專利名稱:以cmos記憶體輔助bios除錯的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，特別是涉及一種利用互補金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal-OxideSemiconductor Random Access Memory)記憶體輔助BIOS除錯卡以運用于BIOS除錯的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有習(xí)知的技藝中，BIOS研發(fā)階段最常用的方式即是將一BIOS除錯卡安插于主機板上以顯示除錯碼，若是測試期間發(fā)生問題，研發(fā)人員可通過除錯碼以了解問題的可能來源，進一步追查的核心所在。
請參閱圖1所示，其為先前BIOS除錯的流程圖，其包括以下步驟提供一主機板(步驟S101)，其主機板具有一記憶體單元，此記憶體單元是為一可程式可抹寫的記憶體，如一電子可抹寫程式化唯讀記憶體(Electrically & Erasable Programmable Read Only Memory；EEPROM)或一可抹寫程式化唯讀記憶體(Erasable Programmable Read Only Memory；EPROM)；提供一BIOS除錯卡，安插于主機板上(步驟S102)，其BIOS除錯卡具有一顯示單元及一測試用BIOS，會在開機之后寫入主機板的記憶體單元；以及執(zhí)行一開機階段工作并顯示除錯碼(步驟S103)，在寫入測試用的BIOS至記憶體單元后，被寫入記憶體單元的BIOS會輸出一除錯碼至BIOS除錯卡以顯示單元顯示，并執(zhí)行與除錯碼相對應(yīng)的一開機階段工作，使測試人員了解目前測試情況。
判斷是否完成開機階段工作(步驟S104)，若為是，則結(jié)束BIOS除錯工作(步驟S105)，若為否，則回到執(zhí)行一開機階段工作并顯示除錯碼步驟(步驟S103)，以便重復(fù)顯示錯誤的開機階段工作所對應(yīng)的除錯碼，使測試人員了解問題所在。
但是，若執(zhí)行開機階段工作時發(fā)生異常狀況，如當(dāng)機以致于需要手動重新開機，自動關(guān)機或自動重新開機等情況發(fā)生，除錯碼會被消除而無法使測試人員知道錯誤的來源以至于無法了解其問題的關(guān)鍵所在，進而增加BIOS除錯流程的復(fù)雜程度由此可見，上述現(xiàn)有的基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般方法又沒有適切的方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，能夠改進一般現(xiàn)有的基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法存在的缺陷，而提供一種新的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以避免在BIOS除錯流程之中，除錯碼因異常當(dāng)機以致于需要手動重新開機、自動關(guān)機或自動重新開機等情況而消失，進而使測試人員無法取得前次除錯流程的除錯碼，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，其包括以下步驟提供一具有一CMOS記憶體的主機板，該CMOS記憶體具有復(fù)數(shù)個資料欄位，其至少包括一即時碼欄位，一錯誤碼欄位及一開機完成位元；提供一BIOS除錯卡，安插于該主機板上，其具有一測試用BIOS，在開機時寫入該主機板的一記憶體單元形成一主機板BIOS，其用以控制主機板的電路及存取該CMOS記憶體，以及一顯示單元；檢查該開機完成位元是否已設(shè)定，其使該主機板BIOS判斷前次開機是否完成，若否，該主機板BIOS會將該即時碼欄位的數(shù)值儲存于該錯誤碼欄位中而后清除該開機完成位元，若是，該主機板BIOS將直接清除該開機完成位元；儲存一除錯碼并執(zhí)行一開機階段工作，該主機板BIOS會儲存該除錯碼于該即時碼欄位，接著執(zhí)行該開機階段工作；判斷是否完成該開機階段工作，若否，則進行該儲存除錯碼于即時碼欄位步驟，若是，則該主機板BIOS設(shè)定該開機完成位元；以及顯示該錯誤碼欄位的數(shù)值，該主機板BIOS會輸出該錯誤碼欄位的數(shù)值至該BIOS除錯卡以該顯示單元顯示。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，其中所述的CMOS記憶體是為一互補金屬氧化物半導(dǎo)體隨機存取記憶體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor RandomAccess Memory，CMOS RAM)。
