本發(fā)明涉及顯示技術(shù)，具體地說，涉及陣列基板、具有該陣列基板的顯示面板和顯示設(shè)備以及該陣列基板的驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

近年來，在指紋和掌紋識別方面，已提出了各種方法。用于識別指紋和掌紋的光學(xué)方法的示例包括全反射法、光路分離法和掃描法。在全反射法中，來自諸如環(huán)境光之類的光源的光進(jìn)入像素，并且在封裝基板的表面上全反射。當(dāng)手指或手掌觸摸顯示面板時，表面的全反射條件在觸摸時局部地發(fā)生改變，局部地導(dǎo)致全反射擾亂。這種全反射擾亂導(dǎo)致反射減少?；谠撛?，可區(qū)分手指的脊線與谷線?？商鎿Q地，可通過檢測當(dāng)手指觸摸顯示面板時電容的改變來識別指紋和掌紋。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，該陣列基板包括：襯底基板；襯底基板上的多個像素單元的陣列，每個像素單元包括至少一個用于圖像顯示的子像素，所述多個像素單元中的至少一些在至少一個子像素中包括用于檢測生物特征信息的半導(dǎo)體光電探測器；多根第一掃描線，其用于驅(qū)動圖像顯示；多根第二掃描線，每根第二掃描線連接至一行像素單元中的一行具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素；以及多根讀線，各讀線連接至一列像素單元中的一列具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素中的各半導(dǎo)體光電探測器；其中，每個子像素包括用于驅(qū)動圖像顯示的第一晶體管；每個半導(dǎo)體光電探測器包括：第一極性區(qū)，其連接至同一子像素中的公共電極；第二極性區(qū)，其連接至被構(gòu)造為將復(fù)位電壓信號提供至第二極性區(qū)的電極；以及二極管結(jié)，其將第一極性區(qū)與第二極性區(qū)連接；并且每個具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素包括第二晶體管，第二晶體管包括連接至對應(yīng)的第二掃描線的柵極節(jié)點(diǎn)、連接至對應(yīng)的讀線的第一節(jié)點(diǎn)以及通過被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極直接地或者間接地連接至第二極性區(qū)的第二節(jié)點(diǎn)。

可選地，被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極是第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)；半導(dǎo)體光電探測器位于第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)；半導(dǎo)體光電探測器在陣列基板的平面圖中的投影在同一子像素中的第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)的投影內(nèi)。

可選地，被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極是與同一子像素中的像素電極位于同一層中的電極；半導(dǎo)體光電探測器位于該電極的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)。

可選地，每個具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素還包括遮光層，其位于電極的靠近襯底基板的一側(cè)；并且半導(dǎo)體光電探測器在陣列基板的平面圖中的投影在同一子像素中的遮光層的投影中。

可選地，所述多根第一掃描線被構(gòu)造為在第一時段中逐行地驅(qū)動所述多個像素單元；在每幀圖像的第一時段中，每根第一掃描線被構(gòu)造為將第一掃描信號施加至該行子像素中的每個子像素，以允許數(shù)據(jù)信號從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線傳送至各子像素以基于數(shù)據(jù)信號生成圖像的子像素；所述多根第二掃描線被構(gòu)造為在第二時段中逐行地驅(qū)動所述多個像素單元；在每幀圖像的第二時段中，每根第二掃描線被構(gòu)造為將第二掃描信號施加至該行子像素中的每個第二晶體管，以允許復(fù)位電壓信號從對應(yīng)的被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極傳送至各半導(dǎo)體光電探測器；復(fù)位電壓信號被構(gòu)造為將半導(dǎo)體光電探測器的第二極性區(qū)設(shè)在高電壓電平，公共電極被構(gòu)造為施加公共電壓信號以將半導(dǎo)體光電探測器的第一極性區(qū)設(shè)在低電壓電平，并且半導(dǎo)體光電探測器被構(gòu)造為處于反向偏置狀態(tài)；第二時段在時間上比第一時段更晚；并且所述多根第二掃描線被構(gòu)造為在第三時段中逐行地驅(qū)動所述多個像素單元；在每幀圖像的第三時段中，每根第二掃描線被構(gòu)造為將第三掃描信號施加至該行子像素中的每個第二晶體管，以將生物特征信號從每個具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素傳輸至對應(yīng)的讀線；第三時段在時間上比第二時段更晚。

可選地，所述多根第二掃描線被構(gòu)造為在間歇時段中同時驅(qū)動所述多個像素單元；在每幀圖像的間歇時段中，所述多根第二掃描線被構(gòu)造為將第四掃描信號同時施加至所述多個像素單元中的多個第二晶體管，以將多個生物特征信號從多個具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素傳輸至多根對應(yīng)的讀線；來自各讀線的生物特征信號之和為累積生物特征信號。

可選地，間歇時段在時間上比第二時段更早。

可選地，在每幀圖像的間歇時段中，所述多根第二掃描線被構(gòu)造為多次施加第四掃描信號。

可選地，連接至一列具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素的每根數(shù)據(jù)線在第三時段中用作用于該列具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素的讀線，并且在第一時段中用作數(shù)據(jù)線。

可選地，半導(dǎo)體光電探測器是PN光電二極管，第一極性區(qū)是P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)，并且第二極性區(qū)是N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)。

可選地，半導(dǎo)體光電探測器是PIN光電二極管，第一極性區(qū)是P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)，并且第二極性區(qū)是N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)，PIN光電二極管還包括P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)與N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)之間的非晶硅的本征區(qū)。

可選地，每個像素包括子像素區(qū)和子像素間區(qū)，半導(dǎo)體光電探測器位于子像素間區(qū)中。

可選地，每個像素包括子像素區(qū)和子像素間區(qū)，每個像素中的單個半導(dǎo)體光電探測器被構(gòu)造為跨越每個像素中的至少兩個子像素的子像素間區(qū)的一部分。

可選地，每個像素包括子像素區(qū)和子像素間區(qū)，每個各像素中的單個半導(dǎo)體光電探測器被構(gòu)造為跨越每個像素中的全部子像素的子像素間區(qū)的一部分。

