本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種信息處理方法及測試芯片。

背景技術(shù)：

芯片，例如，中央處理機(jī)(centralprocessingunit，cpu)的工作頻率，決定了芯片的響應(yīng)速率。一般情況下，芯片有其最適宜工作的額定頻率，在某些情況下芯片可以工作在超頻狀態(tài)。當(dāng)芯片工作在超頻狀態(tài)時，芯片的工作頻率高于所述額定頻率，此時，芯片的響應(yīng)速度進(jìn)一步提升。但是芯片可以支撐的最大工作頻率，為超頻狀態(tài)的最高工作頻率。在現(xiàn)有技術(shù)中，在確定芯片的可支持的最高工作頻率時，是基于超頻(overclock，oc)測試確定的。在現(xiàn)有技術(shù)中oc測試是對多臺設(shè)備進(jìn)行批量測試，由測試人員輸入一個工作頻率，用于多臺設(shè)備進(jìn)行測試，當(dāng)其中有一臺設(shè)備不支持該工作頻率時，測試人員就會相應(yīng)的調(diào)整輸入的工作頻率，反復(fù)測試得到該組設(shè)備均支持的一個工作頻率，作為該組設(shè)備內(nèi)所有設(shè)備可支持的最高工作頻率。但是，實(shí)際上不同設(shè)備的芯片的性能是不同，這種oc測試方法得到的設(shè)備可支持的最高工作頻率，往往是不能反映單臺設(shè)備的自身的性能的，進(jìn)而設(shè)備一旦投入使用之后，不能最大限度的發(fā)揮設(shè)備自身的性能。故如何提升oc測試的精確度，如何使通過oc測試確定單臺設(shè)備超頻狀態(tài)下支持的最高工作頻率是現(xiàn)有技術(shù)亟待解決的一個問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例期望提供一種信息處理方法及測試芯片，至少部分解決上述問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明實(shí)施例第一方面提供一種信息處理方法，包括：

確定單一的受測芯片的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓；

對使用所述當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓工作的所述受測芯片，進(jìn)行壓力測試；

當(dāng)所述受測芯片通過所述壓力測試時，增加所述當(dāng)前工作頻率并返回對所述受測芯片的壓力測試；

當(dāng)所述受測芯片未通過所述壓力測試時，增加所述當(dāng)前工作電壓；

當(dāng)增加后的所述當(dāng)前工作電壓不大于所述受測芯片支持的最大工作電壓時返回對所述受測芯片的所述壓力測試，否則根據(jù)所述受測芯片通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率，確定所述受測芯片支持的最大工作頻率。

基于上述方案，所述增加所述當(dāng)前工作頻率，還包括：

按照第一預(yù)設(shè)步長，增大倍頻參數(shù)；

將增大后的所述倍頻參數(shù)入到所述受測芯片；其中，所述倍頻參數(shù)，用于供所述受測芯片在頻率基值的基礎(chǔ)上進(jìn)行倍頻處理。

基于上述方案，所述方法還包括：

測試芯片讀取表征所述受測芯片在所述壓力測試是否正常的第一寄存器；

當(dāng)所述測試芯片從所述第一寄存器讀取的取值為所述第一取值時，所述測試芯片確定所述待測芯片通過所述壓力測試。

基于上述方案，所述增加所述當(dāng)前工作頻率，包括：

當(dāng)施加于所述受測芯片的所述壓力測試的次數(shù)小于預(yù)設(shè)次數(shù)時，以第一幅度增加所述當(dāng)前工作頻率；

當(dāng)施加于所述受測芯片的所述壓力測試的次數(shù)不小于預(yù)設(shè)次數(shù)時，以第二幅度增加所述當(dāng)前工作頻率；其中，所述第一幅度大于所述第二幅度。

基于上述方案，所述方法還包括：

當(dāng)所述受測芯片的當(dāng)前工作電壓已經(jīng)達(dá)到所述最大工作電壓，且未通過本次壓力測試時，縮小所述當(dāng)前工作頻率并返回對所述受測芯片的壓力測試，其中，所述縮小后的所述當(dāng)前工作電壓，大于所述受測芯片前一次通過的所述壓力測試對應(yīng)的工作頻率并小于所述本次壓力測試對應(yīng)的工作頻率。

本發(fā)明實(shí)施例第二方面提供一種測試芯片，包括測試芯片，所述測試芯片包括：

第一確定單元，用于確定單一的受測芯片的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓；

測試單元，用于對使用所述當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓工作的所述受測芯片，進(jìn)行壓力測試；

