一種確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，尤其涉及一種確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在硬盤的使用過程中，為了實(shí)現(xiàn)硬盤中不同的物理塊盡量同時(shí)達(dá)到報(bào)廢上限的目的，現(xiàn)有技術(shù)中，采用磨損均衡算法。
[0003]所述磨損均衡算法的技術(shù)實(shí)質(zhì)為:在需要對(duì)物理塊進(jìn)行擦寫時(shí)，讀取每個(gè)物理塊的實(shí)際被擦寫次數(shù)，將實(shí)際被擦寫次數(shù)最小的物理塊作為本次擦寫的對(duì)象。
[0004]然而，在硬盤中的物理塊的最大可擦寫次數(shù)不同(例如物理塊1的最大可擦寫次數(shù)為500次，物理塊2的最大可擦寫次數(shù)為1500次)的情況下，現(xiàn)有的磨損均衡算法還是不能保證各個(gè)物理塊同時(shí)達(dá)到報(bào)廢極限，因?yàn)橛脖P中一旦有物理塊達(dá)到報(bào)廢極限，硬盤就不能使用，所以，在各個(gè)物理塊達(dá)到報(bào)廢極限的時(shí)間不同的情況下，容易造成硬盤壽命過短的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法及裝置，目的在于解決在各個(gè)物理塊達(dá)到報(bào)廢極限的時(shí)間不同的情況下，容易造成硬盤壽命過短的問題。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了以下技術(shù)方案:
[0007]—種確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法，所述硬盤中包括存儲(chǔ)單元i，其中i = 1、2......N, N為大于1的整數(shù)，所述方法包括:
[0008]讀取所述硬盤中的存儲(chǔ)單元i的擦寫次數(shù)；
[0009]獲取所述存儲(chǔ)單元i的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)依據(jù)表征所述存儲(chǔ)單元i的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)確定；
[0010]計(jì)算所述存儲(chǔ)單元i的擦寫參數(shù)，所述擦寫參數(shù)依據(jù)所述擦寫次數(shù)與所述第一參數(shù)確定；
[0011]比較N個(gè)存儲(chǔ)單元的擦寫參數(shù)，將擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元作為本次擦與的對(duì)象。
[0012]可選地，所述表征所述存儲(chǔ)單元i的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)包括:
[0013]存儲(chǔ)單元的擦寫速度和/或存儲(chǔ)單元的讀取錯(cuò)誤數(shù)。
[0014]可選地，在將擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元作為本次擦寫的對(duì)象之后，還包括:
[0015]對(duì)所述擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦寫；
[0016]更新被擦寫后的存儲(chǔ)單元的擦寫次數(shù)。
[0017]可選地，所述獲取所述存儲(chǔ)單元i的第一參數(shù)包括:
[0018]查詢已記錄的、表征所述存儲(chǔ)單元i的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)，所述第二參數(shù)通過對(duì)所述存儲(chǔ)單元i的歷史擦寫過程確定；
[0019]通過查表格的方式，獲取與所述第二參數(shù)對(duì)應(yīng)的第一參數(shù)，所述表格用于記錄存儲(chǔ)單元i的第一參數(shù)與第二參數(shù)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0020]可選地，在對(duì)所述擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦寫之后，還包括:
[0021]記錄在擦寫過程中的擦寫速度；
[0022]對(duì)所述擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取，并記錄讀取過程中的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤數(shù)；
[0023]將所述擦寫速度和所述數(shù)據(jù)錯(cuò)誤數(shù)更新到所述已記錄的第二參數(shù)中。
[0024]可選地，所述計(jì)算所述存儲(chǔ)單元i的擦寫參數(shù)包括:
[0025]計(jì)算所述擦寫次數(shù)與所述第一參數(shù)的乘積，乘積為所述擦寫參數(shù)。
[0026]可選地，在所述擦寫參數(shù)與所述最大可擦寫次數(shù)反相關(guān)的情況下，所述將擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元作為本次擦寫的對(duì)象包括:
[0027]將擦寫參數(shù)最小的存儲(chǔ)單元作為本次擦寫的對(duì)象。
[0028]一種確定硬盤中擦寫對(duì)象的裝置，所述硬盤中包括存儲(chǔ)單元i，其中i = 1、2……N, N為大于1的整數(shù)，所述裝置包括:
[0029]擦寫次數(shù)讀取模塊，用于讀取所述硬盤中的存儲(chǔ)單元i的擦寫次數(shù)；
[0030]參數(shù)獲取模塊，用于獲取所述存儲(chǔ)單元i的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)依據(jù)表征所述存儲(chǔ)單元i的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)確定；
[0031]計(jì)算模塊，用于計(jì)算所述存儲(chǔ)單元i的擦寫參數(shù)，所述擦寫參數(shù)依據(jù)所述擦寫次數(shù)與所述第一參數(shù)確定；