在另一方面，本發(fā)明提供了一種包括本文所述的陣列基板的顯示面板。

在另一方面，本發(fā)明提供了一種包括本文所述的顯示面板的顯示設(shè)備。

在另一方面，本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動陣列基板的操作的方法，包括以下步驟：在每幀圖像的第一時段中將多個第一掃描信號逐行地提供至所述多根第一掃描線；在第一時段中，每根第一掃描線將第一掃描信號施加至該行子像素中的各子像素，以允許數(shù)據(jù)信號從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線傳送至各子像素，以基于數(shù)據(jù)信號生成圖像的子像素；在每幀圖像的第二時段中將多個第二掃描信號逐行地提供至所述多根第二掃描線，以及將公共電壓信號提供至公共電極；在第二時段中，每根第二掃描線將第二掃描信號施加至該行子像素中的各第二晶體管，以允許復(fù)位電壓信號從對應(yīng)的被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極傳送至各半導(dǎo)體光電探測器；復(fù)位電壓信號將半導(dǎo)體光電探測器的第二極性區(qū)設(shè)在高電壓電平，公共電壓信號將半導(dǎo)體光電探測器的第一極性區(qū)設(shè)在低電壓電平，并且半導(dǎo)體光電探測器設(shè)為處于反向偏置狀態(tài)；第二時段在時間上比第一時段更晚；以及在每幀圖像的第三時段中將多個第三掃描信號逐行地提供至所述多根第二掃描線；在第三時段中每根第二掃描線將第三掃描信號施加至該行子像素中的各第二晶體管，以將生物特征信號從每個具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素傳輸至對應(yīng)的讀線；第三時段在時間上比第二時段更晚。

可選地，在間歇時段中將多個第四掃描信號同時提供至所述多根第二掃描線；在每幀圖像的間歇時段中，所述多根第二掃描線將第四掃描信號同時施加至所述多個像素單元中的多個第二晶體管，以將多個生物特征信號從多個具有半導(dǎo)體光電探測器的子像素傳輸至多根對應(yīng)的讀線；以及從來自各讀線的生物特征信號中產(chǎn)生累積生物特征信號。

可選地，間歇時段在時間上比第二時段更早。

可選地，所述方法還包括：在間歇時段中多次重復(fù)提供所述多個第四掃描信號的步驟和產(chǎn)生累積生物特征信號的步驟，從而產(chǎn)生多個累積生物特征信號；以及在所述多個累積生物特征信號中的至少兩個之間的差大于下閾值并且所述多個累積生物特征信號中的任兩個之間的差不超過上閾值的情況下，確定發(fā)生了來自人類用戶的觸摸。

附圖說明

以下附圖僅是根據(jù)各種公開的實(shí)施例的用于示出性目的的示例，而不旨在限制本發(fā)明的范圍。

圖1A是示出一些實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖1B是圖1A的陣列基板的子像素的放大圖；

圖1C是示出一些實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖1D是圖1C的陣列基板的子像素的放大圖；

圖1E是沿著圖1A至圖1D中的線A-A’截取的截面圖；

圖2A是示出一些實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖2B是圖2A的陣列基板的子像素的放大圖；

圖2C是示出一些實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖2D是沿著圖2A至圖2C中的線B-B’截取的截面圖；

圖3是示出一些實(shí)施例中的用于驅(qū)動陣列基板的操作的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在，將參照以下實(shí)施例更具體地描述本公開。應(yīng)該注意，本文提供了一些實(shí)施例的以下描述，僅為了示出和描述的目的。其不旨在是窮盡的，或者限于公開的具體形式。

本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的用于生物特征(例如，指紋、掌紋或腳印)檢測的陣列基板，一種具有該陣列基板的顯示面板和顯示設(shè)備，以及一種該陣列基板的驅(qū)動方法。在一些實(shí)施例中，當(dāng)前陣列基板包括襯底基板和襯底基板上的多個像素單元的陣列。當(dāng)前陣列基板中的每個像素單元包括至少一個(例如，3個、4個或更多個)用于圖像顯示的子像素。所述多個像素單元中的至少一些包括用于檢測生物特征信息的半導(dǎo)體光電探測器?？蛇x地，所述多個像素單元中的每一個的至少一個子像素包括用于檢測生物特征信息的半導(dǎo)體光電探測器?？蛇x地，不是每個像素單元都包括半導(dǎo)體光電探測器，而僅是每幾個像素單元中的一個在至少一個子像素中包括半導(dǎo)體光電探測器。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體光電探測器是一種具有二極管結(jié)的半導(dǎo)體光電探測器。如本文所用，術(shù)語“二極管結(jié)”是指可呈現(xiàn)電流整流的結(jié)，例如，相對于其它方向在一個偏置方向上呈現(xiàn)極其不同的導(dǎo)電性的結(jié)。

在制造和使用當(dāng)前陣列基板的過程中，可利用具有二極管結(jié)的各種合適的半導(dǎo)體光電探測器。具有二極管結(jié)的半導(dǎo)體光電探測器的示例包括(但不限于)PN光電二極管、PIN光電二極管、雪崩光電二極管、MIM二極管結(jié)、MIS二極管結(jié)、MOS二極管結(jié)、SIS二極管結(jié)和MS二極管結(jié)。

在一些實(shí)施例中，具有二極管結(jié)的半導(dǎo)體光電探測器包括第一極性區(qū)、第二極性區(qū)和將第一極性區(qū)與第二極性區(qū)連接的二極管結(jié)?？蛇x地，具有二極管結(jié)的半導(dǎo)體光電探測器包括具有第一摻雜物的第一極性區(qū)、具有第二摻雜物的第二極性區(qū)以及將第一極性區(qū)與第二極性區(qū)連接的二極管結(jié)?？蛇x地，當(dāng)?shù)谝粯O性區(qū)連接至低電壓并且第二極性區(qū)連接至高電壓時，具有二極管結(jié)的半導(dǎo)體光電探測器反向偏置。例如，當(dāng)?shù)谝粯O性區(qū)連接至公共電極(低電壓)并且第二極性區(qū)連接至被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極(高電壓)時，具有二極管結(jié)的半導(dǎo)體光電探測器處于反向偏置狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，具有二極管結(jié)的半導(dǎo)體光電探測器是具有作為第一極性區(qū)的P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)以及作為第二極性區(qū)的N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)的PN結(jié)。在一些實(shí)施例中，具有二極管結(jié)的半導(dǎo)體光電探測器是PIN光電二極管，其具有作為第一極性區(qū)的P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)、作為第二極性區(qū)的N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)以及P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)與N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)之間的非晶硅的本征區(qū)。

