專利名稱：半導(dǎo)體芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能在不導(dǎo)致破損的情況下以高生產(chǎn)率獲得半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
背景技術(shù)：
制造IC或LSI等半導(dǎo)體芯片時，通常采用的方法是將純度高的棒狀半導(dǎo)體單晶等切割成半導(dǎo)體晶片后，利用光刻膠在半導(dǎo)體晶片表面上形成規(guī)定電路圖案，進(jìn)而利用磨削機(jī)將半導(dǎo)體晶片的背面磨削，將厚度減薄至100～300微米左右之后，最后切割制成芯片。
過去在切割時，大多采用了如下的方法，即在半導(dǎo)體晶片的背面一側(cè)粘貼切割用粘合帶，在將半導(dǎo)體晶片粘接固定的狀態(tài)下沿著縱向和橫向切割，分離成各個半導(dǎo)體芯片，之后用針等從切割膠帶一側(cè)將所形成的半導(dǎo)體芯片向上拾取，將其固定在裸片焊墊上。例如專利文獻(xiàn)1中公開了一種半導(dǎo)體晶片的磨削加工方法，其中采用具有多個砂輪軸的磨削加工裝置，以至少一個砂輪軸從半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)葘Π雽?dǎo)體晶片進(jìn)行減薄其厚度的磨削加工，同時以另外至少一個砂輪軸將半導(dǎo)體晶片切斷分離成矩形。在這種方法中，為了防止半導(dǎo)體晶片的位置的移動等也采用了切割用粘合帶。
若要確實防止切割時半導(dǎo)體晶片的位置的移動等，固定半導(dǎo)體晶片的切割用粘合帶需要具有高的粘合力。然而，一旦將切割用粘合帶的粘合力設(shè)定得很高，就很難從切割用粘合帶上剝離所得到的半導(dǎo)體芯片，所以用針頭等向上拾取時往往會產(chǎn)生損傷半導(dǎo)體晶片的問題。
針對這一點有人采用了以固化性粘合劑作為切割用粘合帶的粘合劑使用的方法。采用此方法時，以比較高的粘合力固定半導(dǎo)體晶片并進(jìn)行切割后，將粘合劑固化，使其粘合力下降，之后，可以從切割用粘合帶上剝離得到的半導(dǎo)體芯片。然而即使采用固化性粘合劑，由于其粘合力的變化幅度小，所以當(dāng)賦予其高的粘合力，使之能夠充分防止切割時半導(dǎo)體晶片的位置移動等的情況下，固化后的粘合力也不會過分降低，當(dāng)用針頭等向上拾取時仍然很難在不損傷半導(dǎo)體芯片的情況下將其拾取出來。
另外，在半導(dǎo)體晶片的表面上形成的電路圖案極為微細(xì)、或容易破損的情況下，如果切割時與砂輪接觸，則會導(dǎo)致電路圖案的破損，或者由切割產(chǎn)生的切粉往往也造成電路圖案的破壞。這種情況下，可以采用在半導(dǎo)體晶片表面?zhèn)日迟N切割用粘合帶并從半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行切割的背面切割法。然而，當(dāng)拾取用背面切割法得到的半導(dǎo)體晶片時，半導(dǎo)體晶片的表面一側(cè)，即形成有電路圖案的一側(cè)被針頭等向上頂，此時電路圖案會遭到破壞。
此外，為適應(yīng)近年來的降低成本的需求，需要以高的生產(chǎn)率生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，在各工序中也需要極度高效化。其中用針頭等將切割后的半導(dǎo)體芯片向上頂而拾取的工序中，一旦要提高拾取速度就會增加被破損的半導(dǎo)體芯片的數(shù)目，影響成品率，所以會成為提高生產(chǎn)率方面的問題之一。
專利文獻(xiàn)1特開平7-78793號公報發(fā)明內(nèi)容鑒于上述情況，本發(fā)明目的在于提供一種能在不導(dǎo)致破損的情況下以高生產(chǎn)率獲得半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中，包括在形成有電路的半導(dǎo)體晶片上粘貼切割用粘合帶的粘合帶粘貼工序，所述切割用粘合帶具有含通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層；切割已粘貼所述切割用粘合帶的晶片，分割成各個半導(dǎo)體芯片的切割工序；對所述被分割的各個半導(dǎo)體芯片照射光，將至少一部分所述切割用粘合帶從半導(dǎo)體芯片剝離的剝離工序；和利用無針拾取法拾取所述半導(dǎo)體芯片的拾取工序。
下面詳述本發(fā)明。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有在形成有電路的半導(dǎo)體晶片上粘貼切割用粘合帶的粘合帶粘貼工序，所述切割用粘合帶具有含通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層。通過粘貼這種切割用粘合帶，在后述的切割工序中能夠防止半導(dǎo)體晶片產(chǎn)生錯位等，同時可以用不會像針拾取法那樣損傷半導(dǎo)體芯片的無針拾取法完成拾取操作。
作為形成有上述電路的半導(dǎo)體晶片，可以使用按公知方法制備的，例如可舉出在切割半導(dǎo)體單晶等得到的晶片的表面上利用光刻膠形成電路圖案后磨削到規(guī)定厚度的半導(dǎo)體晶片。
作為上述半導(dǎo)體晶片的厚度病區(qū)特別限制，可以使用從過去的100～300微米左右的，至50微米下的。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，特別適于用厚度50微米以下的半導(dǎo)體晶片以高生產(chǎn)率制造半導(dǎo)體芯片的方法。
上述的切割用粘合帶，具有含通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層。通過具有這種粘合劑層，即使具有在切割工序中不會使半導(dǎo)體晶片產(chǎn)生位置移動的充分粘合力的情況下，若在剝離時照射光，則由于從氣體產(chǎn)生劑中產(chǎn)生的氣體可以在粘合劑層與半導(dǎo)體晶片之間的界面上釋放出來，使粘合面的至少一部分剝離，降低粘合力，所以能夠容易地將切割用粘合帶與半導(dǎo)體晶片剝離，可采用不會損傷半導(dǎo)體芯片的無針拾取法進(jìn)行拾取。
作為通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑并無特別限制，例如可以適當(dāng)使用偶氮化合物、疊氮化合物。
作為上述偶氮化合物，例如可以舉出2，2’-偶氮雙(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙(N-乙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙{2-甲基N-[1，1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮雙{2-甲基-N-[2-(1-羥基丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二硫酸鹽二水合物、2，2’-偶氮雙[2-(3，4，5，6-四氫嘧啶-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮雙{2-[1-(2-羥基乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二氫氯化物、2，2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮雙(2-甲基丙脒(propionamidine))氫氯化物、2，2’-偶氮雙(2-氨基丙烷)二氫氯化物、2，2’-偶氮雙[N-(2-羧基?；?-2-甲基丙脒]、2，2’-偶氮雙{2-[N-(2-羧基乙基)脒]丙烷}、2，2’-偶氮雙(2-甲基丙酰胺肟)、2，2’-偶氮雙(2-甲基丙酸二甲酯)(dimethyl2，2-azobis(2-methylpropionate))、2，2’-偶氮雙異丁酸二甲酯(dimethyl2，2-azobisisobutylate)、4，4’-偶氮雙(4-氰基甲酸)、4，4’-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2，2’-偶氮雙(2，4，4-三甲基戊烷)等。
這些化合物通過照射光，特別是波長365nm左右的紫外線而產(chǎn)生氮氣。
上述偶氮化合物的10小時半衰期溫度優(yōu)選處于80℃以上。10小時半衰期溫度一旦低于80℃，本發(fā)明的粘合帶在利用澆注法形成粘合劑層并干燥時會產(chǎn)生氣泡，或者隨著時間的推移產(chǎn)生分解反應(yīng)，導(dǎo)致分解殘渣滲出，或者逐漸產(chǎn)生氣體而使與被粘貼的被粘合體間的界面上產(chǎn)生鼓泡。若10小時半衰期溫度處于80℃以上，則由于耐熱性優(yōu)良，所以可以在高溫下使用并能穩(wěn)定儲存。
作為10小時半衰期溫度處于80℃以上的偶氮化合物，可以舉出由以下通式(1)表示的偶氮酰胺化合物等。由以下式(1)表示的偶氮酰胺化合物，除耐熱性優(yōu)良以外，在后述的丙烯酸烷基酯聚合物等具有粘合性的聚合物中的溶解性優(yōu)良，能夠在粘合劑層中不以粒子形式存在。
式中，R1和R2分別表示低級烷基，R3表示兩個碳原子以上的飽和烷基。其中，R1和R2可以相同或不同。
作為上述通式(1)表示的偶氮酰胺化合物，例如可以舉出2，2’-偶氮雙(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙(N-乙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙{2-甲基-N-[1，1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮雙{2-甲基-N-[2-(1-羥基丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]等。其中，2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)和、2，2’-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]由于在溶劑中的溶解性特別優(yōu)良而十分適合使用。
作為上述疊氮化合物，例如可以舉出3-疊氮基甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷、對苯二甲基疊氮化合物、對叔丁基苯甲酰疊氮、通過將3-疊氮基甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷開環(huán)聚合而得到的縮水甘油基疊氮聚合物等具有疊氮基的聚合物等。這些疊氮化合物，通過光照，特別是波長365nm左右的紫外線照射而能產(chǎn)生氮氣。
這些氣體產(chǎn)生劑中，上述疊氮化合物由于受到?jīng)_擊后也容易分解釋放出氮氣，所以存在難于處理的問題。此外，上述疊氮化合物一旦開始分解，就會因產(chǎn)生連鎖反應(yīng)而爆炸性地放出氮氣，不能控制，所以還存在爆炸性地放出的氮氣損傷被粘合體的問題。由于上述問題而需要限制上述疊氮化合物的用量，但是在限制用量的情況下有時卻不能獲得充分效果。
另一方面，上述偶氮化合物不同于疊氮化合物，受到?jīng)_擊后不會放出氣體，所以處理極為容易。另外不會因連鎖反應(yīng)而爆炸性地產(chǎn)生氣體，因此不會損傷被粘合體，若中斷光照就能中斷氣體的發(fā)生，所以具有可以將粘合性控制得與用途吻合的優(yōu)點。因此，作為上述氣體產(chǎn)生劑更優(yōu)選使用偶氮化合物。
上述氣體產(chǎn)生劑優(yōu)選溶解在上述粘合劑層中。通過將上述氣體產(chǎn)生劑溶解在粘合劑中，當(dāng)照射光時從氣體產(chǎn)生劑中產(chǎn)生的氣體可以有效地釋放到粘合劑層外部。氣體產(chǎn)生劑一旦以粒子形式存在于上述粘合劑層中，局部產(chǎn)生的氣體會使粘合劑層發(fā)泡，氣體往往很難向粘合劑層外放出。進(jìn)而，作為使氣體發(fā)生的刺激而照射光時，光往往會在粒子界面上發(fā)生散射而降低氣體的發(fā)生效率，或者往往會使粘合劑層表面的平滑性變差。上述氣體產(chǎn)生劑在粘合劑層中的溶解，可以通過利用電子顯微鏡觀察粘合劑層時氣體產(chǎn)生劑粒子是否消失來確認(rèn)。
為將上述氣體產(chǎn)生劑溶解在粘合劑層中，可以選擇能夠溶解在構(gòu)成粘合劑層的粘合劑中的氣體產(chǎn)生劑。其中選擇不溶于粘合劑中的氣體產(chǎn)生劑的情況下，例如優(yōu)選利用分散機(jī)，或者并用分散劑使氣體產(chǎn)生劑盡可能地微分散在粘合劑層中。為了使氣體產(chǎn)生劑微分散在粘合劑層中，氣體產(chǎn)生劑優(yōu)選呈微小粒子狀態(tài)，必要時更優(yōu)選例如用分散機(jī)和混練裝置等將這些微粒制成更微小的微粒。也就是說，更優(yōu)選將其分散到用電子顯微鏡觀察上述粘合劑層時不能觀察到氣體產(chǎn)生劑的狀態(tài)。
上述切割用粘合帶中，優(yōu)選能使上述氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生的氣體向粘合劑層外放出。這樣一旦用光照射將上述切割用粘合帶粘貼在半導(dǎo)體芯片上的粘合面，由于氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生的氣體至少使一部分粘合面與半導(dǎo)體芯片剝離而使粘合力下降，所以能容易地完成剝離。此時，優(yōu)選大部分從氣體產(chǎn)生劑發(fā)生的氣體向粘合劑層外放出。一旦大部分從氣體產(chǎn)生劑發(fā)生的氣體不能向粘合劑層外放出，粘合劑層就因氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生的氣體而發(fā)生全體發(fā)泡，因而不能充分發(fā)揮降低粘合力的效果，往往會在半導(dǎo)體芯片上產(chǎn)生殘糊。其中，如果還沒有達(dá)到在半導(dǎo)體芯片上產(chǎn)生殘糊的程度，則從氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生的一部分氣體可以溶解在粘合劑層中，或者可以以氣泡形式存在于粘合劑層中。
構(gòu)成上述粘合劑層的粘合劑，優(yōu)選為通過刺激而交聯(lián)使彈性模數(shù)上升的粘合劑。若采用這種粘合劑，通過在剝離時給予刺激而使彈性模數(shù)上升，可以降低粘合力而更加容易進(jìn)行剝離。此外，剝離時若在使氣體發(fā)生之前通過交聯(lián)使粘合劑層整體的彈性模數(shù)上升，在彈性模數(shù)上升后的固化物中使氣體產(chǎn)生劑發(fā)生氣體，則所發(fā)生的氣體大部分會被放出到外部，所放出的氣體至少使一部分粘合劑層的粘合面與半導(dǎo)體芯片剝離，因而使粘合力降低。
使上述粘合劑交聯(lián)的刺激，可以與使上述氣體產(chǎn)生劑發(fā)生氣體的刺激相同或不同。刺激不同的情況下，剝離時，在給予使氣體產(chǎn)生劑發(fā)生氣體的刺激之前，首先給予使交聯(lián)成分交聯(lián)的刺激。
作為這種粘合劑，例如可以舉出以分子內(nèi)具有自由基聚合性不飽和鍵的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系聚合性聚合物，和自由基聚合性多官能團(tuán)低聚物或單體作為主要成分，必要時還含有光聚合引發(fā)劑的光固化性粘合劑；以及以分子內(nèi)具有自由基聚合性不飽和鍵的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系聚合性聚合物，和自由基聚合性多官能團(tuán)低聚物或單體作為主要成分，還含有熱聚合引發(fā)劑的熱固化性粘合劑等。
由這種光固化性粘合劑或熱固化性粘合劑等后固化性粘合劑構(gòu)成的粘合劑層，粘合劑層整體可以通過光照或加熱而均勻且快速聚合交聯(lián)而一體化，因此因聚合物固化而帶來的彈性模數(shù)的上升變得顯著，粘合力顯著降低。另外，一旦在彈性模數(shù)上升的硬質(zhì)的固化物中使氣體產(chǎn)生劑發(fā)生氣體，所發(fā)生的氣體中大部分會向外部放出，所放出的氣體至少會使粘合劑的一部分粘合面與半導(dǎo)體芯片剝離，使粘合力降低。
上述的聚合性聚合物，例如可以通過以下方式獲得，即，事先合成分子內(nèi)有官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下叫作含有官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物)，之后和分子內(nèi)具有能與上述官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)和自由基聚合性不飽和鍵的化合物(以下叫作含有官能團(tuán)的不飽和化合物)反應(yīng)，由此獲得上述聚合性聚合物。
含有上述官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物，作為常溫下具有粘合性的聚合物，與一般的(甲基)丙烯酸系聚合物同樣，是采用常法將以下的單體共聚而得到的，所述單體中，以烷基的碳原子數(shù)通常處于2～18范圍內(nèi)的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯作為主要單體，還有含官能團(tuán)的單體、以及必要時添加的能與此兩種物質(zhì)共聚的其他改質(zhì)用的單體。
上述含有官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量，通常為20萬～200萬左右。
作為上述含有官能團(tuán)的單體，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸等含有羧基的單體，丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯等含有羥基的單體，丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等含有環(huán)氧基的單體，丙烯酸異氰酸乙酯、甲基丙烯酸異氰酸乙酯等含有異氰酸酯基的單體，丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等含有氨基的單體等。
作為上述能共聚的其他改質(zhì)用單體，例如可以舉出醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等一般的(甲基)丙烯酸系聚合物用的各種單體。
作為能與上述含有官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物反應(yīng)的含有官能團(tuán)的不飽和化合物，可以根據(jù)上述含有官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能團(tuán)使用與上述的含有官能團(tuán)的單體同樣的化合物。例如，當(dāng)含有上述官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能團(tuán)是羧基的情況下，可以使用含有環(huán)氧基的單體、含有異氰酸酯基的單體；當(dāng)所述官能團(tuán)是羥基的情況下，可以使用含有異氰酸酯基的單體；當(dāng)所述官能團(tuán)是環(huán)氧基的情況下，可以使用含有羧基的單體、丙烯酰胺等含有酰胺基的單體；當(dāng)所述官能團(tuán)是氨基的情況下，可以使用含有環(huán)氧基的單體。
作為上述多官能團(tuán)的低聚物或單體，優(yōu)選分子量處于1萬以下的，更優(yōu)選其分子量處于5000以下而且分子內(nèi)的自由基聚合性不飽和鍵數(shù)為2～20個的，以便能夠通過加熱或光照使粘合劑層高效三維網(wǎng)狀化。作為這種更優(yōu)選的多官能團(tuán)低聚物或單體，例如可以舉出三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或者與上述同樣的甲基丙烯酸酯。此外，還可以舉出1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯、與上述同樣的甲基丙烯酸酯等。這些多官能團(tuán)低聚物或單體，可以單獨使用一種或者兩種以上并用。
作為上述光聚合引發(fā)劑，例如可以舉出通過照射250～800nm波長光而活化的物質(zhì)。作為這種光聚合引發(fā)劑，例如可以舉出甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物，苯偶姻丙基醚、苯偶姻丁基醚等苯偶姻醚類化合物，芐基二甲基酮縮醇、苯乙酮二乙基酮縮醇等酮縮醇類衍生物化合物，氧化膦衍生物化合物、雙(η5-環(huán)戊二烯基)二茂鈦(titanocene)衍生物化合物、二苯甲酮、米嗤勒氏酮、氯代噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等光自由基聚合引發(fā)劑。這些光聚合引發(fā)劑可以單獨使用一種或者兩種以上并用。
使用上述光聚合引發(fā)劑的情況下，為了防止氧對上述后固化性粘合劑固化的阻礙作用，優(yōu)選配入2phr以上。
作為上述熱聚合引發(fā)劑，可以舉出因熱而分解產(chǎn)生使聚合固化開始的活性自由基的物質(zhì)，例如可以舉出二枯烯基過氧化物、二叔丁基過氧化物、叔丁基過氧苯甲酸酯、叔丁基氫過氧化物、苯甲?；^氧化物、枯烯氫過氧化物、二異丙基苯氫過氧化物、對孟烷氫過氧化物、二叔丁基過氧化物等。其中，從熱分解溫度高的觀點來看，枯烯氫過氧化物、對孟烷氫過氧化物、二叔丁基過氧化物最為適用。這些熱聚合引發(fā)劑中對市售品并沒有特別限制，例如適用的有過丁基D、過丁基H、過丁基P、パ-メンタH(以上均為日本油脂株式會社制造)等。這些熱聚合引發(fā)劑可以單獨使用，也可以兩種以上并用。
上述后固化型粘合劑中，除了以上成分以外，為了調(diào)節(jié)粘合劑的凝聚力，必要時還可以適當(dāng)配入異氰酸酯化合物、蜜胺化合物、環(huán)氧化合物等在一般的粘合劑中配入的各種多官能團(tuán)化合物。另外還可以加入增塑劑、樹脂、表面活性劑、蠟、微粒填充劑等公知的添加劑。
也可以對上述粘合劑實施抗靜電處理。上述切割用粘合帶一旦帶有靜電，就不能像后述那樣將自剝離的半導(dǎo)體芯片拾取，或者會吸引空氣中漂浮的微粒等給半導(dǎo)體芯片的制造帶來有害影響。對上述粘合劑實施抗靜電處理的方法并無特別限制，例如可以舉出在粘合劑中配入離子型表面活性劑或金屬微粒等的方法等。其中從不會對粘合力產(chǎn)生有害影響的觀點來看，優(yōu)選配入金屬微?；蚋叻肿有碗x子型表面活性劑。
光照前的上述粘合劑層對半導(dǎo)體晶片粘合力的優(yōu)選下限為0.5N/25mm，優(yōu)選上限為10N/25mm。一旦低于0.5N/25mm，因粘合力不足在切割時半導(dǎo)體晶片會發(fā)生移動，而一旦超過10N/25mm，即使光照也不能將粘合力降低到能夠?qū)⑵涫叭〉某潭取?br> 光照前上述粘合劑層在23℃下剪切彈性模數(shù)的優(yōu)選下限為5×104Pa。一旦低于5×104Pa，往往不能將半導(dǎo)體晶片正確切割。
對于上述粘合劑層的厚度并無特別限制，其優(yōu)選的下限為3微米，優(yōu)選的上限為50微米。一旦低于3微米，因粘合力不足而在切割時往往會芯片產(chǎn)生位移，反之一旦超過50微米因粘合力過高而使剝離性降低，往往不能進(jìn)行良好的剝離。
上述切割用粘合帶，優(yōu)選是在基材的一面形成有粘合劑層的一面粘貼粘合帶。
作為上述基材只要是能夠透過或通過光的就無特別限制，例如可以舉出由聚丙烯酸類、聚烯烴、聚碳酸酯、聚氯乙烯、ABS、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龍、聚氨酯、聚酰亞胺等透明的樹脂制成的片材、具有網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)的片材、開孔的片材等。
上述基材，可以根據(jù)后述的剝離工序和拾取工序選擇各種形態(tài)。例如當(dāng)在后述的拾取工序中，將上述切割用粘合帶擴(kuò)張(expand)的情況下，上述基材優(yōu)選具有柔軟層，該柔軟層在膜厚為100微米時延伸20％所需的載荷在25N/25mm以下。通過擁有這種柔軟層，能夠容易將上述切割用粘合帶擴(kuò)張。使柔軟層產(chǎn)生20％伸長所需的載荷一旦超過25N/25mm，為將上述切割用粘合帶擴(kuò)張需要施加很強(qiáng)的張力，因而往往會導(dǎo)致裝置的大型化，或者因張力變得不均而使半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生位移。
另外當(dāng)上述基材具有上述柔軟層的情況下，為了進(jìn)一步提高上述基材因光照產(chǎn)生的自剝離作用，在粘合劑層與柔軟層之間也可以有高剛性層。作為上述高剛性層，優(yōu)選當(dāng)膜厚度為100微米時產(chǎn)生20％伸長所需的載荷處于100N/25mm以上。對于上述高剛性層的20％伸長所需載荷的上限雖然并無特別限制，但是必須達(dá)到能夠被切割鋸切斷的程度。因此，上述高剛性層厚度的優(yōu)選下限為5微米，優(yōu)選上限為30微米。
另外，在粘合劑側(cè)的反面設(shè)置剛性強(qiáng)的補(bǔ)強(qiáng)板來支持上述柔軟層也能得到同樣的效果。作為上述補(bǔ)強(qiáng)板，只要是能夠透過或者通過光的就無特別限制，例如可以舉出玻璃板、丙烯酸板、PET板等。這種支持板也可以與上述柔軟層接觸，尤其是可以粘合或者不粘合均可。
此外，例如當(dāng)在后述的剝離工序中，采用高強(qiáng)度紫外線照射使半導(dǎo)體芯片自剝離的情況下，在拾取工序中由于也可以不將上述切割用粘合帶擴(kuò)張，所以作為上述基材也可以采用防止晶片變形的能力強(qiáng)的、具有可以說成補(bǔ)強(qiáng)板程度的高剛性的材料作為基材。作為這種基材，為提高自剝離性能起見，優(yōu)選厚度100微米時產(chǎn)生20％伸長所需的載荷處于100N/25mm以上的。通過采用這種剛性強(qiáng)的材料，對50微米以下的薄半導(dǎo)體晶片進(jìn)行處理的情況下，也能夠支持半導(dǎo)體晶片而防止其被破損。
作為上述基材優(yōu)選實施了抗靜電處理的材料。上述基材一旦帶有靜電，就不能像后述那樣拾取自剝離的半導(dǎo)體芯片，或者往往會吸引空氣中浮游的微粒等對半導(dǎo)體芯片的制造產(chǎn)生惡劣影響。作為上述抗靜電處理的方法并無特別限制，例如可以舉出使基材含有抗靜電劑的方法、在基材表面上涂布抗靜電劑的方法等。作為上述抗靜電劑并無特別限制，例如可以舉出透明的導(dǎo)電增塑劑、表面活性劑、金屬微粒等。
上述基材的厚度雖然并無特別限制，但是優(yōu)選下限為30微米，優(yōu)選上限為200微米。一旦低于30微米，因上述切割用粘合帶的自立性不足而會使處理變得困難；而一旦超過200微米，剝離上述切割用粘合帶時往往會產(chǎn)生不利的情況。
作為上述切割用粘合帶的制造方法并無特別限制，例如可以舉出利用刮刀涂器或旋涂器等在上述基材表面上涂裝含有上述氣體產(chǎn)生劑的粘合劑等的方法等。
在上述粘合帶的粘貼工序中，通常將上述切割用粘合帶粘貼在形成有電路的半導(dǎo)體晶片的未形成電路的側(cè)面上。其中當(dāng)形成的電路特別容易破損的情況下，從切割時保護(hù)表面的觀點來看，也可以將上述切割用粘合帶粘貼在形成有電路的側(cè)面上。這種情況下雖然變成進(jìn)行所謂背面切割，但是在本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，由于是利用無針拾取法拾取通過后述方式得到的半導(dǎo)體芯片，所以不會像已有的方法那樣在拾取時損傷電路。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有將粘貼了上述切割用粘合帶的晶片切割并分割成各個半導(dǎo)體芯片的切割工序。
對于上述切割的方法并無特別限制，例如可以采用用過去公知的砂輪等切斷分離的方法等。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有對粘貼在上述被分割的各個半導(dǎo)體芯片上的切割用粘合帶照射光而將至少一部分切割用粘合帶從半導(dǎo)體芯片剝離的剝離工序。
如上所述，由于上述切割用粘合帶含有上述氣體產(chǎn)生劑，所以通過照射光，使發(fā)生的氣體從粘合劑層與半導(dǎo)體芯片間的界面上放出，使至少一部分粘合面剝離，從而使粘合力下降，所以能夠容易地將半導(dǎo)體芯片剝離。
本發(fā)明人等經(jīng)深入的研究發(fā)現(xiàn)，通過選擇上述剝離工序中光照的方法，可以在后述的拾取工序中采用不用針頭的無針拾取法容易地拾取半導(dǎo)體芯片，這樣可以防止因拾取時的沖擊損壞半導(dǎo)體芯片，或者產(chǎn)生碎片，從而完成了本發(fā)明。
也就是說，在上述剝離工序中，通過照射波長365nm下的照射強(qiáng)度處于500mW/cm2以上的光，或者在用吸引機(jī)構(gòu)吸引半導(dǎo)體芯片之前或者在用吸引機(jī)構(gòu)吸引半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)下照射光，能夠采用無針拾取法進(jìn)行拾取。
其中本說明書中所述無針拾取法，是指以用針頭將半導(dǎo)體芯片頂出的方式進(jìn)行拾取的方法以外的方法，例如可以舉出利用吸引墊等吸引機(jī)構(gòu)或附著有水等液體的吸附夾具的吸附方法、和利用具有緩沖機(jī)構(gòu)的鑷子等夾住芯片后取出的方法。
照射365nm波長下的照射強(qiáng)度處于500mW/cm2以上紫外線的情況下，因短時間內(nèi)產(chǎn)生大量氣體而會使剝離壓力增高，使半導(dǎo)體芯片自發(fā)地從粘合劑層剝離，剝離出的半導(dǎo)體芯片可以形成宛如自粘合劑層上浮的狀態(tài)(以下也叫作“自剝離”)。這種自剝離的情況下，可以容易采用不用針頭的無針拾取法拾取，因而能夠防止因拾取的沖擊造成半導(dǎo)體芯片破損，或者產(chǎn)生碎片的情況。照射365nm波長下的照射強(qiáng)度處于1000mW/cm2以上的紫外線的情況下，由于能夠更加確實地發(fā)生自剝離作用，因此優(yōu)選。上述365nm波長下的照射強(qiáng)度的優(yōu)選上限為1萬mW/cm2。一旦超過1萬mW/cm2，照射裝置所需的費用將會增大，因而不現(xiàn)實。若考慮到成本，則在實際的生產(chǎn)現(xiàn)場中可以考慮的事實上的上限為5000mW/cm2左右。
這樣高強(qiáng)度的紫外線，雖然也可以用紫外線燈等通常的光源照射，但是通常很難實現(xiàn)這樣的高強(qiáng)度。這種情況下，通過將光源發(fā)出的紫外線聚光的方法能夠獲得高強(qiáng)度紫外線。作為上述的聚光手段，例如可以舉出采用聚光反射鏡或聚光透鏡的方法等。
其中當(dāng)將高強(qiáng)度紫外線照射一定時間以上的情況下，即使能用例如無針拾取法取出芯片，也會產(chǎn)生來源于切割用粘合帶中的粘合劑層所含成分的油狀分解物，該油狀分解物有時會將半導(dǎo)體芯片污染。
于是本發(fā)明人等經(jīng)過進(jìn)一步的深入研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)作為光照射365nm波長下的照射強(qiáng)度處于一定范圍的紫外線并使照射強(qiáng)度和照射時間滿足一定關(guān)系的情況下，確實能夠采用不用針頭的無針拾取法容易地取出半導(dǎo)體芯片，同時也不會污染半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，在上述剝離工序中優(yōu)選照射紫外線，使得波長365nm下的照射強(qiáng)度X(mW/cm2，其中X為500～10000mW/cm2)與照射時間Y(秒)之間能夠同時滿足下式(1)和下式(2)所示的關(guān)系式Y(jié)≤-1.90Ln(X)+16.55 (1)Y≥-0.16Ln(X)+1.36 (2)當(dāng)照射365nm波長下的照射強(qiáng)度處于500～10000mW/cm2范圍內(nèi)的紫外線來滿足上式(2)所示關(guān)系的情況下，由于在短時間內(nèi)產(chǎn)生大量氣體而使剝離壓力增高，導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片自發(fā)地從粘合劑層剝離，從而能夠使剝離的半導(dǎo)體芯片處于宛如自粘合劑層上浮的自剝離狀態(tài)。因此在自剝離情況下，能夠用不用針頭的無針拾取法容易地取出，因而能夠防止拾取時的沖擊損壞半導(dǎo)體芯片，或者產(chǎn)生碎片。
另一方面，當(dāng)照射365nm波長下的照射強(qiáng)度處于500～10000mW/cm2范圍內(nèi)的紫外線來滿足上式(1)所示關(guān)系的情況下，不會產(chǎn)生來源于上述粘合劑層所含成分的油狀分解物，因而不會污染半導(dǎo)體芯片。
因此，在同時滿足上式(1)和上式(2)的范圍內(nèi)，確實能夠采用不用針頭的無針拾取法容易取出半導(dǎo)體芯片，同時還不會產(chǎn)生油狀分解物造成的污染，能使這兩種優(yōu)點同時存在。
當(dāng)因照射強(qiáng)度低或照射時間短而不滿足上式(2)的情況下，往往不能采用無針拾取法確實取出半導(dǎo)體芯片，而當(dāng)因照射強(qiáng)度高或照射時間長而不滿足上式(1)的情況下，半導(dǎo)體芯片常常被污染。
在將用吸引機(jī)構(gòu)吸引半導(dǎo)體芯片之前照射光，或者在用吸引機(jī)構(gòu)吸引半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)下照射光的情況下，即使當(dāng)從上述切割用粘合帶產(chǎn)生氣體時也具有一定剝離力，所以能夠防止半導(dǎo)體芯片與切割用粘合帶因產(chǎn)生不規(guī)則剝離而出現(xiàn)未剝離部分，其結(jié)果可以采用不用針頭的無針拾取法取出。
另外為進(jìn)一步提高生產(chǎn)速度必須提高拾取速度。例如，通過在用吸引墊吸引半導(dǎo)體芯片之前進(jìn)行光照，可以使光照所需的時間與拾取所需的時間重疊，這樣能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)速度。這種情況下，從光照至用吸引機(jī)構(gòu)吸引半導(dǎo)體芯片所花費的時間一旦延長，則會因不規(guī)則剝離而產(chǎn)生未離部分，所以優(yōu)選在吸引前1.0秒以內(nèi)進(jìn)行光照。
對于開始或結(jié)束光照的時間及光照時間的設(shè)定方法沒有特別限制，例如在開/關(guān)光(UV)照裝置主體的電源的方法中，由于穩(wěn)定燈的照度需要一定時間，所以優(yōu)選在光照裝置上設(shè)置快門(shutter)機(jī)構(gòu)。在光照裝置上設(shè)置上述快門機(jī)構(gòu)的情況下，能夠控制穩(wěn)定光照的開始和結(jié)束以及照射時間。
上述剝離工序中，雖然可以對被分割的多個半導(dǎo)體芯片同時照射光，但是優(yōu)選對各個半導(dǎo)體芯片依次逐個照射光來進(jìn)行剝離。一旦同時照射光，由于全部半導(dǎo)體芯片都至少部分自剝離，因此一旦為了依次拾取各個芯片而使半導(dǎo)體芯片全體移動，各個芯片就會七零八落地發(fā)生剝離，變成拾取不良的原因，因而會使生產(chǎn)性能下降。
通過對各個半導(dǎo)體芯片依次進(jìn)行光照、剝離和拾取，能夠抑制這種拾取不良造成的生產(chǎn)性能的下降。
這種情況下，照射光時優(yōu)選對照射面積進(jìn)行調(diào)整，以使在相鄰的半導(dǎo)體芯片不處于光照范圍內(nèi)的條件下，使半導(dǎo)體芯片全面可以被光照。也就是說，使光照射在切割所產(chǎn)生的溝槽的外輪廓的內(nèi)側(cè)。
作為對各個半導(dǎo)體芯片依次光照進(jìn)行剝離的方法并無特別限制，例如可以對光進(jìn)行導(dǎo)光，將光源發(fā)出的光導(dǎo)入被粘貼在各個半導(dǎo)體芯片上的切割用粘合帶上。作為上述導(dǎo)光方法，可以舉出采用上述的聚光的方法以及采用單個或多個成束光纖的方法。
然而，即使采用這種導(dǎo)光的方法，由于各個半導(dǎo)體芯片僅僅被由切割產(chǎn)生的數(shù)微米～數(shù)十微米左右的極細(xì)溝槽所隔開，所以在現(xiàn)有技術(shù)中很難僅對目的半導(dǎo)體芯片照射紫外線，而相鄰的半導(dǎo)體芯片并不暴露在紫外線之下。因此，在對目的半導(dǎo)體芯片照射紫外線之前，該半導(dǎo)體芯片在對其以前的半導(dǎo)體芯片照射紫外線時曾經(jīng)在某種程度上暴露在紫外線中。另外在此暴露部分所占有的面積不同的情況下，有時在剝離工序中即使對目的半導(dǎo)體芯片照射紫外線也不能確實剝離。
本發(fā)明人等深入經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，對目的半導(dǎo)體芯片照射的紫外線的照射強(qiáng)度X(mW/cm2)、和目的半導(dǎo)體芯片中的對其以前的其他半導(dǎo)體芯片照射時暴露在紫外線下的面積比例Y3(％)滿足下式(3)所示關(guān)系的情況下，能夠確實將各個半導(dǎo)體芯片與切割用粘合帶剝離，在后述的拾取工序中，能夠確實采用無針拾取法將其取出。
Y3≤0.013X+46.5 (3)(式中Y3≤95)當(dāng)照射365nm波長下的照射強(qiáng)度為500～10000mW/cm2的紫外線來滿足上式(3)所示關(guān)系的情況下，確實能使各個半導(dǎo)體芯片與切割用粘合帶自發(fā)地剝離，剝離的半導(dǎo)體芯片宛如從切割用粘合帶的粘合劑層上浮般地產(chǎn)生自剝離。這種自剝離的情況下，能夠采用不用針頭的無針拾取法容易地取出，因而能夠防止拾取時的沖擊引起半導(dǎo)體芯片破損，或者產(chǎn)生碎片。不滿足上式(3)的情況下，往往無法完成這種自剝離。
還有，目的半導(dǎo)體芯片中的對其以前的其他半導(dǎo)體芯片照射時被暴露的面積比例Y3(％)一旦超過95％，則由于對該半導(dǎo)體芯片照射紫外線之前就已經(jīng)剝離，所以在拾取工序中會發(fā)生移動，往往不能確實進(jìn)行拾取。
對各個半導(dǎo)體芯片照射光的情況下，優(yōu)選根據(jù)剝離工序的方式選擇其照射方法。
當(dāng)照射在半導(dǎo)體芯片整個面上的光的、照射強(qiáng)度變化幅度處于平均照射強(qiáng)度的20％以內(nèi)的情況下，將均勻產(chǎn)生氣體，在希望產(chǎn)生自剝離的情況下是特別有效的。另外當(dāng)希望產(chǎn)生自剝離的情況下，光的強(qiáng)度優(yōu)選滿足在粘合面內(nèi)側(cè)部分中的照射強(qiáng)度的平均值，相對于所述粘合面內(nèi)側(cè)部分以外部分中的照射強(qiáng)度的平均值為40～70％，所述粘合面內(nèi)側(cè)部分為以同心圓狀或矩形狀從半導(dǎo)體芯片的中心位置擴(kuò)展的粘合部分面積占半導(dǎo)體芯片總粘合面積的5～30％的部分。由此，通過提高半導(dǎo)體芯片粘合面內(nèi)側(cè)部分的照射強(qiáng)度，能使中心部分首先產(chǎn)生氣體，因而能夠防止因周邊部分在先剝離而從該處放出氣體導(dǎo)致的剝離不良的產(chǎn)生。
另外，當(dāng)照射粘合面內(nèi)側(cè)部分中的照射強(qiáng)度的平均值相對于所述粘合面內(nèi)側(cè)部分以外部分中的照射強(qiáng)度的平均值為150～250％光時，由于半導(dǎo)體芯片中心部分的氣體產(chǎn)生推遲，所以能夠防止在剝離時半導(dǎo)體芯片位置移動，所述粘合面內(nèi)側(cè)部分為以同心圓狀或矩形狀從半導(dǎo)體芯片的中心位置擴(kuò)展的粘合部分面積占半導(dǎo)體芯片總粘合面積的5～30％的部分。
上述剝離工序，也可以在氮氣、氬氣、氦氣等惰性氣體的氣氛下進(jìn)行。通過在惰性氣體氣氛下進(jìn)行剝離工序，能夠抑制氧對構(gòu)成上述粘合劑層的粘合劑產(chǎn)生固化阻礙，特別是對于相對芯片面積而言受氧阻礙作用的面積比例大的微小芯片的剝離尤其有效。
另外，在上述剝離工序中優(yōu)選進(jìn)行溫度控制，使通過光照產(chǎn)生氣體時的切割用粘合帶的溫度處于50℃以下。切割用粘合帶的溫度一旦超過50℃，切割用粘合帶的柔軟性就會增大，與半導(dǎo)體芯片間的密著性提高，因而難于剝離。在上述剝離工序中使上述切割用粘合帶處于高溫的原因，以高照度進(jìn)行光照的情況下可以認(rèn)為是該光包含的熱線。作為避免上述切割用粘合帶溫度上升的方法，例如可以舉出采用切斷熱線的過濾器將照射在切割用粘合帶上的熱線除去的方法、從外部送風(fēng)而對切割用粘合帶進(jìn)行冷卻的方法等。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有利用無針拾取法將半導(dǎo)體芯片拾取的拾取工序。所謂無針拾取法是指不用針頭的拾取方法，采用這種無針拾取法能夠在對半導(dǎo)體芯片不產(chǎn)生沖擊的情況下安全地拾取。另外采用無針拾取法時，即使加快拾取速度也不會損傷半導(dǎo)體芯片，所以能夠大幅度提高生產(chǎn)性。
上述剝離工序中照射365nm波長下的照射強(qiáng)度處于500mW/cm2以上的紫外線的情況下，由于半導(dǎo)體芯片與切割用粘合帶產(chǎn)生自剝離，所以即使不像過去那樣用針頭向上頂起也能僅用吸引墊等吸引機(jī)構(gòu)容易地將半導(dǎo)體芯片拾取。
另外在上述剝離工序中在用吸引機(jī)構(gòu)吸引半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)下照射光的情況下，能夠直接轉(zhuǎn)入拾取工序，所以即使不像過去那樣用針頭向上頂起也能僅用吸引墊等吸引機(jī)構(gòu)容易地將半導(dǎo)體芯片拾取。
在上述拾取工序中，必要時可以將切割用粘合帶擴(kuò)張，也可以不擴(kuò)張。例如，當(dāng)各個半導(dǎo)體芯片間隔非常狹小或者沒有間隔的情況下，通過擴(kuò)張能將半導(dǎo)體芯片間隔拉開，能使相鄰的半導(dǎo)體芯片在互相不接觸的情況下容易地進(jìn)行拾取。另外切割后具有充分的半導(dǎo)體芯片間隔的情況下，即使不擴(kuò)張也能使相鄰的半導(dǎo)體芯片在互相不接觸的情況下容易地進(jìn)行拾取。
按照本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，能夠在不導(dǎo)致位置移動的情況下正確地進(jìn)行切割，而且由于能夠采用無針拾取法拾取被切割的半導(dǎo)體芯片而無須像已有方法那樣用針頭向上頂起，所以能夠在對半導(dǎo)體芯片不產(chǎn)生沖擊的情況下將其安全地拾取。另外即使加速拾取速度也不會損傷半導(dǎo)體芯片，所以有可能大幅度提高生產(chǎn)率。此外，當(dāng)制造形成有特別容易破損的電路的半導(dǎo)體芯片的情況下，通過在形成有電路的側(cè)面上粘貼切割用粘合帶，并進(jìn)行背面切割，能夠在不損傷電路的情況下得到半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，雖然以包括粘合帶粘貼工序、切割工序、剝離工序和拾取工序作為必要工序，但是在近年來的推進(jìn)復(fù)雜化、專業(yè)化的半導(dǎo)體芯片的制造中，這一系列工序不一定非得在同一場所一起進(jìn)行不可，也可以將半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片在粘貼粘合帶的狀態(tài)下輸送或保存。即使在這種情況下，重要的一點是能夠在避免損壞或者污染半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片的情況下將粘合帶剝離。
作為這種粘合帶的剝離方法，例如可以舉出以下的方法，即，一種粘合帶的剝離方法，其中從粘貼了具有粘合劑層(其中含有通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑)的粘合帶的半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片剝離粘合帶，此時對粘貼于粘合帶的半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片照射365nm波長下的照射強(qiáng)度X(mW/cm2，其中X為500～10000mW/cm2)與照射時間Y(秒)同時滿足下式(1)和下式(2)所示關(guān)系的紫外線；一種粘合帶的剝離方法，其中從粘貼了具有粘合劑層(其中含有通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑)的粘合帶的半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片剝離粘合帶，此時照射在粘貼于粘合帶的半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片的紫外線的365nm波長下的照射強(qiáng)度X(mW/cm2，其中X為500～10000mW/cm2)和照射紫外線以前半導(dǎo)體芯片暴露在紫外線下的面積比例Y3(％)滿足下式(3)所示的關(guān)系。這些粘合帶的剝離方法，也是本發(fā)明之一。
Y≤-1.90Ln(X)+16.55 (1)Y≥-0.16Ln(X)+1.36(2)Y3≤0.013X+46.5 (3)(式中Y3≤95)本發(fā)明的粘合帶的剝離方法中的粘合帶，可以采用與本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法中切割用的粘合帶同樣的粘合帶，而且關(guān)于操作的細(xì)節(jié)，也與本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法的情況相同。
采用本發(fā)明的粘合帶的剝離方法，能夠在使半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片既不破損也不污染的情況下，將粘貼的粘合帶剝離。
按照本發(fā)明，能夠提供一種在不導(dǎo)致破損的情況下以高生產(chǎn)效率得到半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
具體實施例方式
以下列舉實施例對本發(fā)明作更詳細(xì)說明，但是本發(fā)明并不受這些實施例的任何限制。
(實施例1)(粘合劑的制備)將下記化合物溶解在醋酸乙酯中，通過照射紫外線進(jìn)行聚合，得到了重均分子量70萬的丙烯酸共聚物。
相對于含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液中的樹脂固體成分100重量份，加入3.5重量份甲基丙烯酸2-異氰酸根合乙酯使其反應(yīng)，進(jìn)而相對于反應(yīng)后的乙酸乙酯溶液的100重量份樹脂固體成分，混合40重量份U324A(新中村化學(xué)株式會社制)、5重量份光聚合引發(fā)劑(Irgacure651)和0.5重量份聚異氰酸酯，制備了粘合劑(1)的乙酸乙酯溶液。
丙烯酸丁酯 79重量份丙烯酸乙酯 15重量份丙烯酸 1重量份丙烯酸2-羥基乙酯5重量份光聚合引發(fā)劑0.2重量份(Irgacure 651，50％乙酸乙酯溶液)月桂基硫醇 0.01重量份另外相對于粘合劑(1)的乙酸乙酯溶液的100重量份樹脂固體成分，混合30重量份2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)及3.6重量份2，4-二乙基噻噸酮，制備了含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑(2)。
(切割用粘合帶的制作)用刮刀涂布器將粘合劑(2)的乙酸乙酯溶液涂裝在一面經(jīng)過電暈放電處理的厚度75微米的透明聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，使干燥后的涂膜厚度達(dá)到大約15微米，在110℃下加熱5分鐘，將涂裝液干燥。干燥后的粘合劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘合性。然后在粘合劑(2)層的表面上粘貼經(jīng)過脫模處理的PET膜。其后在40℃下進(jìn)行3天靜置養(yǎng)護(hù)，得到了切割用粘合帶。
(半導(dǎo)體芯片的制造)常溫常壓下將得到的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，對其中之一從切割用粘合帶一側(cè)照射1.0秒鐘高強(qiáng)度紫外線，所述紫外線在365nm波長下的照度達(dá)到600mW/cm2。紫外線照射中采用了從光纖的前端以點狀出射高強(qiáng)度紫外線的高強(qiáng)度紫外線照射裝置(Spot Cure、Ushio電機(jī)株式會社制)。通過這種紫外線照射，半導(dǎo)體芯片自發(fā)地從切割用粘合帶剝離。
然后利用吸引墊將經(jīng)自剝離而浮在切割用粘合帶上的半導(dǎo)體芯片吸附取出。
以每個半導(dǎo)體芯片大約需要0.5秒鐘的速度，連續(xù)對20片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了以上操作，調(diào)查了拾取的成功率、以及在拾取成功的半導(dǎo)體芯片中完全無破損的芯片的比例。結(jié)果示于表1之中。
(實施例2)除了將高強(qiáng)度紫外線照射0.5秒鐘，365nm波長下的照度達(dá)到1000mW/cm2以外，利用與實施例1同樣的方法進(jìn)行了半導(dǎo)體芯片的制造。
以每個半導(dǎo)體芯片大約需要0.5秒鐘的速度，連續(xù)對20片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了以上操作，調(diào)查了拾取的成功率、以及在拾取成功的半導(dǎo)體芯片中完全無破損的芯片的比例。結(jié)果示于表1之中。
(實施例3)常溫常壓下將實施例1中制作的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，在用吸引墊將其中一個半導(dǎo)體芯片吸附的狀態(tài)下，從切割用粘合帶一側(cè)照射1.0秒鐘紫外線，所述紫外線在365nm波長下的照度達(dá)到600mW/cm2。紫外線照射中采用了從光纖的前端以點狀射出高強(qiáng)度紫外線的高強(qiáng)度紫外線照射裝置(Spot Cure、Ushio電機(jī)株式會社制)。通過這種紫外線照射，半導(dǎo)體芯片從切割用粘合帶剝離，能夠直接將其取出。
以每個半導(dǎo)體芯片大約需要0.5秒鐘的速度，連續(xù)對20片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了以上操作，調(diào)查了拾取的成功率、以及在拾取成功的半導(dǎo)體芯片中完全無破損的比例。結(jié)果示于表1之中。
(實施例4)常溫常壓下將實施例1制作的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，在用吸引墊吸引之前即0.5秒鐘之前，從切割用粘合帶一側(cè)照射紫外線。此時，將紫外線的照射強(qiáng)度定為波長365nm下的照度600mW/cm2，照射時間1.0秒鐘。紫外線照射中采用了從光纖的前端以點狀出射高強(qiáng)度紫外線的紫外線照射裝置(Spot Cure、Ushio電機(jī)株式會社制)。通過這種紫外線照射，半導(dǎo)體芯片從切割用粘合帶剝離，能夠直接將其取出。
以每個半導(dǎo)體芯片大約需要0.5秒鐘的速度，連續(xù)對20片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了以上操作，調(diào)查了拾取的成功率、以及在拾取成功的半導(dǎo)體芯片中完全無破損的芯片的比例。結(jié)果示于表1之中。
(比較例1)
常溫常壓下將具有由光固化性粘合劑組成的粘合劑層的市售的切割用粘合帶(日東電工株式會社制，ELEPHOLDER UE-110BJ)，粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，對其中之一從切割用粘合帶一側(cè)照射強(qiáng)度為100mW的紫外線5秒鐘。
由于經(jīng)過這種紫外線照射沒有產(chǎn)生自剝離，即使用吸引墊吸引也不能拾取，所以紫外線照射后采用針頭拾取法拾取了半導(dǎo)體芯片。
盡可能以不易引起半導(dǎo)體芯片破損的每個半導(dǎo)體芯片大約需要1.0秒鐘的速度，連續(xù)對20片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了以上操作，調(diào)查了拾取的成功率、以及在拾取成功的半導(dǎo)體芯片中完全無破損的芯片的比例。結(jié)果示于表1之中。
(比較例2)在常溫常壓下將實施例1中得到的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，對其中之一從切割用粘合帶一側(cè)照射1.0秒鐘高強(qiáng)度紫外線，365nm波長下的照度達(dá)到了300mW/cm2。由于經(jīng)過這種紫外線照射沒有產(chǎn)生自剝離，即使用吸引墊吸引也不能取出，所以紫外線照射后采用針頭拾取法拾取了半導(dǎo)體芯片。
盡可能以不易引起半導(dǎo)體芯片破損的每個半導(dǎo)體芯片大約需要1.0秒鐘的速度，連續(xù)對20片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了以上操作，調(diào)查了拾取的成功率、以及在拾取成功的半導(dǎo)體芯片中完全無破損的芯片的比例。結(jié)果示于表1之中。
(比較例3)常溫常壓下將實施例1中得到的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，對其中之一從切割用粘合帶一側(cè)對距離中心部分的直徑為3毫米的區(qū)域照射365nm波長下的照射強(qiáng)度達(dá)到600mW/cm2的高強(qiáng)度紫外線，同時對其周邊部分照射照射強(qiáng)度為100mW/cm2的紫外線，照射時間均為1.0秒鐘。
由于經(jīng)過這種紫外線照射，在中心部分以外的周邊部分沒有產(chǎn)生自剝離，所以即使用吸引墊吸引也難以拾取，所以通過采用針頭的針頭拾取法拾取了半導(dǎo)體芯片。
盡可能以不易引起半導(dǎo)體芯片破損的每個半導(dǎo)體芯片大約需要1.0秒鐘的速度，連續(xù)對20片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了以上操作，調(diào)查了拾取的成功率、以及在拾取成功的半導(dǎo)體芯片中完全無破損的芯片的比例。結(jié)果示于表1之中。
(比較例4)常溫常壓下將實施例1中得到的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，對其中之一從切割用粘合帶一側(cè)對距離中心部的直徑為3毫米的區(qū)域照射365nm波長下的照射強(qiáng)度達(dá)到100mW/cm2的紫外線，同時對其周邊部分照射照射強(qiáng)度為600mW/cm2的紫外線，照射時間均為1.0秒鐘。
由于經(jīng)過這種紫外線照射，中心部分沒有產(chǎn)生自剝離，所以即使用吸引墊吸引也難于取出，所以通過采用針頭的針頭拾取法拾取了半導(dǎo)體芯片。
盡可能以不易引起半導(dǎo)體芯片破損的每個半導(dǎo)體芯片大約需要1.0秒鐘的速度，連續(xù)對20片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了以上操作，調(diào)查了拾取的成功率、以及在拾取成功的半導(dǎo)體芯片中完全無破損的芯片的比例。結(jié)果示于表1之中。


(實施例5)常溫常壓下將實施例1中得到的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的形成有電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片從沒有形成電路的一側(cè)切割成5mm×5mm大小(背面切割)，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，對其中之一從切割用粘合帶一側(cè)照射1.0秒鐘高強(qiáng)度紫外線，所述紫外線在365nm波長下的照度達(dá)600mW/cm2。其中紫外線的照射中采用了從光纖的前端以點狀出射高強(qiáng)度紫外線的高強(qiáng)度紫外線照射裝置(SpotCure、Ushio電機(jī)株式會社制)。通過這種紫外線照射，半導(dǎo)體芯片自發(fā)地從切割用粘合帶產(chǎn)生了剝離。
進(jìn)而用吸引墊將因自剝離而在切割用粘合帶上上浮的半導(dǎo)體芯片吸附并拾取。
對20片半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了同樣操作，用顯微鏡觀察了得到的半導(dǎo)體芯片表面的電路，結(jié)果在所有半導(dǎo)體芯片中都沒有發(fā)現(xiàn)電路破損。
(比較例5)常溫常壓下將具有由光固化性粘合劑組成的粘合劑層的市售切割用粘合帶(日東電工株式會社制，ELEPHOLDER UE-110BJ)，粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的形成有電路的側(cè)面上。然后，從沒有形成電路的一側(cè)將硅晶片切割成5mm×5mm大小(背面切割)，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，對其中之一從切割用粘合帶一側(cè)照射強(qiáng)度為100mW的紫外線5秒鐘。
由于經(jīng)過這種紫外線照射沒有產(chǎn)生自剝離，即使用吸引墊吸引也未能拾取，所以紫外線照射后通過采用了針頭的針頭拾取法拾取了半導(dǎo)體芯片。
對20片半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了同樣操作，用顯微鏡觀察了得到的半導(dǎo)體芯片表面的電路，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在所有半導(dǎo)體芯片的電路上均帶有可能是在用針頭頂起時產(chǎn)生的損傷。
(試驗例1)常溫常壓下將實施例1中制成的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，對其中之一從切割用粘合帶一側(cè)，組合表1所示照射強(qiáng)度和照射時間照射了紫外線。紫外線的照射中，采用了從光纖的前端以點狀出射高強(qiáng)度紫外線的高強(qiáng)度紫外線照射裝置(Spot Cure、Ushio電機(jī)株式會社制)。
采用這種方法的半導(dǎo)體芯片的制造中，按照以下基準(zhǔn)評價了基于無針拾取法的拾取性、和得到的半導(dǎo)體芯片的污染性。
結(jié)果示于表2之中。
其中表2中的各數(shù)據(jù)，表示是否符合于式(1)及(2)/基于無針拾取法的拾取性/半導(dǎo)體芯片的污染性。
(1)基于無針拾取法的拾取性用吸引墊將位于照射紫外線后的切割用粘合帶上的半導(dǎo)體芯片吸附拾取。以每個半導(dǎo)體芯片大約0.5秒鐘的速度對10片粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行連續(xù)操作時，將半導(dǎo)體芯片不破損而能拾取的比例達(dá)到70％以上的評價為○，小于70％的評價為×。
(2)半導(dǎo)體芯片的污染性用200倍的光學(xué)顯微鏡目視觀察并評價得到的半導(dǎo)體芯片的表面，沒有發(fā)現(xiàn)附著物的評價為○，而將發(fā)現(xiàn)了附著物的評價為×。


(試驗例2)常溫常壓下將實施例1中制成的切割用粘合帶粘貼在形成有電路的厚度50微米的硅晶片的未形成電路的側(cè)面上。然后，將硅晶片切割成5mm×5mm大小，得到了半導(dǎo)體芯片。
將得到的粘貼了切割用粘合帶的半導(dǎo)體芯片放置成半導(dǎo)體芯片在上面，使用從光纖的前端以點狀出射高強(qiáng)度紫外線的高強(qiáng)度紫外線照射裝置(Spot Cure、Ushio電機(jī)株式會社制)，對每個半導(dǎo)體芯片照射紫外線。
此時，將對目的半導(dǎo)體芯片照射的紫外線的照射強(qiáng)度X(mW/cm2)，和目的半導(dǎo)體芯片中的對其以前的其他半導(dǎo)體芯片照射時被暴露在紫外線下面積的比例Y(％)調(diào)整為表3所示的組合。
采用這種方法的半導(dǎo)體芯片的制造中，利用無針拾取法將10個半導(dǎo)體芯片拾取，求出半導(dǎo)體芯片能夠不破損而被拾取的芯片數(shù)目。


其中的數(shù)據(jù)表示是否符合于公式/拾取性/半導(dǎo)體芯片的污染性。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性按照本發(fā)明，可以提供一種能夠在不被破損的情況下以高生產(chǎn)率得到半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，包括在形成有電路的半導(dǎo)體晶片上粘貼切割用粘合帶的粘合帶粘貼工序，所述切割用粘合帶具有含通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層；切割已粘貼所述切割用粘合帶的晶片，分割成各個半導(dǎo)體芯片的切割工序；對所述被分割的各個半導(dǎo)體芯片照射光，將至少一部分所述切割用粘合帶從半導(dǎo)體芯片剝離的剝離工序；和利用無針拾取法拾取所述半導(dǎo)體芯片的拾取工序。
2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在所述粘合帶粘貼工序中，將切割用粘合帶粘貼在半導(dǎo)體晶片的形成有電路的一側(cè)面上。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在剝離工序中，照射365nm波長下的照射強(qiáng)度為500mW/cm2以上的紫外線。
4.按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在剝離工序中，在將用吸引機(jī)構(gòu)吸引半導(dǎo)體芯片之前照射光，或者用吸引機(jī)構(gòu)將半導(dǎo)體芯片吸引的狀態(tài)下照射光。
5.按照權(quán)利要求1～4中任何一項所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在剝離工序中，從光源發(fā)出的光被引導(dǎo)至各個半導(dǎo)體芯片上粘貼的切割用粘合帶上。
6.按照權(quán)利要求1～5中任何一項所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在剝離工序中，照射于目標(biāo)半導(dǎo)體芯片的紫外線的照射強(qiáng)度X(mW/cm2)、和目標(biāo)半導(dǎo)體芯片中照射其之前的其他半導(dǎo)體芯片時被暴露于紫外線下的面積所占的比例Y3(％)，滿足下式(3)所示關(guān)系，Y3≤0.013X+46.5 (3)式中Y3≤95。
7.按照權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，照射在半導(dǎo)體芯片整個面上的光，其照射強(qiáng)度的變化幅度在平均照射強(qiáng)度的20％以內(nèi)。
8.按照權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，照射在半導(dǎo)體芯片上的光的強(qiáng)度為在粘合面內(nèi)側(cè)部分中的照射強(qiáng)度的平均值，相對于所述粘合面內(nèi)側(cè)部分以外部分中的照射強(qiáng)度的平均值為40～70％，所述粘合面內(nèi)側(cè)部分為以同心圓狀或矩形狀從半導(dǎo)體芯片的中心位置擴(kuò)展的粘合部分面積占半導(dǎo)體芯片總粘合面積的5～30％的部分。
9.按照權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，照射在半導(dǎo)體芯片上的光的強(qiáng)度為在粘合面內(nèi)側(cè)部分中的照射強(qiáng)度的平均值，相對于所述粘合面內(nèi)側(cè)部分以外部分中的照射強(qiáng)度的平均值為150～250％，所述粘合面內(nèi)側(cè)部分為以同心圓狀或矩形狀從半導(dǎo)體芯片的中心位置擴(kuò)展的粘合部分面積占半導(dǎo)體芯片總粘合面積的5～30％的部分。
10.按照權(quán)利要求1～9中任何一項所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在惰性氣體氣氛下進(jìn)行所述剝離工序。
11.按照權(quán)利要求1～10中任何一項所述半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在拾取工序中，在不擴(kuò)張切割用粘合帶的情況下進(jìn)行拾取。
12.一種粘合帶的剝離方法，其中從已粘貼粘合帶的半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片上剝離所述粘合帶，所述粘合帶具有含有通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層，其特征在于，對被所述粘合帶粘貼的半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片照射的紫外線在365nm波長下的照射強(qiáng)度X(mW/cm2，X為500～10000mW/cm2)、與照射所述紫外線之前所述半導(dǎo)體芯片被暴露于紫外線下的面積比例Y3(％)之間滿足下式(3)所示關(guān)系，Y3≤0.013X+46.5 (3)式中Y3≤95。
全文摘要
本發(fā)明目的在于提供一種能在不導(dǎo)致破損的情況下以高生產(chǎn)率得到半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中包括在形成有電路的半導(dǎo)體晶片上粘貼切割用粘合帶的粘合帶粘貼工序，所述切割用粘合帶具有含通過光照產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層；切割已粘貼所述切割用粘合帶的晶片，分割成各個半導(dǎo)體芯片的切割工序；對所述被分割的各個半導(dǎo)體芯片照射光，將至少一部分所述切割用粘合帶從半導(dǎo)體芯片剝離的剝離工序；和利用無針拾取法拾取所述半導(dǎo)體芯片的拾取工序。
文檔編號H01L21/68GK1886822SQ20048003534
公開日2006年12月27日 申請日期2004年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月2日
發(fā)明者杉田大平, 福岡正輝, 畠井宗宏, 林聰史, 下村和弘, 北島義一, 大山康彥 申請人:積水化學(xué)工業(yè)株式會社