本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種提高flash參數(shù)保存次數(shù)的實現(xiàn)方法。

背景技術(shù)：

flash存儲器(可編程只讀存儲器，以下簡稱flash)是intel公司于1988年推出的一種新型半導(dǎo)體存儲器，具有非揮發(fā)存儲特性，簡稱閃存，該類只讀存儲器具有集成度高、讀取速度快、單一供電、再編程次數(shù)多等顯著優(yōu)點，flash存儲器作為非易失數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，被廣泛地應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)中。單片機(jī)片內(nèi)的flash可以在線編程，也可以存儲程序運行時的數(shù)據(jù)。

由于flash在寫入時，只能把其位由1變?yōu)?，每位寫之前必須先變?yōu)?，也即是進(jìn)行擦除；且flash擦除由最小區(qū)域限制，即一次至多要擦除一個扇區(qū)，如fm28335的flash容量為256k，分8個扇區(qū)，每次至多擦除32k；因此，基于這些特點，flash芯片在使用時，需要進(jìn)行多次擦除，但是，flash芯片的壽命是由擦除次數(shù)限制，如fm28335可承受的擦除次數(shù)為10萬次，那么，當(dāng)擦寫次數(shù)過多時，會導(dǎo)致整個flash芯片損壞掉，進(jìn)而降低flash芯片的使用壽命。

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，dsp本身自帶的flash容量也越做越大，除保存程序代碼外往往還能剩很大空間，為了避免在flash存儲器并未存滿，仍然進(jìn)行一次擦除，因擦寫次數(shù)過多而導(dǎo)致falsh芯片損壞，壽命降低的問題，急需一種提高flash芯片的使用壽命的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種提高flash參數(shù)保存次數(shù)的實現(xiàn)方法，用以解決現(xiàn)有flash因并未存滿而仍然進(jìn)行多次擦寫而導(dǎo)致flash芯片損壞的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用一種提高flash參數(shù)保存次數(shù)的實現(xiàn)方法，包括以下步驟：

(1)在flash保存區(qū)劃分出至少2個虛擬分區(qū)；

(2)通過查看flash保存區(qū)起始地址的寄存器中的數(shù)值，判斷虛擬分區(qū)是否已寫過；若數(shù)值為0xffff，則虛擬分區(qū)未寫過，否則已寫過；

(3)若虛擬分區(qū)未寫過，則將數(shù)值為0xffff寫進(jìn)以flash保存區(qū)起始地址為地址的寄存器中；

(4)若虛擬分區(qū)已寫過，則判斷虛擬分區(qū)是否已寫完；若所有虛擬分區(qū)已寫完畢，則一次性擦除整個flash保存區(qū)，并將數(shù)值為0xffff寫進(jìn)以flash保存區(qū)起始地址為地址的寄存器中；若虛擬分區(qū)未寫完，則繼續(xù)寫入?yún)?shù)，并將參數(shù)按順序地保存在與最近一次保存虛擬分區(qū)相連的一個虛擬分區(qū)內(nèi)。

所述步驟(4)中：比較當(dāng)前參數(shù)起始地址與最后一個虛擬分區(qū)的起始地址，若當(dāng)前參數(shù)起始地址大于等于最后一個虛擬分區(qū)的起始地址，則flash虛擬區(qū)已寫完畢，否則虛擬分區(qū)還未寫完。

所述的當(dāng)前參數(shù)起始地址和最后一個虛擬分區(qū)的起始地址分別為：

pst＝fps

pfp＝fps+floor((fps-fpn)/spl)

其中fps指flash的起始地址，初始設(shè)定為fps＝0x*******，fpn指flash尾或結(jié)束地址，初始設(shè)定為fpn＝0x******，spl指所要保存的參數(shù)個數(shù)，floor指取小于或等于給定實數(shù)的最大整數(shù)。

