本申請涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
技術(shù)領(lǐng)域：
，更具體地說，涉及一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：隨著固態(tài)硬盤(solidstatedisk，ssd)技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)硬盤在性能、壽命、可靠性及容量上已經(jīng)達(dá)到了企業(yè)級別使用的程度，所以在近幾年基于全閃存存儲(chǔ)介質(zhì)(例如固態(tài)硬盤)的全閃存陣列的研究如火如荼。固態(tài)硬盤相較于傳統(tǒng)的機(jī)械磁盤主要有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：1、固態(tài)硬盤的性能大大優(yōu)于傳統(tǒng)磁盤，企業(yè)級的固態(tài)硬盤的io時(shí)延以及可以達(dá)到50μs以下，而企業(yè)級的磁盤的時(shí)延都在毫秒級別；2、固態(tài)硬盤由于不需要機(jī)械馬達(dá)，所以其在運(yùn)行時(shí)噪音小且耗電少；3、固態(tài)硬盤由于不存在機(jī)械設(shè)備，所以整盤損壞概率??；4、固態(tài)硬盤的可定制性高，可以在高密設(shè)備上應(yīng)用。固態(tài)硬盤在應(yīng)用過程中，數(shù)據(jù)塊是不能直接修改寫的，在進(jìn)行數(shù)據(jù)塊的修改寫時(shí)，需要將修改寫的數(shù)據(jù)塊重新映射到新的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行存儲(chǔ)，然后將之前存儲(chǔ)的修改前的數(shù)據(jù)庫無效掉，并等待垃圾回收進(jìn)行處理。但是固態(tài)硬盤不耐擦寫，頻繁的擦寫操作不僅會(huì)消耗掉固態(tài)硬盤的壽命，而且大量的小塊隨機(jī)寫操作會(huì)加劇垃圾回收處理的頻度，且垃圾回收存在數(shù)據(jù)搬遷，會(huì)影響固態(tài)硬盤對外能夠提供的io性能。如何減少對固態(tài)硬盤的小塊隨機(jī)寫，以提升固態(tài)硬盤的性能，并提升固態(tài)硬盤的使用壽命，成為相關(guān)技術(shù)人員研究的重點(diǎn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)降低對固態(tài)硬盤的小塊隨機(jī)寫的頻度，提升固態(tài)硬盤的性能，并提升固態(tài)硬盤的使用壽命的目的。為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，應(yīng)用于全閃存陣列，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法包括：接收待修改元數(shù)據(jù)；根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)生成元數(shù)據(jù)塊；將所述元數(shù)據(jù)塊寫入所述全閃存陣列的非易失性內(nèi)存中，并判斷所述非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊總長度是否大于或等于預(yù)設(shè)長度，如果是，則對所述非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行下盤?？蛇x的，所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)包括：修改模式、存儲(chǔ)位置及修改值?？蛇x的，還包括：每隔預(yù)設(shè)時(shí)間對所述全閃存陣列的下層存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份?？蛇x的，還包括：在對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份，且接收到待修改元數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)確定與所述待修改元數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的源元數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)對所述源元數(shù)據(jù)進(jìn)行重定向?qū)??？蛇x的，所述每隔預(yù)設(shè)時(shí)間對所述全閃存陣列的下層存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份包括：設(shè)置全量備份標(biāo)簽；從所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊的開始位置以固定長度的數(shù)據(jù)段將元數(shù)據(jù)寫入所述全閃存陣列下層存儲(chǔ)介質(zhì)中，直至所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的所有元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊全部下盤完成；取消所述全量備份標(biāo)簽?？蛇x的，還包括：當(dāng)所述全閃存陣列的節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)故障時(shí)，讀取歷史最近一次全量備份的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊；對讀取的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行完整性校驗(yàn)；當(dāng)讀取的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊完整時(shí)，以歷史最近一次全量備份的起始時(shí)間點(diǎn)對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行重放，直至讀取的所有的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊重放完成。一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，應(yīng)用于全閃存陣列，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：接收模塊，用于接收待修改元數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)塊生成模塊，用于根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)生成元數(shù)據(jù)塊；下盤模塊，用于將所述元數(shù)據(jù)塊寫入所述全閃存陣列的非易失性內(nèi)存中，并判斷所述非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊總長度是否大于或等于預(yù)設(shè)長度，如果是，則對所述非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行下盤?？