使用霍爾傳感器的設備的制造方法
【專利說明】使用霍爾傳感器的設備
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]該申請要求于2013年10月29日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請10-2013-0129603的35 USC 119 (a)意義下的權益，該韓國專利申請的全部公開內容通過引用并入本文用于所有目的。
技術領域
[0003]以下描述涉及使用霍爾傳感器的感測系統(tǒng)，并且涉及在包括顯示屏的終端中的霍爾傳感器布置過程。
【背景技術】
[0004]美國專利6，701，166涉及如下開關:該開關檢測具有彼此接合的第一結構和第二結構以具有打開或閉合狀態(tài)的翻蓋式(flip type)或折疊式(folder type)無線電終端的打開或閉合狀態(tài)。該開關包括:霍爾傳感器，該霍爾傳感器生成根據輸入磁場的強度的并且與到磁體的距離成反比的電壓；可變放大器，該可變放大器響應于控制信號而可變地放大來自霍爾傳感器的電壓以輸出經可變地放大的電壓信號；以及比較器，該比較器將來自可變放大器的信號與參考電壓進行比較以輸出表明終端是處在打開狀態(tài)還是處在閉合狀態(tài)的信號?？梢哉{整開關的感測值以感測終端的折疊部的打開或閉合。
[0005]雖然討論了使用霍爾傳感器以檢測翻蓋是打開還是閉合，但是在上述專利中未討論當翻蓋的打開角度達到約360度時防止不準確檢測的機構。
[0006]在翻蓋的打開角度為O度的情況下，磁體靠近霍爾傳感器并且霍爾傳感器可以檢測到強磁場。響應于檢測到強磁場，霍爾傳感器可以被用于確定翻蓋處在閉合狀態(tài)。
[0007]然而，在翻蓋的打開角度達到360度的情況下，磁體也位于靠近霍爾傳感器。因此，霍爾傳感器可檢測到強磁場?？梢允褂闷帘伟鍋碚趽鮼碜曰魻杺鞲衅鞯拇艌?。
[0008]屏蔽板可以通過遮擋磁場流的金屬材料來制造。響應于翻蓋的打開角度為約360度，屏蔽板可以遮擋從磁體210生成的磁場，使得霍爾傳感器不能檢測到磁場的全部強度。當霍爾傳感器由于磁場被屏蔽板所遮擋而未感測到強磁場時，可以繼續(xù)確定翻蓋200處在打開狀態(tài)。
[0009]然而，使用屏蔽板確定翻蓋的狀態(tài)的過程另外需要使用屏蔽板，并且可能導致根據屏蔽板的位置而不準確地確定翻蓋的打開狀態(tài)。此外，顯示終端的制造需要用于將屏蔽板包括在內的另外工序，這導致了制造成本的增加。

【發(fā)明內容】

[0010]提供該
【發(fā)明內容】
來以簡化的形式介紹在下面的【具體實施方式】中進一步描述的一系列概念。該
【發(fā)明內容】
無意于確定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也無意于用作幫助確定所要求保護的主題的范圍。
[0011]在一個一般性方面中，一種設備包括:終端，其包括顯示屏；以及霍爾傳感器，其包括磁場感測表面以及設置為與所述磁場感測表面基本平行的多個霍爾元件，所述磁場感測表面基本垂直于所述顯示屏。
[0012]所述設備還可以包括:蓋單元，其被配置成覆蓋所述顯示屏；以及磁體，其被設置在所述蓋單元中或所述蓋單元上。
[0013]所述多個霍爾元件可以形成在半導體襯底上，并且在所述半導體襯底的第一導電類型阱上可以形成有第一導電類型接觸區(qū)和第二導電類型摻雜區(qū)。
[0014]所述第一導電類型接觸區(qū)可以為N型接觸區(qū)。所述第二導電類型摻雜區(qū)可以為P型摻雜區(qū)。所述第一導電類型阱可以為所述半導體襯底的N阱。
[0015]所述設備還可以包括:偏移調整單元，其被配置成確定用于所述多個霍爾元件中的每個霍爾元件所檢測的磁場強度的參考值；放大單元，其被配置成放大所述多個霍爾元件中的每個霍爾元件所檢測的磁場強度；以及比較單元，其被配置成將通過所述多個霍爾元件中的每個霍爾元件所檢測的磁場強度進行比較。
[0016]所述霍爾元件的數量可以等于或大于2。
[0017]所述霍爾傳感器可以被設置在霍爾傳感器電路板上，并且所述霍爾傳感器電路板可以被設置在封裝芯片中。
[0018]所述霍爾傳感器電路板可以被布置成基本垂直于所述顯示屏。
[0019]在另般性方面中，一種設備包括:顯不終端，其包括顯不屏；第一霍爾傳感器，其包括第一霍爾元件；以及第二霍爾傳感器，其包括第二霍爾元件，其中，所述顯示屏被布置成基本平行于所述第一霍爾傳感器的磁場感測表面并且基本平行于所述第二霍爾傳感器的磁場感測表面。
[0020]所述第一霍爾元件和所述第二霍爾元件可以處于半導體襯底上，并且在所述半導體襯底的第一導電類型阱上可以形成有第一導電類型接觸區(qū)和第二導電類型摻雜區(qū)。
