本發(fā)明涉及用于電容感應識別技術領域，更具體地，涉及一種觸控顯示裝置及其驅動方法。

背景技術：

在顯示技術中，有機發(fā)光二極管顯示器(organiclightemittingdiode，oled)以其輕薄、主動發(fā)光、快響應速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、耐高低溫等眾多優(yōu)點而被業(yè)界公認為是繼液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)之后的第三代顯示技術。其中，有源矩陣有機發(fā)光(activematrixoled，amoled)可以實現面板的大尺寸、高分辨率設計，成為當前研究的熱點。

現在的amoled顯示裝置大多將觸控模組設置在顯示模組的玻璃基板上表面，而觸控芯片和顯示驅動芯片采用兩個不同的芯片。由于觸控模組和顯示模組的分離以及分別采用不同的芯片來控制觸控和顯示，導致了amoled顯示裝置的占用空間大、厚度較大、以及成本高。

技術實現要素：

為此，本發(fā)明的實施例提供了一種觸控顯示裝置及其驅動方法。

根據本發(fā)明的一方面，提供了一種觸控顯示裝置，包括：觸控顯示面板，包括多條柵極線、多條數據線、多個像素區(qū)域的像素單元、多個像素區(qū)域的有機發(fā)光二極管、以及對應于多個像素區(qū)域設置的多個陰極電極；電源模塊，與所述觸控顯示面板連接，用于向所述觸控顯示面板提供第一電壓和第二電壓；其中，所述像素區(qū)域連接到所述柵極線、所述數據線、所述第一電壓和所述第二電壓；所述多個陰極電極與多個感測通道連接；顯示驅動模塊，用于在顯示狀態(tài)下控制所述感測通道與所述第二電壓連接，并向所述觸控顯示面板提供掃描信號以及數據信號以驅動觸控顯示面板顯示；觸控檢測模塊，用于在觸控狀態(tài)下通過所述感測通道檢測所述觸控顯示面板的感應電容，所述觸控顯示裝置分時切換所述顯示狀態(tài)和所述觸控狀態(tài)。

優(yōu)選地，其中，每個像素單元包括第一晶體管、第二晶體管和存儲電容，其中，所述第一晶體管的柵電極與所述柵極線中的一條柵極線相連，所述第一晶體管的第一電極與所述數據線中的一條數據線相連，所述第一晶體管的第二電極與所述第二晶體管的柵電極相連；所述第二晶體管的柵電極與所述第一晶體管的第二電極相連，所述第二晶體管的第一電極與所述第一電壓相連，所述第二晶體管的第二電極與所述有機發(fā)光二極管的陽極相連；所述存儲電容連接在所述第一晶體管的第二電極和所述第一電壓之間。

優(yōu)選地，所述顯示驅動模塊包括：柵極驅動器，用于在顯示狀態(tài)下向所述觸控顯示面板提供柵極電壓；源極驅動器，用于在顯示狀態(tài)下向所述觸控顯示面板提供灰階電壓。

優(yōu)選地，所述觸控檢測模塊包括：復用單元，用于控制所述感測通道在顯示狀態(tài)下與所述第二電壓連接；觸控檢測單元，用于在觸控狀態(tài)下通過所述感測通道檢測所述觸控顯示面板的感應電容。

優(yōu)選地，所述觸控檢測單元包括放大器、反饋電容、反饋電阻以及模數轉換器，其中，所述放大器包括第一輸入端、第二輸入端和輸出端，第一輸入端與驅動信號連接，第二輸入端與復用單元連接，輸出端與所述模數轉換器連接；所述反饋電容和所述反饋電阻并聯連接在所述放大器的第二輸入端和輸出端之間。