在flash中的零虛擬分區(qū)建立索引區(qū)，所述索引區(qū)包括索引地址。

當(dāng)虛擬分區(qū)未寫過或已寫完且虛擬分區(qū)中的參數(shù)已擦拭完畢，則執(zhí)行

pst＝fps+spl

indexl＝0

indexr＝0；

并把0xfffe寫進(jìn)以flash起始地址為地址的寄存器中，然后把參數(shù)寫入以當(dāng)前參數(shù)起始地址為首地址的寄存器里面；

其中，pst為當(dāng)前參數(shù)起始地址，fps指flash起始地址，spl指所要保存的參數(shù)個數(shù)，indexl指行索引，indexr指列索引。

若虛擬分區(qū)還未寫完，則判斷列索引的指向，若列索引指向sml-1位，執(zhí)行

indexr＝0

indexl++

tempt＝0xfffe；

則計算虛擬分區(qū)首地址，執(zhí)行

pst＝fps+(indexl*sml+indexr+1)*spl

把tempt值寫進(jìn)地址為fps+indexl的寄存器，然后把參數(shù)寫入以當(dāng)前參數(shù)起始地址為首地址的寄存器里面；

若列索引未指向sml-1位，執(zhí)行

indexr++

tempt＝1

tempt＝*(fps+indexl)-(tempt＜＜indexr)；

則計算虛擬分區(qū)首地址，執(zhí)行

pst＝fps+(indexl*sml+indexr+1)*spl

把tempt值寫進(jìn)地址為fps+indexl的寄存器，然后把參數(shù)寫入以當(dāng)前參數(shù)起始地址為首地址的寄存器里面；

其中，indexl指行索引，indexr指列索引，tempt指無標(biāo)識位的16位進(jìn)制數(shù)，*指取內(nèi)容，<<indexr指左移列索引位，pst為當(dāng)前參數(shù)起始地址，fps指flash的起始地址，初始設(shè)定為fps＝0x*******，sml指單個寄存器所包含的位數(shù)，spl指所要保存的參數(shù)個數(shù)，fps+indexl指從flash的起始地址向下數(shù)indexl個的地址。

本發(fā)明提出一種提高flash參數(shù)保存次數(shù)的實現(xiàn)方法，其不需要任何硬件變更，參數(shù)保存次數(shù)由原來的flash的可擦寫次數(shù)提高到虛擬分區(qū)的個數(shù)乘以flash可擦寫次數(shù)，在參數(shù)保存次數(shù)不變的前提下，大大的延長了flash使用壽命。

本發(fā)明還通過零虛擬分區(qū)的索引地址可以快速的查找到參數(shù)保存的寄存器首地址，提高了設(shè)備運行速率，同時，便于在虛擬分區(qū)未寫完時，繼續(xù)寫入。

附圖說明

圖1是本發(fā)明中flash參數(shù)保存次數(shù)的實現(xiàn)方法示意圖；

圖2是本發(fā)明中flash參數(shù)保存次數(shù)的實現(xiàn)方法流程圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

本發(fā)明提出了一種提高flash參數(shù)保存次數(shù)的實現(xiàn)方法，包括如下步驟：

(1)在flash保存區(qū)劃分出至少2個虛擬分區(qū)；

(2)通過查看flash保存區(qū)起始地址的寄存器中的數(shù)值，判斷虛擬分區(qū)是否已寫過；若數(shù)值為0xffff，則虛擬分區(qū)未寫過，否則已寫過；

(3)若虛擬分區(qū)未寫過，則將數(shù)值為0xffff寫進(jìn)以flash保存區(qū)起始地址為地址的寄存器中；

(4)若虛擬分區(qū)已寫過，則判斷虛擬分區(qū)是否已寫完；若所有虛擬分區(qū)已寫完畢，則一次性擦除整個flash保存區(qū)，并將數(shù)值為0xffff寫進(jìn)以flash保存區(qū)起始地址為地址的寄存器中；若虛擬分區(qū)未寫完，則繼續(xù)寫入?yún)?shù)，并將參數(shù)按順序地保存在與最近一次保存虛擬分區(qū)相連的一個虛擬分區(qū)內(nèi)。

