9.一種計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，用于為電腦動(dòng)畫角色計(jì)算皮膚變形，所述方法包括: 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來訪問角色裝配，所述角色裝配表示動(dòng)畫角色并包括多個(gè)多點(diǎn)偏移采樣(MOS)變換和多個(gè)MOS最高點(diǎn)； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來為多個(gè)MOS最高點(diǎn)中的一個(gè)MOS最高點(diǎn)確定凸起皮膚變形的凸起量，其中針對(duì)該MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形由多個(gè)MOS變換的一個(gè)MOS變換控制，而且其中凸起量表示所述MOS最高點(diǎn)與扭曲軸之間的距離，該扭曲軸介于所述多個(gè)MOS變換中的所述MOS變換和鄰接MOS變換之間； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來確定與扭曲軸正交的一個(gè)矢量，其中所述矢量通過所述MOS最尚點(diǎn)和所述扭曲軸；以及 通過一個(gè)或多個(gè)處理器根據(jù)所確定的凸起量和所確定的矢量來確定所述MOS最高點(diǎn)的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中為所述MOS最高點(diǎn)確定凸起量包括確定MOS變換的定向，而且其中凸起量取決于所述MOS變換的所確定的定向。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中MOS最高點(diǎn)通過附接矢量與扭曲軸關(guān)聯(lián)，所述附接矢量與曲線不正交。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述MOS最高點(diǎn)的所確定的位置是沿所述矢量的與扭曲軸相距的距離等于凸起量的位置。
13.—種非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括用于為電腦動(dòng)畫角色配置皮膚變形的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令包括用于下述步驟的指令: 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來訪問角色裝配，所述角色裝配表示動(dòng)畫角色而且包括多個(gè)多點(diǎn)偏移采樣(MOS)變換和多個(gè)MOS最高點(diǎn)； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來接收對(duì)多個(gè)MOS變換中的MOS變換的選擇，其中多個(gè)MOS最高點(diǎn)中的至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形由所選的MOS變換控制；以及 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來接收分配給所選的MOS變換的基準(zhǔn)矢量的定向，其中至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形的凸起方向取決于基準(zhǔn)矢量的定向。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令還包括用于通過一個(gè)或多個(gè)處理器利用基準(zhǔn)矢量的定向來計(jì)算至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形的指令。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)包括內(nèi)凸起值、外凸起值和側(cè)凸起值，而且其中計(jì)算至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形包括根據(jù)內(nèi)凸起值、外凸起值、側(cè)凸起值以及基準(zhǔn)矢量的定向來計(jì)算凸起量和凸起方向。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中基準(zhǔn)矢量的定向包括對(duì)照所選的MOS變換的定向參考的一組三維坐標(biāo)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中角色裝配進(jìn)一步包括: 處于所選MOS變換和第一鄰接MOS變換之間的第一扭曲軸；以及 處于所選MOS變換和第二鄰接MOS變換之間的第二扭曲軸，其中基準(zhǔn)矢量與第一扭曲軸和第二扭曲軸的對(duì)分不重疊。
18.—種非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括用于為電腦動(dòng)畫角色計(jì)算皮膚變形的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令包括用于下述步驟的指令: 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來訪問角色裝配，所述角色裝配表示動(dòng)畫角色并且包括多個(gè)多點(diǎn)偏移采樣(MOS)變換和多個(gè)MOS最高點(diǎn)； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來接收對(duì)多個(gè)MOS最高點(diǎn)中的一個(gè)MOS最高點(diǎn)的選擇； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來接收對(duì)多個(gè)MOS變換中的兩個(gè)或更多MOS變換的選擇； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來接收用于將被應(yīng)用至所選MOS最高點(diǎn)的皮膚變形的值，其中所述皮膚變形由所選的兩個(gè)或更多MOS變換控制； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來接收用于所述兩個(gè)或更多MOS變換中的每個(gè)的權(quán)重值，其中權(quán)重值表示所述兩個(gè)或更多MOS變換中的每個(gè)貢獻(xiàn)至皮膚變形的相對(duì)量；以及 通過一個(gè)或多個(gè)處理器根據(jù)用于皮膚變形的值和用于兩個(gè)或更多MOS變換的權(quán)重值來計(jì)算用于所選MOS最高點(diǎn)的皮膚變形。