當(dāng)前陣列基板的每個像素包括子像素區(qū)和子像素間區(qū)。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體光電探測器在子像素間區(qū)內(nèi)?？蛇x地，每個像素中的單個半導(dǎo)體光電探測器跨越每個像素中的至少兩個子像素(例如，2個、3個、4個或更多個)的子像素間區(qū)的一部分?？蛇x地，每個像素中的單個半導(dǎo)體光電探測器跨越每個像素中的全部子像素的子像素間區(qū)的一部分?？蛇x地，每個像素中的單個半導(dǎo)體光電探測器基本上限制于單個子像素的子像素間區(qū)中。如本文所用，子像素區(qū)是指子像素的光發(fā)射區(qū)，諸如對應(yīng)于液晶顯示器中的像素電極的區(qū)或者對應(yīng)于有機(jī)發(fā)光顯示器中的光發(fā)射層的區(qū)。可選地，像素可包括與像素中的多個子像素對應(yīng)的多個分離的光發(fā)射區(qū)?？蛇x地，子像素區(qū)是紅色子像素的光發(fā)射區(qū)?？蛇x地，子像素區(qū)是綠色子像素的光發(fā)射區(qū)?？蛇x地，子像素區(qū)是藍(lán)色子像素的光發(fā)射區(qū)。可選地，子像素區(qū)是白色子像素的光發(fā)射區(qū)。如本文所用，子像素間區(qū)是指鄰近的子像素區(qū)之間的區(qū)，諸如對應(yīng)于液晶顯示器中的黑矩陣的區(qū)或者對應(yīng)于有機(jī)發(fā)光顯示器中的像素限定層的區(qū)?？蛇x地，子像素間區(qū)是同一像素中的鄰近的子像素區(qū)之間的區(qū)。可選地，子像素間區(qū)是來自兩個鄰近的像素的兩個鄰近的子像素區(qū)之間的區(qū)?？蛇x地，子像素間區(qū)是紅色子像素的子像素區(qū)與鄰近的綠色子像素的子像素區(qū)之間的區(qū)。可選地，子像素間區(qū)是紅色子像素的子像素區(qū)與鄰近的藍(lán)色子像素的子像素區(qū)之間的區(qū)?？蛇x地，子像素間區(qū)是綠色子像素的子像素區(qū)與鄰近的藍(lán)色子像素的子像素區(qū)之間的區(qū)。

圖1A是示出一些實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖。參照圖1A，實(shí)施例中的陣列基板包括襯底基板上的多個像素單元的陣列。例如，圖1A示出了多個像素單元，它們中的每一個包括三個用于圖像顯示的子像素(100或101)。作為所述三個子像素之一的子像素101還包括用于檢測生物特征信息的半導(dǎo)體光電探測器PD。陣列基板還包括基本沿著第一方向(行向)的多根第一掃描線Scan1和基本沿著第二方向(列向)的多根數(shù)據(jù)線Data。第一方向和第二方向彼此交叉以將陣列基板劃分為多個子像素100和101。每根第一掃描線Scan1連接至一行子像素，并且每根數(shù)據(jù)線Data連接至一列子像素。

圖1A中的陣列基板還包括基本沿著第一方向的多根第二掃描線Scan2，例如，第二掃描線Scan2基本平行于第一掃描線Scan1并且與第一掃描線Scan1間隔開。每根第二掃描線Scan2連接至一行像素單元中的具有半導(dǎo)體光電探測器PD的一行子像素101。

在一些實(shí)施例中，陣列基板還包括用于發(fā)送來自半導(dǎo)體光電探測器PD的生物特征信號的多根讀線。每根讀線Read連接至一列像素單元中具有半導(dǎo)體光電探測器PD的一列子像素101中的各個半導(dǎo)體光電探測器PD。如圖1A所示，所述多根讀線Read可為多根讀線Read/Data，即，所述多根讀線Read是與所述多根用于一列像素單元中具有半導(dǎo)體光電探測器PD的一列子像素101的數(shù)據(jù)線Data相同的線。所述多根讀線Read/Data可按照分時模式操作，例如，在圖像顯示模式中用作數(shù)據(jù)線Data，并且在生物特征信號檢測模式中用作讀線Read?？蛇x地，所述多根讀線Read可為與所述多根數(shù)據(jù)線不同的分離的線。

圖1B是圖1A的陣列基板的子像素的放大圖。參照圖1B，圖1B所示的子像素是具有半導(dǎo)體光電探測器PD的子像素101。子像素101包括公共電極Vcom、像素電極Pix、第一晶體管T1和第二晶體管T2。不具有半導(dǎo)體光電探測器PD的子像素100包括第一晶體管T1而不包括第二晶體管T2。

圖1E是沿著圖1A至圖1B中的線A-A’截取的截面圖。參照圖1E，子像素中的第一晶體管T1包括第一柵極節(jié)點(diǎn)G1、第一節(jié)點(diǎn)(未示出)和連接至像素電極Pix的第二節(jié)點(diǎn)D1(例如，漏電極)。第一晶體管T1的第一柵極節(jié)點(diǎn)G1連接至對應(yīng)的第一掃描線(圖1E中未示出)。第一晶體管T1的第一節(jié)點(diǎn)連接至對應(yīng)的數(shù)據(jù)線(圖1E中未示出)。

參照圖1E，第二晶體管T2包括第二柵極節(jié)點(diǎn)G2、第一節(jié)點(diǎn)(未示出)和第二節(jié)點(diǎn)D2。第二晶體管T2的第二柵極節(jié)點(diǎn)G2連接至對應(yīng)的第二掃描線(圖1E中未示出)。

各種晶體管可用于制備當(dāng)前陣列基板。例如，第一晶體管T1和第二晶體管T2之一或二者可為雙溝道晶體管(如圖1A、圖1B和圖1E所示)。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體光電探測器包括第一極性區(qū)和第二極性區(qū)以及將第一極性區(qū)與第二極性區(qū)連接的二極管結(jié)，如本文通篇所述。參照圖1E，實(shí)施例中的半導(dǎo)體光電探測器PD是PIN光電二極管PIN。PIN光電二極管PIN包括作為第一極性區(qū)的P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)P和作為第二極性區(qū)的N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)N。此外，PIN光電二極管PIN包括P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)P與N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)N之間的非晶硅的本征區(qū)I。

