感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控屏設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，具體地指一種感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]由于nO(Indium tin oxide，銦錫氧化物)具備極佳的導(dǎo)電性和透明性，其已廣泛用于制作于液晶面板、觸摸屏等顯示面板。
[0003]標(biāo)準(zhǔn)菱形ITO圖形是觸控面板SensingITO層(感應(yīng)銦錫氧化物層)一種經(jīng)典的圖形結(jié)構(gòu)，但是其信噪比較低、抑制某些特殊光學(xué)折射導(dǎo)致圖形顯現(xiàn)的能力較弱，此外，對于離地懸空進行觸摸操作的靈敏度較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，通過改變菱形ITO圖形折射角的方式以降低光學(xué)折射導(dǎo)致圖形顯現(xiàn)的概率，同時采用大量獨立ITO區(qū)塊增強耦合電容減小阻抗，能大幅提高信噪比和懸空感應(yīng)的靈敏度。
[0005]為實現(xiàn)此目的，本發(fā)明所設(shè)計的一種感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，包括并排或并列布置的多個感應(yīng)銦錫氧化物子單元，所述每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元均包括相互垂直的第一觸控感應(yīng)區(qū)和第二觸控感應(yīng)區(qū)；所述第一觸控感應(yīng)區(qū)和第二觸控感應(yīng)區(qū)均包括相互連通的第一觸控感應(yīng)子區(qū)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)。
[0006]進一步地，所述第一觸控感應(yīng)子區(qū)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)均包括相互連通的第一 8邊形ITO區(qū)塊和第二 8邊形ITO區(qū)塊。
[0007]更進一步地，所述第一觸控感應(yīng)子區(qū)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)包括相互對稱的第一獨立ITO區(qū)塊和第二獨立ITO區(qū)塊。
[0008]更進一步地，所述第一獨立ITO區(qū)塊和第二獨立ITO區(qū)塊均包括3個獨立三角形ITO區(qū)塊和I個獨立菱形ITO區(qū)塊。
[0009]本發(fā)明的有益效果:
[0010]本發(fā)明將基本的菱形圖案進行分解，根據(jù)玻璃與空氣的折射率不同在圖形上進行了相應(yīng)的角度處理，有效的降低了光學(xué)折射導(dǎo)致圖形顯現(xiàn)的概率，提高了用戶對觸控屏畫面的體驗感覺；本發(fā)明采用大量獨立的ITO區(qū)塊設(shè)計，減小了感應(yīng)通道的阻抗，增強了每個節(jié)點空間耦合電容，不僅增強了整體信噪比，還減弱了懸空操作下感應(yīng)量的衰減，有效的提升了用戶的觸控體驗。
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明的一種感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)；
[0012]圖2為本發(fā)明一種感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)應(yīng)用于觸控面板的實施例1 ;
[0013]圖3為本發(fā)明一種感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)應(yīng)用于觸控面板的實施例2 ;
[0014]其中，1-感應(yīng)銦錫氧化物層，1.1-感應(yīng)銦錫氧化物子單元，1.2-第一觸控感應(yīng)區(qū)，1.3-第二觸控感應(yīng)區(qū)，1.4-第一觸控感應(yīng)子區(qū)，1.5-第二觸控感應(yīng)子區(qū)，1.6-第一 8邊形ITO區(qū)塊，1.7-第二 8邊形ITO區(qū)塊，1.8-第一獨立ITO區(qū)塊，1.9-第二獨立ITO區(qū)塊。
【具體實施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明:
[0016]如圖1所示，本發(fā)明公開的一種應(yīng)用于觸控屏的感應(yīng)銦錫氧化物層，它包括并排或并列布置的多個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)，其中每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.D都包括相互垂直的第一觸控感應(yīng)區(qū)(1.2)和第二觸控感應(yīng)區(qū)(1.3);所述第一觸控感應(yīng)區(qū)(1.2)和第二觸控感應(yīng)區(qū)(1.3)均包括相互連通的第一觸控感應(yīng)子區(qū)(1.4)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)(1.5)，所述第一觸控感應(yīng)子區(qū)(1.4)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)(1.5)相互對稱。
[0017]上述技術(shù)方案中，所述第一觸控感應(yīng)子區(qū)(1.4)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)(1.5)均包括相互連通的第一 8邊形ITO區(qū)塊(1.6)和第二 8邊形ITO區(qū)塊(1.7)，所述第一 8邊形ITO區(qū)塊(1.6)和第二 8邊形ITO區(qū)塊(1.7)相互對稱。
[0018]上述技術(shù)方案中，所述第一觸控感應(yīng)子區(qū)(1.4)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)(1.5)包括相互對稱的第一獨立ITO區(qū)塊(1.8)和第二獨立ITO區(qū)塊(1.9)，所述第一獨立ITO區(qū)塊(1.8)和第二獨立ITO區(qū)塊(1.9)相互對稱。
[0019]上述技術(shù)方案中，所述第一獨立ITO區(qū)塊(1.8)和第二獨立ITO區(qū)塊(1.9)均包括3個獨立三角形ITO區(qū)塊和I個獨立菱形ITO區(qū)塊。
[0020]上述技術(shù)方案中，所述三角形ITO區(qū)塊為等腰三角形ITO區(qū)塊。
[0021]上述方案采用大量分立的ITO區(qū)塊結(jié)構(gòu)設(shè)計，與非分立式設(shè)計相比，上述方案減小了阻抗并增加了空間耦合電容，可以更大程度的適用于驅(qū)動能力較弱的電容式觸控芯片，同時使充放電時的衰減量減小，減小了近端和遠端的電荷差異，對電容式觸控芯片的校正能力需求有所降低，并且使觸控面板整面更為平整，操作性更好。
