本發(fā)明涉及觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏及其制作方法。

背景技術(shù)：

觸摸屏(touchscreen)又稱為"觸控屏"、"觸控面板"，是一種可接收觸頭等輸入訊號(hào)的感應(yīng)式裝置，當(dāng)接觸了屏幕時(shí)，屏幕上的傳感器系統(tǒng)可根據(jù)預(yù)先編程的程序驅(qū)動(dòng)各種連接裝置，可用以取代機(jī)械式的按鈕面板。觸摸屏作為一種最新的輸入設(shè)備，它是目前最簡單、方便、自然的一種人機(jī)交互設(shè)備。它賦予了多媒體以嶄新的面貌，是一種極富吸引力的全新多媒體交互設(shè)備，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，由于避免了機(jī)械式按鍵可能造成的按鍵可靠性低、易損壞的缺點(diǎn)，具有使用壽命長、節(jié)省空間的優(yōu)點(diǎn)，主要應(yīng)用于公共信息的查詢、領(lǐng)導(dǎo)辦公、工業(yè)控制、軍事指揮、電子游戲、點(diǎn)歌點(diǎn)菜、多媒體教學(xué)、房地產(chǎn)預(yù)售等。

現(xiàn)有的智能手機(jī)等電子設(shè)備都會(huì)裝備指紋識(shí)別模組，指紋識(shí)別模組與觸摸屏是分離式設(shè)計(jì)，需要在設(shè)備的后蓋、前蓋上面開通孔或者挖凹槽，這樣使得整體的工藝復(fù)雜，提高制造成本，同時(shí)會(huì)造成設(shè)備的前蓋或者后蓋強(qiáng)度降低，并且進(jìn)行指紋識(shí)別需要在特定的位置識(shí)別，如果我們單手操作設(shè)備時(shí)，指紋識(shí)別會(huì)變得很麻煩。對于傳統(tǒng)的觸摸屏，無指紋識(shí)別功能，只能進(jìn)行觸控，不能進(jìn)行指紋識(shí)別。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏及其制作方法，將指紋識(shí)別和觸摸功能集成在一起，實(shí)現(xiàn)全屏幕指紋識(shí)別，在屏幕的任何位置進(jìn)行指紋解鎖，同時(shí)也可以在觸摸時(shí)實(shí)時(shí)的進(jìn)行指紋識(shí)別，做到實(shí)時(shí)的身份識(shí)別。節(jié)省了設(shè)備內(nèi)部空間，使設(shè)備的體積更小。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法，包括：

步驟1，在玻璃層的正面和背面制備單層石墨烯層；

步驟2，對所述玻璃層的正面和背面的石墨烯層按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕；

步驟3，對所述正面的石墨烯層的表面設(shè)置蓋板層。

其中，所述步驟1，包括：

步驟11，在銅箔的表面采用常壓cvd法生長單層石墨烯層；

步驟12，將熱膨脹膠帶粘附在所述銅箔表面的石墨烯層上；

步驟13，將帶有所述熱膨脹膠帶、所述石墨烯層的銅箔在腐蝕液體中浸泡，將所述石墨烯層下的銅箔腐蝕掉，獲得表面覆蓋有所述石墨烯層的熱膨脹膠帶；

步驟14，將所述表面覆蓋有所述石墨烯層的熱膨脹膠帶的石墨烯層粘附在玻璃層的正面，通過加熱將所述石墨烯層與所述熱膨脹膠帶分離，實(shí)現(xiàn)將所述石墨烯層轉(zhuǎn)移在所述玻璃表面；

步驟15；重復(fù)所述步驟11～步驟14，在所述玻璃層的背面制備單層石墨烯層。

其中，所述步驟2，包括：

對所述玻璃的表面的石墨烯層按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行icp刻蝕或激光刻蝕。

其中，在所述步驟3之后，還包括：

步驟4，對所述蓋板層的上表面進(jìn)行agaraf處理。

除此之外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏，包括從上到下依次設(shè)置的agaraf層、藍(lán)寶石蓋板層、指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層、玻璃層和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層和所述指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層為按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕后的指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層。

其中，所述藍(lán)寶石蓋板層的厚度為25μm～50μm。

其中，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層為石墨烯層、ito層或納米銀層。

其中，所述指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層為ito層或納米銀層。

其中，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層的傳感器像素為50μm*50μm～70μm*70μm。

其中，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層的傳感器像素的走線之間的間距為50μm～70μm。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏及其制作方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法，包括：