前述的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，其中所述的記憶體單元是為一電子可抹寫程式化唯讀記憶體(Electrically & Erasable Programmable Read Only Memory；EEPROM)或一可抹寫程式化唯讀記憶體(Erasable Programmable Read Only Memory；EPROM)。
前述的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，其中所述的儲存一除錯碼并執(zhí)行一開機階段工作步驟更包括下列步驟該主機板BIOS會在儲存該除錯碼于該即時碼欄位的同時，將該除錯碼輸出至該BIOS除錯卡以該顯示單元顯示。
前述的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，其中所述的顯示單元是為一液晶熒幕或一七段顯示器。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下基于上述目的，本發(fā)明提供一種以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，是提供一主機板與一BIOS除錯卡，此主機板具有一記憶體單元，其為一可程式可抹寫記憶體，以及一CMOS記憶體，其具有一即時碼欄位、一錯誤碼欄位及一開機完成位元，且CMOS記憶體是為一互補金屬氧化物半導(dǎo)體隨機存取記憶體(CMOS RAM)，其利用主機板的一電池供電以使其在關(guān)機之時仍可儲存資料，再將一BIOS除錯卡安插于主機板上，其BIOS除錯卡具有一顯示單元及一測試用BIOS，此測試用BIOS會在開機時先寫入主機板的記憶體單元以形成一主機板BIOS，其用以控制主機板的電路及存取CMOS記憶體。
主機板BIOS在進行偵錯過程之中會執(zhí)行一開機階段工作，并將對應(yīng)開機階段工作的一除錯碼在進行開機階段工作之前儲存于即時碼欄位中以及輸出至BIOS除錯卡以顯示單元顯示其除錯碼，使測試人員了解現(xiàn)在所進行的開機階段工作，并且在開機階段工作完成之后設(shè)定開機完成位元以表示開機運作正常結(jié)束，并無異常情況發(fā)生。若是開機階段工作發(fā)生異常狀況如BIOS資料設(shè)計錯誤時，則開機完成位元不會被設(shè)定以表示開機并未完整運行，并且會重復(fù)顯示與其相對應(yīng)的除錯碼。然而，就算發(fā)生比較嚴(yán)重的情況如當(dāng)機以致于需要手動重新開機、異常自動關(guān)機或自動重新開機等情況，因利用CMOS記憶體的資料儲存特性，除錯碼不會隨著關(guān)機而消失。
不論前次開機是否運作完整，每次開機時BIOS會檢測開機完成位元是否被設(shè)定，其用以判斷前次的開機是否運作完整，若是前次開機運作不完整，BIOS會將即時碼欄位的數(shù)值存入錯誤碼欄位，并于開機完成之后將錯誤碼欄位的儲存值輸出至BIOS除錯卡以顯示單元顯示，以使測試人員能進一步了解前次開機發(fā)生異常情況的問題所在。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是有關(guān)于一種以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，是利用一設(shè)置在主機板上的一CMOS記憶體儲存BIOS除錯流程中所產(chǎn)生的一除錯碼，并利用主機板的一電池維持CMOS記憶體的供電使其在關(guān)機時仍可儲存資料的特性，使測試人員在再次開機時仍可從CMOS記憶體取得前次開機期間最后儲存的除錯碼，避免BIOS除錯流程所產(chǎn)生的除錯碼因異常關(guān)機而消失，使測試人員無法了解問題來源，進而增加除錯的復(fù)雜度。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明利用此一CMOS記憶體在關(guān)機之時仍可儲存資料的特性，即使BIOS除錯流程中有不正常的自動關(guān)機情況發(fā)生，儲存于CMOS記憶體的資料不會因此消失，測試人員可在再次開機經(jīng)由CMOS記憶體取得前次開機的除錯碼，大幅降低BIOS除錯的復(fù)雜度。
