本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)管理，且尤其涉及一種磨損均衡方法以及存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)：
：：1、智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)及個(gè)人計(jì)算機(jī)在這幾年來的成長十分迅速，使得消費(fèi)者對(duì)存儲(chǔ)媒體的需求也急速增加。由于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊(rewritable?non-volatile?memory?module)(例如，閃存)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小，以及無機(jī)械結(jié)構(gòu)等特性，所以非常適合內(nèi)建于上述所舉例的各種可攜式多媒體裝置中。2、常規(guī)的磨損均衡方法是將數(shù)據(jù)搬移至抹除次數(shù)較高的實(shí)體抹除單元，從而使低抹除次數(shù)的實(shí)體抹除單元能夠投入使用，以平均可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊中的實(shí)體抹除單元的使用次數(shù)。為了因應(yīng)使用上的實(shí)際情況，精細(xì)化調(diào)整磨損均衡策略，以更有效地提升存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的使用壽命，如何提升磨損均衡的效果是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟欲解決的技術(shù)問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路1、本發(fā)明的范例實(shí)施例提供一種磨損均衡方法以及存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，可提升存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的使用壽命與數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。2、本發(fā)明的范例實(shí)施例提供一種磨損均衡方法，用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多個(gè)實(shí)體抹除單元，所述磨損均衡方法包括：基于各所述多個(gè)實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)及被寫入時(shí)間，判斷各所述多個(gè)實(shí)體抹除單元是否滿足預(yù)設(shè)條件；若是所述多個(gè)實(shí)體抹除單元中存在滿足所述預(yù)設(shè)條件的當(dāng)前實(shí)體抹除單元，判斷所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元是否被寫滿；若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元未被寫滿，針對(duì)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元執(zhí)行第一磨損均衡操作；若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元被寫滿，針對(duì)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元執(zhí)行第二磨損均衡操作。3、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元未被寫滿，所述磨損均衡方法還包括：判斷所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元是否存儲(chǔ)有效數(shù)據(jù)；若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元有存儲(chǔ)有效數(shù)據(jù)，針對(duì)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元執(zhí)行第一磨損均衡操作；若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元未存儲(chǔ)有效數(shù)據(jù)，則將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元關(guān)聯(lián)于閑置池。4、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中基于各所述多個(gè)實(shí)體抹除單元的所述抹除次數(shù)及所述被寫入時(shí)間，判斷各所述多個(gè)實(shí)體抹除單元是否滿足所述預(yù)設(shè)條件的步驟包括：判斷各所述多個(gè)實(shí)體抹除單元的所述抹除次數(shù)與平均抹除次數(shù)的差值是否大于預(yù)設(shè)閾值；若是所述多個(gè)實(shí)體抹除單元中存在所述差值大于所述預(yù)設(shè)閾值的至少一實(shí)體抹除單元，判斷各所述至少一實(shí)體抹除單元的所述被寫入時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間閾值；以及若是所述至少一實(shí)體抹除單元中存在所述被寫入時(shí)間大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間閾值的所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元，判定所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元滿足所述預(yù)設(shè)條件。5、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中執(zhí)行所述第一磨損均衡操作的步驟包括：從閑置池挑選具有最高抹除次數(shù)的實(shí)體抹除單元作為第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元；以及將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元的全部數(shù)據(jù)搬移至所述第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元。6、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中執(zhí)行所述第一磨損均衡操作的步驟包括：判斷是否存在未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元；以及若是不存在所述未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，從閑置池挑選具有最高抹除次數(shù)的實(shí)體抹除單元作為第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的全部數(shù)據(jù)搬移至所述第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元。7、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中執(zhí)行所述第一磨損均衡操作的步驟包括：若是存在所述未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，判斷所述未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元的剩余容量是否足夠存儲(chǔ)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述全部數(shù)據(jù)；若是，則將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述全部數(shù)據(jù)搬移至所述未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元；以及若否，則從所述閑置池挑選具有所述最高抹除次數(shù)的所述實(shí)體抹除單元作為所述第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述全部數(shù)據(jù)搬移至所述第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元。8、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中執(zhí)行所述第二磨損均衡操作的步驟包括：判斷是否存在未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元；以及若是不存在所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元，從閑置池挑選具有最高抹除次數(shù)的實(shí)體抹除單元作為第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的有效數(shù)據(jù)搬移至所述第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元。9、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中執(zhí)行所述第二磨損均衡操作的步驟包括：若是存在所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元，判斷所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元的剩余容量是否足夠存儲(chǔ)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的有效數(shù)據(jù)；若是，則將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述有效數(shù)據(jù)搬移至所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元；以及若否，則從所述閑置池挑選具有所述最高抹除次數(shù)的所述實(shí)體抹除單元作為所述第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述有效數(shù)據(jù)依序搬移至所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元及所述第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元。