優(yōu)選地，所述第一輸入端為負輸入端，所述第二輸入端為正輸入端。

優(yōu)選地，所述第一輸入端為正輸入端，所述第二輸入端為負輸入端。

優(yōu)選地，所述復用單元包括第一開關和第二開關，其中，所述第一開關連接在所述放大器的第二輸入端和感測通道之間；所述第二開關連接在所述感測通道和所述第二電壓之間。

優(yōu)選地，當所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)時，第一開關處于關斷狀態(tài)，第二開關處于導通狀態(tài)；當所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)時，第一開關處于導通狀態(tài)，第二開關處于關斷狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述柵極驅動器包括：柵極驅動單元，用于接收柵極正壓和柵極負壓，并提供給所述觸控顯示面板；第一電容和第二電容，串聯連接在所述柵極正壓和所述柵極負壓之間，其中，所述第一電容和所述第二電容之間的節(jié)點與接地端相連。

優(yōu)選地，所述柵極驅動器包括：柵極驅動單元，用于接收柵極正壓和柵極負壓，并提供給所述觸控顯示面板；第一電容和第二電容，串聯連接在所述柵極正壓和所述柵極負壓之間，第三開關，連接在所述第一電容和所述第二電容之間的節(jié)點和所述驅動信號之間；第四開關，連接在所述第一電容和所述第二電容之間的節(jié)點和接地端之間。

優(yōu)選地，當所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)時，第三開關處于關斷狀態(tài)，第四開關處于導通狀態(tài)；當所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)時，第三開關處于導通狀態(tài)，第四開關處于關斷狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述源極驅動器包括：源極驅動單元，用于生成與顯示數據對應的灰階電壓。

優(yōu)選地，所述源極驅動器還包括：第五開關，連接在所述驅動信號和所述觸控顯示面板之間；第六開關，連接在所述源極驅動單元與所述觸控顯示面板之間。

優(yōu)選地，當所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)時，第五開關處于關斷狀態(tài)，第六開關處于導通狀態(tài)；當所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)時，第五開關處于導通狀態(tài)，第六開關處于關斷狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述觸控顯示裝置還包括：時序控制器，用于向所述顯示驅動模塊和所述觸控檢測模塊分別提供第一控制信號和第二控制信號，其中，所述第一控制信號用于控制所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)；所述第二控制信號用于控制所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述觸控顯示裝置還包括：信號源，用于向所述觸控檢測模塊提供驅動信號。

優(yōu)選地，所述信號源還用于向所述顯示驅動模塊提供驅動信號。

優(yōu)選地，每個像素單元包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和存儲電容，其中，所述第一晶體管的柵電極與所述柵極線中的一條柵極線相連，所述第一晶體管的第一電極與所述數據線中的一條數據線相連，所述第一晶體管的第二電極與所述第二晶體管的柵電極相連；所述第二晶體管的柵電極與第一晶體管的第二電極相連，所述第二晶體管的第一電極與所述第三晶體管的第二電極相連，所述第二晶體管的第二電極與所述有機發(fā)光二極管的陽極相連；所述第三晶體管的柵電極與第三控制信號相連，所述第三晶體管的第一電極與所述第一電壓相連，所述第三晶體管的第二電極與所述第二晶體管的第一電極相連；存儲電容連接在所述第一晶體管的第二電極和接地端之間。

優(yōu)選地，在觸控狀態(tài)下，在柵極線和數據線至少之一上施加脈沖信號。

優(yōu)選地，所述脈沖信號包括交流信號或單極性信號。

優(yōu)選地，所述交流信號包括正弦波信號或雙極性方波信號。

優(yōu)選地，所述單極性信號包括單極性方波信號。

根據本發(fā)明的另一方面，提供一種上述所述的觸控顯示裝置的驅動方法，包括：分時切換顯示狀態(tài)和觸控狀態(tài)；在顯示狀態(tài)下，控制所述感測通道與所述第二電壓連接，并向所述觸控顯示面板提供掃描信號以及數據信號以驅動所述觸控顯示面板顯示；以及在觸控狀態(tài)下，通過所述感測通道檢測所述觸控顯示面板的感應電容。