步驟1，在玻璃層的正面和背面制備單層石墨烯層；

步驟2，對所述玻璃層的正面和背面的石墨烯層按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕；

步驟3，對所述正面的石墨烯層的表面設(shè)置蓋板層。

本發(fā)明實(shí)施例還提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏，包括從上到下依次設(shè)置的agaraf層、藍(lán)寶石蓋板層、指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層、玻璃層和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層和所述指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層為按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕后的指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層。

所述全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏及其制作方法，通過在玻璃層的正面和背面制備單層石墨烯層之類的指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層，并按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕獲得傳感器，實(shí)現(xiàn)在屏幕上進(jìn)行觸控識(shí)別的同時(shí)獲得指紋識(shí)別的能力，即將指紋識(shí)別與觸控識(shí)別集成到電容觸摸屏，獲得全屏幕指紋識(shí)別的功能，無需在電子設(shè)備的其它位置獨(dú)立設(shè)置觸摸屏，降低了電子設(shè)備的制造成本和體積，提高了觸摸屏的應(yīng)用范圍。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法的一種具體實(shí)施方式的步驟流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法的另一種具體實(shí)施方式的步驟流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法的再一種具體實(shí)施方式的步驟流程示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏的一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏的一種具體實(shí)施方式中指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏的一種具體實(shí)施方式中指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏在一種具體實(shí)施方式中進(jìn)行指紋識(shí)別時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參考圖1～圖3，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法的一種具體實(shí)施方式的步驟流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法的另一種具體實(shí)施方式的步驟流程示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法的再一種具體實(shí)施方式的步驟流程示意圖。

在一種具體實(shí)施方式中，所述全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法，包括：

步驟1，在玻璃層的正面和背面制備單層石墨烯層；以玻璃層為基底，在玻璃層的正面和背面設(shè)置單層石墨烯層，是由于石墨烯是透明導(dǎo)電層，具有極高的電子遷移率，即使厚度很薄，方阻也不會(huì)很大，能夠降低器件的耗電量，在本發(fā)明中還可以使用其它的透明導(dǎo)電層替換石墨烯層，例如使用ito層或納米銀代替石墨烯層。

步驟2，對所述玻璃層的正面和背面的石墨烯層按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕；通過將正面和背面的石墨按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)傳感器像素，而對于每個(gè)傳感器像素，其尺寸可以相等，也可以不相等。而本發(fā)明對于傳感器圖案、走線圖案及其尺寸參數(shù)也不做具體限定，只要能夠滿足在觸摸屏的正面進(jìn)行按壓時(shí)，能夠?qū)⒅讣y的山峰和山谷對應(yīng)傳感器之間的電容值差別檢測出來進(jìn)行區(qū)分，從而識(shí)別指紋的紋路。這時(shí)由于指紋相鄰的山谷和山谷或者山峰和山峰之間的距離為300μm～500μm，相鄰的山谷和山峰之間的高度差為100μm～400μm，由于指紋的山谷和山峰距離傳感器的距離不同，造成對應(yīng)位置處的傳感器像素的電容變化量不同，根據(jù)傳感器像素的電容值的改變量就可以推測出指紋相對應(yīng)的紋路，從而達(dá)到指紋識(shí)別的目的，同時(shí)也檢測出了手指觸摸的位置，用以實(shí)現(xiàn)觸控操作。這樣，就可以實(shí)現(xiàn)全屏指紋識(shí)別，由于指紋識(shí)別使用的感應(yīng)通道較多，觸控需要的感應(yīng)通道較少，指紋解鎖后，可以通過ic和軟件，選用其中的某些通道來只實(shí)現(xiàn)觸控的功能，關(guān)閉指紋識(shí)別的功能，降低功耗。也可以同時(shí)進(jìn)行指紋識(shí)別和觸控，可以進(jìn)行實(shí)時(shí)的指紋識(shí)別。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，傳感器像素70μm*70μm，走線之間的距離為50μm，即如果將石墨烯層刻蝕為條紋狀，石墨烯條紋的寬度為70μm，相鄰條紋之間的間距為50μm。