調(diào)整單元，用于當(dāng)所述受測芯片通過所述壓力測試時，增加所述當(dāng)前工作頻率并返回對所述受測芯片的壓力測試；當(dāng)所述受測芯片未通過所述壓力測試時，增加所述當(dāng)前工作電壓；

第二確定單元，用于當(dāng)增加后的所述當(dāng)前工作電壓不大于所述受測芯片支持的最大工作電壓時返回對所述受測芯片的所述壓力測試，否則根據(jù)所述受測芯片通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率，確定所述受測芯片支持的最大工作頻率。

基于上述方案，所述調(diào)整單元，具體用于按照第一預(yù)設(shè)步長，增大倍頻參數(shù)；將增大后的所述倍頻參數(shù)入到所述受測芯片；其中，所述倍頻參數(shù)，用于供所述受測芯片在頻率基值的基礎(chǔ)上進(jìn)行倍頻處理。

基于上述方案，所述測試芯片，還包括：

讀取單元，具體用于讀取表征所述受測芯片在所述壓力測試是否正常的第一寄存器；

第三確定單元，用于當(dāng)所述測試芯片從所述第一寄存器讀取的取值為所述第一取值時，確定所述待測芯片通過所述壓力測試。

基于上述方案，所述調(diào)整單元，具體用于當(dāng)施加于所述受測芯片的所述壓力測試的次數(shù)小于預(yù)設(shè)次數(shù)時，以第一幅度增加所述當(dāng)前工作頻率；當(dāng)施加于所述受測芯片的所述壓力測試的次數(shù)不小于預(yù)設(shè)次數(shù)時，以第二幅度增加所述當(dāng)前工作頻率；其中，所述第一幅度大于所述第二幅度。

基于上述方案，所述調(diào)整單元，還用于當(dāng)所述受測芯片的當(dāng)前工作電壓已經(jīng)達(dá)到所述最大工作電壓，且未通過本次壓力測試時，縮小所述當(dāng)前工作頻率并返回對所述受測芯片的壓力測試，其中，所述縮小后的所述當(dāng)前工作電壓，大于所述受測芯片前一次通過的所述壓力測試對應(yīng)的工作頻率并小于所述本次壓力測試對應(yīng)的工作頻率。

本發(fā)明實(shí)施例提供的信息處理方法及測試芯片，在定位受測芯片支持的最大工作頻率時，確定的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓都是針對單一受測芯片的，檢測的是單一受測芯片是否通過壓力測試的結(jié)果，故在本實(shí)施例中是利用測試芯片對受測芯片進(jìn)行單一測試，這樣顯然是可以就基于受測芯片自身的性能，精確定位出受測芯片的最大工作頻率，提升芯片的超頻屏頻率的確定精確度，同時最大效率的利用芯片的性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種信息處理方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種信息處理方法的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種測試芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種信息處理方法的流程示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種受測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合說明書附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)闡述。

如圖1所示，本實(shí)施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟s110：確定單一的受測芯片的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓；

步驟s120：對使用所述當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓工作的所述受測芯片，進(jìn)行壓力測試；

步驟s130：當(dāng)所述受測芯片通過所述壓力測試時，增加所述當(dāng)前工作頻率，并返回所述步驟s120；

步驟s140：當(dāng)所述受測芯片未通過所述壓力測試時，增加所述當(dāng)前工作電壓；

步驟s151：當(dāng)增加后的所述當(dāng)前工作電壓不大于所述受測芯片支持的最大工作電壓時返回所述步驟s120，

步驟s152：當(dāng)增加后的所述當(dāng)前工作電壓大于所述受測芯片支持的最大工作電壓時，根據(jù)所述受測芯片通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率，確定所述受測芯片支持的最大工作頻率。

本實(shí)施例所述信息處理方法可為應(yīng)用于測試芯片中的方法。這里的測試芯片包括測試芯片。這里的測試芯片可為超頻測試芯片，所述超頻測試芯片又可以稱之為oc集成電路ic。當(dāng)然，在具體實(shí)現(xiàn)時，所述測試芯片除了進(jìn)行專用進(jìn)行超頻測試的ocic以外，還可以是其他能夠進(jìn)行壓力測試的處理芯片。例如，當(dāng)所述受測芯片為受測設(shè)備的北橋芯片時，所述測試芯片就可以為受測設(shè)備內(nèi)的南橋芯片。故測試芯片可以為專用于oc測試的測試芯片，也可以是集成有其他功能的非專用測試芯片。