優(yōu)選地，所述驅動方法還包括：向所述顯示驅動模塊和所述觸控檢測模塊分別提供第一控制信號和第二控制信號；其中，所述第一控制信號用于控制所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)；所述第二控制信號用于控制所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述驅動方法還包括：向所述觸控檢測模塊提供驅動信號；以及向所述顯示驅動模塊提供驅動信號。

優(yōu)選地，所述顯示狀態(tài)的刷新頻率為60hz，所述觸控狀態(tài)的刷新頻率為60hz～120hz。

優(yōu)選地，在觸控狀態(tài)下，在柵極線和數據線至少之一上施加脈沖信號。

優(yōu)選地，所述脈沖信號包括交流信號或單極性信號。

優(yōu)選地，所述交流信號包括正弦波信號或雙極性方波信號。

優(yōu)選地，所述單極性信號包括單極性方波信號。

本發(fā)明提供的觸控顯示裝置及其驅動方法，將oled的陰極電極與感測通道連接，在顯示狀態(tài)下復用感測通道實現顯示，使觸控和顯示模組集成到一起形成觸控顯示模組，使觸控顯示裝置更加輕薄，同時節(jié)約成本，采用分時驅動的方式實現顯示和觸控功能。更進一步地，在觸控狀態(tài)下，向柵極驅動器和源極驅動器提供一脈沖信號施加給柵極線和數據線，以補償陰極電極與柵極線、陰極電極與數據線之間的寄生電容，提高觸控檢測的精度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單介紹，顯而易見地，下面的描述中的附圖僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。

圖1示出了根據本發(fā)明第一實施例提供的觸控顯示裝置的結構示意圖。

圖2示出了根據本發(fā)明第二實施例提供的觸控顯示裝置的結構示意圖。

圖3示出了根據本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板的等效電路圖。

圖4示出了根據本發(fā)明實施例提供的觸控檢測模塊的電路圖。

圖5a和圖5b分別示出了本發(fā)明第一實施例和第二實施例提供的柵極驅動器的電路圖。

圖6a和圖6b分別示出了本發(fā)明第一實施例和第二實施例提供的源極驅動器的電路圖。

圖7示出了根據本發(fā)明實施例提供的另一觸控顯示面板的等效電路圖；

圖8示出了根據本發(fā)明第一實施例提供的觸控顯示裝置的信號時序圖；

圖9示出了根據本發(fā)明第二實施例提供的觸控顯示裝置的信號時序圖；

圖10示出了根據本發(fā)明第三實施例提供的觸控顯示裝置的驅動方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術方案進行清楚、完整的描述。顯然所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領域普通技術人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1示出了根據本發(fā)明第一實施例提供的觸控顯示裝置的結構圖。圖3示出了根據本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板的等效電路圖。如圖1所示，所述觸控顯示裝置包括觸控顯示面板10、顯示驅動模塊20、觸控檢測模塊30以及電源模塊40。

其中，所述觸控顯示面板10包括多條柵極線g1-gm、多條數據線s1-sn、多個像素區(qū)域4的像素單元2，多個像素區(qū)域4的有機發(fā)光二極管oled、以及對應于多個像素區(qū)域4設置的多個陰極電極(圖中未示出)，其中，m、n均為正整數。電源模塊40與所述觸控顯示面板10連接，用于向所述觸控顯示面板10提供第一電壓elvdd和第二電壓elvss。其中，所述像素區(qū)域4連接到所述柵極線gm、所述數據線sn、所述第一電壓elvdd和所述第二電壓elvss。

在本實施例中，如圖3所示，所述觸控顯示面板10的像素區(qū)域4包括有機發(fā)光二極管(oled)，以及連接到柵極線gm和數據線sn以控制oled的像素單元2。oled的陽極連接在像素單元2，并且oled的陰極連接到地面電源elvss。