本發(fā)明在保存參數(shù)次數(shù)不變的前提下，可以有效的延長flash使用壽命。

本發(fā)明中包括初始參數(shù)的設(shè)定、flash初次寫的識別、虛擬分區(qū)已寫完的識別、索引地址的計算、虛擬分區(qū)首地址的計算。

首先，初始參數(shù)的設(shè)定為：

fps＝0x*******

fpn＝0x*******

sml＝0x**

spl＝0x**

pst＝fps

pfp＝fps+floor((fps-fpn)/spl)

其中fps指flash起始(或首)地址，fpn指flash結(jié)束(或尾)地址，sml指單個寄存器所包含的位數(shù)(默認(rèn)為16位)，spl指所要保存的參數(shù)個數(shù)，floor指取小于或等于給定實數(shù)的最大整數(shù)，pfp指所保存參數(shù)最后一個虛擬分區(qū)起始地址。

其次，通過查看地址為flash起始地址fps的寄存器中的數(shù)值，若此數(shù)值為

0xffff，則flash寄存器未寫過，若此數(shù)值不為0xffff，則flash寄存器已寫過；同時，通過對比當(dāng)前參數(shù)起始地址pst與最后一個虛擬分區(qū)的起始地址pfp，若

pst>＝pfp，則flash虛擬區(qū)已寫完畢，擦除flash參數(shù)所在的扇區(qū)，否則虛擬分區(qū)還未寫完。

當(dāng)flash未寫過或flash虛擬分區(qū)已寫完且參數(shù)所在的扇區(qū)已擦拭完畢，并令

pst＝fps+spl

indexl＝0

indexr＝0

把0xfffe寫進(jìn)以flash起始地址fps為地址的寄存器中，然后就可以將參數(shù)數(shù)據(jù)寫入以當(dāng)前參數(shù)起始地址pst為首地址的寄存器里面；

其中，pst為當(dāng)前參數(shù)起始地址，fps指flash起始地址，spl指所要保存的參數(shù)個數(shù)，indexl指行索引，indexr指列索引。

若flash虛擬分區(qū)未寫完，則判斷列索引的指向。若列索引指向sml-1位，執(zhí)行

indexr＝0

indexl++

tempt＝0xfffe

若列索引未指向sml-1位，執(zhí)行

indexr++

tempt＝1

tempt＝*(fps+indexl)-(tempt＜＜indexr)

其中，indexl指行索引，indexr指列索引，tempt指無標(biāo)識位的16位進(jìn)制數(shù)，*指取內(nèi)容，<<indexr指左移indexr位；

最后，計算虛擬分區(qū)首地址，執(zhí)行

pst＝fps+(indexl*sml+indexr+1)*spl

并把tempt值寫進(jìn)地址為fps+indexl的寄存器中，然后將把參數(shù)寫入以pst為首地址的寄存器里面。其中，pst為當(dāng)前參數(shù)起始地址，fps指flash的起始地址，初始設(shè)定為fps＝0x*******，sml指單個寄存器所包含的位數(shù)，spl指所要保存的參數(shù)個數(shù)，fps+indexl指從flash的起始地址向下數(shù)indexl個的地址。

下面對本發(fā)明的工作過程作詳細(xì)說明，所述工作過程以本發(fā)明技術(shù)方案為前提進(jìn)行實施，給出了具體的實施方式和操作過程。

如圖1所示，本方法根據(jù)參數(shù)長度大小，自動在flash保存區(qū)劃分出n+1個虛擬分區(qū)，包括索引區(qū)和數(shù)據(jù)保存區(qū)，其中零虛擬分區(qū)即為索引區(qū)，數(shù)據(jù)保存區(qū)依次分為第一虛擬分區(qū)、第二虛擬分區(qū)…第n虛擬分區(qū)。

