電連接層252包括 對(duì)應(yīng)于相應(yīng)第一不重疊區(qū)域113的多個(gè)第一非電連接電極504。第一非電連接電極504類(lèi) 似于第一實(shí)施例的非電連接電極402 (即,總體X形形狀)。然而,第二實(shí)施例的第一電連接 層252還包括非電連接電極補(bǔ)充部分502,非電連接電極補(bǔ)充部分502對(duì)應(yīng)于第二不重疊區(qū) 域114的部分V4并且與第二電連接層254的相應(yīng)的感測(cè)電極102 (并且更具體地,導(dǎo)電墊 109)對(duì)準(zhǔn)。換句話講,非電連接電極補(bǔ)充部分502還具有類(lèi)似于感測(cè)電極102的形狀的總 體菱形形狀的結(jié)構(gòu)。
[0052] 在第二實(shí)施例中,第一非電連接電極504通過(guò)周邊間隙503與相鄰非電連接電極 補(bǔ)充部分502以及相鄰導(dǎo)電墊106分開(kāi),周邊間隙503具有與如第一實(shí)施例中所述的周邊 間隙404類(lèi)似的寬度。還應(yīng)當(dāng)理解,第一非電連接電極504和非電連接電極補(bǔ)充部分502 是由相同的材料形成的并且具有與驅(qū)動(dòng)電極100陣列相同的厚度和折射率。
[0053] 另外,電容式觸摸傳感器500包括在第二電連接層254(即,與感測(cè)電極102為同 一個(gè)層)處的第二非電連接電極506,并且第二非電連接電極506對(duì)應(yīng)于第一不重疊區(qū)域 113。具體地,第二非電連接電極506也是總體X形形狀。第二電連接層254還包括非電連 接電極補(bǔ)充部分508,非電連接電極補(bǔ)充部分508對(duì)應(yīng)于第二不重疊區(qū)域114的Vl部分并 且與第一電連接層252的相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電極100 (更具體地,導(dǎo)電墊106)對(duì)準(zhǔn)。正如第一非 電連接電極504,第二非電連接電極506通過(guò)周邊間隙507與相鄰非電連接電極補(bǔ)充部分 508以及相鄰導(dǎo)電墊109分開(kāi),周邊間隙507具有與如第一實(shí)施例中所述的周邊間隙404類(lèi) 似的寬度。還應(yīng)當(dāng)理解,第二非電連接電極506和非電連接電極補(bǔ)充部分508是由相同的 材料形成的并且具有與感測(cè)電極102陣列相同的厚度和折射率。
[0054] 在此類(lèi)布置的情況下,因?yàn)榈谝环请娺B接電極504和第二非電連接電極506以及 非電連接電極補(bǔ)充部分502、非電連接電極補(bǔ)充部分508并未電連接,所以這些電極的存在 并不妨礙驅(qū)動(dòng)電極100和感測(cè)電極102的正常操作。但是,提供這樣的第一非電連接電極 和第二非電連接電極以及非電連接電極補(bǔ)充部分能夠減少電容式觸摸傳感器500的各個(gè) 區(qū)域之間的光學(xué)對(duì)比度或變化。在這種布置中,第一電連接層252中的X形第一非電連接 電極504與第二電連接層254的X形第二非電連接電極506對(duì)準(zhǔn)。
[0055] 作為實(shí)驗(yàn)例證,第一測(cè)試矩陣傳感器700和第二測(cè)試矩陣傳感器702是分別基于 第一實(shí)施例(圖3a和圖3b)和第二實(shí)施例(圖4a和圖4b)制造的,并且與對(duì)照矩陣傳感器 進(jìn)行比較,該對(duì)照矩陣傳感器為常規(guī)的,即不具有如本文所公開(kāi)的圖案隱藏設(shè)計(jì)。第一測(cè)試 矩陣傳感器700和第二測(cè)試矩陣傳感器702的制造或制成類(lèi)似于早先在第一實(shí)施例和第二 實(shí)施例中已描述的制造或制備,并且為了便于解釋?zhuān)瑢⑹褂脠D2的現(xiàn)有技術(shù)矩陣傳感器104 的元件來(lái)解釋第一測(cè)試矩陣傳感器700和第二測(cè)試矩陣傳感器702的結(jié)構(gòu)(包括使用與圖 2的那些相同的參考數(shù)字)。詳細(xì)來(lái)講,制造第一測(cè)試矩陣傳感器700和第二測(cè)試矩陣傳感 器702涉及在透明的中間PET層200的相背對(duì)側(cè)上形成驅(qū)動(dòng)電極100陣列和感測(cè)電極102 陣列(對(duì)于矩陣傳感器700,以及非電連接電極402 ;并且對(duì)于矩陣傳感器702,以及非電連 接電極504、非電連接電極506和非電連接電極補(bǔ)充部分502、非電連接電極補(bǔ)充部分508), 并且然后將中間PET層200和ITO層100、ITO層102與相應(yīng)的上部OCA層202和底部OCA 層204層合在一起,如圖5a和圖5b中所示,圖5a和圖5b是第一測(cè)試矩陣傳感器700和第 二測(cè)試矩陣傳感器702的相應(yīng)的剖視圖(并且同樣這些層并未按比例示出)。然后,將頂 部PET層206和底部PET層208分別層合到上部OCA層202和底部OCA層204。同樣,應(yīng)當(dāng) 理解,圖5a和圖5b中的測(cè)試矩陣傳感器700、測(cè)試矩陣傳感器702的相應(yīng)的層對(duì)應(yīng)于如圖 2中所示的相同層。在實(shí)驗(yàn)例證中,在每個(gè)測(cè)試矩陣傳感器700、測(cè)試矩陣傳感器702中,頂 部PET層206的厚度為125um,上部OCA層202的厚度為50um,驅(qū)動(dòng)電極100陣列(即,第 一電連接層252)的厚度為90nm,中間PET層200的厚度為125um,感測(cè)電極102陣列(即, 第二電連接層254)的厚度為90nm,底部OCA層204的厚度為50um,并且底部PET層208的 厚度為125um。應(yīng)當(dāng)理解,頂部PET層206可由可為0.8mm厚的玻璃層替換(對(duì)于觸摸傳感 器通常是這種情況)。每層的其它厚度對(duì)于具體實(shí)施例可用做合適的厚度。