蛇x的，所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)包括：修改模式、存儲(chǔ)位置及修改值?？蛇x的，還包括：全量備份模塊，用于每隔預(yù)設(shè)時(shí)間對所述全閃存陣列的下層存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份?？蛇x的，還包括：重定向?qū)懩K，用于在對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份，且接收到待修改元數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)確定與所述待修改元數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的源元數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)對所述源元數(shù)據(jù)進(jìn)行重定向?qū)??？蛇x的，所述全量備份模塊包括：標(biāo)簽設(shè)置單元，用于設(shè)置全量備份標(biāo)簽；寫入單元，用于從所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊的開始位置以固定長度的數(shù)據(jù)段將元數(shù)據(jù)寫入所述全閃存陣列下層存儲(chǔ)介質(zhì)中，直至所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的所有元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊全部下盤完成；標(biāo)簽取消單元，用于取消所述全量備份標(biāo)簽。可選的，還包括：數(shù)據(jù)恢復(fù)模塊，用于當(dāng)所述全閃存陣列的節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)故障時(shí)，讀取歷史最近一次全量備份的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊；對讀取的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行完整性校驗(yàn)；當(dāng)讀取的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊完整時(shí)，以歷史最近一次全量備份的起始時(shí)間點(diǎn)對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行重放，直至讀取的所有的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊重放完成。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)，其中，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法針對元數(shù)據(jù)的修改單元一般較小的特性，根據(jù)接收的待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)生成元數(shù)據(jù)塊，并存儲(chǔ)于非易失性內(nèi)存中；然后當(dāng)非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊總長度大于或等于預(yù)設(shè)長度時(shí)，將非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行合并下盤的方式減少小塊數(shù)據(jù)的隨機(jī)寫操作對下層存儲(chǔ)介質(zhì)(固態(tài)硬盤)的性能影響，從而實(shí)現(xiàn)提升固態(tài)硬盤的性能，并提升固態(tài)硬盤的使用壽命的目的。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請的一個(gè)實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的流程示意圖；圖2為本申請的另一個(gè)實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的流程示意圖；圖3為本申請的又一個(gè)實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的流程示意圖；圖4為本申請的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的流程示意圖；圖5為本申請的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的流程示意圖；圖6為本申請的一個(gè)實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本申請的另一個(gè)實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本申請的又一個(gè)實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本申請的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本申請的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例提供的一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本申請實(shí)施例提供了一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，如圖1所示，應(yīng)用于全閃存陣列，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法包括：s101：接收待修改元數(shù)據(jù)；s102：根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)生成元數(shù)據(jù)塊；s103：將所述元數(shù)據(jù)塊寫入所述全閃存陣列的非易失性內(nèi)存中，并判斷所述非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊總長度是否大于或等于預(yù)設(shè)長度，如果是，則對所述非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行下盤。需要說明的是，在存儲(chǔ)系統(tǒng)中，所有描述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)屬性、位置以及在io棧各層需要的映射關(guān)系的數(shù)據(jù)都稱為元數(shù)據(jù)。在全閃存陣列中，上層存儲(chǔ)介質(zhì)的地址是邏輯連續(xù)的，但是在上層存儲(chǔ)介質(zhì)中的寫入操作一般是隨機(jī)的。