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中皮膚變形包括凸起操作或滑動(dòng)操作。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中根據(jù)用于皮膚變形的值和用于兩個(gè)或更多MOS變換的權(quán)重值來計(jì)算用于所選MOS最高點(diǎn)的皮膚變形包括: 通過一個(gè)或多個(gè)處理器通過使用于皮膚變形的值乘以各個(gè)權(quán)重值來針對(duì)所述兩個(gè)或更多MOS變換中的每個(gè)確定皮膚變形貢獻(xiàn)；以及計(jì)算所確定的皮膚變形貢獻(xiàn)之和。
21.—種非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括用于為電腦動(dòng)畫角色計(jì)算皮膚變形的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令包括用于下述步驟的指令: 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來訪問角色裝配，所述角色裝配表示動(dòng)畫角色并包括多個(gè)多點(diǎn)偏移采樣(MOS)變換和多個(gè)MOS最高點(diǎn)； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來為多個(gè)MOS最高點(diǎn)中的一個(gè)MOS最高點(diǎn)確定凸起皮膚變形的凸起量，其中針對(duì)該MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形由多個(gè)MOS變換的一個(gè)MOS變換控制，而且其中凸起量表示所述MOS最高點(diǎn)與扭曲軸之間的距離，該扭曲軸介于所述多個(gè)MOS變換中的所述MOS變換和鄰接MOS變換之間； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來確定與扭曲軸正交的一個(gè)矢量，其中所述矢量通過所述MOS最尚點(diǎn)和所述扭曲軸；以及 通過一個(gè)或多個(gè)處理器根據(jù)所確定的凸起量和所確定的矢量來確定所述MOS最高點(diǎn)的位置。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中為所述MOS最高點(diǎn)確定凸起量包括確定MOS變換的定向，而且其中凸起量取決于所述MOS變換的所確定的定向。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中MOS最高點(diǎn)通過附接矢量與扭曲軸關(guān)聯(lián)，所述附接矢量與曲線不正交。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述MOS最高點(diǎn)的所確定的位置是沿所述矢量的與扭曲軸相距的距離等于凸起量的位置。
25.一種用于為電腦動(dòng)畫角色配置皮膚變形的系統(tǒng)，所述設(shè)備包括: 處理器，其被配置成: 訪問角色裝配，角色裝配表示動(dòng)畫角色而且包括多個(gè)多點(diǎn)偏移采樣(MOS)變換和多個(gè)MOS最高點(diǎn)； 接收對(duì)多個(gè)MOS變換中的MOS變換的選擇，其中多個(gè)MOS最高點(diǎn)中的至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形由所選的MOS變換控制；以及 接收分配給所選的MOS變換的基準(zhǔn)矢量的定向，其中至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形的凸起方向取決于基準(zhǔn)矢量的定向。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中處理器進(jìn)一步被配置成利用基準(zhǔn)矢量的定向來計(jì)算至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)包括內(nèi)凸起值、外凸起值和側(cè)凸起值，而且其中計(jì)算至少一個(gè)MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形包括根據(jù)內(nèi)凸起值、夕卜凸起值、側(cè)凸起值以及基準(zhǔn)矢量的定向來計(jì)算凸起量和凸起方向。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中基準(zhǔn)矢量的定向包括對(duì)照所選的MOS變換的定向參考的一組三維坐標(biāo)。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中角色裝配進(jìn)一步包括: 處于所選MOS變換和第一鄰接MOS變換之間的第一扭曲軸；以及處于所選MOS變換和第二鄰接MOS變換之間的第二扭曲軸，其中基準(zhǔn)矢量與第一扭曲軸和第二扭曲軸的對(duì)分不重疊。
