觸控面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控面板。
【背景技術(shù)】
[0002]觸控裝置是一種常見(jiàn)的設(shè)備，由于其具有功耗低、體積小、質(zhì)量輕等特點(diǎn)，因此備受用戶的青睞。觸控裝置通常包括觸控面板，低溫多晶娃(Low TemperaturePloy-silicon，LTPS)薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)由于能夠使得觸控面板具有更高的分辨率、更低的能耗、更高的迀移率以及較低的制備溫度而得到了廣泛的研宄及應(yīng)用。在觸控面板中，像素電極與漏極之間相隔隔離，并且像素電極通過(guò)貫孔與薄膜晶體管的漏極相連，通常情況下，像素電極與漏極之間的間隔物(比如絕緣層或者平坦層等)較厚從而使得連接像素電極與漏極之間的貫孔的深度較深。因此，當(dāng)像素電極通過(guò)貫孔與漏極相連時(shí)，容易造成像素電極的斷線，脫落，從而使得觸控面板的良率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種觸控面板，所述觸控面板包括:
[0004]基板；
[0005]依次層疊設(shè)置在所述基板的表面上的低溫多晶硅層、第一絕緣層、柵極及第二絕緣層；
[0006]源極和漏極，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述第二絕緣層上，且所述源極和所述漏極間隔設(shè)置，所述源極及所述漏極分別通過(guò)通孔與所述低溫多晶硅層相連；
[0007]平坦層，層疊設(shè)置在所述源極、所述漏極及所述第二絕緣層上，所述平坦層設(shè)置有第一貫孔，所述第一貫孔對(duì)應(yīng)所述漏極設(shè)置；
[0008]填充部，填充所述第一貫孔，且所述填充部與所述漏極電連接；
[0009]第三絕緣層，層疊設(shè)置在所述平坦層上，所述第三絕緣設(shè)置有第二貫孔，所述第二貫孔對(duì)應(yīng)所述填充部設(shè)置；
[0010]像素電極，設(shè)置在所述第三絕緣層上且通過(guò)所述第二貫孔與所述填充部電連接。
[0011]其中，所述填充部包括第一部分及與所述第一部分相連的第二部分，所述第一部分穿過(guò)所述第一貫孔與所述漏極電連接，所述第二部分設(shè)置在所述平坦層上且覆蓋所述第一貫孔。
[0012]其中，所述觸控面板還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述基板的表面上，所述低溫多晶硅層通過(guò)所述遮光層設(shè)置在所述基板的表面上，且所述低溫多晶硅層設(shè)置在所述遮光層的中部。
[0013]其中，所述觸控面板還包括觸控接收線及觸控發(fā)射線，所述觸控接收線用于接收檢測(cè)信號(hào)，以檢測(cè)所述觸控面板上的觸控動(dòng)作以及觸控動(dòng)作的位置，所述觸控發(fā)射線用于將表征觸控動(dòng)作及觸控位置的信號(hào)傳輸至一芯片，所述觸控接收線及所述觸控發(fā)射線中的至少一條線包括第一透明導(dǎo)線及金屬絲線，所述金屬絲線設(shè)置在所述平坦層上，且所述金屬絲線與所述第一透明導(dǎo)線電連接。
[0014]其中，所述填充部的材料為金屬，所述填充部與所述金屬絲線同時(shí)形成。
[0015]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明觸控面板通過(guò)在平坦層上設(shè)置第一貫孔，并在第一貫孔內(nèi)填充所述填充部，所述填充部與所述漏極電連接，所述第三絕緣層上設(shè)置第二貫孔，所述第二貫孔對(duì)應(yīng)所述填充部設(shè)置。當(dāng)所述像素電極與所述漏極相連時(shí)，所述像素電極僅需通過(guò)第二貫孔與所述填充部電連接即可。換句話說(shuō)，通過(guò)在平坦層上設(shè)置第一貫孔以及在第一貫孔內(nèi)填充所述填充部以減小所述像素電極與所述漏極之間的深度，從而使得所述像素電極與所述漏極相連時(shí)，所述像素電極不容易斷線和脫落，從而提高了所述觸控面板的良率。進(jìn)一步地，由于所述填充部的材質(zhì)為金屬或者合金，其阻值小于為透明金屬氧化物的像素電極，因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)中的像素電極直接與漏極相連，本發(fā)明的所述像素電極通過(guò)所述填充部與所述漏極相連時(shí)，能夠減小像素電極與所述漏極之間的電阻值。
[0016]本發(fā)明提供了一種觸控面板，所述觸控面板包括:
[0017]基板；
[0018]依次層疊設(shè)置在所述基板的表面上的低溫多晶硅層及第一絕緣層；
[0019]層疊設(shè)置在所述第一絕緣層上的兩個(gè)第一類型重?fù)诫s區(qū)域，且兩個(gè)所述第一類型重?fù)诫s區(qū)域間隔設(shè)置；