在一些實(shí)施例中，第一極性區(qū)連接至同一子像素的公共電極，并且第二極性區(qū)連接至被構(gòu)造為將復(fù)位電壓信號(例如，高電壓信號)提供至第二極性區(qū)的電極。參照圖1E，PIN光電二極管PIN的P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)P(第一極性區(qū))連接至公共電極Vcom，并且PIN光電二極管PIN的N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)N(第二極性區(qū))連接至第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D2。因此，在如圖1E所示的陣列基板中，第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D2用作被構(gòu)造為將復(fù)位電壓信號提供至PIN光電二極管PIN的第二極性區(qū)(N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)N)的電極。公共電極將固定的低電壓信號提供至P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)P，并且第二節(jié)點(diǎn)D2將高電壓信號提供至N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)N。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體光電探測器布置在公共電極與第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)之間。例如，半導(dǎo)體光電探測器可布置在第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，并且布置在公共電極的靠近襯底基板的一側(cè)。

第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)由不透明的金屬材料制成，因此用作用于為半導(dǎo)體光電探測器遮擋背光發(fā)射的光的遮光層。如圖1E所示，半導(dǎo)體光電探測器PD在陣列基板的平面圖中的投影在同一子像素中的第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D2的投影內(nèi)。來自背光模塊的光可在到達(dá)半導(dǎo)體光電探測器PD之前被阻擋。可使用各種合適的材料來制造不透明的第二節(jié)點(diǎn)D2。可選地，不透明的第二節(jié)點(diǎn)D2由不透明的導(dǎo)電材料制成。

可增大半導(dǎo)體光電探測器和第二節(jié)點(diǎn)的面積以增大半導(dǎo)體光電探測器的光敏性。圖1C是示出一些實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖。圖1D是圖1C的陣列基板的子像素的放大圖。參照圖1C和圖1D，半導(dǎo)體光電探測器PD和第二節(jié)點(diǎn)D2基本上遍及子像素101的整個子像素間區(qū)(例如，圖1C和圖1D中的黑矩陣區(qū)BM)延伸。因?yàn)閳D1C和圖1D中的陣列基板使用第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)作為被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極，所以半導(dǎo)體光電探測器和第二節(jié)點(diǎn)不能延伸至同一行子像素中的鄰近子像素100的子像素間區(qū)中。

參照圖1E，實(shí)施例中的陣列基板包括襯底基板以及襯底基板上的第一遮光層LS1和第二遮光層LS2。第一遮光層LS1為第一晶體管的第一有源層A1遮擋從背光模塊發(fā)射的光。第二遮光層LS2為第二晶體管的第二有源層A2遮擋從背光模塊發(fā)射的光。陣列基板還包括：緩沖層Buff，其位于第一遮光層LS1和第二遮光層LS2的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)；第一有源層A1、第二有源層A2和背溝道層BC，它們位于緩沖層Buff的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，第一有源層A1、第二有源層A2和背溝道層BC在同一層中。陣列基板還包括：柵極絕緣層GI，其位于第一有源層A1、第二有源層A2和背溝道層BC的遠(yuǎn)離緩沖層Buff的一側(cè)；第一柵極節(jié)點(diǎn)G1和第二柵極節(jié)點(diǎn)G2，它們位于柵極絕緣層GI的遠(yuǎn)離緩沖層Buff的一側(cè)。如圖1E所示，陣列基板還包括：層間介電層ILD，其位于柵極絕緣層GI的遠(yuǎn)離緩沖層Buff的一側(cè)；第一晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D1和第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D2，它們位于層間介電層ILD的遠(yuǎn)離柵極絕緣層GI的一側(cè)；絕緣層INS，其位于第二節(jié)點(diǎn)D1和第二節(jié)點(diǎn)D2的遠(yuǎn)離層間介電層ILD的一側(cè)；像素電極Pix和半導(dǎo)體光電探測器PD，它們位于絕緣層INS的遠(yuǎn)離層間介電層ILD的一側(cè)；鈍化層PVX，其位于像素電極Pix和半導(dǎo)體光電探測器PD的遠(yuǎn)離絕緣層INS的一側(cè)；以及公共電極Vcom，其位于鈍化層PVX的遠(yuǎn)離絕緣層INS的一側(cè)?？蛇x地，像素電極Pix和半導(dǎo)體光電探測器PD在同一層中。半導(dǎo)體光電探測器PD的N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)(第二極性區(qū))通過過孔連接至第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D2，半導(dǎo)體光電探測器PD的P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)(第一極性區(qū))通過另一過孔連接至公共電極Vcom。

在一些實(shí)施例中，被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極是與像素電極在同一層中的電極，半導(dǎo)體光電探測器位于該電極的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)。圖2A是示出一些實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖。圖2B是圖2A的陣列基板的子像素的放大圖。參照圖2A和圖2B，該實(shí)施例中的陣列基板的基本結(jié)構(gòu)與圖1A至圖1E中的相似，不同的是，第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)未用作被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極。在如圖2A和圖2B所示的陣列基板中，電極1TO用作被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極。

在一些實(shí)施例中，電極1TO是透明電極。為了為半導(dǎo)體光電探測器遮擋從背光發(fā)射的光，陣列基板還包括遮光層LS2，其位于電極1TO的遠(yuǎn)離半導(dǎo)體光電探測器PD的一側(cè)(例如，電極1TO的靠近襯底基板的一側(cè))。可選地，半導(dǎo)體光電探測器PD在陣列基板的平面圖中的投影在同一子像素中的遮光層LS2的投影中。