這里的受測芯片可為中央處理器cpu芯片、圖像處理器gpu芯片、數(shù)字信號處理器dsp芯片或應(yīng)用處理器ap芯片，總之，這里的受測芯片為各種類型的芯片。

在步驟s110，所述測試芯片確定單一的受測芯片的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓。在本實(shí)施例中所述測試芯片確定當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓，是僅針對一個受測芯片的，而非多個受測芯片的。

所述當(dāng)前工作頻率為所述受測芯片的時鐘頻率，所述當(dāng)前工作電壓可為輸入到所述受測芯片的電壓值。

在測試的初始階段，通常所述當(dāng)前工作頻率為所述受測芯片的額定頻率加上一個頻率偏移值。所述當(dāng)前工作電壓為所述受測芯片的額定電壓。這樣的話，則本實(shí)施例提供的信息處理方法，直接的是進(jìn)行測量受測芯片可制成的最大工

一旦確定了受測芯片的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓之后，測試芯片向所述受測芯片發(fā)送測試指令，這里的測試指令可用于啟動壓力測試。所述測試指令可攜帶有指令參數(shù)，該指令參數(shù)可用于指示所述當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓。

所述受測芯片接收到所述測試指令之后，進(jìn)入到壓力測試。這里的壓力測試可為預(yù)先設(shè)計(jì)在所述受測芯片中的測試項(xiàng)目，在測試過程中所述受測芯片工作在所述當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓，然后執(zhí)行測試項(xiàng)目中的各項(xiàng)功能或各項(xiàng)操作。若受測芯片執(zhí)行測試項(xiàng)目的過程中沒有出現(xiàn)報(bào)錯或宕機(jī)等現(xiàn)象，可認(rèn)為通過所述壓力測試，否則可認(rèn)為不通過所述壓力測試。

通常，所述壓力測試還包括測試時間，該測試時間可為一個較長時間周期。例如，壓力測試時間為24小時或48小時。所述測試項(xiàng)目可為對受測設(shè)備中各項(xiàng)功能的連續(xù)執(zhí)行，檢測受測芯片在執(zhí)行這些功能時，是否出現(xiàn)不應(yīng)該出現(xiàn)的報(bào)錯、超載或溫度過高等各種異?，F(xiàn)象。檢測受測芯片在壓力測試過程中是否出現(xiàn)預(yù)定異常現(xiàn)象，若在測試時間內(nèi)所述受測芯片沒有出現(xiàn)預(yù)定異常現(xiàn)象，則通過所述壓力測試，一旦檢測到出現(xiàn)上述異?，F(xiàn)象，則確定本次壓力測試不通過，并結(jié)束本次壓力測試，進(jìn)入下一步驟，以減少不必要的壓力測試過程。

在進(jìn)行壓力測試的過程中，所述測試芯片可以監(jiān)控所述受測芯片在壓力測試過程中的狀態(tài)參數(shù)，例如，檢測所述受測芯片的溫度，根據(jù)檢測的溫度判斷是否存在溫度過高的問題，比如，檢測到溫度高于溫度閾值，可認(rèn)為未通過所述壓力測試。

在步驟s130中，當(dāng)受測芯片通過所述壓力測試，說明所述受測芯片是支持當(dāng)前工作頻率，且所述受測芯片有可能支持比當(dāng)前工作頻率更高的工作頻率，故此時，則增加所述當(dāng)前工作頻率。相當(dāng)于再次調(diào)整所述受測芯片的工作頻率，在調(diào)整所述受測芯片的工作頻率之后，再次返回步驟s120，對受測芯片進(jìn)行壓力測試，以確定受測芯片工作在調(diào)整后的工作頻率時，是否出現(xiàn)異常，如此反復(fù)直至找到受測芯片可制成的最大工作頻率。

