shè)計(jì)半導(dǎo) 體裝置的方法包括:提供包括有源區(qū)和虛設(shè)區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)單元布局;確定第一鰭節(jié)距和第二鰭 節(jié)距,使得具有第一鰭節(jié)距的多個(gè)有源鰭安置在有源區(qū)中并且使得具有第二鰭節(jié)距的多個(gè) 虛設(shè)鰭安置在虛設(shè)區(qū)中;確定多個(gè)有源鰭中的有源鰭與多個(gè)虛設(shè)鰭中的虛設(shè)鰭之間的第 三鰭節(jié)距,使得虛設(shè)鰭分別安置在標(biāo)準(zhǔn)單元布局的在單元高度的方向上彼此面對的邊界線 上;以及使用第一鰭節(jié)距至第三鰭節(jié)距在有源區(qū)中安置有源鰭并在虛設(shè)區(qū)安置虛設(shè)鰭。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一方面,提供了一種用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng),該系統(tǒng)包 括:處理器;和存儲器,存儲使用處理器執(zhí)行的操作模塊,其中,操作模塊接收包括有源區(qū) 和虛設(shè)區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)單元布局,確定有源區(qū)中的第一有源鰭與第二有源鰭之間的第一鰭節(jié)距和 虛設(shè)區(qū)中的第一虛設(shè)鰭與第二虛設(shè)鰭之間的第二鰭節(jié)距,并使用第一鰭節(jié)距和第二鰭節(jié)距 在有源區(qū)中安置第一有源鰭和第二有源鰭并在虛設(shè)區(qū)中安置第一虛設(shè)鰭和第二虛設(shè)鰭。
【附圖說明】
[0013] 以上和其他的方面和特征通過參照附圖詳細(xì)地描述其示例性實(shí)施例將變得更明 顯,在附圖中:
[0014] 圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖;
[0015] 圖2是更詳細(xì)地示出了圖1的方法的框圖;
[0016] 圖3和圖4是根據(jù)圖1的方法設(shè)計(jì)的示例標(biāo)準(zhǔn)單元布局的示圖;
[0017] 圖5是示出了根據(jù)圖1的方法設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)單元布局的數(shù)字的表格;
[0018] 圖6是根據(jù)示例性實(shí)施例的用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)的框圖;
[0019] 圖7是示出了根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖;
[0020] 圖8是示出了根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖;
[0021] 圖9是根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 現(xiàn)在在下文將參照其中示出了示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述示例性實(shí)施例。 然而,發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式來實(shí)施,并且不應(yīng)該被解釋為受限于這里闡述的示例性 實(shí)施例。相反,這些示例性實(shí)施例被提供使得本公開將是徹底的和完整的,并將向本領(lǐng)域的 技術(shù)人員充分地傳達(dá)發(fā)明構(gòu)思的范圍。在整個(gè)說明書中相同的附圖標(biāo)記指示相同的組件。 在附圖中,為了清晰起見夸大了層和區(qū)域的厚度。
[0023] 還將理解的是,當(dāng)層被稱作"在"另一層或基底"上"時(shí),該層可以直接在該另一層 或基底上,或者也可以存在中間層。相反,當(dāng)元件被稱作"直接在"另一元件"上"時(shí),不存 在中間元件。
[0024] 為了便于描述,在這里可使用空間相對術(shù)語,諸如"在…之下"、"在…下方"、"下面 的"、"在…上方"、"上面的"等來描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與其他元件或特征的關(guān) 系。將理解的是,空間相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描繪的方位之外的裝置在使用或操 作中的不同方位。例如,如果圖中裝置被翻轉(zhuǎn),則被描述為在其他元件或特征"之下"或"下 方"的元件隨后將被定位為"在"其他元件或特征"上方"。因此,示例性術(shù)語"在…下方"可 包括"在…上方"和"在…下方"兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其 他方位),并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述語。
[0025] 除非這里另外指出或上下文明顯矛盾,否則術(shù)語"一個(gè)(種)"和"所述(該)"及 類似用語在描述示例性實(shí)施例的環(huán)境中的使用,尤其是在權(quán)利要求書的環(huán)境中的使用將理 解為涵蓋單數(shù)形式和復(fù)數(shù)形式。除非另有說明,否則術(shù)語"包含"、"具有"、"包括"和"含有" 將理解為開放式術(shù)語(即,意味著"包括,但不限于,")。
[0026] 除非另有定義,否則這里使用的所有技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語具有與發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。注意的是,除非另外指出,否則這里提供 的任何和所有示例或者示例性術(shù)語的使用僅意在更好地對發(fā)明構(gòu)思進(jìn)行舉例說明,并不對 發(fā)明構(gòu)思的范圍造成限制。此外,除非另有定義,否則在通用的字典中定義的所有術(shù)語不會 過度解釋。
[0027] 將參照其中示出了示例性實(shí)施例的透視圖、剖視圖和/或平面圖來描述本發(fā)明構(gòu) 思。因此,示例性視圖的輪廓可以根據(jù)制造技術(shù)和/或公差作出修改。即,示例性實(shí)施例不 是意在示出的精確的視圖,而是涵蓋由于制造工藝的變化可以導(dǎo)致的所有變化和修改。因 此,圖中示出的區(qū)域以示意形式示出,區(qū)域的形狀僅僅通過舉例說明的方式給出,而不是作 為限制。
[0028] 現(xiàn)在將參照圖1至圖5描述根據(jù)示例性實(shí)施例的設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法。
[0029] 圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。圖2是具 體地示出了圖1的方法的框圖。圖3和圖4是根據(jù)圖1的方法產(chǎn)生的示例標(biāo)準(zhǔn)單元布局 (standard cell layout,或稱為"標(biāo)準(zhǔn)單元布圖"或"標(biāo)準(zhǔn)單元版圖")的示圖。圖5是示 出了根據(jù)圖1的方法產(chǎn)生的標(biāo)準(zhǔn)單元布局的數(shù)字的表格。
[0030] 參照圖1,在根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的方法中,提供包括有源區(qū) (active region)AR和虛設(shè)區(qū)(dummy region)DR的標(biāo)準(zhǔn)單元布局(standard cell layout) (操作 S100)。
[0031] 然后,確定有源區(qū)AR中