圖2D是沿著圖2A至圖2B中的線B-B’截取的截面圖。參照圖2D，該實(shí)施例中的陣列基板包括襯底基板以及襯底基板上的第一遮光層LS1和第二遮光層LS2。第一遮光層LS1為第一晶體管的第一有源層A1遮擋從背光模塊發(fā)射的光。第二遮光層LS2為第二晶體管的第二有源層A2遮擋從背光模塊發(fā)射的光。此外，該實(shí)施例中的第二遮光層LS2為半導(dǎo)體光電探測器PD遮擋從背光模塊發(fā)射的光。陣列基板還包括：緩沖層Buff，其位于第一遮光層LS1和第二遮光層LS2的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)；第一有源層A1、第二有源層A2和背溝道層BC，它們位于緩沖層Buff的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，第一有源層A1、第二有源層A2和背溝道層BC在同一層中。陣列基板還包括：柵極絕緣層GI，其位于第一有源層A1、第二有源層A2和背溝道層BC的遠(yuǎn)離緩沖層Buff的一側(cè)；第一柵極節(jié)點(diǎn)G1和第二柵極節(jié)點(diǎn)G2，它們位于柵極絕緣層GI的遠(yuǎn)離緩沖層Buff的一側(cè)。如圖2D所示，陣列基板還包括：層間介電層ILD，其位于柵極絕緣層GI的遠(yuǎn)離緩沖層Buff的一側(cè)；第一晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D1和第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D2，它們位于層間介電層ILD的遠(yuǎn)離柵極絕緣層GI的一側(cè)；絕緣層INS，其位于第二節(jié)點(diǎn)D1和第二節(jié)點(diǎn)D2的遠(yuǎn)離層間介電層ILD的一側(cè)；像素電極Pix和被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極1TO，它們位于絕緣層INS的遠(yuǎn)離層間介電層ILD的一側(cè)；半導(dǎo)體光電探測器PD，其位于電極1TO的遠(yuǎn)離絕緣層INS的一側(cè)；鈍化層PVX，其位于像素電極Pix和半導(dǎo)體光電探測器PD的遠(yuǎn)離絕緣層INS的一側(cè)；以及公共電極Vcom，其位于鈍化層PVX的遠(yuǎn)離絕緣層INS的一側(cè)。可選地，像素電極Pix和被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極1TO在同一層中。半導(dǎo)體光電探測器PD的N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)(第二極性區(qū))連接至電極1TO?？蛇x地，電極1TO通過過孔連接至第二晶體管的第二節(jié)點(diǎn)D2，半導(dǎo)體光電探測器PD的P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū)(第一極性區(qū))通過另一過孔連接至公共電極Vcom。

可增大半導(dǎo)體光電探測器和第二節(jié)點(diǎn)的面積以增大半導(dǎo)體光電探測器的光敏性。圖2C是示出一些實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)的圖。參照圖2C，半導(dǎo)體光電探測器PD、電極1TO和第二遮光層LS2跨越每個像素中的全部子像素的子像素間區(qū)的一部分?？蛇x地，半導(dǎo)體光電探測器PD、電極1TO和第二遮光層LS2基本上遍及每個像素中的全部子像素的子像素間區(qū)(例如，圖2C中的黑矩陣區(qū)BM)延伸。因?yàn)閳D2C中的陣列基板使用與像素電極Pix位于同一層中的電極1TO作為用于將復(fù)位電壓信號提供至半導(dǎo)體光電探測器的電極，所以半導(dǎo)體光電探測器PD和電極1TO可延伸至同一像素單元中的鄰近的子像素的子像素間區(qū)中。

在一些實(shí)施例中，所述多根第一掃描線、所述多根第二掃描線和所述多根讀線被構(gòu)造為逐行地驅(qū)動所述多個像素單元。例如，陣列基板可按照分時驅(qū)動模式操作，用于檢測生物特征信息。分時驅(qū)動模式可包括顯示模式和生物特征信息檢測模式?？蛇x地，每一幀圖像包括多個時段，例如，第一時段、第二時段、第三時段和間歇時段。在第一時段中，每根第一掃描線被構(gòu)造為將第一掃描信號施加至該行子像素中的各子像素，允許數(shù)據(jù)信號從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線傳送至各子像素，以基于該數(shù)據(jù)信號生成圖像的子像素。在第二時段中，每根第二掃描線被構(gòu)造為將第二掃描信號施加至該行子像素中的每個第二晶體管，允許復(fù)位電壓信號從對應(yīng)的被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極傳送至各個半導(dǎo)體光電探測器。復(fù)位電壓信號被構(gòu)造為將半導(dǎo)體光電探測器的第二極性區(qū)設(shè)在高電壓電平。同時，公共電極被構(gòu)造為施加公共電壓信號以將半導(dǎo)體光電探測器的第一極性區(qū)設(shè)在低電壓電平。半導(dǎo)體光電探測器通過復(fù)位電壓信號和公共電壓信號而被構(gòu)造為處于反向偏置狀態(tài)。可選地，第二時段在時間上比第一時段更晚。在第三時段中，每根第二掃描線被構(gòu)造為將第三掃描信號施加至該行子像素中的每個第二晶體管，以將生物特征信號從具有半導(dǎo)體光電探測器的每個子像素發(fā)送至對應(yīng)的讀線?？蛇x地，第三時段在時間上比第二時段更晚。

具體地說，在第一時段中，每根第一掃描線被構(gòu)造為將第一掃描信號施加至該行子像素中的每個子像素，以導(dǎo)通對應(yīng)的第一晶體管，從而允許數(shù)據(jù)信號從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線傳送至對應(yīng)的像素電極，以基于該數(shù)據(jù)信號生成圖像的子像素。在第二時段中，每根第二掃描線被構(gòu)造為將第二掃描信號施加至該行子像素中的具有半導(dǎo)體光電探測器的每個子像素以導(dǎo)通對應(yīng)的第二晶體管，從而允許復(fù)位電壓信號從對應(yīng)的被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極傳送至各半導(dǎo)體光電探測器?？蛇x地，第二時段在時間上比第一時段更晚。在第三時段中，每根第二掃描線被構(gòu)造為將第三掃描信號施加至該行子像素中的具有半導(dǎo)體光電探測器的每個子像素以導(dǎo)通對應(yīng)的第二晶體管，從而允許生物特征信號從具有半導(dǎo)體光電探測器的各子像素傳送至對應(yīng)的讀線?？蛇x地，第三時段在時間上比第二時段更晚。

在一些實(shí)施例中，分時驅(qū)動模式還包括用于確定是否發(fā)生人類用戶的觸摸的間歇時段?？蛇x地，間歇時段在時間上比第二時段和第三時段更早?？蛇x地，如果確定未發(fā)生人類用戶的觸摸，例如，觸摸不是由人體部位引起，則省去該幀圖像中的第二時段和第三時段。例如，如果在一幀圖像的間歇時段中確定發(fā)生了人類用戶的觸摸，則該幀圖像中的分時驅(qū)動模式僅包括第二時段和第三時段。

