觸控顯示設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是關(guān)于一種觸控顯示設(shè)備，尤其指一種能預防內(nèi)部靜電擊傷黑色矩陣現(xiàn)象 的觸控顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，隨著操作人性化、簡潔化的發(fā)展趨勢，帶有觸控面板的觸控顯示設(shè)備被越 來越廣泛地應(yīng)用于生產(chǎn)及生活中。由于用戶可以通過直接用手或者其他物體接觸觸控顯示 設(shè)備的方式輸入訊號，從而減少甚至消除用戶對其他輸入設(shè)備（如鍵盤、鼠標、遙控器等） 的依賴，大大方便了用戶的操作。
[0003] 觸控面板技術(shù)可由訊號產(chǎn)生原理、感測技術(shù)、屏幕組裝方式等三大面向區(qū)分不 同種類。依訊號產(chǎn)生原理不同，可區(qū)分為數(shù)字式及模擬式：數(shù)字式觸控訊號是采用透明 IT0(IndiumTinOxide;銦錫氧化物）導電薄膜，在透明導電玻璃上依X、Y軸方向分布導 線，在線路交錯處形成開關(guān)，按壓時就感應(yīng)觸碰訊號；而模擬式觸控原理與數(shù)字式的差別是 于上下層間設(shè)有隔球（dotspacer)，碰觸后上下層電極接通而產(chǎn)生電位差的訊號，再通過 電路把訊號傳給控制器，以處理和計算觸碰點的坐標位置。再者，觸控面板技術(shù)若依感測 技術(shù)、制作技術(shù)及制作技術(shù)不同可區(qū)分為電訊號（包含電阻式、電容式、電磁式等）、光訊號 (包含紅外線式等）、及聲訊號（包含表面聲波式、聲波導式、色散信號式、聲脈沖式等）。
[0004] 然而，在觸控面板的制造過程中，后制作工藝溫度會使黑色矩陣（black matrix，BM)材質(zhì)發(fā)生碳化的現(xiàn)象，造成黑色矩陣的電阻降低，產(chǎn)生些微的導電性。在此情 況下，在電極區(qū)域中，表面曲率半徑較小或尖角的部分，即較窄小的部分，其電荷密度跟電 場強度就越高。因此，當電荷持續(xù)累積，形成大電壓差，將導致靜電放電（electro-static discharge，ESD)進而擊傷黑色矩陣，最終引發(fā)面內(nèi)漏光或短路問題。
[0005] 由此，目前亟需發(fā)展一種觸控顯示設(shè)備，在電極區(qū)域中避免表面曲率半徑較小或 尖角的設(shè)計，以防止制程中發(fā)生靜電擊傷黑色矩陣的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種觸控顯示設(shè)備，能防止在觸控面板的制造過程中，因 電荷累積在表面曲率半徑較小部分或尖角而造成靜電擊傷黑色矩陣的情形。
[0007] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的觸控顯示設(shè)備，包括：一顯示設(shè)備；以及一觸控面 板，設(shè)置于該顯不設(shè)備的一側(cè)上，其中，該觸控面板包括：一基板；一遮光層，設(shè)置于該基板 與該顯示設(shè)備之間；以及一線路層，設(shè)置于該遮光層與該顯示設(shè)備之間，該線路層包括：一 第一訊號電極，該第一訊號電極具有一第一重迭區(qū)與一第一非重迭區(qū)；以及一第二訊號電 極，該第二訊號電極具有一第二重迭區(qū)與一第二非重迭區(qū)；其中該第一重迭區(qū)和該第二重 迭區(qū)是與該遮光層重迭，且該第一重迭區(qū)和該第二重迭區(qū)間的間距大于該第一非重迭區(qū)和 該第二非重迭區(qū)間的間距。
[0008] 據(jù)此，在本發(fā)明的觸控顯示設(shè)備中，與公知觸控面板相比，因本發(fā)明觸控面板中重 迭區(qū)間的間距設(shè)計較大，電極區(qū)域上的電荷會平均分散，使電荷不易聚集在特定區(qū)域，進而 防止在觸控面板的制造過程中發(fā)生靜電擊傷現(xiàn)象，提高制作工藝良率。
【附圖說明】
[0009] 圖1是本發(fā)明實施例的觸控面板示意圖。
[0010] 圖2是圖1的角落區(qū)域放大圖。
[0011] 圖3是圖2的局部放大圖。
[0012] 圖4A和圖4B是圖3的局部放大圖。
[0013] 圖4C是圖4A的另一實施態(tài)樣示意圖。
[0014] 圖5是圖4A的a-b線段處剖面圖。
[0015] 圖6是本發(fā)明實施例的觸控顯示設(shè)備示意圖。
[0016] 圖7是對照組的觸控顯示設(shè)備的局部放大圖。
[0017] 附圖中主要組件符號說明：
[0018] 100觸控面板，111第一訊號電極，IllA第一非重迭區(qū)，IllAl第一非重迭區(qū)邊緣， 200顯不設(shè)備，300觸控顯不設(shè)備；
[0019] 1感測區(qū)，11線路層，IllB第一重迭區(qū)，IllBl第一重迭區(qū)邊緣，IllC第一連接區(qū)， 112第二訊號電極，112A第二非重迭區(qū)，112A1第二非重迭區(qū)邊緣，112B第二重迭區(qū)，112B1 第二重迭區(qū)邊緣，112C第二連接區(qū)，113虛擬電極，114開口區(qū)，114A開口區(qū)的一端，114B開 口區(qū)的另一端；