[0032]擦寫對(duì)象確定模塊，用于比較N個(gè)存儲(chǔ)單元的擦寫參數(shù)，將擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元作為本次擦寫的對(duì)象。
[0033]可選地，所述參數(shù)獲取模塊用于獲取所述存儲(chǔ)單元i的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)依據(jù)表征所述存儲(chǔ)單元i的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)確定包括:
[0034]所述參數(shù)獲取模塊具體用于，獲取所述存儲(chǔ)單元i的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)依據(jù)表征所述存儲(chǔ)單元i的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)確定，所述表征所述存儲(chǔ)單元i的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)包括:存儲(chǔ)單元的擦寫速度和/或存儲(chǔ)單元的讀取錯(cuò)誤數(shù)。
[0035]可選地，還包括:
[0036]擦寫模塊，用于在將擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元作為本次擦寫的對(duì)象之后，對(duì)所述擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦寫；
[0037]更新模塊，用于更新被擦寫后的存儲(chǔ)單元的擦寫次數(shù)。
[0038]可選地，所述參數(shù)獲取模塊用于獲取所述存儲(chǔ)單元i的第一參數(shù)包括:
[0039]所述參數(shù)獲取模塊具體用于，查詢已記錄的、表征所述存儲(chǔ)單元i的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)，所述第二參數(shù)通過對(duì)所述存儲(chǔ)單元i的歷史擦寫過程確定，并通過查表格的方式，獲取與所述第二參數(shù)對(duì)應(yīng)的第一參數(shù)，所述表格用于記錄存儲(chǔ)單元i的第一參數(shù)與第二參數(shù)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0040]可選地，所述更新模塊還用于:
[0041]在對(duì)所述擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦寫之后，記錄在擦寫過程中的擦寫速度，對(duì)所述擦寫參數(shù)最小的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取，并記錄讀取過程中的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤數(shù)，并將所述擦寫速度和所述數(shù)據(jù)錯(cuò)誤數(shù)更新到所述已記錄的第二參數(shù)中。
[0042]可選地，所述計(jì)算模塊用于計(jì)算所述存儲(chǔ)單元i的擦寫參數(shù)包括:
[0043]所述計(jì)算模塊具體用于，計(jì)算所述擦寫次數(shù)與所述第一參數(shù)的乘積，乘積為所述擦寫參數(shù)。
[0044]可選地，所述擦寫對(duì)象確定模塊用于比較N個(gè)存儲(chǔ)單元的擦寫參數(shù)，將擦寫參數(shù)滿足預(yù)設(shè)條件的存儲(chǔ)單元作為本次擦寫的對(duì)象包括:
[0045]所述擦寫對(duì)象確定模塊具體用于，在所述擦寫參數(shù)與所述最大可擦寫次數(shù)反相關(guān)的情況下，將擦寫參數(shù)最小的存儲(chǔ)單元作為本次擦寫的對(duì)象。
[0046]本申請(qǐng)實(shí)施例公開的一種確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法及裝置，計(jì)算硬盤中每一個(gè)存儲(chǔ)單元的擦寫參數(shù)，因?yàn)槊恳粋€(gè)存儲(chǔ)單元的擦寫參數(shù)依據(jù)其自身的擦寫次數(shù)以及第一參數(shù)獲得，并且，第一參數(shù)由表征此存儲(chǔ)單元的最大可擦寫次數(shù)的第二參數(shù)確定，可見，每一個(gè)存儲(chǔ)單元的擦寫參數(shù)都與其最大可擦寫次數(shù)相關(guān)，即最大可擦寫次數(shù)作為確定本次擦寫對(duì)象的依據(jù)，所以，在對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦寫時(shí)，考慮到每個(gè)存儲(chǔ)單元的最大可擦寫次數(shù)，使得平衡最大可擦寫次不同的存儲(chǔ)單元間的磨損程度成為可能，在各個(gè)存儲(chǔ)單元達(dá)到報(bào)廢極限的時(shí)間不同的情況下，使得硬盤的各個(gè)存儲(chǔ)單元盡可能同時(shí)接近報(bào)廢極限時(shí)間，從而延長硬盤整體的壽命。
【附圖說明】
[0047]為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0048]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的一種確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法的流程圖；
[0049]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的又一種確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法的流程圖；
[0050]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的又一種確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法的流程圖；
[0051]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的確定硬盤中擦寫對(duì)象的方法的與現(xiàn)有技術(shù)相比的效果示意圖；
[0052]圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的一種確定硬盤