在一種實(shí)施例中，位于玻璃層正面和背面的石墨烯層進(jìn)行等間距刻蝕，正面和背面的刻蝕方向垂直，在指紋對正面石墨烯層進(jìn)行感應(yīng)的過程中，正面的石墨烯層與背面石墨烯層相交的地方即為傳感器像素，該處對應(yīng)的電容值可以通過對正面和背面的石墨烯層進(jìn)行施加電壓掃描獲得，由于指紋峰和谷感應(yīng)的電容值不同，這樣就獲得了相對應(yīng)處的指紋紋路中的峰和谷對應(yīng)的紋路，實(shí)現(xiàn)指紋的識(shí)別。在本發(fā)明中，指紋識(shí)別與觸控操作的識(shí)別可以同步進(jìn)行，也可以異步進(jìn)行，本發(fā)明對此不作具體限定。

步驟3，對所述正面的石墨烯層的表面設(shè)置蓋板層；由于指紋的感應(yīng)信號(hào)很小，因此在制作電容屏?xí)r盡量選擇介電常數(shù)較高的蓋板層作為電容的電介質(zhì)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，采用50μm厚度的超薄藍(lán)寶石蓋板作為蓋板層，這時(shí)由于藍(lán)寶石蓋板主要成分為al2o3，其介電常數(shù)高，與其它的蓋板相比較，在同等厚度條件下，其電容值更大，對應(yīng)的在進(jìn)行觸摸時(shí)電容值的改變幅度也更大，便于檢測到在觸控時(shí)的指紋識(shí)別，提高識(shí)別精確度，當(dāng)然在發(fā)明中并不限定采用藍(lán)寶石蓋板，也可以采用其它材質(zhì)的蓋板層，本發(fā)明對蓋板層的材質(zhì)和厚度不作具體限定。

在本發(fā)明中關(guān)鍵的步驟是在玻璃層的正面和背面設(shè)置透明導(dǎo)電層，例如設(shè)置石墨烯層，可以采用多種的方法和方式，本發(fā)明對此不作具體限定，在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，所述步驟1，包括：

步驟11，在銅箔的表面采用常壓cvd法生長單層石墨烯層；當(dāng)然，也可以采用其它的方式，或者以其它的襯底為基底進(jìn)行單層石墨烯層的淀積，在本發(fā)明中采用的銅箔的厚度一般較小，這樣便于后續(xù)的腐蝕去除，而且厚度很小時(shí)腐蝕速度快，能夠減少整個(gè)工藝的時(shí)間，減少腐蝕過程中釋放的熱量，減少對石墨烯層的破壞，銅箔的厚度一般為25μm～30μm在一實(shí)施例中，銅箔的厚度為25μm。

步驟12，將熱膨脹膠帶粘附在所述銅箔表面的石墨烯層上；這一步驟是為后續(xù)的步驟中將銅箔腐蝕后，將石墨烯層轉(zhuǎn)移到熱膨脹膠帶，這是由于不能夠直接在熱膨脹膠帶上進(jìn)行石墨烯層的生長，因而采用這種方式進(jìn)行石墨烯層的轉(zhuǎn)移，在本發(fā)明中除了使用熱膨脹膠帶外，還可以使用pmma等，本發(fā)明對此不作具體限定。

步驟13，將帶有所述熱膨脹膠帶、所述石墨烯層的銅箔在腐蝕液體中浸泡，將所述石墨烯層下的銅箔腐蝕掉，獲得表面覆蓋有所述石墨烯層的熱膨脹膠帶；本發(fā)明對腐蝕所述鋁箔的腐蝕液不做限定，對腐蝕時(shí)間不作具體限定。

步驟14，將所述表面覆蓋有所述石墨烯層的熱膨脹膠帶的石墨烯層粘附在玻璃層的正面，通過加熱將所述石墨烯層與所述熱膨脹膠帶分離，實(shí)現(xiàn)將所述石墨烯層轉(zhuǎn)移在所述玻璃表面；

步驟15；重復(fù)所述步驟11～步驟14，在所述玻璃層的背面制備單層石墨烯層。

采用這種方式在玻璃層的正面和背面設(shè)置單層石墨烯層，方法簡單成本低，效率高，能夠降低工藝成本。

在本發(fā)明中，所述步驟2，包括：

對所述玻璃表面的石墨烯層按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行icp刻蝕或激光刻蝕。

當(dāng)然，在本發(fā)明中，對于預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案及其尺寸參數(shù)不做具體限定，在本發(fā)明中對石墨烯層的刻蝕工藝并不限定于icp刻蝕和激光刻蝕，還可以使用其它的刻蝕工藝。