在本實(shí)施例中若受測芯片未通過壓力測試，導(dǎo)致受測芯片未通過所述壓力測試的原因可分為兩類，第一類確實(shí)是受測芯片的工作頻率過高，第二類是所述受測芯片的工作電壓不支持這么高的工作頻率。為了排除第二類原因。在本實(shí)施例中會增加所述受測芯片的當(dāng)前工作電壓。但是為了防止施加于所述受測芯片的工作電壓過高，導(dǎo)致受測芯片被擊穿等損壞問題，在本實(shí)施例中還會比較增加后的當(dāng)前工作電壓與受測芯片支持的最大工作電壓進(jìn)行比較，若增加后的當(dāng)前工作電壓大于所述最大工作電壓，則不能將增加后的當(dāng)前工作電壓施加于受測芯片使其工作，否則可能導(dǎo)致受測芯片被損壞。同時由于前一次壓力測試時對應(yīng)的當(dāng)前工作電壓已經(jīng)接近最大工作電壓或等于最大工作電壓，受測芯片依然沒有通過壓力測試，就可以排除工作電壓導(dǎo)致受測芯片未通過壓力測試的原因，從而可以確定出是因?yàn)槭軠y芯片的工作頻率過高導(dǎo)致其未通過壓力測試。故此時，可以根據(jù)受測芯片在測試過程中通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率，確定出所述受測芯片支持的最大工作頻率，該最大工作頻率可為所述受測芯片的超頻頻率。

在具體的實(shí)現(xiàn)過程中，所述步驟s150中，若增加后的當(dāng)前工作電壓大于所述最大工作電壓，而增加前的當(dāng)前工作電壓小于所述最大工作電壓，則再次調(diào)整當(dāng)前工作電壓，使調(diào)整后的當(dāng)前工作電壓等于所述受測芯片的最大工作電壓，并返回對所述受測芯片的壓力測試。

在步驟s150中，若所述當(dāng)前工作頻率是采用逐步增大的方式調(diào)整的，則確定所述最大工作頻率時，則確定出所述受測芯片最后一次通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率為所述受測芯片支持的最大工作頻率。

故在本實(shí)施例中首先提供了一種非批量測試受測芯片的方法，通過測試過程中當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓的反復(fù)調(diào)整，可以精確的確定每一個受測芯片支持的最大工作頻率。這樣的話，可以根據(jù)不同受測芯片的性能不同，記錄不同受測芯片的超頻頻率，這樣不同受測芯片記錄的超頻頻率不同，后續(xù)受測芯片投入使用之后，可以以不同的最大工作頻率工作，充分發(fā)揮每一個芯片的性能。

在一些實(shí)施例中，所述步驟s130可還包括：

按照第一預(yù)設(shè)步長，增大倍頻參數(shù)；

將增大后的所述倍頻參數(shù)入到所述受測芯片；其中，所述倍頻參數(shù)，用于供所述受測芯片在頻率基值的基礎(chǔ)上進(jìn)行倍頻處理。

增加所述當(dāng)前工作頻率，可以直接向所述受測芯片輸出一個當(dāng)前工作頻率對應(yīng)的頻率值。在本實(shí)施例中實(shí)質(zhì)上是調(diào)整倍頻參數(shù)。例如，所述倍頻參數(shù)為rn，所述受測芯片的頻率基值為f，則所述受測芯片在接收到所述倍頻參數(shù)之后，會工作在rn*f。這樣的話，顯然通過倍頻參數(shù)的增大，就簡便起到了增加所述受測芯片的當(dāng)前工作頻率的效果。故若所述測試芯片向所述受測芯片發(fā)送所述測試指令時，所述測試指令攜帶的關(guān)于當(dāng)前工作頻率的參數(shù)，可為所述倍頻參數(shù)，當(dāng)然也可以是當(dāng)前工作頻率的頻率值或其他間接指示當(dāng)前工作頻率的指示信息。

在一些實(shí)施例中，所述方法還包括：

測試芯片讀取表征所述受測芯片在所述壓力測試是否正常的第一寄存器；

當(dāng)所述測試芯片從所述第一寄存器讀取的取值為所述第一取值時，所述測試芯片確定所述待測芯片通過所述壓力測試。

在本實(shí)施例中所述第一寄存器可為所述受測芯片的組成部分，所述第一寄存器也可為所述測試芯片的組成部分，當(dāng)然所述第一寄存器還可以是同時獨(dú)立于所述受測芯片和所述測試芯片，但是分別與所述受測芯片和所述測試芯片連接的寄存器。但是第一寄存器可以用于存儲表征壓力測試結(jié)果的取值。所述第一寄存器包括一個或多個比特的標(biāo)識位，當(dāng)所述受測芯片通過所述壓力測試時，所述標(biāo)識位為第一取值，否則所述標(biāo)識位為所述第二取值。

