本實(shí)用新型涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，尤其涉及一種超高密度服務(wù)器結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

大數(shù)據(jù)時(shí)代，企業(yè)應(yīng)用的多元化及數(shù)據(jù)分層的管理，造成存儲量成倍劇增，使存儲資源分配日益艱難。海量數(shù)據(jù)和多種復(fù)雜應(yīng)用對存儲系統(tǒng)的靈活處理能力提出了更高要求，非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)的大數(shù)據(jù)進(jìn)一步增加了企業(yè)數(shù)據(jù)類型的多樣性和復(fù)雜性。客戶對服務(wù)器的單位空間的存儲容量需求不斷提高，希望在有限空間的機(jī)柜內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的密度。但，傳統(tǒng)服務(wù)器僅能提供4U24盤位或者4U36盤位的存儲空間。如果用戶想要更大容量和更大帶寬，需要增加機(jī)柜，造成成本增加和能耗增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種超高密度服務(wù)器結(jié)構(gòu)，從而解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的前述問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所述超高密度服務(wù)器結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括：主板、散熱單元、電源、存儲單元、網(wǎng)絡(luò)傳輸單元和機(jī)箱；所述機(jī)箱分為前區(qū)和后區(qū)，所述前區(qū)設(shè)置存儲單元，所述后區(qū)設(shè)置主板、電源和網(wǎng)絡(luò)傳輸單元；所述存儲單元包括3.5寸大容量硬盤組和2.5寸硬盤組；所述散熱單元包括設(shè)置在機(jī)箱前面板上的網(wǎng)孔和設(shè)置在所述后區(qū)的散熱風(fēng)扇組，所述網(wǎng)孔與所述散熱風(fēng)扇組相對設(shè)置且所述網(wǎng)孔與所述散熱風(fēng)扇組之間的區(qū)域?yàn)榇鎯卧惭b區(qū)；所述后區(qū)分上、中、下三層，上層設(shè)置電源，中層設(shè)置散熱風(fēng)扇組，下層設(shè)置網(wǎng)絡(luò)傳輸單元和主板。

優(yōu)選地，所述前面板上還設(shè)置與電源連接的電源控制板。

優(yōu)選地，所述存儲單元包括3.5寸大容量硬盤組，具體為：所述3.5寸大容量硬盤組中包括90塊3.5寸大容量硬盤，排列方式為：15塊3.5寸大容量硬盤為一排，共6排，且相鄰兩排中任意兩個(gè)相對設(shè)置的3.5寸大容量硬盤的硬盤數(shù)據(jù)線口相對設(shè)置；每塊3.5寸大容量硬盤為豎插式硬盤，豎插式硬盤豎直插入機(jī)箱底面上設(shè)置的硬盤安裝口，通過所述硬盤安裝口，每塊3.5寸大容量硬盤與主板連接。

優(yōu)選地，所述2.5寸硬盤組包括2個(gè)2.5寸硬盤。

優(yōu)選地，所述后區(qū)的上層并排設(shè)置四個(gè)電源安裝孔，所述電源包括四個(gè)熱插拔電源模塊，所述熱插拔電源模塊與所述電源安裝孔一一對應(yīng)安裝。

更優(yōu)選地，所述熱插拔電源模塊為1000W鈦金電源模塊。

優(yōu)選地，所述后區(qū)的中層并排設(shè)置五個(gè)風(fēng)扇安裝孔，所述散熱風(fēng)扇組包括五個(gè)熱插拔風(fēng)扇，熱插拔風(fēng)扇與風(fēng)扇安裝孔一一對應(yīng)安裝。

優(yōu)選地，所述后區(qū)的下層面板上設(shè)置均分別與主板連接的網(wǎng)絡(luò)傳輸板和IPMI管理網(wǎng)口。

更優(yōu)選地，所述網(wǎng)絡(luò)傳輸板上設(shè)置4個(gè)10GbE端口。

本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型在滿足計(jì)算性能同時(shí)，提供超大容量內(nèi)部存儲擴(kuò)展能力，4U機(jī)箱空間內(nèi)可安裝90塊3.5寸硬盤，為增強(qiáng)用戶使用體驗(yàn)，機(jī)箱后端可獨(dú)立放置2塊熱插拔系統(tǒng)磁盤，滿足將服務(wù)器用于冷存儲目的的用戶需求。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型所述超高密度服務(wù)器結(jié)構(gòu)的機(jī)箱前面板示意圖；1表示電源控制面板；

圖2為所述超高密度服務(wù)器結(jié)構(gòu)中存儲單元的示意圖；2表示硬盤安裝區(qū)域；

圖3為散熱系統(tǒng)風(fēng)扇示意圖，3表示熱插拔風(fēng)扇；

圖4為電源示意，4表示熱插拔電源模塊；

圖5為主板安裝示意圖，5表示主板；

圖6為主板設(shè)計(jì)示意圖，6-1表示硬盤控制器芯片；6-2表示CPU；6-3表示內(nèi)存；

圖7為本實(shí)用新型所述超高密度服務(wù)器結(jié)構(gòu)的機(jī)箱的后面板示意圖，7-1表示IPMI管理網(wǎng)口，7-2表示網(wǎng)絡(luò)傳輸板。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施方式僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

實(shí)施例

本實(shí)施例所述超高密度服務(wù)器結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括：主板、散熱單元、電源、存儲單元、網(wǎng)絡(luò)傳輸單元和機(jī)箱；