在所述步驟3之后，還包括步驟4，對所述蓋板層的上表面進(jìn)行agaraf處理，其中，af(anti-finger)是指防指紋，就是使污染物不容易附著于產(chǎn)品外觀表面，因此具有防指紋(人的手上有油脂)與防油污的功效，且因?yàn)槟咏Y(jié)構(gòu)讓鍍膜表面有較為平滑的接觸面，所以也有抗刮的功能，能夠提高觸摸屏使用時(shí)的精確度和對指紋識(shí)別的精確度；ag(anti-glare)是指防眩光，眩光是一種不良照明現(xiàn)象，當(dāng)外在光源亮度極高或背景與顯示屏幕的亮度差異較大時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生眩光，會(huì)讓消費(fèi)者使用上造成視覺不舒適，通過防眩光處理，能夠避免使用時(shí)的視覺不舒適；ar(anti-reflection)，能夠降低玻璃反射，增加玻璃透過率。

通過全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法獲得的電容式觸摸屏，由于指紋識(shí)別使用的感應(yīng)通道較多，觸控需要的感應(yīng)通道較少，可以在指紋解鎖后，通過ic和軟件，選用其中的某些通道來只實(shí)現(xiàn)觸控的功能，關(guān)閉指紋識(shí)別的功能，降低功耗。也可以同時(shí)進(jìn)行指紋識(shí)別和觸控，可以進(jìn)行實(shí)時(shí)的指紋識(shí)別。

此外，由于通過全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法獲得的電容式觸摸屏，可以進(jìn)行全屏指紋識(shí)別，那么在進(jìn)行指紋識(shí)別時(shí)，就不限定于僅僅是單一指紋的識(shí)別，可以是多個(gè)手指同時(shí)觸摸進(jìn)行指紋識(shí)別，甚至是手掌的某一區(qū)域觸摸代替指紋觸摸，使得識(shí)別的范圍更大，進(jìn)一步提高識(shí)別的范圍和設(shè)備加密的能力。

本發(fā)明中的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏制作方法，通過在玻璃層的正面和背面制備單層石墨烯層之類的指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層，并按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕獲得能夠進(jìn)行識(shí)別的傳感器，實(shí)現(xiàn)在屏幕上進(jìn)行觸控識(shí)別的同時(shí)獲得指紋識(shí)別的能力，即將指紋識(shí)別與觸控識(shí)別集成到電容觸摸屏，使得可以在全屏幕進(jìn)行指紋識(shí)別，無需在電子設(shè)備的其它位置獨(dú)立設(shè)置觸摸屏，降了低電子設(shè)備的制造成本和體積，提高了觸摸屏的應(yīng)用范圍。

當(dāng)然，本發(fā)明中的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏除了具備全屏指紋識(shí)別的功能之外，其它的部分也可以與現(xiàn)有的電容觸摸屏相同，例如，同樣具有油墨區(qū)和可視區(qū)。

除此之外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏，如圖4～6所示，包括從上到下依次設(shè)置的agaraf層10、藍(lán)寶石蓋板層20、指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30、玻璃層40和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30和所述指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50為按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕后的指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50。

本發(fā)明中的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏，通過在玻璃層40的正面、背面設(shè)置指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30、指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50，由于指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30和所述指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50為按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕后的指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50，這樣就獲得了用于感應(yīng)指紋的傳感器，通過指紋識(shí)別觸控中指紋的峰和谷所引起的傳感器像素的電容值或其變化值不同，實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別以及觸控識(shí)別。

本發(fā)明中agaraf層10是對藍(lán)寶石蓋板層20進(jìn)行agaraf表面處理后獲得的，對所述agaraf層的厚度不做具體限定，af(anti-finger)是指防指紋，就是使污染物不容易附著于產(chǎn)品外觀表面，因此具有防指紋(人的手上有油脂)與防油污的功效，且因?yàn)槟咏Y(jié)構(gòu)讓鍍膜表面有較為平滑的接觸面，所以也有抗刮的功能，能夠提高觸摸屏使用時(shí)的精確度和對指紋識(shí)別的精確度；ag(anti-glare)是指防眩光，眩光是一種不良照明現(xiàn)象，當(dāng)外在光源亮度極高或背景與顯示屏幕的亮度差異較大時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生眩光，會(huì)讓消費(fèi)者使用上造成視覺不舒適，通過防眩光處理，能夠避免使用時(shí)的視覺不舒適；ar(anti-reflection)，能夠降低玻璃反射，增加玻璃透過率。