這種oled響應于從像素單元2供應的電流產生預定亮度的光。像素單元2響應于掃描信號供應給柵極線gm時供應給數據線sn的數據信號而控制供應給oled的電流的量。為此，像素單元2包括連接在第一電壓elvdd和oled之間的第二晶體管t2、連接在第二晶體管t2、數據線sn和柵極線gm之中的第一晶體管t1，以及連接在第二晶體管t2的柵電極與第一電壓elvdd之間的存儲電容cst。

第一晶體管t1的柵電極連接到柵極線gm，并且第一晶體管t1的第一電極連接到數據線sn。第一晶體管t1的第二電極連接到存儲電容cst的第一個端子。第一晶體管t1的第一電極可以是源電極和漏電極中的一者，并且第二電極是源電極和漏電極中的另一者。例如，如果第一電極是源電極，則第二電極是漏電極。在從柵極線gm供應掃描信號時，連接到柵極線gm和數據線sn的第一晶體管t1導通，以向存儲電容cst供應從數據線sn供應的數據信號。存儲電容cst充電至數據信號相對于的電壓。

第二晶體管t2的柵電極連接在存儲電容cst的一個端子，并且在第二晶體管t2的第一電極連接的存儲器cst的另一端子和第一電壓elvdd。第二晶體管t2的第二電極連接到oled的陽極。該第二晶體管t2響應于存儲電容cst中存儲的電壓的值，控制經由oled流向地面電源elvss的電流的量。在圖3的像素區(qū)域4中，oled產生具有與第二晶體管t2所供應的電流的量相對應的亮度的光。

在本實施例中，第一晶體管t1可以為pmos晶體管，也可以為nmos晶體管。當第一晶體管t1為pmos晶體管時，第一晶體管t1的柵電極電壓為低電平時，第一晶體管t1處于導通狀態(tài)，第一晶體管t1的柵電極電壓為高電平時，第一晶體管t1處于關斷狀態(tài)。當第一晶體管t1為nmos晶體管時，第一晶體管t1的柵電極電壓為高電平時，第一晶體管t1處于導通狀態(tài)，第一晶體管t1的柵電極電壓為低電平時，第一晶體管t1處于關斷狀態(tài)。

第二晶體管t2可以為pmos晶體管，也可以為nmos晶體管。當第二晶體管t2為pmos晶體管時，第二晶體管t2的柵電極電壓為低電平時，第二晶體管t2處于導通狀態(tài)，第二晶體管t2的柵電極電壓為高電平時，第二晶體管t2處于關斷狀態(tài)。當第二晶體管t2為nmos晶體管時，第二晶體管t2的柵電極電壓為高電平時，第二晶體管t2處于導通狀態(tài)，第二晶體管t2的柵電極電壓為低電平時，第二晶體管t2處于關斷狀態(tài)。

顯示驅動模塊20用于在顯示狀態(tài)下向所述觸控顯示面板提供掃描信號以及數據信號以驅動觸控顯示面板顯示。

在本實施例中，所述顯示驅動模塊20包括柵極驅動器21和源極驅動器22。所述柵極驅動器21用于在顯示狀態(tài)下向所述觸控顯示面板提供柵極電壓；所述源極驅動器22用于在顯示狀態(tài)下向所述觸控顯示面板提供灰階電壓。

在本實施例中，如圖5a所示，所述柵極驅動器21包括柵極驅動單元211、第一電容c1和第二電容c2。其中，所述柵極驅動單元211用于接收柵極正壓和柵極負壓，并提供給所述觸控顯示面板；第一電容c1和第二電容c2串聯連接在所述柵極正壓vgh和所述柵極負壓vgl之間，其中，所述第一電容c1和所述第二電容c2之間的節(jié)點與接地端gnd相連。