10、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，所述磨損均衡方法還包括：取得所述多個(gè)實(shí)體抹除單元的多個(gè)抹除次數(shù)；以及根據(jù)所述多個(gè)抹除次數(shù)計(jì)算所述平均抹除次數(shù)。11、本發(fā)明的范例實(shí)施例另提供一種存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其包括連接接口單元、可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊以及存儲(chǔ)器控制電路單元。所述存儲(chǔ)器控制電路單元耦接至所述連接接口單元與所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。所述連接接口單元用以耦接至主機(jī)系統(tǒng)。所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多個(gè)實(shí)體抹除單元。所述存儲(chǔ)器控制電路單元用以基于各所述多個(gè)實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)及被寫入時(shí)間，判斷各所述多個(gè)實(shí)體抹除單元是否滿足預(yù)設(shè)條件。若是所述多個(gè)實(shí)體抹除單元中存在滿足所述預(yù)設(shè)條件的當(dāng)前實(shí)體抹除單元，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元是否被寫滿。若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元未被寫滿，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以針對(duì)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元執(zhí)行第一磨損均衡操作。若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元被寫滿，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以針對(duì)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元執(zhí)行第二磨損均衡操作。12、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元未被寫滿，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元是否存儲(chǔ)有效數(shù)據(jù)；若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元有存儲(chǔ)有效數(shù)據(jù)，針對(duì)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元執(zhí)行第一磨損均衡操作；若是所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元未存儲(chǔ)有效數(shù)據(jù)，將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元關(guān)聯(lián)于閑置池。13、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷各所述多個(gè)實(shí)體抹除單元的所述抹除次數(shù)與平均抹除次數(shù)的差值是否大于預(yù)設(shè)閾值。若是所述多個(gè)實(shí)體抹除單元中存在所述差值大于所述預(yù)設(shè)閾值的至少一實(shí)體抹除單元，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷各所述至少一實(shí)體抹除單元的所述被寫入時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間閾值。若是所述至少一實(shí)體抹除單元中存在所述被寫入時(shí)間大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間閾值的所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判定所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元滿足所述預(yù)設(shè)條件。14、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以從閑置池挑選具有最高抹除次數(shù)的實(shí)體抹除單元作為第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并且將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元的全部數(shù)據(jù)搬移至所述第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元。15、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷是否存在未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元。若是不存在所述未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以從閑置池挑選具有最高抹除次數(shù)的實(shí)體抹除單元作為第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的全部數(shù)據(jù)搬移至所述第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元。16、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中若是存在所述未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷所述未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元的剩余容量是否足夠存儲(chǔ)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述全部數(shù)據(jù)。若是，則所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述全部數(shù)據(jù)搬移至所述未被寫滿的第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元。若否，則所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以從所述閑置池挑選具有所述最高抹除次數(shù)的所述實(shí)體抹除單元作為所述第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述全部數(shù)據(jù)搬移至所述第一目標(biāo)實(shí)體抹除單元。17、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷是否存在未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元。若是不存在所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以從閑置池挑選具有最高抹除次數(shù)的實(shí)體抹除單元作為第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的有效數(shù)據(jù)搬移至所述第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元。18、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中若是存在所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元的剩余容量是否足夠存儲(chǔ)所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的有效數(shù)據(jù)。若是，則所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述有效數(shù)據(jù)搬移至所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元。若否，則所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以從所述閑置池挑選具有所述最高抹除次數(shù)的所述實(shí)體抹除單元作為所述第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元，并將所述當(dāng)前實(shí)體抹除單元中的所述有效數(shù)據(jù)依序搬移至所述未被寫滿的第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元及所述第二目標(biāo)實(shí)體抹除單元。19、在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以取得所述多個(gè)實(shí)體抹除單元的多個(gè)抹除次數(shù)，并且根據(jù)所述多個(gè)抹除次數(shù)計(jì)算所述平均抹除次數(shù)。20、基于上述，本發(fā)明提供了一種磨損均衡方法以及存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，能夠針對(duì)關(guān)閉實(shí)體抹除單元與開放實(shí)體抹除單元來執(zhí)行磨損均衡操作，以因應(yīng)用戶使用習(xí)慣。另外，在針對(duì)開放實(shí)體抹除單元的磨損均衡操作中，通過將開放實(shí)體抹除單元的全部數(shù)據(jù)搬移至目標(biāo)實(shí)體抹除單元，可在提升存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的使用壽命的同時(shí)，一并提升存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。此外，通過沿用未被寫滿的目標(biāo)實(shí)體抹除單元，可有效地避免存儲(chǔ)空間的浪費(fèi)。21、為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。當(dāng)前第1頁12當(dāng)前第1頁12