本發(fā)明中的所述藍(lán)寶石蓋板層20的厚度為超薄藍(lán)寶石蓋板層20，其主要成分為al2o3，介電常數(shù)高，有利于提高傳感器的電容值，使得在指紋觸摸識(shí)別過程中，傳感器像素的電容值的改變量較傳統(tǒng)的蓋板層在其它條件相同的前提下大，有利于提高指紋識(shí)別的精確度，其厚度一般為25μm～50μm。

本發(fā)明對于玻璃層的厚度不做具體限定。

在本發(fā)明實(shí)施例中的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏中，指紋識(shí)別觸控感層通過獲得指紋觸控，形成對應(yīng)傳感器像素的電容值的變化，指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50與指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層配合通過將對應(yīng)位置處的傳感器像素的電容值的變化輸出，通過多個(gè)傳感器像素配合獲得指紋的紋路，然后由設(shè)備的其它部件進(jìn)行指紋解析和識(shí)別，由于是在電容屏的正面，因此指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50與指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層必須都是透明導(dǎo)電層，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30為石墨烯層、ito層或納米銀層中的一種，所述指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50為石墨烯層、ito層或納米銀層中的一種，為減少工藝復(fù)雜程度，一般指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30與指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50的材質(zhì)相同，如都為單層石墨烯層，二者的厚度一般也相等，如果選用其它材質(zhì)如ito層或納米銀層，本發(fā)明對其厚度不做具體限定。

本發(fā)明對于指紋識(shí)別傳感器不做具體限定，由于指紋只有微米級(jí)，指紋的相鄰山谷之間的距離為300μm～500um，因此指紋的傳感器像素必須比其最小值還小，同時(shí)為了提高指紋識(shí)別的精確度，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30的傳感器像素一般為50μm*50μm～70μm*70μm，在一實(shí)施例中，指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30的傳感器像素為70μm*70μm。

需要指出的是，本發(fā)明對于指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30和所述指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50為按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案不做具體限定，在一種實(shí)施例中，如圖4和圖5所示，位于玻璃層40正面的指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30和背面的指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層50進(jìn)行刻蝕，正面和背面的刻蝕方向垂直，在指紋對正面進(jìn)行按壓的過程中，如圖7所示，正面的石墨烯層與背面石墨烯層相交點(diǎn)即為傳感器像素，該處對應(yīng)的電容值可以通過對正面和背面的石墨烯層進(jìn)行施加電壓掃描獲得，由于有指紋峰和無谷感應(yīng)的電容值不同，這樣就獲得了相對應(yīng)處的指紋紋路中的峰和谷對應(yīng)的紋路，實(shí)現(xiàn)指紋的識(shí)別。例如，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，傳感器像素70μm*70μm，走線之間的距離為50μm，即如果正面的指紋觸控感應(yīng)層30為條紋狀，條紋的寬度為70μm，相鄰條紋之間的間距為50μm，在本發(fā)明中，指紋識(shí)別與觸控操作的識(shí)別可以同步進(jìn)行，也可以異步進(jìn)行，本發(fā)明對此不作具體限定。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏中，所述指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層30的傳感器像素的走線之間的間距為50μm～70μm。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏中，由于指紋識(shí)別使用的感應(yīng)通道較多，觸控需要的感應(yīng)通道較少，指紋解鎖后，可以通過ic和軟件，選用其中的某些通道來只實(shí)現(xiàn)觸控的功能，關(guān)閉指紋識(shí)別的功能，降低功耗。也可以同時(shí)進(jìn)行指紋識(shí)別和觸控，可以進(jìn)行實(shí)時(shí)的指紋識(shí)別。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏及其制作方法，通過在玻璃層的正面和背面制備單層石墨烯層的指紋識(shí)別觸控感應(yīng)層和指紋識(shí)別觸控驅(qū)動(dòng)層，并按照預(yù)定的傳感器圖案、走線圖案進(jìn)行刻蝕獲得傳感器，實(shí)現(xiàn)在屏幕上進(jìn)行觸控識(shí)別的同時(shí)獲得指紋識(shí)別的能力，即將指紋識(shí)別與觸控識(shí)別集成到電容觸摸屏，獲得全屏幕指紋識(shí)別的功能，無需在電子設(shè)備的其它位置獨(dú)立設(shè)置觸摸屏，降了低電子設(shè)備的制造成本和體積，提高了觸摸屏的應(yīng)用范圍。

以上對本發(fā)明所提供的全屏指紋識(shí)別的電容式觸摸屏及其制作方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。