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一種金屬射頻卡的制作方法

文檔序號(hào):9453494閱讀:828來源:國知局
一種金屬射頻卡的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種金屬射頻卡,具體是一種PVC材料與金屬兩種材質(zhì)制成的具有金屬特色的射頻卡,屬于無線通訊技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]—般而言,射頻識(shí)別是一種無線通訊技術(shù),可以通過無線電訊號(hào)識(shí)別特定目標(biāo)并讀寫相關(guān)數(shù)據(jù)而無需識(shí)別系統(tǒng)與特定目標(biāo)之間建立機(jī)械或光學(xué)接觸。無線電的信號(hào)是通過調(diào)成無線電頻率的電磁場,把數(shù)據(jù)從附著在物品上的標(biāo)簽上傳送出去,以自動(dòng)辨識(shí)與追蹤該物品。
[0003]PVC即聚氯乙烯,其通過氯乙烯單體在過氧化物、偶氮化合物等引發(fā)劑;或在光、熱作用下按自由基聚合反應(yīng)機(jī)理聚合而成的聚合物。PVC材料在實(shí)際使用中會(huì)加入穩(wěn)定劑、潤滑劑、輔助加工劑、色料、抗沖擊劑以及其他添加劑,能夠保證PVC材料具有不易燃性、高強(qiáng)度、耐氣候變化性以及優(yōu)良的幾何穩(wěn)定性。
[0004]目前,市場上出現(xiàn)的金屬卡采用金屬材料及18K、24K真金表面加工,經(jīng)過沖壓、腐蝕、電鍍、填漆等工序精制而成。純金屬材料制成的卡片不具有射頻功能。在金屬卡上采用手貼式磁條在讀、寫磁時(shí)不夠穩(wěn)定;簽名條、防偽標(biāo)等卡面元素不易在卡面表面燙印,并且磁條、簽名條、防偽標(biāo)等在卡片表面外觀不夠美觀。除此之外,金屬射頻卡的生產(chǎn)工藝復(fù)雜,成品合格率偏低,降低了生產(chǎn)效益。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在問題,本發(fā)明提供一種金屬射頻卡,其是一種PVC材料和金屬兩種材質(zhì)相結(jié)合的射頻卡,使其在讀、寫磁時(shí)能夠穩(wěn)定,方便金屬射頻卡的制作,同時(shí)能夠簡化金屬射頻卡的生產(chǎn)工藝。
[0006]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的:一種金屬射頻卡,所述金屬射頻卡是由金屬層和PVC材料層組成并粘合為一體的金屬卡;所述PVC材料層包括繞線層、反面印刷層和膜層。
[0007]進(jìn)一步,所述金屬層上開有芯片孔位。
[0008]進(jìn)一步,所述金屬層和PVC材料層之間粘合有吸波材料層。
[0009]進(jìn)一步,所述繞線層、反面印刷層和膜層通過層壓融合在一起。
[0010]進(jìn)一步,所述吸波材料層上開有與所述金屬層上相同的芯片孔位。
[0011 ] 進(jìn)一步,所述金屬層與吸波材料層通過3Μ膠粘合在一起;所述吸波材料層與所述PVC材料層通過3Μ膠粘合在一起。
[0012]—種金屬射頻卡的制作方法,該方法包括如下步驟:
[0013]I)、金屬層通過沖壓、腐蝕、電鍍、填漆和雕刻形成金屬層表面圖案和芯片孔位;
[0014]2)、感應(yīng)天線通過傳統(tǒng)繞線方式在PVC材料層的繞線層上形成;在反面印刷層上印有印刷圖案,并在PVC材料層的膜層上裱磁;
[0015]3)、將繞線層、反面印刷層和膜層進(jìn)行層壓融合;
[0016]4)、在金屬層和PVC材料層之間粘合有吸波材料層。
[0017]本發(fā)明的有益效果是:該金屬射頻卡通過金屬與PVC材料的結(jié)合使得裱磁后的磁條在讀磁和寫磁時(shí)能夠穩(wěn)定,并且簽名條和防偽標(biāo)在該金屬射頻卡表面容易燙印,縮減了生產(chǎn)工藝的流程,提高了成品合格率,增大了生產(chǎn)效益。
[0018]在金屬層和PVC材料層之間安裝有吸波材料層,通過吸波材料能夠降低或消除金屬對(duì)于刷卡效果的干擾。
【附圖說明】
[0019]圖1本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)示意圖;
[0020]圖2本發(fā)明PVC材料層結(jié)構(gòu)示意圖;
[0021]圖中:1、金屬層,2、吸波材料層,3、PVC材料層,3-1、繞線層,3-2、反面印刷層、3-3、膜層,4、芯片空位。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0023]如圖1和圖2所示,一種金屬射頻卡,該金屬射頻卡由金屬層I和PVC材料層3組成。金屬層I和PVC材料層固定粘合在一起。所述PVC材料層3包括繞線層3-1、反面印刷層3-2和膜層3-3。