如圖6a所示，所述源極驅動器22包括源極驅動單元221，用于生成與顯示數據對應的灰階電壓。

觸控檢測模塊30用于在觸控狀態(tài)下控制所述陰極電極復用為陰極電極，并檢測所述觸控顯示面板的感應電容。

在本實施例中，所述觸控檢測模塊包括觸控檢測單元31和復用單元32。其中，所述復用單元32用于控制所述陰極電極復用為陰極電極；所述觸控檢測單元31用于檢測所述觸控顯示面板10的感應電容cs。

在觸控狀態(tài)下，cs為陰極電極與地之間的感應電容，cd為陰極電極與數據線sn之間的寄生電容，cg為陰極電極與柵極線gm之間的寄生電容。

如圖4所示，所述觸控檢測單元31包括放大器a1、反饋電容cfb、反饋電阻rfb以及模數轉換器adc。其中，所述放大器a1包括第一輸入端、第二輸入端和輸出端。例如，放大器a1可以為普通的差分放大器，其第一輸入端可以為負輸入端，第二輸入端可以為正輸入端，反之亦可。

在本實施例中，放大器a1的第一輸入端與驅動信號vstim連接，第二輸入端與復用單元32連接，輸出端與所述模數轉換器adc連接。所述反饋電容cfb和所述反饋電阻rfb并聯連接在所述放大器a1的第二輸入端和輸出端之間。

所述復用單元32包括第一開關s1和第二開關s2。其中，所述第一開關s1連接在所述放大器a1的第二輸入端和感測通道rx之間；所述第二開關s2連接在所述感測通道rx和所述第二電壓elvss之間，其中，所述感測通道rx與所述陰極電極相連。

在本實施例中，當所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)時，第一開關s1處于關斷狀態(tài)，第二開關s2處于導通狀態(tài)；當所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)時，第一開關s1處于導通狀態(tài)，第二開關s2處于關斷狀態(tài)，此時與感測通道rx相連的陰極電極復用為陰極電極。

在一個優(yōu)選的實施例中，所述觸控顯示裝置還包括時序控制器50，用于向所述顯示驅動模塊20和所述觸控檢測模塊30提供第一控制信號和第二控制信號。其中，所述第一控制信號用于控制所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)；所述第二控制信號用于控制所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)。即，在第一控制信號下，第一開關s1處于關斷狀態(tài)，第二開關s2處于導通狀態(tài)；在第二控制信號下，第一開關s1處于導通狀態(tài)，第二開關s2處于關斷狀態(tài)。

在一個優(yōu)選的實施例中，所述觸控顯示裝置還包括信號源60，用于向所述觸控檢測模塊30提供驅動信號vstim。

圖8示出了根據本發(fā)明第一實施例提供的觸控顯示裝置的信號時序圖。如圖8所示，在第一控制信號下，所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)下，第一開關s1處于關斷狀態(tài)，第二開關s2處于導通狀態(tài)，此時，陰極電極通過感測通道rx連接到第二電壓elvss。

在第二控制信號下，所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)下，第一開關s1處于導通狀態(tài)，第二開關s2處于關斷狀態(tài)，此時，陰極電極復用為陰極電極，放大器的第一輸入端輸入驅動信號vstim，通過放大器檢測所述陰極電極對地的電容，即觸控顯示面板的感應電容。

在本實施例中，顯示狀態(tài)的刷新頻率是固定的，為60hz，觸控狀態(tài)的刷新頻率可以為60hz～120hz。

本發(fā)明第一實施例提供的觸控顯示裝置，將oled的陰極電極在觸控狀態(tài)下復用為陰極電極，使觸控和顯示模組集成到一起形成觸控顯示模組，使觸控顯示裝置更加輕薄，同時節(jié)約成本，采用分時驅動的方式實現顯示和觸控功能。