[0020]第二絕緣層，設(shè)置在所述第一類型重?fù)诫s區(qū)域上；
[0021]依次層疊設(shè)置在所述第二絕緣層上的柵極及第三絕緣層；
[0022]源極和漏極，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述第三絕緣層上，且所述源極和所述漏極間隔設(shè)置，所述源極及所述漏極分別通過(guò)通孔與所述第一類型重?fù)诫s區(qū)域相連；
[0023]平坦層，層疊設(shè)置在所述源極、所述漏極及所述第三絕緣層上，所述平坦層設(shè)置有第一貫孔，所述第一貫孔對(duì)應(yīng)所述漏極設(shè)置；
[0024]填充部，填充所述第一貫孔，且所述填充部與所述漏極電連接；
[0025]第四絕緣層，層疊設(shè)置在所述平坦層上，所述第四絕緣層設(shè)置有第二貫孔，所述第二貫孔對(duì)應(yīng)所述填充部設(shè)置；
[0026]像素電極，設(shè)置在所述第四絕緣層上且通過(guò)所述第二貫孔與所述填充部電連接。
[0027]其中，所述填充部包括第一部分及與所述第一部分相連的第二部分，所述第一部分穿過(guò)所述第一貫孔與所述漏極電連接，所述第二部分設(shè)置在所述平坦層上且覆蓋所述第一貫孔。
[0028]其中，所述觸控面板還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述基板的表面上，所述低溫多晶硅層通過(guò)所述遮光層設(shè)置在所述基板的表面上，且所述低溫多晶硅層設(shè)置在所述遮光層的中部。
[0029]其中，所述觸控面板還包括觸控信號(hào)線，所述觸控信號(hào)線用于檢測(cè)所述觸控面板上的觸控動(dòng)作以及觸控動(dòng)作的位置，且將表征觸控動(dòng)作及觸控動(dòng)作的位置的信號(hào)傳輸至一芯片，所述觸控信號(hào)線包括第一透明導(dǎo)線及金屬絲線，所述金屬絲線設(shè)置在所述平坦層上，且所述金屬絲線與所述第一透明導(dǎo)線電連接。
[0030]其中，所述填充部的材料為金屬，所述填充部與所述金屬絲線同時(shí)形成。
[0031]其中，所述觸控面板還包括第一類型輕摻雜區(qū)域，所述第一類型輕摻雜區(qū)域設(shè)置在所述第一絕緣層上，且設(shè)置在兩個(gè)所述第一類型重?fù)诫s區(qū)域之間。
[0032]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明觸控面板通過(guò)在所述平坦層上設(shè)置第一貫孔，并在第一貫孔內(nèi)填充所述填充部，所述填充部與所述漏極電連接，所述第四絕緣層上設(shè)置第二貫孔，所述第二貫孔對(duì)應(yīng)所述填充部設(shè)置。當(dāng)所述像素電極與所述漏極相連時(shí)，所述像素電極僅需通過(guò)第二貫孔與所述填充部電連接即可。換句話說(shuō)，通過(guò)在所述平坦層上設(shè)置第一貫孔以及在所述第一貫孔內(nèi)填充所述填充部以減小所述像素電極與所述漏極之間的深度，從而使得所述像素電極與所述漏極相連時(shí)，所述像素電極不容易斷線和脫落，從而提高了所述觸控面板的良率。進(jìn)一步地，由于所述填充部的材質(zhì)為金屬或者合金，其阻值小于為透明金屬氧化物的像素電極，因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)中的像素電極直接與漏極相連，本發(fā)明的所述像素電極通過(guò)所述填充部與所述漏極相連時(shí)，能夠減小像素電極與所述漏極之間的電阻值。
【附圖說(shuō)明】
[0033]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的觸控面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖2為本發(fā)明另一較佳實(shí)施方式的觸控面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0037]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的觸控面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述觸控面板100包括基板110，依次層疊設(shè)置在所述基板110的表面上的低溫多晶硅層112、第一絕緣層113、柵極114及第二絕緣層115。所述觸控面板100還包括源極116和漏極117，所述源極116和所述漏極117設(shè)置在所述第二絕緣層115上，且所述源極116和所述漏極117間隔設(shè)置，所述源極116及所述漏極117分別通過(guò)通孔與所述低溫多晶硅層112相連。所述觸控面板100還包括平坦層118，所述平坦層118層疊設(shè)置在所述源極116、所述漏極117及所述第二絕緣層115上，所述平坦層118設(shè)置有第一貫孔1181，所述第一貫孔1181對(duì)應(yīng)所述漏極117設(shè)置。所