觸控面板的工藝方法、觸控面板結(jié)構(gòu)及其觸控裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種觸控面板結(jié)構(gòu)及工藝方法，特別是有關(guān)于一種可降低強(qiáng)化液侵蝕到感測層機(jī)會的觸控面板的工藝方法、觸控面板結(jié)構(gòu)及其觸控裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]單片玻璃式(One Glass Solut1n，0GS)觸控面板是指在玻璃上先涂布黑色矩陣(Black Matrix, BM)光阻做出裝飾圖案，其后在濺鍍上一層氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜并加工出特殊有目的性的圖案，在其表面上建立一有目的性的電場特性，利用感應(yīng)人體微弱電流的方式來達(dá)到觸控的目的，此做法減少了原本保護(hù)玻璃與感測器玻璃對貼的工藝，進(jìn)而降低了成本。
[0003]請參閱圖1Α，是目前觸控面板在工藝階段的一第一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，目前觸控面板在工藝階段的結(jié)構(gòu)I基本上會包含一基材11、一裝飾層12、一電極層13、一保護(hù)層14。其中裝飾層12常做出裝飾圖案比成品尺寸退若干距離的邊緣設(shè)計(如圖中的空白區(qū)域111)，其是因觸控面板常有切割需求，所以會留有此空白區(qū)域111。
[0004]請參閱圖1Β，是目前觸控面板在工藝階段的一第二實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，觸控面板在工藝階段進(jìn)一步包含阻隔膜15。一般來說，基材在二次強(qiáng)化的工藝過程中，其原理是利用內(nèi)含氫氟酸(Hydrofluoric acid, HF)等混合液,使玻璃切斷面上的原本銳利尖刺狀的微小碎裂變成為平緩的較大凸塊，提升玻璃平均強(qiáng)度；其在二次強(qiáng)化過程中強(qiáng)化液16僅對玻璃切斷面作用，完成后撕除阻隔膜15。而在此一【背景技術(shù)】中，其是將阻隔膜15黏著力提高，利用膠的黏著力克服斷差，避免強(qiáng)化液侵蝕黑色矩陣光阻12 ;然而，此種方式在工藝完成后撕除阻隔膜15時，易造成基材11上的氧化銦錫電極13或保護(hù)層14 一并遭到撕起，造成外觀或電性上的異常。
[0005]請參閱圖1C，是目前觸控面板在工藝階段的一第三實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，在此一【背景技術(shù)】中，其是將空白區(qū)域111加大以增加阻隔膜15服貼性，但此設(shè)計會讓使用者明顯看出邊緣的空白區(qū)域111，且過多的空白區(qū)域也影響基板的使用面積，增加材料成本。
[0006]請參閱圖1D，是目前觸控面板在工藝階段的一第四實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，在此一【背景技術(shù)】中，其是將保護(hù)層14覆蓋面積加大，讓更多的保護(hù)層14作為黑色矩陣光阻12的防護(hù)，但此設(shè)計無法估計強(qiáng)化液16對保護(hù)層14的損傷程度，而當(dāng)阻隔膜15撕除時也可能會將保護(hù)層14下的黑色矩陣光阻12 —并撕除造成外觀上的異常。
[0007]因此，如何克服上述種種問題，實(shí)是一值得深究的課題，故設(shè)計一種理想的觸控面板的工藝方法、觸控面板結(jié)構(gòu)及其觸控裝置，以有效降低強(qiáng)化液侵蝕到黑色矩陣光阻的機(jī)會，已成市場應(yīng)用上的一個刻不容緩的議題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]有鑒于上述已知技藝的問題，本發(fā)明的目的就是在提供一種觸控面板的工藝方法、觸控面板結(jié)構(gòu)及其觸控裝置，以解決目前單片玻璃式觸控面板在二次強(qiáng)化工藝時，感測層易遭二次強(qiáng)化液侵蝕的問題。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種觸控面板的工藝方法，包含:提供一基材；將一感測層及一阻隔層的一面設(shè)置在該基材的一表面上，且該感測層及該阻隔層之間具有一間距；設(shè)置一第一阻隔膜在該基材的另一表面上，及設(shè)置一第二阻隔膜在該感測層及該阻隔層的另一面上；執(zhí)行一強(qiáng)化基材工藝；以及移除該第一阻隔膜及該第二阻隔膜。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的目的，再提出一種觸控面板結(jié)構(gòu)，適用于一強(qiáng)化基材工藝，其中該強(qiáng)化基材工藝包括:設(shè)置一第一阻隔膜及一第二阻隔膜于該觸控面板結(jié)構(gòu)的上下兩表面，并于該強(qiáng)化基材工藝的過程后，移除該第一阻隔膜及該第二阻隔膜，該觸控面板結(jié)構(gòu)包含:一基材、一感測層及一阻隔層。