一種觸控面板的制作方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，特別一種觸控面板。
【【背景技術(shù)】】
[0002]觸控設(shè)備因其便于操作、呈像效果好、功能多元化等優(yōu)點(diǎn)逐漸受到電子通訊行業(yè)的青睞，并廣泛應(yīng)用于資訊系統(tǒng)設(shè)備、家電設(shè)備、通訊設(shè)備、個(gè)人便攜設(shè)備等產(chǎn)品上。
[0003]伴隨近年來觸控面板在通訊行業(yè)的迅速崛起，特別是在手機(jī)通訊行業(yè)的蓬勃發(fā)展，觸控面板一舉成為現(xiàn)今成像顯示設(shè)備的首選產(chǎn)品。使用率最高的觸控面板主要是電阻式觸控面板和電容式觸控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外觀的考慮，大多會(huì)選用電容式觸控面板作為其最佳首選設(shè)備。
[0004]在傳統(tǒng)智能手機(jī)，如iphone等的電容式觸控面板中，觸控電極的材料通常為氧化銦錫(簡(jiǎn)稱為ΙΤ0)。ITO的透光率很高，導(dǎo)電性能較好。但I(xiàn)TO價(jià)格昂貴，ITO較脆，柔韌性差，彎曲時(shí)容易斷裂造成功能不良，即使在遇到較小物理應(yīng)力的彎曲也非常容易被破壞，ITO導(dǎo)電率一般大于70歐姆/方阻，隨著觸控面板尺寸的逐步增大，特別是應(yīng)用于15寸以上的面板時(shí)，ITO的缺陷越來越突出，其中最明顯的缺陷就是ITO的面電阻過大，ITO已經(jīng)無法滿足目前觸控產(chǎn)品對(duì)于電阻率的要求，無法保證大尺寸觸控面板良好的導(dǎo)電性能與足夠的靈敏度，也無法適用于電子產(chǎn)品不斷低價(jià)化的發(fā)展趨勢(shì)。
[0005]另外，在制造方法上，原來的ITO需要真空腔、較高的沉積溫度和/或高退火溫度以獲得高傳導(dǎo)性，造成ITO的整體制作成本非常昂貴。制程中ITO —般采用濺鍍和黃光光阻涂布，曝光，顯影，蝕刻，剝膜，高溫烘烤等繁雜工序，成本高且耗時(shí)長(zhǎng)。
[0006]傳統(tǒng)的ITO觸控面板通常采用金屬走線，因此觸控電極與金屬走線要分兩道制程完成，所以制程復(fù)雜且成本較高；當(dāng)面板尺寸增大時(shí)，走線長(zhǎng)度需隨面板的尺寸而增加，進(jìn)而造成走線電阻變大，使得觸控靈敏度降低；另外存在當(dāng)部分走線出現(xiàn)斷裂時(shí)造成信號(hào)中斷，所以新的改良設(shè)計(jì)將非常必要。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0007]為克服現(xiàn)有ITO作為導(dǎo)電層同時(shí)配上金屬走線時(shí)生產(chǎn)成本高、制程復(fù)雜，以及單邊走線容易出現(xiàn)斷線等問題，本發(fā)明提供了一種不易出現(xiàn)斷線，保證觸控精度的觸控面板。
[0008]本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案是提供一種觸控面板，其包括多條納米銀線電極及用于連接該多條納米銀線電極至一外部驅(qū)動(dòng)控制電路的多條納米銀線電極走線，納米銀線電極走線包括納米銀線第一邊電極走線和/或納米銀線第二邊電極走線，該納米銀線第一邊電極走線連接該納米銀線電極的其中一端部；該納米銀線第二邊電極走線連接該納米銀線電極的相對(duì)另一端部。
[0009]優(yōu)選地，所述納米銀線電極走線的寬度為15um-30um,走線間距為15um_30um。
[0010]優(yōu)選地，所述納米銀線電極，納米銀線電極走線的厚度為20nm_l μ m,折射率為1.3_2.5。
[0011]優(yōu)選地,所述的納米銀線第一邊電極走線和納米銀線第二邊電極走線彼此連接，形成一回路。
[0012]優(yōu)選地，所述的納米銀線第一邊電極走線至少為一層結(jié)構(gòu)；所述納米銀線第二邊電極走線至少為一層結(jié)構(gòu)。
[0013]優(yōu)選地，所述的納米銀線第一邊電極走線為兩層或多層結(jié)構(gòu)；所述納米銀線第二邊電極走線為兩層或多層結(jié)構(gòu)。
[0014]優(yōu)選地，所述的納米銀線第一邊電極走線各層之間進(jìn)一步包括一絕緣層，絕緣層上對(duì)應(yīng)納米銀線第一邊電極走線的一端設(shè)置通孔，所述納米銀線第一邊電極走線通過通孔和部分的納米銀線電極對(duì)應(yīng)相連；所述的納米銀線第二邊電極走線各層之間進(jìn)一步包括一絕緣層，絕緣層上對(duì)應(yīng)納米銀線第二邊電極走線的一端設(shè)置通孔，所述納米銀線第二邊電極走線通過通孔和部分的納米銀線電極對(duì)應(yīng)相連。