更進一步地，為了消除漏電對觸控檢測的影響，提高觸控檢測的精度，需使第二晶體管t2在觸控狀態(tài)下處于完全關斷狀態(tài)，可以通過在觸控狀態(tài)下，控制所有的柵極線打開，即第一晶體管t1導通，數據線s1-sn接高電平或低電平使第二晶體管t2關斷，或者將陽極電位elvdd降低到和感測通道rx的電平相同來實現。其中，當第二晶體管t2為pmos晶體管時，數據線s1-sn接高電平，當第二晶體管t2為nmos晶體管時，數據線s1-sn接低電平。還可以通過增加第三晶體管t3實現(如圖7所示)，其中，第三控制信號tps控制第三晶體管t3在觸控狀態(tài)下關斷，在顯示狀態(tài)下導通。

圖7示出了根據本發(fā)明實施例提供的另一觸控顯示面板的等效電路圖。如圖7所示，觸控顯示面板10的每個像素區(qū)域4包括第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3和存儲電容cst。所述第一晶體管t1的柵電極與所述柵極線中的一條柵極線相連，所述第一晶體管t1的第一電極與所述數據線中的一條數據線相連，所述第一晶體管t1的第二電極與所述第二晶體管t2的柵電極相連；所述第二晶體管t2的柵電極與第一晶體管t1的第二電極相連，所述第二晶體管t2的第一電極與所述第三晶體管t3的第二電極相連，所述第二晶體管t2的第二電極與所述有機發(fā)光二極管的陽極相連；所述第三晶體管t3的柵電極與第三控制信號tps相連，所述第三晶體管t3的第一電極與所述第一電壓elvdd相連，所述第三晶體管t3的第二電極與所述第二晶體管t2的第一電極相連；存儲電容cst連接在所述第一晶體管t1的第二電極和接地端之間。

在本實施例中，第一晶體管t1可以為pmos晶體管，也可以為nmos晶體管。當第一晶體管t1為pmos晶體管時，第一晶體管t1的柵電極電壓為低電平時，第一晶體管t1處于導通狀態(tài)，第一晶體管t1的柵電極電壓為高電平時，第一晶體管t1處于關斷狀態(tài)。當第一晶體管t1為nmos晶體管時，第一晶體管t1的柵電極電壓為高電平時，第一晶體管t1處于導通狀態(tài)，第一晶體管t1的柵電極電壓為低電平時，第一晶體管t1處于關斷狀態(tài)。

第二晶體管t2可以為pmos晶體管，也可以為nmos晶體管。當第二晶體管t2為pmos晶體管時，第二晶體管t2的柵電極電壓為低電平時，第二晶體管t2處于導通狀態(tài)，第二晶體管t2的柵電極電壓為高電平時，第二晶體管t2處于關斷狀態(tài)。當第二晶體管t2為nmos晶體管時，第二晶體管t2的柵電極電壓為高電平時，第二晶體管t2處于導通狀態(tài)，第二晶體管t2的柵電極電壓為低電平時，第二晶體管t2處于關斷狀態(tài)。

第三晶體管t3可以為pmos晶體管，也可以為nmos晶體管。當第三晶體管t3為pmos晶體管時，第三晶體管t3的柵電極電壓為低電平時，第三晶體管t3處于導通狀態(tài)，第三晶體管t3的柵電極電壓為高電平時，第三晶體管t3處于關斷狀態(tài)。當第三晶體管t3為nmos晶體管時，第三晶體管t3的柵電極電壓為高電平時，第三晶體管t3處于導通狀態(tài)，第三晶體管t3的柵電極電壓為低電平時，第三晶體管t3處于關斷狀態(tài)。

在顯示狀態(tài)下，控制第三晶體管t3導通；在觸控狀態(tài)下，控制第三晶體管t3關斷，可以消除漏電對觸控檢測的影響，提高觸控檢測的精度。

圖2示出了根據本發(fā)明第二實施例提供的觸控顯示裝置的結構示意圖。與第一實施例相比，本發(fā)明第二實施例的柵極驅動器21和源極驅動器22增加了電容補償功能。其他均與本發(fā)明第一實施例一樣，在此不再贅述。