[0021]所述第一導電類型接觸區(qū)可以為N型接觸區(qū)。所述第二導電類型摻雜區(qū)可以為P型摻雜區(qū)。所述第一導電類型阱可以為所述半導體襯底的N阱。
[0022]所述第一霍爾傳感器可以層疊在所述第二霍爾傳感器上方或下方。
[0023]所述設備還可以包括:蓋，其包括磁體；以及處理器，其被配置成基于所述第一霍爾傳感器和所述第二霍爾傳感器所檢測的磁場來確定所述蓋是打開還是閉合。
[0024]在另一一般性方面中，提供了一種確定顯示終端的蓋的狀態(tài)的方法，所述顯示終端包括豎直布置在所述顯示終端內部的至少兩個霍爾元件，所述方法包括:通過使用第一霍爾元件來檢測第一磁場強度；通過使用第二霍爾元件來檢測第二磁場強度；比較所述第一磁場強度和所述第二磁場強度；以及基于所述比較的結果來確定所述蓋是打開還是閉入口 ο
[0025]根據下面的詳細描述、附圖以及權利要求，其他特征和方面將是明顯的。
【附圖說明】
[0026]圖1A為示出包括顯示屏以及翻蓋或智能蓋的終端的示例的圖。
[0027]圖1B為示出包括顯示屏以及翻蓋或智能蓋的終端的另一示例的圖。
[0028]圖2為示出包括具有多個霍爾元件的霍爾傳感器的終端的示例的圖。
[0029]圖3A、圖3B、圖3C和圖3D為示出具有包括多個霍爾元件的霍爾傳感器的豎直布置的顯示電路板或霍爾傳感器電路板的示例的圖。
[0030]圖4A和圖4B為示出包括安裝在顯示電路板或霍爾傳感器電路板上的霍爾傳感器的封裝型半導體晶片或半導體芯片的示例的圖。
[0031]圖5為示出對翻蓋的狀態(tài)進行檢測的顯示設備的示例的框圖。
[0032]圖6為示出包括分開地布置在第一霍爾傳感器和第二霍爾傳感器中的多個霍爾元件的顯示設備的示例的圖。
[0033]貫穿附圖和詳細描述，除非以另外的方式描述或提供，相同的附圖標記將理解為是指相同的元件、特征以及結構。為了清楚、闡釋說明以及方便起見，附圖可能不按比例，并且附圖中元件的相對尺寸、比例以及描繪可能被夸大。
【具體實施方式】
[0034]提供以下詳細描述來幫助讀者獲得對本文中描述的方法、設備、和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，本文中所描述的系統(tǒng)、設備和/或方法的各種變化、修改以及等同對于本領域的普通技術人員將是明顯的。所描述的處理步驟和/或操作的進行是示例；然而，除了必需以一定順序發(fā)生的步驟和/或操作以外，步驟和/或操作的次序不限于本文中所闡述的次序并且可以改變?yōu)楸绢I域已知的次序。此外,為了更加清楚和簡明,可省略本領域的普通技術人員所公知的功能和構造的描述。
[0035]本文中所描述的特征可以以不同形式實施，并且不應解釋為限于本文中所描述的示例。相反，提供了本文中所描述的示例使得該公開內容將是透徹和完整的，并且將向本領域的普通技術人員傳達公開內容的全部范圍。
[0036]本公開內容中所使用的術語可以理解如下。
[0037]雖然如“第一” “第二”等的術語可以用來描述各種部件，但是這樣的部件一定不能理解為限于上述術語。上述術語用于使一個部件與另一個部件進行區(qū)分。部件之間的結構差異不是必須的。例如，第一部件可以稱為第二部件，并且類似地第二部件可以稱為第一部件。
[0038]應該理解的是，當元件被稱為“連接到”另一元件時，元件可以直接連接到另一元件或在元件與另一元件之間存在居間元件。相反，當元件被稱為“直接連接到”另一元件時，元件與另一元件之間不存在居間元件。另外，除非明確相反地描述，否則措辭“包括”及其變型(如“包含”或“包括有”)將理解為是指包括所述元件但不排除任何其他元件。同時，可以類似地理解描述部件之間關系的其他表達，例如“在..?之間”，“直接在..?之間”，或“相鄰于...”和“直接相鄰于...”。
[0039]除非上下文明確地另外指出，否則本公開內容中的單數形式“一”、“一個”以及“該”旨在也包括復數形式。還應該理解的是，如“包括”或“具有”等的術語旨在表明存在本說明書中所公開的特征、數量、計算、動作、部件、部分或其組合，并且無意于排除可存在或可添加一個或更多個其他特征、數量、計算、動作、部件、部分或其組合的可能性。
[0040]在描述本發(fā)明的元件時，可以使用如第一、第二、A、B、(a)、(b)等的術語。這樣的術語用于從其他元件和對應元件中區(qū)分出對應元件，并且無意于限制其實質、次序或優(yōu)先。
[0041]除非另有規(guī)定，否則本文使用的所有術語(包括技術術語或科學術語)具有與本公開內容所屬領域內的普通技術人員所通常理解的含義相同的含義。這樣的術語與常用字典中定義的那些術語一樣將被理解為具有與相關技術領域中的語境含義相同的含義，并且除非在本申請中明確地限定，否則不理解為具有理想或過分形式化的含義。
[0042]下