[0015]優(yōu)選地，所述納米銀線電極和納米銀線電極走線均包括一基質(zhì)及分布于所述基質(zhì)中的多條納米銀線，所述多條納米銀線相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，所述每條納米銀線的線長(zhǎng)介于20-50 μ m,線徑小于50nm，長(zhǎng)寬比大于400。
[0016]優(yōu)選地，所述納米銀線電極上進(jìn)一步設(shè)置一平整層，所述平整層與基質(zhì)在厚度方向上實(shí)現(xiàn)相互嵌入，所述納米銀線至少部分收容于平整層。
[0017]優(yōu)選地，進(jìn)一步包括一屏蔽線，設(shè)置于該納米銀線電極分布區(qū)域之外，包圍該納米銀線電極走線。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，首先，本發(fā)明觸控面板通過采用納米銀線導(dǎo)電層制作成觸控面板的第一導(dǎo)電層和/或第二導(dǎo)電層，由于納米銀線材料本身具有電阻率低，光透過率在85%以上，方阻12-120ohm/Sq，使得本發(fā)明觸控面板具有良好的導(dǎo)電性等特點(diǎn)，保證了觸控面板的觸控靈敏度高，尤其在中大尺寸的觸控面板當(dāng)中對(duì)靈敏度的提升尤為明顯。同時(shí)，因?yàn)榧{米銀線具有良好透光性，且走線寬度和間距小，使得觸控面板的非觸控區(qū)域特別窄，從而使得無邊框觸控面板得以實(shí)現(xiàn)。無邊框觸控面板使得用戶視覺上更開闊，增加用戶體驗(yàn)。其次，本發(fā)明提供一種觸控面板，并可以在該觸控面板層狀結(jié)構(gòu)中增加一平整層，該平整層使得納米銀線之間的搭接變得良好，從而使導(dǎo)電率得到有效保證，并使觸控面板，的表面平整度得到極大提升。
[0019]再次，本發(fā)明觸控面板可以采用雙邊走線以改善第一導(dǎo)電電極走線和第二導(dǎo)電電極走線材料在采用納米銀線或其它金屬導(dǎo)電材料時(shí)因?yàn)橹谱鳎褂没蚱渌划?dāng)操作等原因而易于產(chǎn)生的走線搭接不良的情況，從而加強(qiáng)傳輸信號(hào)，防止觸控面板在信號(hào)傳輸過程中可能出現(xiàn)走線的一邊斷路使得信號(hào)無法傳輸?shù)接|控IC上的情況，提高觸控面板的觸控靈敏度。另外，由于其納米級(jí)別的尺寸效應(yīng)，使得其具有優(yōu)異的透光性與耐曲撓性，故更適合用于現(xiàn)在市場(chǎng)更多人性化產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需要，如運(yùn)動(dòng)手環(huán)等穿戴型產(chǎn)品。在制程上，由于采用納米銀線作為走線材料，這樣可以使第一導(dǎo)電電極及其對(duì)應(yīng)走線，第二導(dǎo)電電極及其對(duì)應(yīng)走線在同一道制程中完成，簡(jiǎn)化了制作工藝，耗時(shí)少，成本低。另外，第一導(dǎo)電電極走線和第二導(dǎo)電電極走線分設(shè)于多個(gè)走線層，使每一走線層的走線數(shù)量相對(duì)減少，即可節(jié)省了引線所占用的非觸控區(qū)域的面積，實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)的目的。而且，在有限的邊框區(qū)域內(nèi)，因每一走線層的導(dǎo)電電極引線數(shù)量可以相對(duì)減少，因此可以適當(dāng)加大電極引線之間的寬度和間距，便于導(dǎo)電電極引線的排布和制作，增加制造良率?！尽靖綀D說明】】
[0020]圖1是本發(fā)明納米銀線薄膜的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2是本發(fā)明納米銀線薄膜的平面示意圖。
[0022]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例觸控面板剖切結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖4是圖3所示觸控面板中第一導(dǎo)電層的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖5是圖3所示觸控面板中第二導(dǎo)電層的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖6是圖3所示觸控面板的俯視圖。