如圖5b所示，柵極驅動器21包括柵極驅動單元211、第一電容c1、第二電容c2、第三開關s3和第四開關s4。其中，所述柵極驅動單元211用于接收柵極正壓和柵極負壓，并提供給所述觸控顯示面板；第一電容c1和第二電容c2串聯連接在所述柵極正壓vgh和所述柵極負壓vgl之間，第三開關s3連接在所述第一電容和所述第二電容之間的節(jié)點和所述驅動信號之間；第四開關s4連接在所述第一電容和所述第二電容之間的節(jié)點和接地端之間。

在本實施例中，當所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)時，第三開關s3處于關斷狀態(tài)，第四開關s4處于導通狀態(tài)；當所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)時，第三開關s3處于導通狀態(tài)，第四開關s4處于關斷狀態(tài)。

如圖6b所示，所述源極驅動器22還包括第五開關s5和第六開關s6，第五開關s5連接在所述驅動信號vstim和所述所述觸控顯示面板10之間；第六開關s6連接在所述源極驅動單元221與所述觸控顯示面板10之間。

在本實施例中，當所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)時，第五開關s5處于關斷狀態(tài)，第六開關s6處于導通狀態(tài)；當所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)時，第五開關s5處于導通狀態(tài)，第六開關s6處于關斷狀態(tài)。

在一個優(yōu)選地實施例中，所述信號源60還用于向所述顯示驅動模塊20提供驅動信號vstim。

在一個優(yōu)選地實施例中，在觸控狀態(tài)下，在柵極線和數據線至少之一上施加脈沖信號。

在本實施例中，所述脈沖信號包括交流信號或單極性信號。所述交流信號包括正弦波信號或雙極性方波信號。所述單極性信號包括單極性方波信號。

圖9示出了根據本發(fā)明第二實施例提供的觸控顯示裝置的信號時序圖。如圖9所示，在第一控制信號下，所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)下，第一開關s1處于關斷狀態(tài)，第二開關s2處于導通狀態(tài)，此時，陰極電極通過感測通道rx連接到第二電壓elvss。

在第二控制信號下，所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)下，第一開關s1處于導通狀態(tài)，第二開關s2處于關斷狀態(tài)，此時，陰極電極復用為陰極電極，放大器的第一輸入端輸入驅動信號vstim，通過放大器檢測所述陰極電極對地的電容，即觸控顯示面板的感應電容。

在本實施例中，顯示狀態(tài)的刷新頻率是固定的，為60hz，觸控狀態(tài)的刷新頻率可以為60hz～120hz。與本發(fā)明第一實施例相比，本發(fā)明第二實施例在觸控狀態(tài)下，向柵極驅動器和源極驅動器提供一脈沖信號施加給柵極線和數據線，以補償陰極電極與柵極線、陰極電極與數據線之間的寄生電容，提高觸控檢測的精度。

進一步，為了消除陰極電極與陽極以及柵極線、數據線之間的寄生電容對觸控檢測的影響，可以采用全驅動的方式。在觸控狀態(tài)下，第一電壓elvdd、柵極線g1-gm和數據線s1-sn上均驅動同樣的脈沖信號，如方波、正弦波等。

更進一步地，為了消除漏電對觸控檢測的影響，提高觸控檢測的精度，需使第二晶體管t2在觸控狀態(tài)下處于完全關斷狀態(tài)，可以通過在觸控狀態(tài)下，控制所有的柵極線打開，即第一晶體管t1導通，數據線s1-sn接高電平或低電平使第二晶體管t2關斷，或者將陽極電位elvdd降低到和感測通道rx的電平相同來實現。其中，當第二晶體管t2為pmos晶體管時，數據線s1-sn接高電平，當第二晶體管t2為nmos晶體管時，數據線s1-sn接低電平。還可以通過增加第三晶體管t3實現(如圖7所示)，其中，第三控制信號tps控制第三晶體管t3在觸控狀態(tài)下關斷，在顯示狀態(tài)下導通。

