本實用新型涉及移動存儲技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種高速傳輸?shù)囊苿佑脖P。

背景技術(shù)：

目前，市場上主流的移動硬盤一般采用USB轉(zhuǎn)SATA控制芯片搭載SSD控制芯片及閃存顆粒的方式來實現(xiàn)，現(xiàn)有的USB傳輸接口按帶寬來分為USB2.0（480Mb/s）、USB3.0（5Gb/s）、及USB3.1（10Gb/s），隨著近年來各主機板廠和整機廠商陸續(xù)推出設(shè)有USB3.1接口的硬件，而SATAⅢ接口的帶寬只能達到800MB/s，USB3.1的數(shù)據(jù)傳輸速度已遠遠超于SATAⅢ的讀寫速度。設(shè)有USB3.1接口的移動硬盤采用USB3.1轉(zhuǎn)SATAⅢ接口轉(zhuǎn)換芯片、SSD控制芯片及閃存顆粒來實現(xiàn)，但由于SATAⅢ接口的帶寬只有6Gb/s，遠小于USB3.1接口的帶寬，在數(shù)據(jù)傳輸時，移動硬盤的傳輸瓶頸就集中在SATAⅢ接口上，無法將USB3.1的性能充分發(fā)揮。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)有USB3.1接口的移動硬盤由于SATAⅢ接口的帶寬與USB3.1接口的傳輸速度不匹配導(dǎo)致傳輸速度存在瓶頸的問題，本實用新型提供一種高速傳輸?shù)囊苿佑脖P，采用USB3.1轉(zhuǎn)換芯片搭配兩組帶有SATAⅢ接口的存儲芯片，通過第一SSD存儲芯片及第二SSD存儲芯片組成RAID0的方式，實現(xiàn)第一SSD存儲芯片及第二SSD存儲芯片的存儲容量疊加，讀寫性能疊加，使得其帶寬達到12Gb/s，從而匹配了USB3.1接口10Gb/s傳輸帶寬的要求，使USB3.1的高速傳輸性能得到充分發(fā)揮，具有結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、高速傳輸及性能穩(wěn)定等特點。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的一個技術(shù)方案是：提供一種高速傳輸?shù)囊苿佑脖P，包括設(shè)置于同一PCB板上倆倆相連的USB轉(zhuǎn)SATAⅢ控制芯片、存儲芯片及電源管理芯片；其中，所述存儲芯片包括組成RAID0的第一SSD存儲芯片及第二SSD存儲芯片，所述USB轉(zhuǎn)SATAⅢ控制芯片的一端與外部USB3.1接口相連，另一端分別與所述第一SSD存儲芯片及所述第二SSD存儲芯片相連。

優(yōu)選地，所述第一SSD存儲芯片及所述第二SSD存儲芯片均為SATAⅢ接口。

優(yōu)選地，所述第一SSD存儲芯片及所述第二SSD存儲芯片為NAND型閃存芯片顆粒。

優(yōu)選地，所述存儲芯片的數(shù)據(jù)帶寬為12Gb/S。

本實用新型的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實用新型的高速傳輸?shù)囊苿佑脖P采用USB3.1轉(zhuǎn)換芯片搭配兩組帶有SATAⅢ接口的存儲芯片，通過第一SSD存儲芯片及第二SSD存儲芯片組成RAID0的方式，實現(xiàn)第一SSD存儲芯片及第二SSD存儲芯片的存儲容量疊加，讀寫性能疊加，使得其帶寬達到12Gb/s，從而匹配了USB3.1接口10Gb/s傳輸帶寬的要求，使USB3.1的高速傳輸性能得到充分發(fā)揮，具有結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、高速傳輸及性能穩(wěn)定等特點。

附圖說明

圖1為本實用新型的一種高速傳輸?shù)囊苿佑脖P的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖詳細說明本實用新型的優(yōu)選實施例。

請參閱圖1，本實用新型提供一種高速傳輸?shù)囊苿佑脖P1，包括設(shè)置于同一PCB板上倆倆相連的USB轉(zhuǎn)SATAⅢ控制芯片101、存儲芯片102及電源管理芯片103；其中，存儲芯片102的數(shù)據(jù)帶寬為12Gb/S，存儲芯片102包括組成RAID0的第一SSD存儲芯片102a及第二SSD存儲芯片102b，USB轉(zhuǎn)SATAⅢ控制芯片101的一端與外部USB3.1接口相連，另一端分別與第一SSD存儲芯片102a及第二SSD存儲芯片102b相連。

在本實用新型中，第一SSD存儲芯片102a及第二SSD存儲芯片102b為NAND型閃存芯片顆粒。第一SSD存儲芯片102a及第二SSD存儲芯片102b均為SATAⅢ接口，第一SSD存儲芯片102a及第二SSD存儲芯片102b通過兩組SATAⅢ接口組成一個RAID0陣列，作為存放數(shù)據(jù)的存儲區(qū)域，存儲芯片102自身會進行優(yōu)化管理。

在本實用新型中，電源管理芯片103分別與USB轉(zhuǎn)SATAⅢ控制芯片101、存儲芯片102相連，用于提供USB轉(zhuǎn)SATAⅢ控制芯片101及存儲芯片102所需要的電壓和電流，確保它們的正常運行。

請繼續(xù)參閱圖1，本實用新型高速傳輸?shù)囊苿佑脖P的工作過程如下：

當需要使用高速傳輸?shù)囊苿佑脖P1時，使用者只需將本實用新型移動硬盤1與主機端的USB口相連接，USB轉(zhuǎn)SATAⅢ控制芯片101將USB信號轉(zhuǎn)化成兩組SATAⅢ信號，并傳送給由第一SSD存儲芯片102a及第二SSD存儲芯片102b組成的RAID0陣列，這樣形成容量及讀寫性能的疊加，從而實現(xiàn)達到12Gb/S的帶寬,滿足USB3.1 10Gb/s的帶寬，從而將USB3.1的性能充分發(fā)揮，高速完成存儲芯片102與主機端進行數(shù)據(jù)交換和存儲過程。

本實用新型的高速傳輸?shù)囊苿佑脖P采用USB3.1轉(zhuǎn)換芯片搭配兩組帶有SATAⅢ接口的存儲芯片，通過第一SSD存儲芯片及第二SSD存儲芯片組成RAID0的方式，實現(xiàn)第一SSD存儲芯片及第二SSD存儲芯片的存儲容量疊加，讀寫性能疊加，使得其帶寬達到12Gb/s，從而匹配了USB3.1接口10Gb/s傳輸帶寬的要求，使USB3.1的高速傳輸性能得到充分發(fā)揮，具有結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、高速傳輸及性能穩(wěn)定等特點。

以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。