例如，當(dāng)所述受測芯片在壓力測試過程中未出現(xiàn)異常，則會在壓力測試結(jié)束時，向所述第一寄存器寫入第一取值。這樣的話，所述受測芯片通過時間監(jiān)控，發(fā)現(xiàn)當(dāng)前受測芯片應(yīng)該結(jié)束了壓力測試，就讀取所述第一寄存器。測試芯片若讀取到的是第一取值，則可直接認(rèn)為受測芯片通過所述壓力測試。若所述受測芯片在壓力測試過程中出現(xiàn)異常，則所述受測芯片沒有能力將所述第一積存器的取值置為所述第一取值，或不會將所述第一寄存器的取值置為所述第一取值。

在本實(shí)施例中所述受測芯片將所述第一寄存器置為所述第一取值的方式有很多種，包括向所述第一寄存器寫入所述第一取值。當(dāng)所述第一取值為0時，所述受測芯片還可以通過清空所述第一寄存器，將所述第一寄存器置為所述第一取值。

在本實(shí)施例中若所述測試芯片為集成南橋(platformcontrollerhub，pch)時，則所述第一寄存器可為所述測試芯片的組成部分，所述第一寄存器具體可為pch-oc-wdt寄存器。所述pch-oc-wdt寄存器為pch的壓力測試-看門狗計(jì)時器的寄存器。所述pch-oc-wdt為platformcontrollerhub-overclock-watchdogtimer的縮寫。在本實(shí)施例中所述第一寄存器直接復(fù)用了所述測試芯片已有的寄存器，則不用設(shè)置專門的寄存器，這樣減少了測試成本。在本實(shí)施例中所述pch將在壓力測試之前，將所述pch-oc-wdt寄存器置為1，這樣的話，可以讓所述受測芯片根據(jù)自身壓力測試的結(jié)果，調(diào)整所述pch-oc-wdt寄存器的取值。當(dāng)然，所述pch會根據(jù)自身的狀態(tài)，周期性的調(diào)整ch-oc-wdt寄存器內(nèi)的取值，為了避免使所述pch需要在受測芯片的壓力測試時間之前專門調(diào)整所述ch-oc-wdt寄存器的取值，在本實(shí)施例中可以將所述壓力測試的測試時間設(shè)置為n倍所述pch更新所述ch-oc-wdt寄存器的周期。且所述pch正常情況下是將所述ch-oc-wdt寄存器置為第二取值，所述第二取值不同于所述第一取值。進(jìn)一步地，所述壓力測試的起始時間和所述pch更新pch-oc-wdt寄存器的周期的起始時間不重合，所述壓力測試的起始時間略晚于所述pch更新pch-oc-wdt寄存器某一個周期的起始時間，但是晚于的時長不超過一個所述pch更新pch-oc-wdt寄存器的周期。

在一些實(shí)施例中所述增加所述當(dāng)前工作頻率，包括：

當(dāng)施加于所述受測芯片的所述壓力測試的次數(shù)小于預(yù)設(shè)次數(shù)時，以第一幅度增加所述當(dāng)前工作頻率；

當(dāng)施加于所述受測芯片的所述壓力測試的次數(shù)不小于預(yù)設(shè)次數(shù)時，以第二幅度增加所述當(dāng)前工作頻率；其中，所述第一幅度大于所述第二幅度。

在進(jìn)行所述壓力測試測試時，受測芯片的當(dāng)前工作頻率是逐步增大的。顯然，在開始測試時，所述受測芯片的當(dāng)前工作頻率距離其支持的最大工作頻率較遠(yuǎn)，為了減少壓力測試測試的次數(shù)，在開始階段可以以加大的幅度增加當(dāng)前工作頻率，當(dāng)經(jīng)過多次壓力測試測試之后，受測芯片的當(dāng)前工作頻率相對于額定頻率已經(jīng)進(jìn)行了多次增加，已經(jīng)距離其支持的最大工作頻率較近了，若還以較大幅度增加，可能一次增加后就出現(xiàn)了壓力測試不通過的現(xiàn)象，故在當(dāng)經(jīng)過壓力測試之后，以較小的幅度增加當(dāng)前工作頻率。一方面減少了壓力測試或整個oc測試的次數(shù)，另一方可以精確定位出受測芯片支持的最大工作頻率。在本實(shí)施例中步驟s110到步驟s150的整個流程可以稱之為oc測試。