也就是說，假設(shè)上層存儲(chǔ)介質(zhì)的地址為0-10000，第一次寫入數(shù)據(jù)的位置為0位置，第二次寫入數(shù)據(jù)的位置就可能是100位置；所以一次性分配10000長度的存儲(chǔ)單元存在存儲(chǔ)介質(zhì)的浪費(fèi)，所以在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的過程中就存在一次地址空間之間的映射。假如每次寫入的數(shù)據(jù)長度均為8字節(jié)，寫入的上層地址位置依次是0、64,、128、136，而在全閃存陣列的下層存儲(chǔ)介質(zhì)(例如固態(tài)硬盤或其他可長期保存數(shù)據(jù)的介質(zhì))處理這些數(shù)據(jù)時(shí)，其在下層存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的位置則為0、1、2、3，時(shí)依照寫入順序排列的地址，那么這個(gè)過程組成的映射關(guān)系就為(0,0)(64,1)(128,2)和(136,3)，這些映射關(guān)系就稱為元數(shù)據(jù)。在本申請實(shí)施例中，所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)一般包括：修改模式、存儲(chǔ)位置及修改值；其中，修改模式包括事務(wù)處理模式參數(shù)和基本模式參數(shù)，所述基本模式參數(shù)包括增加(add)、刪除(del)和修改(mod)，這三項(xiàng)中的任意一項(xiàng)或多項(xiàng)構(gòu)成基本模式；所述事務(wù)處理模式參數(shù)還包括：傳輸起始(trans_begin)和傳輸完成(trans_end)。參考表1，為本申請的一個(gè)實(shí)施例提供的一種可行的元數(shù)據(jù)塊的結(jié)構(gòu)：表1元數(shù)據(jù)塊結(jié)構(gòu)modeposcontentadd0x1a85aadel0x859nulltrans_beginnullnullmod0x67caddaddox982ccdel0x176nulltrans_endnullnullmod0x7ac1al在表1中，mode表示修改模式，content表示修改值，pos表示存儲(chǔ)位置。還需要說明的是，所述預(yù)設(shè)長度的取值可以為128kb(kilobyte，千字節(jié))，也可以為256kb，還可以為512kb，本申請對所述預(yù)設(shè)長度的具體取值并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法還包括：s201：每隔預(yù)設(shè)時(shí)間對所述全閃存陣列的下層存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份。為了降低系統(tǒng)出現(xiàn)故障導(dǎo)致元數(shù)據(jù)丟失時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)的難度，每隔預(yù)設(shè)時(shí)間就對所述全閃存陣列的下層存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份。所述下層存儲(chǔ)介質(zhì)可以為固態(tài)硬盤等長期存儲(chǔ)介質(zhì)。具體地，參考圖3，所述每隔預(yù)設(shè)時(shí)間對所述全閃存陣列的下層存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份包括：s2011：設(shè)置全量備份標(biāo)簽；s2022：從所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊的開始位置以固定長度的數(shù)據(jù)段將元數(shù)據(jù)寫入所述全閃存陣列下層存儲(chǔ)介質(zhì)中，直至所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的所有元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊全部下盤完成；s2023：取消所述全量備份標(biāo)簽。需要說明的是，所述固定長度可以為8字節(jié)，也可以為12字節(jié)，還可以為16字節(jié)，本申請對所述固定長度的具體取值并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。還需要說明的是，當(dāng)系統(tǒng)正在進(jìn)行全量備份的過程中，需要對元數(shù)據(jù)進(jìn)行修改時(shí)，需要對需要進(jìn)行修改的元數(shù)據(jù)進(jìn)行重定向?qū)懙牟僮?。具體地，參考圖4，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法還包括：s301：在對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份，且接收到待修改元數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)確定與所述待修改元數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的源元數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)對所述源元數(shù)據(jù)進(jìn)行重定向?qū)?。重定向?qū)?redirectonwrite，row)是指將原來的數(shù)據(jù)段拷貝到新的內(nèi)存位置，將拷貝的位置數(shù)據(jù)進(jìn)行修改，并修改對應(yīng)的該數(shù)據(jù)段類型，在內(nèi)存中重新建立關(guān)系的操作。在重定向?qū)懙倪^程中，在下盤時(shí)需要將之前未修改的數(shù)據(jù)段下盤，下盤完成后未修改的數(shù)據(jù)段內(nèi)存釋放，并將數(shù)據(jù)段類型修改到未修改寫的狀態(tài)。優(yōu)選的，在進(jìn)行全量備份的過程中，從所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊的開始位置以固定長度的數(shù)據(jù)段將元數(shù)據(jù)寫入所述全閃存陣列下層存儲(chǔ)介質(zhì)的固定位置中，以便全量備份數(shù)據(jù)的查找。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的又一個(gè)實(shí)施例中，如圖5所示，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法還包括：s401：當(dāng)所述全閃存陣列的節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)故障時(shí)，讀取歷史最近一次全量備份的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊；s402：對讀取的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行完整性校驗(yàn)；s403：當(dāng)讀取的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊完整時(shí)，以歷史最近一次全量備份的起始時(shí)間點(diǎn)對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行重放，直至讀取的所有的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊重放完成。