該感測層設(shè)置在該基材的一表面上。該阻隔層設(shè)置在該基材的該表面上，用于該強(qiáng)化基材工藝中，與等該阻隔膜相接，且與該感測層之間具有一間距。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的目的，又提出一種觸控裝置，包含一觸控面板結(jié)構(gòu)，該適用于一強(qiáng)化基材工藝，其中該強(qiáng)化基材工藝包括:設(shè)置一第一阻隔膜及一第二阻隔膜于該觸控面板結(jié)構(gòu)的上下兩表面，并于該強(qiáng)化基材工藝的過程后，移除該第一阻隔膜及該第二阻隔膜，該觸控面板結(jié)構(gòu)包含:一基材、一感測層及一阻隔層。該感測層設(shè)置在該基材的一表面上。該阻隔層設(shè)置在該基材的該表面上，用于該強(qiáng)化基材工藝中，與等該阻隔膜相接，且與該感測層之間具有一間距。
[0012]本發(fā)明的有益技術(shù)效果在于:通過本發(fā)明可有效降低強(qiáng)化液侵蝕到黑色矩陣光阻的機(jī)會，解決了目前單片玻璃式觸控面板在二次強(qiáng)化工藝時，感測層易遭二次強(qiáng)化液侵蝕的問題。
[0013]本發(fā)明前述各方面及其它方面依據(jù)下述的非限制性具體實(shí)施例詳細(xì)說明以及參照附隨的附圖將更趨于明了。
【附圖說明】
[0014]圖1A是目前觸控面板在工藝階段的一第一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖1B是目前觸控面板在工藝階段的一第二實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖1C是目前觸控面板在工藝階段的一第三實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖1D是目前觸控面板在工藝階段的一第四實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖2A至圖2F是單片玻璃式觸控面板于各步驟流程的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖3A及圖3B是本發(fā)明單片玻璃式觸控面板于一強(qiáng)化基材工藝中的其他結(jié)構(gòu)態(tài)樣示意圖。
[0020]圖4是具有本發(fā)明觸控面板結(jié)構(gòu)的一部份產(chǎn)品實(shí)施例的示意圖。
[0021]圖5是本發(fā)明實(shí)施例觸控面板的工藝方法流程圖。
[0022]附圖標(biāo)記
[0023]I目前觸控面板在工藝階段的結(jié)構(gòu)
[0024]11 基材
[0025]111 空白區(qū)域
[0026]12 裝飾層
[0027]13 電極層
[0028]14保護(hù)層
[0029]15阻隔膜
[0030]16強(qiáng)化液
[0031]21基材
[0032]22感測層
[0033]221裝飾層
[0034]222電極層
[0035]223保護(hù)層
[0036]23阻隔層
[0037]24第一阻隔膜、第二阻隔膜
[0038]25強(qiáng)化液
[0039]4觸控裝置
[0040]51?55步驟流程
【具體實(shí)施方式】
[0041]為利貴審查委員了解本發(fā)明的技術(shù)特征、內(nèi)容與優(yōu)點(diǎn)及其所能達(dá)成的功效，茲將本發(fā)明配合附圖，并以實(shí)施例的表達(dá)形式詳細(xì)說明如下，而其中所使用的附圖，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發(fā)明實(shí)施后的真實(shí)比例與精準(zhǔn)配置，故不應(yīng)就所附的附圖的比例與配置關(guān)系解讀、局限本發(fā)明于實(shí)際實(shí)施上的權(quán)利范圍，合先敘明。
[0042]請一并參閱圖2A至圖2F及圖5，其分別為單片玻璃式觸控面板于各步驟流程的結(jié)構(gòu)示意圖，以及本發(fā)明實(shí)施例觸控面板的工藝方法流程圖。其中圖2A至圖2F可對應(yīng)為圖5流程圖的結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明本發(fā)明觸控面板的工藝及其強(qiáng)化的工藝步驟。首先，如圖5步驟51所示，先提供一基材，在實(shí)際實(shí)施上，可如圖2A所示，在工藝的一開始，提供一基材21 ;在本實(shí)施例中，該基材21較佳可為一玻璃基材，該玻璃基材可以是覆蓋鏡片(Coverlens);然實(shí)際實(shí)施時，不限于此類材料態(tài)樣。
[0043]接著，如步驟52所述，可將一感測層及一阻隔層的一面設(shè)置在該基材的一表面上，且該感測層及該阻隔層之間具有一間距，在實(shí)際實(shí)施時，可如圖2B所示，在先前的基材21表面上可設(shè)置一感測層22，其作用為本發(fā)明實(shí)施例單片玻璃式觸控面板的觸控結(jié)構(gòu)
[0044]請進(jìn)一步參閱圖2C，在本實(shí)施例中，感測層22較佳可進(jìn)一步包含一裝飾層221、一電極層222及一