在本實(shí)施例中第一幅度可包括一個或多個第一調(diào)整步長值，所述第二幅度也可以包括一個或多個第二調(diào)整步長值。所有的第一調(diào)整步長值均大于所述第二調(diào)整步長值。當(dāng)然，增加所述當(dāng)前工作頻率時，可以采用兩種不同的計(jì)算方式。當(dāng)采用第一幅度時，采用第一計(jì)算方式計(jì)算得到增加后的當(dāng)前工作頻率，當(dāng)采用第二幅度是，采用第二計(jì)算方式計(jì)算得到增加后的當(dāng)前工作頻率。采用兩種計(jì)算方式計(jì)算，使得增加后的當(dāng)前工作頻率比增加前的當(dāng)前工作頻率的調(diào)整幅度是不同的。

在一些實(shí)施例中，如圖2所示，所述方法還包括：

步驟s153：當(dāng)所述受測芯片的當(dāng)前工作電壓已經(jīng)達(dá)到所述最大工作電壓，且未通過本次壓力測試時，縮小所述當(dāng)前工作頻率并返回步驟s120，其中，所述縮小后的所述當(dāng)前工作電壓，大于所述受測芯片前一次通過的所述壓力測試對應(yīng)的工作頻率并小于所述本次壓力測試對應(yīng)的工作頻率。

若所述當(dāng)前工作頻率是從受測芯片的額定頻率開始逐步增加，當(dāng)增加到某一個工作頻率時發(fā)現(xiàn)受測芯片確實(shí)不支持該工作頻率，故可以確定出受測芯片可支持的最大工作頻率位于該工作頻率與受測芯片在前一次通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率之間。在本實(shí)施例中為了精確定位出所述受測芯片支持的最大工作頻率，在本實(shí)施例中會縮小所述當(dāng)前工作頻率，再次以縮小后的當(dāng)前工作頻率對受測芯片進(jìn)行壓力測試。

在本實(shí)施例中所述縮小后的當(dāng)前工作頻率可為所述增加后的當(dāng)前工作頻率與前一次通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率的中值或均值。

當(dāng)然，在一些實(shí)施例中縮小所述當(dāng)前工作頻率可包括：以預(yù)設(shè)幅度減小所述當(dāng)前工作頻率。這里的預(yù)設(shè)幅度直接對應(yīng)于一個調(diào)整步長值，這里的預(yù)設(shè)幅度小于縮小前的當(dāng)前工作頻率與所述前一次通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率之間的差值。

例如，假設(shè)以第一幅度增加所述當(dāng)前工作頻率為第一調(diào)整階段，以第二幅度增加所述當(dāng)前工作頻率為第二調(diào)整階段。當(dāng)在所述第一調(diào)整階段中就出現(xiàn)了壓力測試不通過的情況時，所述步驟151可包括：

以第三幅度縮小所述當(dāng)前工作頻率并返回對所述受測芯片的壓力測試；其中，所述第三幅度等于或大于所述第二幅度。

本實(shí)施例中首先通過逐步增大的方式，定位出受測芯片支持的最大工作電壓的大致范圍，再通過在大致范圍內(nèi)的再次調(diào)整(例如微調(diào))可精確定位出所述受測芯片支持的最大工作頻率，從而實(shí)現(xiàn)受測芯片的超頻頻率的精確定位。

在具體的實(shí)現(xiàn)過程中，所述測試芯片或所述受測芯片還會根據(jù)測試參數(shù)及測試結(jié)果，形成oc測試記錄。這里的測試參數(shù)包括每一個的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓，所述測試結(jié)果可為所述壓力測試的最終結(jié)果和/或壓力測試過程中各個項(xiàng)目的測試結(jié)果。

此外，所述方法還可包括：

輸出所述oc測試記錄。通過oc測試記錄的輸出，方便故障分析芯片或測試人員定位故障或了解受測芯片的最大工作頻率。

在一些實(shí)施例中，所述方法還包括：

一旦確定出所述受測芯片的最大工作頻率，則在所述受測芯片的預(yù)定存儲器中寫入所述最大工作頻率的指示參數(shù)，方便受測芯片投入使用之后，根據(jù)指示參數(shù)確定在超頻狀態(tài)下的超頻頻率。這樣就不用測試人員手動寫入，實(shí)現(xiàn)了oc測試和最大工作頻率寫入的全自動化。

如圖3所示，本實(shí)施例提供一種測試芯片，包括測試芯片，所述測試芯片包括：

第一確定單元110，用于確定單一的受測芯片的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓；

測試單元120，用于對使用所述當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓工作的所述受測芯片，進(jìn)行壓力測試；

調(diào)整單元130，用于當(dāng)所述受測芯片通過所述壓力測試時，增加所述當(dāng)前工作頻率并返回對所述受測芯片的壓力測試；當(dāng)所述受測芯片未通過所述壓力測試時，增加所述當(dāng)前工作電壓；