具體地說，在間歇時段中，所述多根第二掃描線被構(gòu)造為同時驅(qū)動所述多個像素單元，即，所述多根第二掃描線被構(gòu)造為將第四掃描信號同時施加至所述多個像素單元的陣列中的多個第二晶體管，以導(dǎo)通多個對應(yīng)的第二晶體管，從而允許多個生物特征信號從具有半導(dǎo)體光電探測器的所述多個子像素同時被傳送至多根對應(yīng)的讀線。來自各根讀線的生物特征信號之和是累積生物特征信號。可選地，在每幀圖像的間歇時段中，所述多根第二掃描線被構(gòu)造為多次施加第四掃描信號，以產(chǎn)生多個累積生物特征信號。

可選地，每個像素單元包括紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素，其中，藍(lán)色子像素包括半導(dǎo)體光電探測器。

本文所述的半導(dǎo)體光電探測器(例如，PN光電二極管或PIN光電二極管)能夠基于光折射和反射原理識別各種生物特征信息(例如，指紋、掌紋或腳印)。當(dāng)手指(或手掌或腳)觸摸具有當(dāng)前陣列基板的顯示面板的表面時，從每個子像素發(fā)射的光輻射至手指的谷線和脊線上，部分發(fā)生折射并且部分反射回子像素，并且輻射至半導(dǎo)體光電探測器上。從谷線折射和反射的光的折射角和反射強(qiáng)度與從脊線折射和反射的光的折射角和反射強(qiáng)度不同。這導(dǎo)致當(dāng)折射的光和反射的光輻射至半導(dǎo)體光電探測器上時在對應(yīng)于谷線的半導(dǎo)體光電探測器和對應(yīng)于脊線的半導(dǎo)體光電探測器中產(chǎn)生不同數(shù)量的光電子。

在第二時段中，第二晶體管被導(dǎo)通，復(fù)位電壓信號將半導(dǎo)體光電探測器的第二極性區(qū)(例如，N+摻雜的半導(dǎo)體區(qū))設(shè)在高電壓電平，公共電壓信號將半導(dǎo)體光電探測器的第一極性區(qū)(例如，P+摻雜的半導(dǎo)體區(qū))設(shè)在低電壓電平，并且半導(dǎo)體光電探測器被構(gòu)造為處于反向偏置狀態(tài)。當(dāng)?shù)诙w管剛好截止時，第一極性區(qū)與第二極性區(qū)之間的電壓電平保持在一定電平(即，復(fù)位電壓電平與公共電壓電平之間的電壓差)。隨后，在半導(dǎo)體光電探測器中產(chǎn)生的光電子會導(dǎo)致第一極性區(qū)與第二極性區(qū)之間的電壓電平降低。不同的半導(dǎo)體光電探測器產(chǎn)生的不同數(shù)量的光電子導(dǎo)致電壓電平降低的程度不同。當(dāng)?shù)诙w管通過第三掃描信號再次導(dǎo)通時，所述多個第二極性區(qū)的剩余電壓產(chǎn)生通過對應(yīng)的讀線發(fā)送至信號處理器的多個光電流?；谶@些光電流，信號處理器能夠處理來自讀線的檢測到的生物特征信號，并且識別指紋中的谷線和脊線。

例如，當(dāng)手指(或手掌或腳)觸摸在至少一個子像素中包含半導(dǎo)體光電探測器的陣列基板的像素區(qū)時，指紋的脊線更可能物理地接觸其中全反射條件基于觸摸而局部改變的屏幕表面，從而局部地導(dǎo)致全反射擾亂。全反射擾亂導(dǎo)致通過指紋的脊線反射回子像素的光的強(qiáng)度降低。另一方面，到達(dá)指紋的任何谷線的光基本上反射回子像素。這導(dǎo)致輻射至對應(yīng)于脊線的半導(dǎo)體光電探測器上的光與輻射至對應(yīng)于谷線的半導(dǎo)體光電探測器上的光之間的光強(qiáng)度差異，繼而在分別對應(yīng)于脊線和谷線的半導(dǎo)體光電探測器中產(chǎn)生的光電子的數(shù)量之間以及從分別對應(yīng)于脊線和谷線的半導(dǎo)體光電探測器中檢測到的光電流的強(qiáng)度之間導(dǎo)致差異。

因此，每個半導(dǎo)體光電探測器經(jīng)歷光電子累積時期，光電子累積時期在第二晶體管在施加第二掃描信號之后截止時的第一時間點(diǎn)與第二晶體管通過第三掃描信號導(dǎo)通時的第二時間點(diǎn)之間。在光電子累積時期中，在每個半導(dǎo)體光電探測器中產(chǎn)生的光電子降低了第一極性區(qū)與第二極性區(qū)之間的電壓電平。

在間歇時段中，所述多根第二掃描線將所述多個第二晶體管同時導(dǎo)通，以檢測累積生物特征信號。諸如手指、手掌或腳之類的人體部位具有含吸收紅外光(例如，近紅外光)的血紅素的血流。當(dāng)人體部位觸摸屏幕時，血流中的血紅素的量隨脈搏波動。因此，反射回半導(dǎo)體光電探測器的光(例如，紅外光)的強(qiáng)度也隨脈搏波動。當(dāng)諸如觸針之類的非人類對象觸摸屏幕時，反射回半導(dǎo)體光電探測器的光的強(qiáng)度不波動，例如，在觸摸事件中，其基本保持不變。因此，通過在間歇時段期間測量多個累積生物特征信號，可確定是否發(fā)生人類用戶的觸摸。例如，如果間歇時段期間的累積生物特征信號的強(qiáng)度在上閾值和下閾值內(nèi)波動，則可確定發(fā)生了人類觸摸事件。隨后，該幀圖像可包括第二時段和第三時段以檢測生物特征信息。如果間歇時段期間的累積生物特征信號的強(qiáng)度在間歇時段中基本保持不變，或者改變超出下閾值或上閾值，則可確定未發(fā)生人類觸摸事件。隨后，該幀圖像可省去第二時段和第三時段。

