一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]Raid在收到磁盤拔出事件時(shí)，將進(jìn)入降級(jí)或者失效狀態(tài)。
[0003]傳統(tǒng)的磁盤拔出都是物理上的拔出事件。首先通過磁盤監(jiān)控技術(shù)比如smart工具來監(jiān)測(cè)磁盤健康狀態(tài)，當(dāng)發(fā)現(xiàn)磁盤即將損壞或已經(jīng)損壞，通過告警模塊通知人工替換。損壞的磁盤拔出必須通過人工進(jìn)行，進(jìn)而OS監(jiān)測(cè)到磁盤硬件拔出，產(chǎn)生事件通知，由Raid的事件通知層通知到Raid。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:
[0005]1.必須在磁盤即將損壞的時(shí)間片區(qū)內(nèi)及時(shí)通知到人，由人手動(dòng)拔出磁盤。若磁盤監(jiān)控或人工處理不及時(shí)導(dǎo)致磁盤已經(jīng)損壞，則會(huì)導(dǎo)致大量數(shù)據(jù)錯(cuò)誤；
[0006]2.手工拔出磁盤事件通知到Raid時(shí)間周期較長，需要秒級(jí)時(shí)間。
[0007]由OS監(jiān)測(cè)到磁盤硬件拔出，產(chǎn)生塊設(shè)備plugout事件的時(shí)間是秒級(jí)的，在處理大量1的情況下，秒級(jí)的延遲將產(chǎn)生大量的1錯(cuò)誤，要屏蔽掉這些錯(cuò)誤，Raid的錯(cuò)誤retry需要設(shè)置到秒級(jí)，導(dǎo)致磁盤拔出那個(gè)時(shí)間點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生秒級(jí)的1停頓(重試)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的方法及裝置，自動(dòng)發(fā)現(xiàn)磁盤錯(cuò)誤并自動(dòng)通知Raid磁盤拔出，可以提高Raid的健壯性，減少非自動(dòng)化的錯(cuò)誤，同時(shí)還和即刻發(fā)現(xiàn)磁盤物理拔出方法相結(jié)合，使得物理拔出磁盤事件在有1的時(shí)候立即通知到Raid，消除磁盤拔出那個(gè)時(shí)間點(diǎn)可能的1停頓。
[0009]本發(fā)明提供了一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的方法，該方法包括:
[0010]建立虛擬磁盤層VSD，所述VSD將磁盤陣列Raid的幾何空間劃分為保留區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述保留區(qū)包括超級(jí)塊區(qū)、位圖bitmap索引區(qū)、壞塊重定向索引區(qū)和壞塊重定向數(shù)據(jù)區(qū)；
[0011]在壞塊重定向過程中，所述虛擬磁盤層VSD實(shí)時(shí)檢測(cè)所述壞塊重定向數(shù)據(jù)區(qū)的磁盤壞塊數(shù)量，當(dāng)所述磁盤壞塊數(shù)量超出設(shè)定閾值時(shí)，通知所述Raid磁盤拔出；
[0012]在執(zhí)行讀寫操作時(shí)，所述虛擬磁盤層VSD實(shí)時(shí)檢測(cè)所述讀寫操作是否有錯(cuò)誤碼返回，當(dāng)所述錯(cuò)誤碼為磁盤介質(zhì)錯(cuò)誤時(shí)，通知所述Raid磁盤拔出。
[0013]優(yōu)選地，所述設(shè)定閾值小于等于所述Raid實(shí)際可容忍的壞塊數(shù)量。
[0014]優(yōu)選地，所述通知所述Raid磁盤拔出具體為:通過調(diào)用內(nèi)部接口啟動(dòng)預(yù)設(shè)線程執(zhí)行，通知所述Raid磁盤拔出。
[0015]優(yōu)選地，所述內(nèi)部接口啟動(dòng)所述預(yù)設(shè)線程執(zhí)行時(shí)，若所述預(yù)設(shè)線程還沒有執(zhí)行完畢，則返回，否則啟動(dòng)所述預(yù)設(shè)線程執(zhí)行。
[0016]優(yōu)選地，所述內(nèi)部接口與磁盤物理拔出時(shí)所調(diào)用的底層接口相同。
[0017]相應(yīng)的，本發(fā)明還提出了一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的裝置，所述裝置包括:
[0018]VSD建立模塊，用于建立虛擬磁盤層VSD，所述VSD將磁盤陣列Raid的幾何空間劃分為保留區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述保留區(qū)包括超級(jí)塊區(qū)、位圖bitmap索引區(qū)、壞塊重定向索引區(qū)和壞塊重定向數(shù)據(jù)區(qū)；
[0019]第一檢測(cè)模塊，用于在壞塊重定向過程中，所述虛擬磁盤層VSD實(shí)時(shí)檢測(cè)所述壞塊重定向數(shù)據(jù)區(qū)的磁盤壞塊數(shù)量，當(dāng)所述磁盤壞塊數(shù)量超出設(shè)定閾值時(shí)，通知所述Raid磁盤拔出；
[0020]第二檢測(cè)模塊，用于在執(zhí)行讀寫操作時(shí)，所述虛擬磁盤層VSD實(shí)時(shí)檢測(cè)所述讀寫操作是否有錯(cuò)誤碼返回，當(dāng)所述錯(cuò)誤碼為磁盤介質(zhì)錯(cuò)誤時(shí)，通知所述Raid磁盤拔出。
[0021]優(yōu)選地，所述設(shè)定閾值小于等于所述Raid實(shí)際可容忍的壞塊數(shù)量。