需要說明的是，對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行完整性校驗(yàn)主要通過元數(shù)據(jù)和元數(shù)據(jù)塊中的校驗(yàn)碼(例如md5值等)進(jìn)行計(jì)算驗(yàn)證，具體校驗(yàn)過程已為本領(lǐng)域技術(shù)過程所熟知，本申請?jiān)诖瞬蛔鲑樖觥Ｏ旅鎸Ρ旧暾垖?shí)施例提供的元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行描述，下文描述的元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)與上文描述的元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法可相互對應(yīng)參照。一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，應(yīng)用于全閃存陣列，如圖6所示，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：接收模塊100，用于接收待修改元數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)塊生成模塊200，用于根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)生成元數(shù)據(jù)塊；下盤模塊300，用于將所述元數(shù)據(jù)塊寫入所述全閃存陣列的非易失性內(nèi)存中，并判斷所述非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊總長度是否大于或等于預(yù)設(shè)長度，如果是，則對所述非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行下盤。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的一個(gè)實(shí)施例中，所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)包括：修改模式、存儲(chǔ)位置及修改值。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的一個(gè)實(shí)施例中，如圖7所示，還包括：全量備份模塊400，用于每隔預(yù)設(shè)時(shí)間對所述全閃存陣列的下層存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖8所示，還包括：重定向?qū)懩K500，用于在對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行全量備份，且接收到待修改元數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)確定與所述待修改元數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的源元數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)對所述源元數(shù)據(jù)進(jìn)行重定向?qū)?。在上述?shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的又一個(gè)實(shí)施例中，如圖9所示，還包括：所述全量備份模塊400包括：標(biāo)簽設(shè)置單元410，用于設(shè)置全量備份標(biāo)簽；寫入單元420，用于從所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊的開始位置以固定長度的數(shù)據(jù)段將元數(shù)據(jù)寫入所述全閃存陣列下層存儲(chǔ)介質(zhì)中，直至所述全閃存陣列中存儲(chǔ)的所有元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊全部下盤完成；標(biāo)簽取消單元430，用于取消所述全量備份標(biāo)簽。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的再一個(gè)實(shí)施例中，如圖10所示，還包括：數(shù)據(jù)恢復(fù)模塊600，用于當(dāng)所述全閃存陣列的節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)故障時(shí)，讀取歷史最近一次全量備份的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊；對讀取的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行完整性校驗(yàn)；當(dāng)讀取的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊完整時(shí)，以歷史最近一次全量備份的起始時(shí)間點(diǎn)對元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行重放，直至讀取的所有的元數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)塊重放完成。綜上所述，本申請實(shí)施例提供了一種元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)，其中，所述元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法針對元數(shù)據(jù)的修改單元一般較小的特性，根據(jù)接收的待修改元數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)參數(shù)生成元數(shù)據(jù)塊，并存儲(chǔ)于非易失性內(nèi)存中；然后當(dāng)非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊總長度大于或等于預(yù)設(shè)長度時(shí)，將非易失性內(nèi)存中存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)塊進(jìn)行合并下盤的方式減少小塊數(shù)據(jù)的隨機(jī)寫操作對下層存儲(chǔ)介質(zhì)(固態(tài)硬盤)的性能影響，從而實(shí)現(xiàn)提升固態(tài)硬盤的性能，并提升固態(tài)硬盤的使用壽命的目的。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。當(dāng)前第1頁12