在一些實(shí)施例中，每幀圖像還可包括諸如用于檢測觸摸事件的觸摸模式之類的其它模式?？蛇x地，陣列基板還包括多根觸摸信號線。在觸摸檢測時段中，每根觸摸信號線被構(gòu)造為將觸摸信號施加至每個觸摸電極，用于在每個觸摸電極處檢測觸摸事件。可選地，可在檢測步驟之后確定包括檢測到觸摸事件的多個子像素的觸摸區(qū)域?？稍谟|摸區(qū)域內(nèi)執(zhí)行本文通篇描述的生物特征信息檢測。

在一些實(shí)施例中，如果檢測到觸摸事件，則陣列基板被構(gòu)造為顯示每個子像素的照度水平均相等的插入圖像。每幀插入圖像中的每根第一掃描線被構(gòu)造為將第五掃描信號施加至該行子像素中的每個子像素，以允許第二數(shù)據(jù)信號從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線傳送至每個子像素，以基于第二數(shù)據(jù)信號生成圖像的子像素。對于每個子像素，第二數(shù)據(jù)信號可相同。

因?yàn)榇_定了觸摸區(qū)域，所以可在觸摸區(qū)域中方便地檢測到生物特征信息?？蛇x地，觸摸檢測時段在時間上比第一時段和第二時段更早。具體地說，在一些實(shí)施例中，在每幀圖像的第二時段中，每根第二掃描線被構(gòu)造為將第二掃描信號逐行地施加至觸摸區(qū)域中的該行子像素中的各第二晶體管，從而允許復(fù)位電壓信號從對應(yīng)的被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極傳送至觸摸區(qū)域中的各半導(dǎo)體光電探測器。復(fù)位電壓信號被構(gòu)造為將觸摸區(qū)域中的半導(dǎo)體光電探測器的第二極性區(qū)設(shè)為高電壓電平。公共電極的公共電壓信號將觸摸區(qū)域中的半導(dǎo)體光電探測器的第一極性區(qū)設(shè)為低電壓電平。觸摸區(qū)域中的半導(dǎo)體光電探測器被構(gòu)造為處于反向偏置狀態(tài)?？蛇x地，第二時段在時間上比觸摸檢測時段更晚。

此外，在一些實(shí)施例中，在每幀圖像的第三時段中，每根第二掃描線被構(gòu)造為將第三掃描信號施加至觸摸區(qū)域中的該行子像素中的每個第二晶體管，從而允許生物特征信號從觸摸區(qū)域中的具有半導(dǎo)體光電探測器的各子像素傳送至對應(yīng)的讀線?？蛇x地，第三時段在時間上比第二時段更晚。

根據(jù)本公開的半導(dǎo)體光電探測器可形成為檢測各種顏色的光，例如，可見光、紅外光、紫外光等。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體光電探測器布置在子像素間區(qū)(例如，黑矩陣區(qū))中?？蛇x地，黑矩陣(或者黑矩陣的對應(yīng)于半導(dǎo)體光電探測器的部分)由對可見光不透明但對非可見光(例如，紅外光或紫外光)透明的材料制成?？蛇x地，半導(dǎo)體光電探測器被構(gòu)造為檢測非可見光，可選地，背光模塊被構(gòu)造為發(fā)射包括非可見光作為分量的光。

在一些實(shí)施例中，黑矩陣(或者黑矩陣的對應(yīng)于半導(dǎo)體光電探測器的部分)由可見光阻擋材料(例如，包括鍺或氧化鍺的濾光材料)制成。半導(dǎo)體光電探測器被構(gòu)造為檢測可見光波長范圍以外的波長的光。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體光電探測器被構(gòu)造為檢測可見光。可選地，黑矩陣的對應(yīng)于半導(dǎo)體光電探測器的部分可由透射可見光的材料制成?？蛇x地，陣列基板的黑矩陣可被圖案化以使得對應(yīng)于半導(dǎo)體光電探測器的區(qū)域不包括黑矩陣材料。

在另一方面，本公開提供了一種用于驅(qū)動本文所述的陣列基板的操作的方法。圖3是示出用于驅(qū)動一些實(shí)施例中的陣列基板的操作的方法的流程圖。參照圖3，當(dāng)前驅(qū)動方法包括顯示模式、人類觸摸檢測模式、光電探測器復(fù)位模式、光電流讀取模式以及(可選地)諸如觸摸模式之類的其它模式。

在一些實(shí)施例中，通過在每幀圖像的第一時段(例如，對應(yīng)于圖3中的顯示模式)中將多個第一掃描信號逐行地提供至所述多根第一掃描線來實(shí)施驅(qū)動方法。在第一時段中，每根第一掃描線將第一掃描信號施加至該行子像素中的每個子像素，從而允許數(shù)據(jù)信號從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線傳送至各子像素，以基于數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生圖像的子像素。

參照圖3，還通過在每幀圖像的第二時段(例如，對應(yīng)于光電探測器復(fù)位模式)中將多個第二掃描信號逐行地提供至所述多根第二掃描線以及提供公共電極的公共電壓信號來實(shí)現(xiàn)該驅(qū)動方法。在第二時段中，每根第二掃描線將第二掃描信號施加至該行子像素中的各第二晶體管，從而允許復(fù)位電壓信號從對應(yīng)的被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極傳送至各半導(dǎo)體光電探測器。復(fù)位電壓信號將半導(dǎo)體光電探測器的第二極性區(qū)設(shè)在高電壓電平。公共電壓信號將半導(dǎo)體光電探測器的第一極性區(qū)設(shè)在低電壓電平。半導(dǎo)體光電探測器設(shè)為處于反向偏置狀態(tài)。可選地，第二時段在時間上比第一時段更晚。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)前驅(qū)動方法還包括：在每幀圖像的第三時段(例如，對應(yīng)于圖3中的光電流讀取模式)中將多個第三掃描信號逐行地提供至所述多根第二掃描線。在第三時段中，每根第二掃描線將第三掃描信號施加至該行子像素中的每個第二晶體管，從而允許生物特征信號從具有半導(dǎo)體光電探測器的每個子像素被傳輸至對應(yīng)的讀線?？蛇x地，第三時段在時間上比第二時段更晚。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)前驅(qū)動方法還包括：在間歇時段(例如，對應(yīng)于人類觸摸檢測模式)中將多個第四掃描信號同時提供至所述多根第二掃描線。在每幀圖像的間歇時段中，所述多根第二掃描線將第四掃描信號同時施加至所述多個像素單元中的多個第二晶體管，從而允許來自具有半導(dǎo)體光電探測器的所述多個子像素的多個生物特征信號傳輸至多根對應(yīng)的讀線。所述驅(qū)動方法還包括從來自各讀線的生物特征信號之和產(chǎn)生累積生物特征信號。