第二確定單元140，用于當(dāng)增加后的所述當(dāng)前工作電壓不大于所述受測芯片支持的最大工作電壓時返回對所述受測芯片的所述壓力測試，否則根據(jù)所述受測芯片通過的壓力測試對應(yīng)的工作頻率，確定所述受測芯片支持的最大工作頻率。

本實(shí)施例提供一種測試芯片，該測試芯片可為專用的oc測試芯片。在本實(shí)施例中所述測試芯片還可可為受測設(shè)備中與受測芯片不同的處理芯片。例如，一臺受測設(shè)備中的受測芯片為cpu，而該受測設(shè)備中的pch就可以作為所述測試芯片。

在本實(shí)施例中所述第一確定單元110、測試單元120、調(diào)整單元130及第二確定單元140都可對應(yīng)于測試芯片中的集成電路等，所述集成電路可以通過預(yù)定代碼的執(zhí)行實(shí)現(xiàn)上述功能單元的操作。

在本實(shí)施例中還提供以一種測試設(shè)備，該測試設(shè)備包括所述測試芯片及所述測試芯片的支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)可包括殼體或支撐板；所述測試芯片可以安裝在所述支撐結(jié)構(gòu)上。所述支撐板可為印刷電路板等。

所述測試芯片安裝在所述殼體內(nèi)，所述測試芯片通過殼體上的開口與測試芯片連接，或通過印刷電路板上的連接路徑與測試芯片連接。

在本實(shí)施例中測試芯片確定的當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓是針對單一的受測芯片的，整個oc測試過程中當(dāng)前工作頻率也是僅根據(jù)單一受測芯片的自身的壓力測試結(jié)果進(jìn)行的，故能夠精確得到受測芯片的最大工作頻率，從而實(shí)現(xiàn)了單一受測芯片的最大工作頻率精確確定。

在一些實(shí)施例中，所述調(diào)整單元130，具體用于按照第一預(yù)設(shè)步長，增大倍頻參數(shù)；將增大后的所述倍頻參數(shù)入到所述受測芯片；其中，所述倍頻參數(shù)，用于供所述受測芯片在頻率基值的基礎(chǔ)上進(jìn)行倍頻處理。

在一些實(shí)施例中，所述測試芯片，還包括：

讀取單元，具體用于讀取表征所述受測芯片在所述壓力測試是否正常的第一寄存器；

第三確定單元，用于當(dāng)所述測試芯片從所述第一寄存器讀取的取值為所述第一取值時，確定所述待測芯片通過所述壓力測試。

本實(shí)施例中所述測試芯片還包括讀取單元和第三確定單元，這里的讀取單元和第三確定單元，同樣可以對應(yīng)于測試芯片中的集成電路。所述測試芯片通過讀取單元，可以讀取第一寄存器，第三確定單元根據(jù)從第一寄存器讀取的值，確定受測芯片是否通過所述壓力測試。在本實(shí)施例中所述第一寄存器可為所述受測芯片自身就攜帶的具有其他功能的寄存器。例如，當(dāng)所述測試芯片為pch時，所述第一寄存器可為pch-oc-wdt寄存器。

在一些實(shí)施例中，所述調(diào)整單元130，具體用于當(dāng)施加于所述受測芯片的所述壓力測試的次數(shù)小于預(yù)設(shè)次數(shù)時，以第一幅度增加所述當(dāng)前工作頻率；當(dāng)施加于所述受測芯片的所述壓力測試的次數(shù)不小于預(yù)設(shè)次數(shù)時，以第二幅度增加所述當(dāng)前工作頻率；其中，所述第一幅度大于所述第二幅度。

在本實(shí)施例中所述調(diào)整單元130，可包括計(jì)數(shù)器，該計(jì)數(shù)器可以記錄本次oc測試過程中受測芯片已經(jīng)經(jīng)歷過的壓力測試的次數(shù)，若次數(shù)較小時，可以以較大的幅度增加當(dāng)前工作頻率，否則以較小的幅度增加，這樣的話，可以減少oc測試過程中壓力測試次數(shù)，提升oc測試的效率。

在一些實(shí)施例中，所述調(diào)整單元130，還用于當(dāng)所述受測芯片的當(dāng)前工作電壓已經(jīng)達(dá)到所述最大工作電壓，且未通過本次壓力測試時，縮小所述當(dāng)前工作頻率并返回對所述受測芯片的壓力測試，其中，所述縮小后的所述當(dāng)前工作電壓，大于所述受測芯片前一次通過的所述壓力測試對應(yīng)的工作頻率并小于所述本次壓力測試對應(yīng)的工作頻率。