30.一種用于為電腦動(dòng)畫角色計(jì)算皮膚變形的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 處理器，其被配置成: 訪問角色裝配，所述角色裝配表示動(dòng)畫角色并且包括多個(gè)多點(diǎn)偏移采樣(MOS)變換和多個(gè)MOS最高點(diǎn)； 接收對(duì)多個(gè)MOS最高點(diǎn)中的一個(gè)MOS最高點(diǎn)的選擇； 接收對(duì)多個(gè)MOS變換中的兩個(gè)或更多MOS變換的選擇； 接收用于將被應(yīng)用至所選MOS最高點(diǎn)的皮膚變形的值，其中所述皮膚變形由所選的兩個(gè)或更多MOS變換控制； 接收用于所述兩個(gè)或更多MOS變換中的每個(gè)的權(quán)重值，其中權(quán)重值表示所述兩個(gè)或更多MOS變換中的每個(gè)貢獻(xiàn)至皮膚變形的相對(duì)量；以及 根據(jù)用于皮膚變形的值和用于兩個(gè)或更多MOS變換的權(quán)重值來計(jì)算用于所選MOS最高點(diǎn)的皮膚變形。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中皮膚變形包括凸起操作或滑動(dòng)操作。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中根據(jù)用于皮膚變形的值和用于兩個(gè)或更多MOS變換的權(quán)重值來計(jì)算用于所選MOS最高點(diǎn)的皮膚變形包括: 通過一個(gè)或多個(gè)處理器，通過使用于皮膚變形的值乘以各個(gè)權(quán)重值來針對(duì)所述兩個(gè)或更多MOS變換中的每個(gè)確定皮膚變形貢獻(xiàn)；以及計(jì)算所確定的皮膚變形貢獻(xiàn)之和。
33.一種用于為電腦動(dòng)畫角色計(jì)算皮膚變形的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 處理器，其被配置成: 訪問角色裝配，所述角色裝配表示動(dòng)畫角色并包括多個(gè)多點(diǎn)偏移采樣(MOS)變換和多個(gè)MOS最高點(diǎn)； 多個(gè)MOS最高點(diǎn)中的一個(gè)MOS最高點(diǎn)確定凸起皮膚變形的凸起量，其中針對(duì)該MOS最高點(diǎn)的凸起皮膚變形由多個(gè)MOS變換的一個(gè)MOS變換控制，而且其中凸起量表示所述MOS最高點(diǎn)與扭曲軸之間的距離，該扭曲軸介于所述多個(gè)MOS變換中的所述MOS變換和鄰接MOS變換之間； 確定與扭曲軸正交的一個(gè)矢量，其中所述矢量通過所述MOS最高點(diǎn)和所述扭曲軸；以及 根據(jù)所確定的凸起量和所確定的矢量來確定所述MOS最高點(diǎn)的位置。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其中為所述MOS最高點(diǎn)確定凸起量包括確定MOS變換的定向，而且其中凸起量取決于所述MOS變換的所確定的定向。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其中MOS最高點(diǎn)通過附接矢量與扭曲軸關(guān)聯(lián)，所述附接矢量與曲線不正交。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其中所述MOS最高點(diǎn)的所確定的位置是沿所述矢量的與扭曲軸相距的距離等于凸起量的位置。
37.—種計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，用于為電腦動(dòng)畫角色的多點(diǎn)偏移采樣(MOS)封閉曲線計(jì)算皮膚變形，所述方法包括: 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來訪問MOS封閉曲線，其中所述MOS封閉曲線包括多個(gè)MOS變換，所述多個(gè)MOS變換依次耦接在一起以形成一個(gè)環(huán)路； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來產(chǎn)生所述多個(gè)MOS變換中的第一 MOS變換的復(fù)制的MOS變換，其中所述復(fù)制的MOS變換包括與第一 MOS變換的位置相對(duì)應(yīng)的位置以及與第一 MOS變換的定向相對(duì)應(yīng)的定向； 通過一個(gè)或多個(gè)處理器來為多個(gè)MOS變換中的每個(gè)和復(fù)制的MOS變換計(jì)算基本幀和δ扭曲以及定向；以及 通過一個(gè)或多個(gè)處理器利用計(jì)算出來的基本幀和S扭曲以及定向來計(jì)算皮膚變形，其中用于耦接至第一 MOS變換和鄰接的第二 MOS變換之間的MOS封閉曲線的皮膚最高點(diǎn)的皮膚變形是利用用于復(fù)制的MOS變換和第二 MOS變換的計(jì)算出來的基本幀和δ扭曲以及定向計(jì)算出來的。
【專利摘要】提供了用于執(zhí)行MOS皮膚變形的系統(tǒng)和方法。在一個(gè)示例處理中，MOS變換的內(nèi)矢量可由用戶手動(dòng)配置。在另一示例處理中，滑動(dòng)/凸起操作可被配置成取決于兩個(gè)或更多MOS變換。每個(gè)MOS變換可被分配有權(quán)重，其表示變換對(duì)整個(gè)滑動(dòng)/凸起的貢獻(xiàn)。在另一示例處理中，用于MOS最高點(diǎn)的凸起操作可在與附接MOS曲線正交的方向上執(zhí)行，而不管附接矢量的方向如何。在另一示例處理中，重影變換可被插入MOS封閉曲線并用來計(jì)算與MOS封閉曲線的第一變換相關(guān)的皮膚變形。
【IPC分類】G06T13-40
【公開號(hào)】CN104751504
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410854697
【發(fā)明人】M·R·魯賓, R·L·赫爾姆斯, A·D·格雷戈里, P·D·法森, M·C·龔, M·S·哈欽森
【申請(qǐng)人】夢(mèng)工廠動(dòng)畫公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2014年12月31日
【公告號(hào)】EP2889843A2, US20150187113