可選地，間歇時段在時間上比第二時段更早。

上述提供所述多個第四掃描信號和產(chǎn)生累積生物特征信號的步驟可在間歇時段中重復(fù)多次，以產(chǎn)生多個累積生物特征信號。如果所述多個累積生物特征信號在上閾值和下閾值內(nèi)波動，則可確定已發(fā)生人類觸摸事件。隨后，可在驅(qū)動方法中實(shí)施光電探測器復(fù)位模式(對應(yīng)于第二時段)和光電流讀取模式(對應(yīng)于第三時段)，以檢測生物特征信息。如果間歇時段期間的累積生物特征信號的強(qiáng)度在間歇時段中基本保持不變，或者改變超過下閾值或上閾值，則可由此確定未發(fā)生人類觸摸事件。隨后，驅(qū)動方法在該特定幀圖像中的實(shí)施可省去光電探測器復(fù)位模式(對應(yīng)于第二時段)和光電流讀取模式(對應(yīng)于第三時段)。

可選地，驅(qū)動方法包括：如果所述多個累積生物特征信號中的至少兩個之間的差大于下閾值，并且所述多個累積生物特征信號中的任兩個之間的差不超過上閾值，則確定發(fā)生了來自人類用戶的觸摸。

可選地，驅(qū)動方法包括：如果所述多個累積生物特征信號中的任兩個之間的差未超過下閾值，或者所述多個累積生物特征信號中的至少兩個之間的差大于上閾值，則確定未發(fā)生來自人類用戶的觸摸。

在一些實(shí)施例中，所述驅(qū)動方法還包括觸摸模式?？蛇x地，所述方法還包括：在每幀圖像的觸摸檢測時段中將多個觸摸信號提供至所述多個觸摸電極。在觸摸檢測時段中，每根觸摸信號線將觸摸信號施加至每個觸摸電極，用于在每個觸摸電極處檢測觸摸事件，從而確定包括檢測到觸摸事件的多個子像素的觸摸區(qū)域?？蛇x地，觸摸檢測時段在時間上比第二時段和第三時段更早。

在一些實(shí)施例中，如果檢測到觸摸事件，則陣列基板被構(gòu)造為顯示每個子像素的照度水平均相等的插入圖像。所述方法還包括：在每幀圖像的第二時段中將多個第二掃描信號逐行地提供至所述多根第二掃描線；以及將公共電壓信號提供至公共電極。在第二時段中，每根第二掃描線將第二掃描信號施加至觸摸區(qū)域中的該行子像素中的每個第二晶體管，從而允許復(fù)位電壓信號從對應(yīng)的被構(gòu)造為提供復(fù)位電壓信號的電極傳送至觸摸區(qū)域中的各半導(dǎo)體光電探測器。復(fù)位電壓信號將觸摸區(qū)域中的半導(dǎo)體光電探測器的第二極性區(qū)設(shè)在高電壓電平。公共電壓信號將觸摸區(qū)域中的半導(dǎo)體光電探測器的第一極性區(qū)設(shè)在低電壓電平。觸摸區(qū)域中的半導(dǎo)體光電探測器設(shè)為反向偏置狀態(tài)?？蛇x地，第二時段在時間上比第一時段更晚。

在一些實(shí)施例中，驅(qū)動方法還包括：在每幀圖像的第三時段中將多個第三掃描信號逐行地提供至所述多根第二掃描線。在第三時段中，每根第二掃描線將第三掃描信號施加至觸摸區(qū)域中的該行子像素中的每個第二晶體管，從而允許生物特征信號從觸摸區(qū)域中的具有半導(dǎo)體光電探測器的每個子像素傳輸至對應(yīng)的讀線?？蛇x地，第三時段在時間上比第二時段更晚。

在另一方面，本公開提供了一種具有本文所述的陣列基板的顯示面板?？蛇x地，顯示面板是液晶顯示面板?？蛇x地，顯示面板還包括封裝基板。

在另一方面，本公開提供了一種具有本文所述的顯示面板的顯示設(shè)備。

為了示出和描述的目的提供了本發(fā)明的實(shí)施例的以上描述。其不旨在是窮盡的或者將本發(fā)明限于公開的具體形式或者示例性實(shí)施例。因此，應(yīng)該將以上描述看作是示出性的而非限制性的。明顯的是，對于本領(lǐng)域從業(yè)者來說，許多修改和改變都將是顯而易見的。選擇和描述實(shí)施例以解釋本發(fā)明的原理及其最佳模式實(shí)際應(yīng)用，從而使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各個實(shí)施例和適于特定用途或考慮到的實(shí)施方式的各種修改形式。本發(fā)明的范圍旨在由本文所附權(quán)利要求及其等同物限定，除非另有說明，否則在權(quán)利要求中，所有術(shù)語意指它們的最寬泛的合理解釋。因此，術(shù)語“該發(fā)明”、“本發(fā)明”等未必將權(quán)利要求的范圍限于特定實(shí)施例，并且對本發(fā)明的示例性實(shí)施例的參考不意味著對本發(fā)明的限制，并且不應(yīng)推斷出這種限制。本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求的精神和范圍限定。此外，這些權(quán)利要求可參照使用后面跟隨名詞或元件的“第一”、“第二”等。除非提供了具體數(shù)字，否則這些術(shù)語應(yīng)該被理解為命名法，并且不應(yīng)理解為限制由所述命名法修飾的元件的數(shù)量。描述的任何優(yōu)點(diǎn)和益處可不應(yīng)用于本發(fā)明的全部實(shí)施例。應(yīng)該理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在描述的實(shí)施例中作出各種改變。此外，不管元件或組件是否在所附權(quán)利要求中明確例舉，本公開中的元件和組件都不旨在獻(xiàn)給公眾。

圖中文字：

圖1E、2D、

substrate：基板

圖3、

display：顯示

human touch detect：人類觸摸檢測

photodetector reset：光電探測器復(fù)位

photoelectron accumulation：光電子累積

photocurrent reading：光電流讀取

other modes：其它模式(例如，觸摸模式)