[0024]在金屬層I和PVC材料層3中間安裝有吸波材料層2。所述吸波材料層2能夠降低或消除金屬對(duì)刷卡效果的干擾,吸波材料層是能夠吸收、衰減空間入射的電磁波能量,并能夠減少或消除反射的電磁波。
[0025]在金屬層I上開有芯片孔位4。純非正式接觸卡在金屬層I和吸波材料層2上均不需要開有芯片孔位。但是在雙界面卡上需要開有芯片孔位4,并且對(duì)應(yīng)于金屬層I上的芯片孔位4,相對(duì)應(yīng)的吸波材料層2上也開有同樣的芯片孔位。
[0026]所述金屬層I和吸波材料層2通過3M膠粘合在一起,所述吸波材料層2和PVC材料層3通過3M膠粘合在一起。所述繞線層3-1、反面印刷層3-2和膜層3-3通過層壓融合在一起,從而保證繞線層3-1、反面印刷層3-2和膜層3-3固定連接在一起。
[0027]—種金屬射頻卡的制作方法,該方法包括如下步驟:
[0028]I)、金屬層通過沖壓、腐蝕、電鍍、填漆和雕刻形成金屬層表面圖案和芯片孔位;
[0029]2)、感應(yīng)天線通過傳統(tǒng)繞線方式在PVC材料層的繞線層上形成;在反面印刷層上印有印刷圖案,并在PVC材料層的膜層上裱磁、簽名條和防偽標(biāo)的燙印,使得金屬射頻卡反面具有射頻功能以及金屬質(zhì)感;
[0030]3)、將繞線層、反面印刷層和膜層進(jìn)行層壓融合;
[0031]4)、在金屬層和PVC材料層之間粘合有吸波材料層。
[0032]以上所舉實(shí)施例為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式,僅用來方便說明本發(fā)明,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者,若在不脫離本發(fā)明所提技術(shù)特征的范圍內(nèi),利用本發(fā)明所揭示技術(shù)內(nèi)容所作出局部更動(dòng)或修飾的等效實(shí)施例,并且未脫離本發(fā)明的技術(shù)特征內(nèi)容,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)特征的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種金屬射頻卡,其特征在于:所述金屬射頻卡是由金屬層和PVC材料層組成并粘合為一體的金屬卡;所述PVC材料層包括繞線層、反面印刷層和膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬射頻卡,其特征在于:所述金屬層上開有芯片孔位。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種金屬射頻卡,其特征在于:所述金屬層和PVC材料層之間粘合有吸波材料層。4.根據(jù)權(quán)利要I或2所述的一種金屬射頻卡,其特征在于:所述繞線層、反面印刷層和膜層通過層壓融合在一起。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種金屬射頻卡,其特征在于:所述吸波材料層上開有與所述金屬層上相同的芯片孔位。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種金屬射頻卡,其特征在于:所述金屬層與吸波材料層通過3M膠粘合在一起;所述吸波材料層與所述PVC材料層通過3M膠粘合在一起。7.一種金屬射頻卡的制作方法,其特征在于,該方法包括如下步驟: 1)、金屬層通過沖壓、腐蝕、電鍍、填漆和雕刻形成金屬層表面圖案和芯片孔位; 2)、感應(yīng)天線通過傳統(tǒng)繞線方式在PVC材料層的繞線層上形成;在反面印刷層上印有印刷圖案,并在PVC材料層的膜層上裱磁; 3)、將繞線層、反面印刷層和膜層進(jìn)行層壓融合; 4)、在金屬層和PVC材料層之間粘合有吸波材料層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金屬射頻卡,所述金屬射頻卡是由金屬層和PVC材料層組成并粘合為一體的金屬卡;所述PVC材料層包括繞線層、反面印刷層和膜層。該金屬射頻卡通過金屬與PVC材料的結(jié)合使得裱磁后的磁條在讀磁和寫磁時(shí)能夠穩(wěn)定,并且簽名條和防偽標(biāo)在該金屬射頻卡表面容易燙印,縮減了生產(chǎn)工藝的流程,提高了成品合格率,增大了生產(chǎn)效益。在金屬層和PVC材料層之間安裝有吸波材料層,通過吸波材料能夠降低或消除金屬對(duì)于刷卡效果的干擾。
【IPC分類】G06K19/077
【公開號(hào)】CN105205527
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510584718
【發(fā)明人】夏云
【申請(qǐng)人】武漢天喻信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年9月15日
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