本發(fā)明涉及指紋識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種指紋識(shí)別裝置及其制作方法、觸控顯示裝置。

背景技術(shù)：

指紋識(shí)別技術(shù)是目前最成熟且價(jià)格便宜的生物特征識(shí)別技術(shù)。目前來說指紋識(shí)別的技術(shù)應(yīng)用最為廣泛，我們不僅在門禁、考勤系統(tǒng)中可以看到指紋識(shí)別技術(shù)的身影，市場(chǎng)上也有了更多指紋識(shí)別的應(yīng)用：如筆記本電腦、手機(jī)、汽車、銀行支付都可應(yīng)用指紋識(shí)別的技術(shù)。

隨著科技的進(jìn)步，指紋識(shí)別技術(shù)已經(jīng)開始慢慢進(jìn)入計(jì)算機(jī)世界中。許多公司和研究機(jī)構(gòu)都在指紋識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域取得了很大突破性進(jìn)展，推出許多指紋識(shí)別與傳統(tǒng)it技術(shù)完美結(jié)合的應(yīng)用產(chǎn)品，這些產(chǎn)品已經(jīng)被越來越多的用戶所認(rèn)可。

指紋識(shí)別器件可以分為：電容式、光電式和超聲波等類型。

針對(duì)光電式的指紋識(shí)別器件，當(dāng)用戶用濕手觸摸指紋識(shí)別器件后，由于濕手會(huì)對(duì)光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生一定影響，從而影響光電式指紋識(shí)別器件的指紋識(shí)別效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別裝置及其制作方法、觸控顯示裝置，用以避免濕手觸摸指紋識(shí)別裝置造成的指紋識(shí)別效果欠佳的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別裝置，包括襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板之上的且呈陣列排布的光敏感應(yīng)單元，設(shè)置在所述光敏感應(yīng)單元之上的疏水結(jié)構(gòu)。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置，所述疏水結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置在所述光敏感應(yīng)單元之上的碳納米管膜層和氟硅烷膜層。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置，所述光敏感應(yīng)單元具體包括：用于感測(cè)指紋中脊或谷處反射的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的光電二極管，以及用于將所述光電二極管的電信號(hào)輸出的開關(guān)晶體管；

所述指紋識(shí)別裝置還包括：用于給所述光電二極管提供電壓信號(hào)的電壓信號(hào)線，以及用于給所述開關(guān)晶體管提供掃描信號(hào)的掃描線。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置，所述疏水結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的投影與所述光電二極管在所述襯底基板上的投影重疊。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置，所述疏水結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的投影與所述光電二極管和所述開關(guān)晶體管在所述襯底基板上的投影重疊。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種觸控顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種的指紋識(shí)別裝置。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種的指紋識(shí)別裝置的制作方法，該方法包括：

采用構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成光敏感應(yīng)單元的圖案；

采用構(gòu)圖工藝在所述光敏感應(yīng)單元之上形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置的制作方法中，所述采用構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成光敏感應(yīng)單元的圖案，包括：

在所述襯底基板上形成開關(guān)晶體管的圖案，所述開關(guān)晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極；在所述襯底基板上形成光電二極管的圖案，所述光電二極管包括第一電極、光敏導(dǎo)電層和第二電極；其中，所述第一電極與所述源極或漏極電性連接；或者，

在所述襯底基板上形成光電二極管的圖案，所述光電二極管包括第一電極、光敏導(dǎo)電層和第二電極；在所述襯底基板上形成開關(guān)晶體管的圖案，所述開關(guān)晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極；其中，所述第一電極與所述源極或漏極電性連接。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置的制作方法中，采用構(gòu)圖工藝在所述光敏感應(yīng)單元之上形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案，包括：

在所述光敏感應(yīng)單元之上依次形成碳納米管膜層和氟硅烷膜層；

在所述氟硅烷膜層之上形成光刻膠層；

采用形成所述光電二極管的圖案的掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域與所述光電二極管相對(duì)應(yīng)；

刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置的制作方法中，采用構(gòu)圖工藝在所述光敏感應(yīng)單元之上形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案，包括：

在所述光敏感應(yīng)單元之上依次形成碳納米管膜層和氟硅烷膜層；

在所述氟硅烷膜層之上形成光刻膠層；

采用形成所述光電二極管和開關(guān)晶體管的圖案的掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域與所述光電二極管和所述開關(guān)晶體管相對(duì)應(yīng)；

刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置的制作方法中，刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，包括：

采用干法刻蝕的方式，刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的碳納米管膜層和氟硅烷膜層。

本發(fā)明有益效果如下：

通過本發(fā)明實(shí)施例提供了的指紋識(shí)別裝置，在且呈陣列排布的光敏感應(yīng)單元之上設(shè)置疏水結(jié)構(gòu)，由于疏水結(jié)構(gòu)起到疏水疏油的作用，使得當(dāng)用戶用濕手觸摸指紋識(shí)別裝置時(shí)，提高了指紋識(shí)別的效果。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種指紋識(shí)別裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種指紋識(shí)別裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第四種指紋識(shí)別裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的第五種指紋識(shí)別裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別裝置的制作方法的流程示意圖；

圖7(a)-圖7(e)分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別裝置的制作方法在執(zhí)行每個(gè)步驟之后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本發(fā)明更全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。本發(fā)明中所描述的表達(dá)位置與方向的詞，均是以附圖為例進(jìn)行的說明，但根據(jù)需要也可以做出改變，所做改變均包含在本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)。本發(fā)明的附圖僅用于示意相對(duì)位置關(guān)系，某些部位的層厚采用了夸示的繪圖方式以便于理解，附圖中的層厚并不代表實(shí)際層厚的比例關(guān)系。

需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施方式的限制。如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同名詞來稱呼同一個(gè)組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。說明書后續(xù)描述為實(shí)施本申請(qǐng)的較佳實(shí)施方式，然所述描述乃以說明本申請(qǐng)的一般原則為目的，并非用以限定本申請(qǐng)的范圍。本申請(qǐng)的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。應(yīng)理解，當(dāng)元件諸如層、膜、區(qū)域或者襯底被稱為位于另一個(gè)元件“上”時(shí)，其可以直接位于另一個(gè)元件上，或者可以插設(shè)有一個(gè)或多個(gè)中間元件。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別裝置及其制作方法、觸控顯示裝置，用以避免濕手觸摸指紋識(shí)別裝置造成的指紋識(shí)別效果欠佳的問題。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別裝置及其制作方法、觸控顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。

附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

參見圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別裝置，包括襯底基板01，設(shè)置在襯底基板01之上的且呈陣列排布的光敏感應(yīng)單元02，設(shè)置在光敏感應(yīng)單元02之上的疏水結(jié)構(gòu)03。

需要說明的是，為了避免光敏感應(yīng)單元與疏水結(jié)構(gòu)之間信號(hào)的相互干擾，在疏水結(jié)構(gòu)03和光敏感應(yīng)單元02之間設(shè)置有保護(hù)層07，保護(hù)層07起到絕緣的作用。保護(hù)層的材料在此不做具體限定。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，將疏水結(jié)構(gòu)設(shè)置在光敏感應(yīng)單元之上，也是設(shè)置在指紋識(shí)別裝置的表面，用以在用戶手指觸摸指紋識(shí)別裝置時(shí)，先通過疏水結(jié)構(gòu)的疏水疏油作用，在通過光敏感應(yīng)單元檢測(cè)手指的指紋。因此，本發(fā)明實(shí)施例中的疏水結(jié)構(gòu)設(shè)置在光敏感應(yīng)單元之上，用以避免濕手觸摸指紋識(shí)別裝置造成的指紋識(shí)別效果欠佳的問題。

其中，疏水結(jié)構(gòu)設(shè)置在光敏感應(yīng)單元之上，包括疏水結(jié)構(gòu)為整層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在指紋識(shí)別裝置的表面，或者僅設(shè)置在光敏感應(yīng)單元的上方，在此不做具體限定。

本發(fā)明實(shí)施例中的疏水結(jié)構(gòu)是指具有疏水作用和疏油作用的結(jié)構(gòu)或者膜層。在此不做具體限定。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置，參見圖2，疏水結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置在光敏感應(yīng)單元02之上的碳納米管膜層031和氟硅烷膜層032。具體地，疏水結(jié)構(gòu)可以為由碳納米管材料形成膜層設(shè)置在光敏感應(yīng)單元之上，然后再通過氟硅烷進(jìn)行表面處理，形成疏水疏油作用的膜層。其中，疏水結(jié)構(gòu)可以完全覆蓋光敏感應(yīng)單元。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置，參見圖3，光敏感應(yīng)單元02具體包括：用于感測(cè)指紋中脊或谷處反射的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的光電二極管021，以及用于將光電二極管的電信號(hào)輸出的開關(guān)晶體管022；指紋識(shí)別裝置還包括：用于給光電二極管提供電壓信號(hào)的電壓信號(hào)線04，以及用于給開關(guān)晶體管提供掃描信號(hào)的掃描線。