[0020] 2邊緣區(qū)，3框架，4接線區(qū)；
[0021] 10基板，101觸控面，20光學薄膜層，21遮光層，30保護層；
[0022] dl、d2、d6間距，d3、d5寬度，d4延伸的距離，d7長度，X間隙寬度方向，y間隙長 度方向。
【具體實施方式】
[0023] 以下是由具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭 示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。此外，本發(fā)明亦可由其他不同具體實施例 加以施行或應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進行各種修飾與變更。
[0024] 實施例
[0025] 圖1是本發(fā)明實施例的觸控面板示意圖。如圖1所示，觸控面板100分為感測區(qū) 1、邊緣區(qū)2、框架3及接線區(qū)4,其中，面板的角落區(qū)域（虛線圈起處）的放大圖如圖2所示。 請參照圖2,觸控面板100的線路層11包含第一訊號電極111、第二訊號電極112、和虛擬電 極113,且線路層11設(shè)置于遮光層21上方，其中，角落區(qū)域（虛線圈起處）的放大圖如圖3 所示；圖3中第一訊號電極111和第二訊號電極112的局部區(qū)域（虛線圈起處）的放大圖 如圖4A所示。
[0026] 請參照圖4A，第一訊號電極111包含第一非重迭區(qū)IllA和第一重迭區(qū)111B，第二 訊號電極112包含第二非重迭區(qū)112A和第二重迭區(qū)112B，第一重迭區(qū)IllB和第二重迭區(qū) 112B對應(yīng)遮光層21，第一重迭區(qū)IllB和第二重迭區(qū)112B間的間距d2大于第一非重迭區(qū) IllA和第二非重迭區(qū)112A間的間距dl。舉例說明，第一非重迭區(qū)IllA和第二非重迭區(qū) 112A間的間距dl-般約為30微米，第一重迭區(qū)IllB和第二重迭區(qū)112B間的間距d2可為 第一非重迭區(qū)IllA和第二非重迭區(qū)112A間的間距dl的1. 5至10倍，較佳為2至5倍；或 者，當?shù)谝环侵氐鼌^(qū)IllA和第二非重迭區(qū)112A間的間距dl依觸控面板尺寸或特定需求而 變化時，第一重迭區(qū)IllB和第二重迭區(qū)112B間的間距d2可為40至300微米，較佳為60至 100微米。于此，在圖4A、圖4B中，x、y方向是以第一非重迭區(qū)IllA和第二非重迭區(qū)112A 的間隙為基準，間隙寬度方向為x，間隙長度方向為y;且x、y方向是互相垂直。
[0027] 并且，由圖4A亦顯示第一非重迭區(qū)IllA與第二非重迭區(qū)112A、和第一重迭區(qū) IllB與第二重迭區(qū)112B之間可還包括：一開口區(qū)114,開口區(qū)114的一部分對應(yīng)遮光層 21，對應(yīng)與未對應(yīng)遮光層21的部分并未特別限制，兩者的面積比例可由本技術(shù)領(lǐng)域的人適 當調(diào)整。其中，開口區(qū)114于第一非重迭區(qū)IllA和第二非重迭區(qū)112A的間隙于方向y上 的寬度d3(S卩，第一和第二非重迭區(qū)111AU12A與第一和第二重迭區(qū)111BU12B在開口區(qū) 114的距離），可為第一非重迭區(qū)IllA和第二非重迭區(qū)112A間的間距dl(-般約為30微 米）的0. 2至2倍，或者寬度d3可為0. 6至60微米；但本發(fā)明并未受限于此。此外，開口 區(qū)114是自第一和第二重迭區(qū)111B、112B的一側(cè)朝一方向延伸，該方向為第一和第二非重 迭區(qū)IllAU12A的間隙寬度方向X，延伸的距離d4可為第一和第二非重迭區(qū)IllAU12A間 的間距dl(-般約為30微米）的3至10倍，或者距離d4可為100至1000微米；但本發(fā)明 亦不在此限。詳細說明：開口區(qū)114自第一重迭區(qū)IllB的一側(cè)朝該方向X延伸的距離d4， 即為第一重迭區(qū)IllB的該側(cè)至開口區(qū)114的一側(cè)114A的距離，開口區(qū)114的該側(cè)114A是 位于第一非重迭區(qū)IllA和第一重迭區(qū)IllB之間；同理，開口區(qū)114自第二重迭區(qū)112B的 一側(cè)朝該方向X延伸的距離d4,即為第二重迭區(qū)112B的該側(cè)至開口區(qū)114的另一側(cè)114B 的距離，開口區(qū)114的另一側(cè)114B是對應(yīng)該側(cè)114A、并位于第二非重迭區(qū)112A和第二 重迭區(qū)112B之間。在設(shè)置開口區(qū)114的情況下，可量測開口區(qū)114的長度d7,其應(yīng)約為： 兩倍d4距離（即第一重迭區(qū)IllB的一側(cè)、第二重迭區(qū)112B的一側(cè)分別朝該方向X延伸的 距離d4)、與第一和第二重迭區(qū)111B，112B間的間距d2的總和。<