綜上所述，本發(fā)明特殊的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類方法中未見有類似的設(shè)計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法上或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法具有增進的多項功效，從而更加適于實用，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
圖1是先前BIOS除錯的流程圖。
圖2是為本發(fā)明BIOS除錯卡與CMOS記憶體的關(guān)系示意圖。
圖3是本發(fā)明BIOS除錯的流程圖。
100BIOS除錯卡110測試用BIOS
120顯示單元200主機板210記憶體單元220CMOS記憶體221即時碼欄位222錯誤碼欄位223開機完成位元步驟S101提供一主機板步驟S102提供一BIOS除錯卡，安插于主機板上步驟S103執(zhí)行一開機階段工作并顯示除錯碼步驟S104判斷是否完成開機階段工作步驟S105結(jié)束BIOS除錯工作步驟S301提供一具有一CMOS記憶體的主機板步驟S302提供一BIOS除錯卡，安插于主機板上步驟S303檢查開機完成位元是否已設(shè)定步驟S304將即時碼欄位的數(shù)值儲存于錯誤碼欄位中步驟S305清除開機完成位元步驟S306儲存一除錯碼并執(zhí)行一開機階段工作步驟S307判斷是否完成開機階段工作步驟S308設(shè)定開機完成位元步驟S309顯示錯誤碼欄位的數(shù)值具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法其具體實施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請參閱圖2所示，其為本發(fā)明BIOS除錯卡與CMOS記憶體的關(guān)系示意圖，其包括一主機板200，其具有一CMOS記憶體220及一記憶體單元210，此CMOS記憶體具有一即時碼欄位221，用以在BIOS除錯流程中儲存一除錯碼，一開機完成位元223，在BIOS除錯流程中用以判定前次開機是否成功，及一錯誤碼欄位222，在前次開機不成功時儲存即時碼欄位的一數(shù)值；以及一BIOS除錯卡100，此BIOS除錯卡100安插于主機板200上，其包括一測試用BIOS110及一顯示單元120，其用以顯示除錯碼。
其中，測試用BIOS110會在除錯流程開始時先寫入記憶體單元210，以控制主機板200的電路與存取CMOS記憶體220，此CMOS記憶體220是為一互補金屬氧化物半導(dǎo)體隨機存取記憶體(Complementary Metal-OxideSemiconductor Random Access Memory，CMOS RAM)，其為利用主機板200的一電池供電以維持資料儲存的一小量記憶體單元；而記憶體單元210是為一電子可抹寫程式化唯讀記憶體(Electrically & ErasableProgrammable Read Only Memory，EEPROM)或一可抹寫程式化唯讀記憶體(Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM)，以及顯示單元是為一液晶熒幕或是七段顯示器。
請參閱圖3所示，其是為本發(fā)明BIOS除錯流程圖，其包括以下步驟提供一具有一CMOS記憶體的主機板(步驟S301)，是提供一主機板200，其具有一CMOS記憶體220，此CMOS記憶體220具有復(fù)數(shù)個資料欄位，至少包括一即時碼欄位221，一錯誤碼欄位222及一開機完成位元223。
提供一BIOS除錯卡，安插于主機板上(步驟S302)，將一BIOS除錯卡100安插于主機板200上，此BIOS除錯卡100具有一顯示單元120以及一測試用BIOS110，此測試用BIOS110的資料會先寫入記憶體單元210以形成一主機板BIOS，用以控制主機板200的電路及存取CMOS記憶體220。
檢查開機完成位元是否已設(shè)定(步驟S303)，主機板BIOS會經(jīng)由檢查開機完成位元的設(shè)定與否，判斷前次開機是否完成，若為否，即主機板BIOS會將即時碼欄位221的數(shù)值儲存于錯誤碼欄位222中(步驟S304)而后清除開機完成位元(步驟S305)，若為是，則主機板BIOS直接清除開機完成位元(步驟S305)。
儲存一除錯碼并執(zhí)行一開機階段工作(步驟S306)，主機板BIOS會先執(zhí)行開機階段工作，并在其開機階段工作執(zhí)行之前，先儲存對應(yīng)開機階段工作的除錯碼于即時碼欄位221中，同時輸出至BIOS除錯卡100以顯示單元120顯示其除錯碼。
判斷是否完成開機階段工作(步驟S307)，在完成開機階段工作后，主機板BIOS會判斷開機階段工作是否完整的運行結(jié)束；若為否，則進行儲存一除錯碼并執(zhí)行一開機階段工作步驟(步驟S306)，顯示錯誤的開機階段工作所對應(yīng)的除錯碼，使測試人員了解問題所在；若為是，則設(shè)定開機完成位元(步驟S308)，以表示開機階段工作已被完整的運行則無發(fā)生錯誤。