圖7示出了根據本發(fā)明實施例提供的另一觸控顯示面板的等效電路圖。如圖7所示，觸控顯示面板10的每個像素區(qū)域4包括第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3和存儲電容cst。所述第一晶體管t1的柵電極與所述柵極線中的一條柵極線相連，所述第一晶體管t1的第一電極與所述數據線中的一條數據線相連，所述第一晶體管t1的第二電極與所述第二晶體管t2的柵電極相連；所述第二晶體管t2的柵電極與第一晶體管t1的第二電極相連，所述第二晶體管t2的第一電極與所述第三晶體管t3的第二電極相連，所述第二晶體管t2的第二電極與所述有機發(fā)光二極管的陽極相連；所述第三晶體管t3的柵電極與第三控制信號tps相連，所述第三晶體管t3的第一電極與所述第一電壓elvdd相連，所述第三晶體管t3的第二電極與所述第二晶體管t2的第一電極相連；存儲電容cst連接在所述第一晶體管t1的第二電極和接地端之間。

在顯示狀態(tài)下，控制第三晶體管t3導通；在觸控狀態(tài)下，控制第三晶體管t3關斷，可以消除漏電對觸控檢測的影響，提高觸控檢測的精度。

圖10示出了根據本發(fā)明第三實施例提供的觸控顯示裝置的驅動方法的流程圖。如圖10所示，所述驅動方法包括以下步驟。

在步驟s01中，分時切換顯示狀態(tài)和觸控狀態(tài)；

在步驟s02中，在顯示狀態(tài)下，控制所述感測通道與所述第二電壓連接，并向所述觸控顯示面板提供掃描信號以及數據信號以驅動所述觸控顯示面板顯示。

在步驟s03中，在觸控狀態(tài)下，通過所述感測通道檢測所述觸控顯示面板的感應電容。

在本實施例中，通過向所述顯示驅動模塊和所述觸控檢測模塊分別提供第一控制信號和第二控制信號使觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)或觸控狀態(tài)。其中，所述第一控制信號用于控制所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)；所述第二控制信號用于控制所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)。

在本實施例中，當所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)下，向所述觸控檢測模塊提供驅動信號以實現觸控檢測。當所述觸控顯示裝置處于顯示狀態(tài)下，向所述顯示驅動模塊提供驅動信號以實現顯示。所述顯示狀態(tài)的刷新頻率為60hz，所述觸控狀態(tài)的刷新頻率為60hz～120hz。

當所述觸控顯示裝置處于觸控狀態(tài)下，在柵極線和數據線至少之一上施加脈沖信號，以補償陰極電極與柵極線、陰極電極與數據線之間的寄生電容。

在本實施例中，所述脈沖信號包括交流信號或單極性信號。所述交流信號包括正弦波信號或雙極性方波信號。所述單極性信號包括單極性方波信號。

本發(fā)明第三實施例提供的觸控顯示裝置的驅動方法，將oled的陰極電極與感測通道連接，在顯示狀態(tài)下復用感測通道實現顯示，使觸控和顯示模組集成到一起形成觸控顯示模組，使觸控顯示裝置更加輕薄，同時節(jié)約成本，采用分時驅動的方式實現顯示和觸控功能。更進一步地，在觸控狀態(tài)下，向柵極驅動器和源極驅動器提供一脈沖信號施加給柵極線和數據線，以補償陰極電極與柵極線、陰極電極與數據線之間的寄生電容，提高觸控檢測的精度。

以上所述僅是本發(fā)明的示范性實施方式，而非用于限制本發(fā)明的保護范圍，本發(fā)明的保護范圍由所附的權利要求確定。