具體地，參見圖3，光電二極管021包括依次設(shè)置在襯底基板01之上的第一電極層0211、光敏導(dǎo)電層0212和第二電極層0213；其中，第二電極層0213為透明導(dǎo)電層；第一電極層0211可以為透明導(dǎo)電層或者金屬導(dǎo)電層。開關(guān)晶體管022包括依次設(shè)置在襯底基板01之上的柵極0221、柵極絕緣層0222、有源層0223，以及與有源層0223電連接的源極0224和漏極0225；其中，指紋識(shí)別裝置還包括：與開關(guān)晶體管的柵極0221電連接的掃描線(圖中并未畫出)。其中，開關(guān)晶體管的源極0224或漏極0225與光電二極管021的第一電極層0211電連接。指紋識(shí)別裝置還包括：與光電二極管021的第二電極層0213電連接的電壓信號(hào)線04。其中，第二電極層0213通過導(dǎo)電層05與電壓信號(hào)線04電性連接。

進(jìn)一步地，為了對(duì)指紋識(shí)別裝置中的光電二極管或開關(guān)二極管的絕緣保護(hù)，指紋識(shí)別裝置還包括：設(shè)置在源極0224或漏極0225所在膜層之上的絕緣層06，其中導(dǎo)電層05設(shè)置在絕緣層06之上，且通過貫穿絕緣層06和柵極絕緣層0222的過孔與第二電極層電性連接。

需要說明的是，圖3所示的光電二極管021和開關(guān)晶體管022的結(jié)構(gòu)僅為一個(gè)具體的實(shí)施例，但不限于圖3所示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例中，針對(duì)光電二極管以及開關(guān)二極管的結(jié)構(gòu)不做具體限定。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置，參見圖4，疏水結(jié)構(gòu)(碳納米管膜層031和氟硅烷膜層032)在襯底基板上的投影與光電二極管021在襯底基板上的投影重疊。

具體地，疏水結(jié)構(gòu)僅覆蓋在光電二極管021之上，用以在濕手觸摸指紋識(shí)別裝置時(shí)，起到疏水疏油的作用，提高指紋識(shí)別的精度。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置，參見圖5，疏水結(jié)構(gòu)(碳納米管膜層031和氟硅烷膜層032)在襯底基板上的投影與光電二極管021和開關(guān)晶體管022在襯底基板上的投影重疊。

具體地，疏水結(jié)構(gòu)覆蓋光敏感應(yīng)單元中的光電二極管和開關(guān)晶體管，用以在濕手觸摸指紋識(shí)別裝置時(shí)，起到疏水疏油的作用，提高指紋識(shí)別的精度。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的疏水結(jié)構(gòu)還可以覆蓋在指紋識(shí)別裝置的整個(gè)表面。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種觸控顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種的指紋識(shí)別裝置。本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示裝置的具體實(shí)施方式和有益效果與上述指紋識(shí)別裝置的相同，在此不再贅述。

基于同一發(fā)明思想，參見圖6，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種的指紋識(shí)別裝置的制作方法，該方法包括：

s601、采用構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成光敏感應(yīng)單元的圖案；

s602、采用構(gòu)圖工藝在光敏感應(yīng)單元之上形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案。

其中，本發(fā)明實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝可只包括光刻工藝，或，可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。在具體實(shí)施時(shí)，可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置的制作方法中，步驟s601中采用構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成光敏感應(yīng)單元的圖案，包括：

在襯底基板上形成開關(guān)晶體管的圖案，開關(guān)晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極；在襯底基板上形成光電二極管的圖案，光電二極管包括第一電極、光敏導(dǎo)電層和第二電極；其中，第一電極與源極或漏極電性連接；或者，

在襯底基板上形成光電二極管的圖案，光電二極管包括第一電極、光敏導(dǎo)電層和第二電極；在襯底基板上形成開關(guān)晶體管的圖案，開關(guān)晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極；其中，第一電極與源極或漏極電性連接。

具體地，在形成開關(guān)晶體管的柵極的同時(shí)形成光電二極管的第一電極的圖案，第一電極與柵極同層設(shè)置，或者，第一電極的材料與柵極材料相同；第二電極可以為透明導(dǎo)電層。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置的制作方法中，步驟s602采用構(gòu)圖工藝在光敏感應(yīng)單元之上形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案，包括：在光敏感應(yīng)單元之上依次形成碳納米管膜層和氟硅烷膜層；在氟硅烷膜層之上形成光刻膠層；采用形成光電二極管的圖案的掩膜版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，光刻膠完全保留區(qū)域與光電二極管相對(duì)應(yīng)；刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案。

具體地，當(dāng)疏水結(jié)構(gòu)在襯底基板上的投影與光電二極管在襯底基板上的投影重疊時(shí)，疏水結(jié)構(gòu)的圖案可以采用形成光電二極管的掩膜版形成，從而節(jié)省了形成疏水結(jié)構(gòu)所采用的掩膜版，從而簡(jiǎn)化了工藝。其中，形成碳納米管膜層和氟硅烷膜層可以采用沉積或者涂覆的方式，在此不做具體限定。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置的制作方法中，步驟s602采用構(gòu)圖工藝在所述光敏感應(yīng)單元之上形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案，包括：在光敏感應(yīng)單元之上依次形成碳納米管膜層和氟硅烷膜層；在氟硅烷膜層之上形成光刻膠層；采用形成光電二極管和開關(guān)晶體管的圖案的掩膜版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，光刻膠完全保留區(qū)域與光電二極管和開關(guān)晶體管相對(duì)應(yīng)；刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，形成疏水結(jié)構(gòu)的圖案。

具體地，當(dāng)疏水結(jié)構(gòu)在襯底基板上的投影與光電二極管和開關(guān)晶體管在襯底基板上的投影重疊時(shí)，疏水結(jié)構(gòu)的圖案可以采用形成光電二極管和開關(guān)晶體管的掩膜版形成，從而節(jié)省了形成疏水結(jié)構(gòu)所采用的掩膜版，從而簡(jiǎn)化了工藝。其中，形成碳納米管膜層和氟硅烷膜層可以采用沉積或者涂覆的方式，在此不做具體限定。

在具體實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述指紋識(shí)別裝置的制作方法中，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，包括：采用干法刻蝕的方式，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域所對(duì)應(yīng)的碳納米管膜層和氟硅烷膜層。

下面通過具體實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別裝置的制作方法的具體步驟，包括：

步驟一，采用構(gòu)圖工藝在襯底基板01上形成柵極0221、第一電極層0211的圖案，以及形成與柵極0221同層設(shè)置的電壓信號(hào)線04的圖案，如圖7(a)所示；

步驟二，在第一電極層0211之上形成光敏導(dǎo)電層0212和第二電極層0213，如圖7(b)所示；

步驟三，在柵極0221之上形成覆蓋柵極0221和第二電極層0213的柵極絕緣層0222，在柵極絕緣層0222之上依次形成有源層0223，以及與有源層0223電連接的源極0224和漏極0225，如圖7(c)所示；

步驟四，在源極0224或漏極0225所在膜層之上形成絕緣層06，起到光電二極管和開關(guān)晶體管的作用，且在絕緣層06之上形成導(dǎo)電層05的圖案，其中導(dǎo)電層05通過貫穿絕緣層06和柵極絕緣層0222的過孔與第二電極層0213電性連接，以及通過貫穿絕緣層06和柵極絕緣層0222的過孔與電壓信號(hào)線04電性連接，如圖7(d)所示；

步驟五，在圖7(d)所示的結(jié)構(gòu)表面形成保護(hù)層07，以及在保護(hù)層07上方形成碳納米管膜層031和氟硅烷膜層032，從而形成疏水結(jié)構(gòu)，如圖7(e)所示。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別裝置，包括在呈陣列排布的光敏感應(yīng)單元之上形成疏水結(jié)構(gòu)，疏水結(jié)構(gòu)包括碳納米管膜層和氟硅烷膜層，從而起到了疏水疏油的作用，避免了當(dāng)濕手觸摸指紋識(shí)別裝置時(shí)，造成指紋識(shí)別效果不佳的問題。具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的疏水結(jié)構(gòu)在襯底基板上投影與光電二極管在襯底基板上的投影重疊，或者疏水結(jié)構(gòu)在襯底基板上的投影與光電二極管和開關(guān)晶體管在襯底基板上的投影重疊，使得通過疏水結(jié)構(gòu)的作用，避免了濕手對(duì)光電二極管的影響。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。