[0022]上述技術(shù)方案中，所述每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)之間的間距為4mm-8mm，所述每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)內(nèi)部各ITO區(qū)塊之間的間距為20 μπι-400 μπι。
[0023]上述技術(shù)方案中每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)及每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)內(nèi)部各ITO區(qū)塊之間間距的上限是根據(jù)電容式驅(qū)動芯片能力的上限進行電容、電阻設(shè)計，下限是根據(jù)當(dāng)前工藝制程適用于量產(chǎn)的穩(wěn)定制造極限進行規(guī)范，從而使符合改范圍內(nèi)的設(shè)計均可進行正常操作。
[0024]上述技術(shù)方案中，所述每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)的發(fā)射線、接收線之間跨橋的寬度為10 μ m-300 μ m，其中，接收線是指第一觸控感應(yīng)區(qū)(1.2)中的4個8邊形ITO區(qū)塊，發(fā)射線是指第二觸控感應(yīng)區(qū)(1.3)中的4個8邊形ITO區(qū)塊。
[0025]由于觸控屏中玻璃蓋板或玻璃層的折射率與空氣不同導(dǎo)致對消影制程有較高的要求，上述技術(shù)方案通過對圖形的更改，根據(jù)折射率相對情況在某些特殊的全反射角度下對圖形進行改良，使之形成變化，避開全反射效應(yīng)，從而有效的降低了光學(xué)折射導(dǎo)致圖形顯現(xiàn)的概率，提高了用戶對觸控屏畫面的體驗感覺。
[0026]—種使用上述感應(yīng)銦錫氧化物層制作觸控屏的實施例1，如圖2所示，該觸控屏包括玻璃蓋板、感應(yīng)銦錫氧化物層(I)和驅(qū)動銦錫氧化物層，其中驅(qū)動銦錫氧化物層的頂面貼合感應(yīng)銦錫氧化物層(I)，感應(yīng)銦錫氧化物層(I)的頂面貼合玻璃蓋板。
[0027]—種使用上述感應(yīng)銦錫氧化物層制作觸控屏的實施例2，如圖3所示，該觸控屏包括玻璃蓋板、光學(xué)膠層、感應(yīng)銦錫氧化物層(I)、驅(qū)動銦錫氧化物層和玻璃層，其中玻璃層的頂面貼合驅(qū)動銦錫氧化物層，驅(qū)動銦錫氧化物層的頂面貼合感應(yīng)銦錫氧化物層(I)，感應(yīng)銦錫氧化物層(I)的頂面貼合光學(xué)膠層，光學(xué)膠層的頂面貼合玻璃蓋板。
[0028]本說明書未作詳細描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
【主權(quán)項】
1.一種感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括并排或并列布置的多個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)，所述每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)均包括相互垂直的第一觸控感應(yīng)區(qū)(1.2)和第二觸控感應(yīng)區(qū)(1.3);所述第一觸控感應(yīng)區(qū)(1.2)和第二觸控感應(yīng)區(qū)(1.3)均包括相互連通的第一觸控感應(yīng)子區(qū)(1.4)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)(1.5)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一觸控感應(yīng)子區(qū)(1.4)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)(1.5)相互對稱。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一觸控感應(yīng)子區(qū)(1.4)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)(1.5)均包括相互連通的第一 8邊形ITO區(qū)塊(1.6)和第二 8邊形ITO區(qū)塊(1.7) ο4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一8邊形ITO區(qū)塊(1.6)和第二 8邊形ITO區(qū)塊(1.7)相互對稱。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一觸控感應(yīng)子區(qū)(1.4)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)(1.5)包括相互對稱的第一獨立ITO區(qū)塊(1.8)和第二獨立ITO區(qū)塊(1.9) ο6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一獨立ITO區(qū)塊(1.8)和第二獨立ITO區(qū)塊(1.9)相互對稱。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一獨立ITO區(qū)塊(1.8)和第二獨立ITO區(qū)塊(1.9)均包括3個獨立三角形ITO區(qū)塊和I個獨立菱形ITO區(qū)塊。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述三角形ITO區(qū)塊為等腰三角形ITO區(qū)塊。9.根據(jù)權(quán)利要求1?8任意一項所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)之間的間距為4mm-8mm。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元(1.1)內(nèi)部各ITO區(qū)塊之間的間距為20 μπι-400 μπι。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種感應(yīng)銦錫氧化物層的布線結(jié)構(gòu)，它包括并排或并列布置的多個感應(yīng)銦錫氧化物子單元，所述每個感應(yīng)銦錫氧化物子單元均包括相互垂直的第一觸控感應(yīng)區(qū)和第二觸控感應(yīng)區(qū)；所述第一觸控感應(yīng)區(qū)和第二觸控感應(yīng)區(qū)均包括相互連通的第一觸控感應(yīng)子區(qū)和第二觸控感應(yīng)子區(qū)。本發(fā)明通過改變菱形ITO圖形折射角的方式以降低光學(xué)折射導(dǎo)致圖形顯現(xiàn)的概率，同時采用大量獨立ITO區(qū)塊增強耦合電容減小阻抗，能大幅提高信噪比和懸空感應(yīng)的靈敏度。
【IPC分類】G06F3/044
【公開號】CN105068704
【申請?zhí)枴緾N201510524549
【發(fā)明人】游健超
【申請人】武漢精測電子技術(shù)股份有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年8月25日