最后，顯示錯誤碼欄位的數(shù)值(步驟S309)，主機板BIOS會輸出錯誤碼欄位222的數(shù)值至BIOS除錯卡100，并以顯示單元120顯示，此錯誤碼欄位222的數(shù)值即為前次開機失敗或當(dāng)機時最后儲存的除錯碼。
由上述可知，測試人員在BIOS除錯流程中可直接從BIOS除錯卡的顯示單元立即取得除錯碼，即使在除錯流程中發(fā)生異常當(dāng)機或自動關(guān)機，仍可利用CMOS記憶體儲存資料的特性于再次開機之后取得前次開機時最后儲存的除錯碼，使測試人員知道發(fā)生異常狀況的地方，進而追查問題的來源所在。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種以互補金屬氧化物半導(dǎo)體記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)除錯的方法，其特征在于其包括以下步驟提供一具有一CMOS記憶體的主機板，該CMOS記憶體具有復(fù)數(shù)個資料欄位，其至少包括一即時碼欄位，一錯誤碼欄位及一開機完成位元；提供一BIOS除錯卡，安插于該主機板上，其具有一測試用BIOS，在開機時寫入該主機板的一記憶體單元形成一主機板BIOS，其用以控制主機板的電路及存取該CMOS記憶體，以及一顯示單元；檢查該開機完成位元是否已設(shè)定，其使該主機板BIOS判斷前次開機是否完成，若否，該主機板BIOS會將該即時碼欄位的數(shù)值儲存于該錯誤碼欄位中而后清除該開機完成位元，若是，該主機板BIOS將直接清除該開機完成位元；儲存一除錯碼并執(zhí)行一開機階段工作，該主機板BIOS會儲存該除錯碼于該即時碼欄位，接著執(zhí)行該開機階段工作；判斷是否完成該開機階段工作，若否，則進行該儲存除錯碼于即時碼欄位步驟，若是，則該主機板BIOS設(shè)定該開機完成位元；以及顯示該錯誤碼欄位的數(shù)值，該主機板BIOS會輸出該錯誤碼欄位的數(shù)值至該BIOS除錯卡以該顯示單元顯示。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)除錯的方法，其特征在于其中所述的CMOS記憶體是為一互補金屬氧化物半導(dǎo)體隨機存取記憶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)除錯的方法，其特征在于其中所述的記憶體單元是為一電子可抹寫程式化唯讀記憶體或一可抹寫程式化唯讀記憶體。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)除錯的方法，其特征在于其中所述的儲存一除錯碼并執(zhí)行一開機階段工作步驟更包括下列步驟該主機板BIOS會在儲存該除錯碼于該即時碼欄位的同時，將該除錯碼輸出至該BIOS除錯卡以該顯示單元顯示。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的以互補金屬氧化物半導(dǎo)體記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)除錯的方法，其特征在于其中所述的顯示單元是為一液晶熒幕或一七段顯示器。
專利摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種以互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)記憶體輔助基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)除錯的方法，是利用一設(shè)置在主機板上的一CMOS記憶體儲存BIOS除錯流程中所產(chǎn)生的一除錯碼，并利用主機板的一電池維持CMOS記憶體的供電使其在關(guān)機時仍可儲存資料的特性，使測試人員于再次開機時仍可從CMOS記憶體取得前次開機期間最后儲存的除錯碼，避免BIOS除錯流程所產(chǎn)生的除錯碼因異常關(guān)機而消失，使測試人員無法了解問題來源，進而增加除錯的復(fù)雜度。
文檔編號G06F11/14GK1996260SQ200510137663
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月31日
發(fā)明者柯建興, 蕭家一, 林忠建 申請人:英業(yè)達股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan