技術(shù)編號：7006952
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及能在不導(dǎo)致破損的情況下以高生產(chǎn)率獲得半導(dǎo)體芯片的。背景技術(shù) 制造IC或LSI等半導(dǎo)體芯片時，通常采用的方法是將純度高的棒狀半導(dǎo)體單晶等切割成半導(dǎo)體晶片后，利用光刻膠在半導(dǎo)體晶片表面上形成規(guī)定電路圖案，進而利用磨削機將半導(dǎo)體晶片的背面磨削，將厚度減薄至100～300微米左右之后，最后切割制成芯片。過去在切割時，大多采用了如下的方法，即在半導(dǎo)體晶片的背面一側(cè)粘貼切割用粘合帶，在將半導(dǎo)體晶片粘接固定的狀態(tài)下沿著縱向和橫向切割，分離成各個半導(dǎo)體芯片，之后...
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