在本實(shí)施例中調(diào)整單元130不僅可以正向增大當(dāng)前工作電壓，也可以在適當(dāng)?shù)臅r候反向縮小當(dāng)前工作電壓，從而精確定位出當(dāng)前受測芯片支持的最大工作頻率，提升單一受測芯片的最大工作頻率的超頻頻率。

以下結(jié)合上述任意實(shí)施例提供一個具體示例：

如圖4所示，本示例以cpu為例，基于上述任意實(shí)施例提供一種超頻頻率定位方法，包括：

步驟1：進(jìn)入cpu的oc測試模式；

步驟2：ocic設(shè)定cpu的當(dāng)前工作電壓vp；當(dāng)ocic第一次設(shè)定所述vp時，可利用公式vp＝vcpu+voffset設(shè)定cpu的當(dāng)前工作電壓的設(shè)定，其中，所述vp為當(dāng)前工作電壓，所述vcpu為cpu的額定電壓；所述voffset為電壓偏移值；

步驟3：ocic設(shè)定當(dāng)前倍頻參數(shù)rn；

步驟4：cpu進(jìn)行壓力測試，具體可包括：cpu基于上述倍頻參數(shù)確定當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓進(jìn)入工作狀態(tài)，并進(jìn)行壓力測試。

步驟5：判斷pch-oc-wdt標(biāo)識位的取值，當(dāng)為1進(jìn)入步驟6，當(dāng)為0時，利用公式rn＝rn+b，得到當(dāng)前倍頻參數(shù)，返回步驟3。所述b為倍頻參數(shù)增加步長，取值可為0.5、1或2等取值。這里的pch-oc-wdt標(biāo)識位用于指示cpu是否在當(dāng)前工作頻率和當(dāng)前工作電壓是否通過壓力測試。

步驟6：ocic觸發(fā)cpu全局復(fù)位；這里的全局恢復(fù)包括：恢復(fù)受測芯片(本示例中指的是cpu)的當(dāng)前工作電壓恢復(fù)到oc測試的初始工作電壓，例如額定電壓。當(dāng)前工作頻率恢復(fù)到初始工作頻率，例如，額定頻率。

步驟7：利用公式vp＝vp+vstep確定cpu的當(dāng)前工作電壓，vstep為當(dāng)前工作電壓的增加步長；

步驟8：判斷vp是否小于vcpumax，這里vcpumax為cpu支持的最大工作電壓；若是返回步驟2，若否進(jìn)入步驟9；

步驟9：退出oc測試并產(chǎn)生cpu的oc測試文件，該oc測試文件中包括有oc測試產(chǎn)生的各種oc測試記錄。

步驟10：應(yīng)用所述oc測試文件。

圖5所示的為一種受測設(shè)備，該設(shè)備包括cpu和pch；其中，pch包括集成電路和pch-oc-wdt寄存器。cpu為受測芯片，pch為測試芯片，所述pch-oc-wdt寄存器為存儲pch-oc-wdt標(biāo)識位的寄存器。該受測設(shè)備可以采用上述步驟1到步驟10進(jìn)行oc測試，這樣的話，受測設(shè)備可以利用自身的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對cpu的超頻頻率的精確定位，同時還具有實(shí)現(xiàn)簡單的特點(diǎn)。

上述示例執(zhí)行之后，可獲得以下技術(shù)效果：

1)ocic自動進(jìn)行oc測試并修正參數(shù)；

2)客制化cpu超頻的頻率和電壓；

3)最大程度發(fā)掘cpu超頻能力；

4)最大化cpu超頻性能，提升用戶體驗(yàn)。

在本申請所提供的幾個實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的設(shè)備和方法，可以通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。以上所描述的設(shè)備實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，如：多個單元或組件可以結(jié)合，或可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的各組成部分相互之間的耦合、或直接耦合、或通信連接可以是通過一些接口，設(shè)備或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性的、機(jī)械的或其它形式的。

上述作為分離部件說明的單元可以是、或也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是、或也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上；可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各實(shí)施例中的各功能單元可以全部集成在一個處理模塊中，也可以是各單元分別單獨(dú)作為一個單元，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中；上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括：移動存儲設(shè)備、只讀存儲器(rom，read-onlymemory)、隨機(jī)存取存儲器(ram，randomaccessmemory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。