[0056] 參考圖5a和圖5b,第一測(cè)試矩陣傳感器700和第二測(cè)試矩陣傳感器702之間的 不同之處在于,對(duì)于第一測(cè)試矩陣來(lái)說(shuō),第一電連接層252包括正如第一實(shí)施例的非電連 接電極402,即位于驅(qū)動(dòng)電極陣列之間,如圖3所示;然而,第二測(cè)試矩陣傳感器702以與第 二實(shí)施例相同的方式被構(gòu)造成具有第一電連接層252和第二電連接層254,如圖4a和圖4b 中所示,即,非電連接電極504、非電連接電極506與相鄰非電連接電極補(bǔ)充部分502、非電 連接電極補(bǔ)充部分508設(shè)置在兩個(gè)電連接層上并且與相應(yīng)的感測(cè)電極102或驅(qū)動(dòng)電極100 對(duì)齊或?qū)?zhǔn)。
[0057] 以下表2示出從圖5a和圖5b的測(cè)試矩陣傳感器獲得的實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
[0060] 在表2中,設(shè)計(jì)2傳感器類(lèi)型對(duì)應(yīng)于第一圖案隱藏式測(cè)試矩陣傳感器700 (即,第 一實(shí)施例),并且設(shè)計(jì)3傳感器類(lèi)型對(duì)應(yīng)于第二圖案隱藏式測(cè)試矩陣傳感器702 (即,第二實(shí) 施例)。還應(yīng)注意,對(duì)于基于設(shè)計(jì)2和設(shè)計(jì)3制成的兩個(gè)測(cè)試矩陣傳感器,將相應(yīng)的非電連 接電極402、非電連接電極504、非電連接電極506與電連接電極100、電連接電極102分開(kāi) 的周邊間隙404, 503, 507為約100um,而常規(guī)的對(duì)照傳感器(表2中的"對(duì)照")不具有非 電連接電極402, 504, 506和對(duì)應(yīng)的周邊間隙404, 503, 507。
[0061] 另外,如表2中所示,還針對(duì)設(shè)計(jì)2和設(shè)計(jì)3傳感器類(lèi)型調(diào)整如先前參考圖2所描 述的Vl部分與V4部分的比。特別是對(duì)于設(shè)計(jì)2,與對(duì)照傳感器形成比較,由于非電連接電 極402的存在,中間PET層200在第一電連接層252中"暴露"的PET的量為約6. 98%,對(duì) 照傳感器的相同層暴露了約61 %。"暴露"應(yīng)被理解為意味著中間PET層200的未被驅(qū)動(dòng) 電極100/感測(cè)電極102或非電連接電極402覆蓋的區(qū)域。這還意味著,中間PET層200在 第二電連接層254中暴露的PET將類(lèi)似于"對(duì)照"傳感器的暴露PET,并且在這個(gè)實(shí)驗(yàn)中即 為約61 %。已發(fā)現(xiàn),設(shè)計(jì)2中所提議的布置有助于隱藏第一測(cè)試矩陣傳感器700的電極圖 案,如表2的右手側(cè)所指示那樣。
[0062] 轉(zhuǎn)向設(shè)計(jì)3,由于第一電連接層252和第二電連接層254中存在非電連接電極 504、非電連接電極506和非電連接電極補(bǔ)充部分502、非電連接電極補(bǔ)充部分508,中間PET 層200在第一電連接層252和第二電連接層254中暴露的PET的量為約6. 98% (與對(duì)照設(shè) 計(jì)相比,該對(duì)照設(shè)計(jì)的這兩層暴露的PET的量為約61 % )。如表2的右手側(cè)所示,這造成了 第二測(cè)試矩陣傳感器702的電極圖案"幾乎不可見(jiàn)"。
[0063] 本發(fā)明的實(shí)施例提供了降低透明電極(即,電連接電極)100、透明電極102的圖案 可見(jiàn)度的劃算的且可靠的方式,透明電極100、透明電極102已彼此層疊從而產(chǎn)生用于形成 傳感器矩陣104的矩陣圖案,如前所述。有利地,通過(guò)如所提議的那樣設(shè)置非電連接電極來(lái) 使透明電極和基礎(chǔ)基板之間的對(duì)比度具體最小化。
[0064] 所描述的實(shí)施例不應(yīng)被理解為是限制性的。例如,在第一實(shí)施例中,另選地可將非 電連接電極402布置在第二電連接層254(即,與感測(cè)電極102為同一個(gè)層)中。在另外的 替代形式中,非電連接電極402可設(shè)置在第一電連接層252和第二電連接層254兩者上。
[0065] 類(lèi)似地,對(duì)于第二實(shí)施例來(lái)說(shuō),第一電連接層252和第二電連接層254兩者可不必 均具有非電連接電極504, 506,并且所設(shè)想的是,非電連接電極可以?xún)H布置在兩個(gè)電連接層 252, 254中的一個(gè)上。另外,所有非