[0022]采用本發(fā)明提出的一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的方法及裝置，通過在VSD壞塊重定向功能的基礎(chǔ)上，主動(dòng)發(fā)現(xiàn)磁盤不可用；在VSD執(zhí)行1返回錯(cuò)誤時(shí)，若是磁盤介質(zhì)錯(cuò)誤等相關(guān)的錯(cuò)誤碼，則主動(dòng)發(fā)現(xiàn)磁盤不可用；采用統(tǒng)一的、內(nèi)核進(jìn)程上下文的不可重入的接口來通知磁盤陣列Raid，與磁盤物理拔出調(diào)用相同的底層接口，使得本發(fā)明能自動(dòng)發(fā)現(xiàn)磁盤錯(cuò)誤并自動(dòng)通知Raid磁盤拔出，提高了 Raid的健壯性，減少非自動(dòng)化的錯(cuò)誤。物理拔出磁盤事件在有1的時(shí)候立即通知到Raid，消除磁盤拔出那個(gè)時(shí)間點(diǎn)可能的1停頓。
【附圖說明】
[0023]通過參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0024]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提出的一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的方法流程圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中提出的vsd_plugout_bbr接口函數(shù)的工作流程圖；
[0026]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提出的一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的裝置模塊圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提出的一種基于虛擬磁盤層的檢測(cè)Raid磁盤拔出的方法流程圖，如圖1所示，該方法包括以下步驟:
[0029]SlOl，建立虛擬磁盤層VSD，所述VSD將磁盤陣列Raid的幾何空間劃分為保留區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述保留區(qū)包括超級(jí)塊區(qū)、位圖bitmap索引區(qū)、壞塊重定向索引區(qū)和壞塊重定向數(shù)據(jù)區(qū)等；
[0030]S102，在壞塊重定向過程中，所述虛擬磁盤層VSD實(shí)時(shí)檢測(cè)所述壞塊重定向數(shù)據(jù)區(qū)的磁盤壞塊數(shù)量，當(dāng)所述磁盤壞塊數(shù)量超出設(shè)定閾值時(shí)，通知所述Raid磁盤拔出。其中，所述設(shè)定閾值小于等于所述Raid實(shí)際可容忍的壞塊數(shù)量。
[0031]S103，在執(zhí)行讀寫操作時(shí)，所述虛擬磁盤層VSD實(shí)時(shí)檢測(cè)所述讀寫操作是否有錯(cuò)誤碼返回，當(dāng)所述錯(cuò)誤碼為磁盤介質(zhì)錯(cuò)誤時(shí)，通知所述Raid磁盤拔出。
[0032]其中，步驟S102和步驟S103中，通知所述Raid磁盤拔出具體為:通過調(diào)用內(nèi)部接口啟動(dòng)預(yù)設(shè)線程執(zhí)行，通知所述Raid磁盤拔出。所述內(nèi)部接口啟動(dòng)所述預(yù)設(shè)線程執(zhí)行時(shí)，若所述預(yù)設(shè)線程還沒有執(zhí)行完畢，則返回，否則啟動(dòng)所述預(yù)設(shè)線程執(zhí)行。本發(fā)明實(shí)施例中，通過調(diào)用vsd_plugout_bbr接口啟動(dòng)一個(gè)新線程執(zhí)行特定VSD對(duì)象的plugout，當(dāng)時(shí)啟動(dòng)新線程執(zhí)行時(shí)，若之前的線程還在執(zhí)行，則返回。
[0033]其中，所述內(nèi)部接口與磁盤物理拔出時(shí)所調(diào)用的底層接口相同。采用統(tǒng)一的、內(nèi)核進(jìn)程上下文的不可重入的接口來通知磁盤陣列Raid，與磁盤物理拔出調(diào)用相同的底層接口，使得本發(fā)明能自動(dòng)發(fā)現(xiàn)磁盤錯(cuò)誤并自動(dòng)通知Raid磁盤拔出，提高了 Raid的健壯性，減少非自動(dòng)化的錯(cuò)誤。物理拔出磁盤事件在有1的時(shí)候立即通知到Raid，消除磁盤拔出那個(gè)時(shí)間點(diǎn)可能的1停頓。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例，為了讓磁盤陣列raid更好的記錄各種狀態(tài)，適應(yīng)各種磁盤，本發(fā)明引入了虛擬磁盤Virtual Storage Disk層，簡(jiǎn)稱VSD。VSD將磁盤的幾何空間做了重新劃分，分為保留區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)。保留區(qū)由超級(jí)塊區(qū)，bitmap索引區(qū)，壞塊重定向索引區(qū)，壞塊重定向數(shù)據(jù)區(qū)等組成。在VSD層實(shí)現(xiàn)了支持雙控制器的高效的壞塊重定向功能，與具體操作系統(tǒng)OS，磁盤Disk無關(guān)，具有很高的兼容性和擴(kuò)展性。VSD在壞塊重定向過程中發(fā)現(xiàn)重定向數(shù)據(jù)塊區(qū)即將滿了，則可斷定該磁盤不可用了(壞塊個(gè)數(shù)超過了可以容忍的值)，這時(shí)可以