[0026]圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例觸控面板制作方法流程圖。
[0027]圖8是本發(fā)明第三實(shí)施例觸控面板制作方法流程圖。
[0028]圖9是本發(fā)明第四實(shí)施例觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖10是本發(fā)明第五實(shí)施例觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖11是本發(fā)明第六實(shí)施例觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖12是本發(fā)明第七實(shí)施例觸控面板的多層走線示意圖。
[0032]圖13是本發(fā)明第八實(shí)施例觸控面板剖切結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖14是本發(fā)明采用圖3所示觸控面板制作的顯示裝置剖切面結(jié)構(gòu)圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0034]為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0035]請(qǐng)參閱圖1與圖2，系納米銀線導(dǎo)電薄膜800的剖切結(jié)構(gòu)示意圖，納米銀線導(dǎo)電層一般制作在襯底807上，包括嵌入在基質(zhì)803中的多根納米銀線801，襯底807 —般為透明絕緣材料，納米銀線排布其中相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。因?yàn)榧{米銀線的線徑越大，其電阻率就越小，但其表面積會(huì)增大，因此會(huì)增加納米銀線導(dǎo)電薄膜的霧度；另外納米銀線的長(zhǎng)度越長(zhǎng)，就越容易搭接，但納米銀線的電阻率就會(huì)增加，因此需要調(diào)整納米銀線線長(zhǎng)與線寬值，平衡霧度與電阻的問題。納米銀線801 (silver nano wires,簡(jiǎn)稱SNW)的線長(zhǎng)為10-300 μ m,優(yōu)選20-100 μ m，最好其長(zhǎng)度20-50 μ m，納米銀線801的線徑小于500nm或小于200nm，lOOnm，優(yōu)選為小于50nm，且其長(zhǎng)寬比(線長(zhǎng)與線徑之比)大于10，優(yōu)選大于50，更優(yōu)選大于400。
[0036]銀在一般狀態(tài)下為銀白色金屬，且為不透明材料，導(dǎo)電性極佳。而當(dāng)銀制成納米銀線時(shí)，納米銀線具有良好的透光率與極佳的導(dǎo)電性，能夠很好的運(yùn)用于觸控面板的觸控電極。
[0037]基質(zhì)803是指含納米銀線的溶液在經(jīng)過涂布等方法設(shè)置在襯底807上，經(jīng)過加熱烘干使得易揮發(fā)的物質(zhì)揮發(fā)后，留在襯底807上的非納米銀線物質(zhì)。納米銀線801散布或嵌入其中，形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，部分納米銀線801從基質(zhì)803材料中突出。納米銀線801依靠基質(zhì)803形成納米銀線導(dǎo)電層805，基質(zhì)803可以保護(hù)納米銀線801免受腐蝕、磨損等外界環(huán)境的影響。
[0038]納米銀線導(dǎo)電層的厚度約為10nm-5 μ m,優(yōu)選為20nm_l μ m,更優(yōu)為50nm-200nm。在一些實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層805的折射率為1.3-2.5，更優(yōu)為1.35-1.8。
[0039]含納米銀線801的溶液是指，納米銀線801分散特定的溶劑里而形成的懸浮溶液，該溶劑可以是水、水溶液、離子溶液、含鹽溶液、超臨界流體、油或其混合物等。該溶劑里還可含有其它添加劑，如分散劑、表面活性劑、交聯(lián)劑、穩(wěn)定劑、潤(rùn)濕劑或增稠劑，但不以此為限。
[0040]此外，可通過選擇適當(dāng)?shù)幕|(zhì)803材料來調(diào)納米銀線導(dǎo)電層的光學(xué)特性，特別是解決霧度問題。例如，可以將基質(zhì)803調(diào)整為具有期望的折射率、組成元素和一定的厚度，都可以有效地減少反射損耗、眩光影響、霧度。
[0041]霧度是指由于納米銀線導(dǎo)