所述機(jī)箱分為前區(qū)和后區(qū)，所述前區(qū)設(shè)置存儲單元，所述后區(qū)設(shè)置主板、電源和網(wǎng)絡(luò)傳輸單元；所述存儲單元包括3.5寸大容量硬盤組和2.5寸硬盤組；所述散熱單元包括設(shè)置在機(jī)箱前面板上的網(wǎng)孔和設(shè)置在所述后區(qū)的散熱風(fēng)扇組，所述網(wǎng)孔與所述散熱風(fēng)扇組相對設(shè)置且所述網(wǎng)孔與所述散熱風(fēng)扇組之間的區(qū)域?yàn)榇鎯卧惭b區(qū)；所述后區(qū)分上、中、下三層，上層設(shè)置電源，中層設(shè)置散熱風(fēng)扇組，下層設(shè)置網(wǎng)絡(luò)傳輸單元和主板。

更詳細(xì)的解釋說明為：

(一)參照圖1，所述機(jī)箱的前面板即為前區(qū)的前面板，在所述前面板上還設(shè)置與電源連接的電源控制板。所述機(jī)箱為標(biāo)準(zhǔn)4U機(jī)箱結(jié)構(gòu)，便于機(jī)房統(tǒng)一部署和管理大量的服務(wù)器資源。

(二)參照圖2，所述存儲單元包括3.5寸大容量硬盤組，具體為：所述3.5寸大容量硬盤組中包括90塊3.5寸大容量硬盤，排列方式為：15塊3.5寸大容量硬盤為一排，共6排，且相鄰兩排中任意兩個(gè)相對設(shè)置的3.5寸大容量硬盤的硬盤數(shù)據(jù)線口相對設(shè)置；每個(gè)3.5寸大容量硬盤為豎插式硬盤，豎插式硬盤豎直插入機(jī)箱底面上設(shè)置的硬盤安裝口，通過所述硬盤安裝口，每塊3.5寸大容量硬盤與主板連接。由于空間限制并且需要保證能夠使用標(biāo)準(zhǔn)3.5寸硬盤，所以存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)將標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器使用的橫插式硬盤改為豎插式硬盤，以此保證整機(jī)可達(dá)90塊硬盤的規(guī)格。

所述2.5寸硬盤組包括2塊2.5寸硬盤。

(三)參照圖3，所述后區(qū)的中層并排設(shè)置五個(gè)風(fēng)扇安裝孔，所述散熱風(fēng)扇組包括五個(gè)熱插拔風(fēng)扇，熱插拔風(fēng)扇與風(fēng)扇安裝孔一一對應(yīng)安裝。采用5個(gè)熱插拔風(fēng)扇為整個(gè)存儲服務(wù)器結(jié)構(gòu)提供散熱，采用吸風(fēng)式優(yōu)先對主板上的處理器、內(nèi)存等發(fā)熱量高的部件散熱，5個(gè)熱插拔風(fēng)扇互相冗余。為匹配機(jī)箱空間，熱插拔風(fēng)扇的長度尺寸為8cm。

參照圖4，所述后區(qū)的上層并排設(shè)置四個(gè)電源安裝孔，所述電源包括四個(gè)熱插拔電源模塊，所述熱插拔電源模塊與所述電源安裝孔一一對應(yīng)安裝。所述熱插拔電源模塊為1000W鈦金電源模塊。采用4個(gè)1000W業(yè)界最高性能的鈦金電源，轉(zhuǎn)換效率高達(dá)96％。4個(gè)熱插拔電源模塊之間互相冗余，保證設(shè)備的高安全性及高可用性。支持PMBUS冗余電源，支持智能帶外管理功能。為匹配機(jī)箱空間，所述熱插拔電源模塊的尺寸為73.5×40×185mm。

參照圖5和圖6，所述主板為半寬型主板，將主板設(shè)計(jì)在機(jī)箱后側(cè)電源下方的空間內(nèi)安裝，既與存儲系統(tǒng)不干涉，又能夠離散熱風(fēng)扇最接近以此來實(shí)現(xiàn)單位空間內(nèi)的固定安裝及散熱。所述主板為支持全新平臺的Intel XeonBroadwell-EP E5-2600V4系列處理器，首次引入14nm新工藝、性能比上代最高提升44％，核心數(shù)最高22個(gè)，支持DDR4-2400高速內(nèi)存。

參照圖7，所述網(wǎng)絡(luò)傳輸單元包括設(shè)置在后區(qū)的下層面板上且均分別與主板連接的網(wǎng)絡(luò)傳輸板和IPMI管理網(wǎng)口。所述網(wǎng)絡(luò)傳輸板上設(shè)置4個(gè)10GbE端口。通過四個(gè)10GbE端口，保證在有限的空間下實(shí)現(xiàn)極速網(wǎng)絡(luò)I/O，保證大數(shù)據(jù)對外傳輸性能，實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)性能飛躍。通過獨(dú)立的IPMI管理網(wǎng)口，實(shí)現(xiàn)完整的IPMI2.0遠(yuǎn)程系統(tǒng)監(jiān)控、遠(yuǎn)程KVM、虛擬媒體等各種管理功能。

通過采用本實(shí)用新型公開的上述技術(shù)方案，得到了如下有益的效果：

本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了在標(biāo)準(zhǔn)4U機(jī)箱的空間里，提供了90個(gè)3.5寸的盤位，安裝8TB硬盤，單臺服務(wù)器存儲空間可達(dá)720T，存儲密度極大。而且還提供了2個(gè)2.5寸的盤位用做系統(tǒng)盤。對于定位為海量冷存儲的產(chǎn)品，高密度、高容量、高性價(jià)比的超高密度服務(wù)器結(jié)構(gòu)滿足用戶的需求。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。