本方法中每次參數(shù)按順序地保存在與最近一次保存虛擬分區(qū)相連的一個虛擬分區(qū)內(nèi)，直到所有虛擬分區(qū)用完，一次性的擦除整個flash保存區(qū)，重新從第一虛擬分區(qū)開始順序地往虛擬分區(qū)中保存參數(shù)。另外，本方法在零虛擬分區(qū)建立索引區(qū)，通過索引區(qū)中的索引地址能夠快速的查找到當(dāng)前參數(shù)要保存的寄存器的起始地址。

具體的實現(xiàn)過程，如圖2所示，包括初始參數(shù)設(shè)定、flash初次寫的識別、虛擬分區(qū)已寫完的識別、索引地址的計算、虛擬分區(qū)首地址的計算等10個模塊。

在初始參數(shù)設(shè)定模塊1中，不但要設(shè)定flash起始(或首)地址fps，flash尾(或結(jié)束)地址fpn，單個寄存器所包含的位數(shù)(默認(rèn)為16位)sml，所要保存的參數(shù)個數(shù)spl，而且要通過以下公式計算出所保存參數(shù)最后一個虛擬分區(qū)起始地址pfp

pfp＝fps+floor((fps-fpn)/spl)

在以上完成后進(jìn)入模塊2。

通過查看地址為fps的寄存器中的數(shù)值完成flash初次寫識別模塊2，若此數(shù)值為0xffff，則flash寄存器未寫過，若此數(shù)值不為0xffff，則flash寄存器已寫過。

若flash已寫過，則進(jìn)入虛擬分區(qū)已寫完的識別模塊3中。通過對比當(dāng)前參數(shù)起始地址pst與最后一個虛擬分區(qū)的起始地址pfp，若大于等于，則flash參數(shù)區(qū)已寫完畢，并進(jìn)入模塊4擦除flash參數(shù)所在的扇區(qū)，否則虛擬分區(qū)還未寫完。

若flash寄存器未寫過或模塊4已執(zhí)行完成，則進(jìn)入模塊5。令

pst＝fps+spl

indexl＝0

indexr＝0

并把0xfffe寫進(jìn)以fps為地址的寄存器中，也即進(jìn)行初始化后，把零虛擬分區(qū)(索引區(qū))跳過，寫數(shù)據(jù)時會自動在第一個虛擬分區(qū)寫入。

若模塊3判斷虛擬分區(qū)未寫完，則進(jìn)入模塊6判斷列索引的指向。若列索引指向sml-1位，則進(jìn)入模塊8，執(zhí)行

indexr＝0

indexl++

tempt＝0xfffe

若列索引未指向sml-1位，則進(jìn)入模塊7，執(zhí)行

indexr++

tempt＝1

tempt＝*(fps+indexl)-(tempt＜＜indexr)

其中tempt指無標(biāo)識位的16位進(jìn)制數(shù)，*指取內(nèi)容，<<indexr指左移indexr位。

若執(zhí)行完模塊7或模塊8，則進(jìn)入模塊9計算虛擬分區(qū)首地址，執(zhí)行

pst＝fps+(indexl*sml+indexr+1)*spl

若模塊5或模塊9執(zhí)行完畢，則進(jìn)入模塊10，把參數(shù)寫進(jìn)以pst為首地址的寄存器里面。

若模塊10執(zhí)行完畢，則進(jìn)入下一個周期，重新從模塊2開始執(zhí)行。

本發(fā)明通過增加參數(shù)可寫次數(shù)達(dá)到延長flash使用壽命的目的，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，還可以對本發(fā)明進(jìn)行各種變換及等同替代。因此，本發(fā)明不局限于所公開的具體實施例和示意圖，而應(yīng)當(dāng)包括落入本發(fā)明權(quán)利要求范圍內(nèi)的全部實施方式。