本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控顯示面板、觸控顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著觸摸技術(shù)日漸進(jìn)入人們的生活，觸摸屏正變的越來(lái)越普及，觸摸屏可分為外掛式、外嵌式和內(nèi)嵌式，外掛式可以將具有觸控(touch)功能的面板定位在顯示器前方，觸摸表面覆蓋顯示區(qū)域的可視區(qū)域，實(shí)現(xiàn)觸控；外嵌式(On Cell)一般將觸摸傳感器(sensor)制作在液晶顯示屏的外側(cè)，然后貼附偏光片保護(hù)玻璃等；內(nèi)嵌式(In Cell)一般將sensor制作在陣列基板側(cè)，或制作在陣列基板和彩膜基板側(cè)，然后制作成液晶顯示面板，實(shí)現(xiàn)觸摸功能。由于In Cell產(chǎn)品更薄，該產(chǎn)品將成為未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)In Cell類型的觸控顯示面板包括襯底基板10、設(shè)置在襯底基板10上的若干陣列排列的觸摸電極塊12、若干觸摸走線13，以及觸控芯片11，每一觸摸電極塊12通過(guò)一條觸摸走線13與觸控芯片11電連接。觸摸電極塊12與觸摸走線13之間設(shè)置有絕緣層(圖中未示出)，觸摸走線13通過(guò)貫穿該絕緣層的過(guò)孔14與觸摸電極塊12電連接。其中，觸摸電極塊12采用公共電極復(fù)用的形式，在顯示階段，觸摸電極塊12需要恢復(fù)到公共電壓。

圖1所示的觸控顯示面板在H-Blank Sensor模式下觸控檢測(cè)完成出坑時(shí)，由于集成電路(Integrated Circuit，IC)驅(qū)動(dòng)能力不足，公共電壓(Vcom)恢復(fù)緩慢，影響觸控顯示面板出坑后的正常顯示。

如圖2所示，H-Blank Sensor模式指在一幀顯示時(shí)間內(nèi)，顯示時(shí)間和觸控檢測(cè)時(shí)間交替分布，相鄰兩顯示時(shí)間之間的觸控階段被定義為坑，由顯示階段切換到觸控檢測(cè)階段的切換時(shí)間點(diǎn)被定義為進(jìn)坑時(shí)，由觸控檢測(cè)階段切換到顯示階段的切換時(shí)間點(diǎn)被定義為出坑時(shí)，因此，進(jìn)坑前指觸控顯示面板處于顯示時(shí)間段，進(jìn)坑后指觸控顯示面板處于觸控檢測(cè)時(shí)間段，出坑后指觸控顯示面板處于顯示時(shí)間段，圖2示出了觸控顯示面板工作時(shí)的源極(Source)信號(hào)、時(shí)鐘(CLK)信號(hào)和Vcom信號(hào)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。

如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)在H-Blank Sensor模式下觸控檢測(cè)完成出坑時(shí)，觸摸電極塊12恢復(fù)到公共電壓僅通過(guò)觸摸走線13進(jìn)行充電實(shí)現(xiàn)，由于IC驅(qū)動(dòng)能力不足，觸摸電極塊12恢復(fù)到公共電壓的恢復(fù)過(guò)程緩慢，恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，影響觸控顯示面板出坑后的正常顯示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種觸控顯示面板、觸控顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)在顯示階段觸摸電極塊恢復(fù)到公共電壓的恢復(fù)過(guò)程緩慢的問(wèn)題。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種觸控顯示面板，包括：襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的若干陣列排列的觸摸電極塊、若干觸摸走線，以及觸控芯片，每一所述觸摸電極塊通過(guò)一條所述觸摸走線與所述觸控芯片電連接，其中，還包括：至少一開(kāi)關(guān)晶體管、存儲(chǔ)電容、第一控制芯片和第二控制芯片；

所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制芯片連接，源極與所述存儲(chǔ)電容連接，漏極與所述觸摸電極塊連接；

所述存儲(chǔ)電容的另一端與所述第二控制芯片連接；

所述第一控制芯片用于，在進(jìn)坑前，輸出第一控制信號(hào)，控制所述開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)閉；以及，在出坑時(shí)，輸出第二控制信號(hào)，控制所述開(kāi)關(guān)晶體管打開(kāi)；

所述第二控制芯片用于，在進(jìn)坑前，輸出充電信號(hào)，對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，使得所述存儲(chǔ)電容的電壓為預(yù)設(shè)電壓。

由本實(shí)用新型實(shí)施例提供的觸控顯示面板，由于本實(shí)用新型實(shí)施例中開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與第一控制芯片連接，源極與存儲(chǔ)電容連接，漏極與觸摸電極塊連接，因此，當(dāng)出坑時(shí)，第一控制芯片控制開(kāi)關(guān)晶體管打開(kāi)后，觸摸電極塊與存儲(chǔ)電容導(dǎo)通，而由于在進(jìn)坑前，存儲(chǔ)電容被充電到預(yù)設(shè)電壓，因此，觸摸電極塊與存儲(chǔ)電容之間存在電壓差，存儲(chǔ)電容會(huì)通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管迅速對(duì)所有的觸摸電極塊進(jìn)行充電，與現(xiàn)有技術(shù)出坑時(shí)僅通過(guò)觸摸走線對(duì)觸摸電極塊充電相比，本實(shí)用新型實(shí)施例在出坑時(shí)，不僅通過(guò)觸摸走線對(duì)觸摸電極塊充電，同時(shí)還通過(guò)存儲(chǔ)電容對(duì)觸摸電極塊充電，這樣可使觸摸電極塊迅速完成充電，減小了觸摸電極塊的充電時(shí)間，縮短了觸摸電極塊恢復(fù)到公共電壓的恢復(fù)時(shí)間。

較佳地，出坑后，所述第一控制芯片還用于，當(dāng)檢測(cè)到所述觸摸電極塊的電壓與所述存儲(chǔ)電容的電壓相等時(shí)，輸出第一控制信號(hào)，控制所述開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)閉；

所述第二控制芯片還用于，當(dāng)檢測(cè)到所述觸摸電極塊的電壓與所述存儲(chǔ)電容的電壓相等時(shí)，輸出截止信號(hào)，停止對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電。

較佳地，出坑后，所述第二控制芯片還用于，當(dāng)檢測(cè)到所述觸摸電極塊的電壓為公共電壓時(shí)，輸出充電信號(hào)，對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，使得所述存儲(chǔ)電容的電壓為預(yù)設(shè)電壓。

較佳地，所述預(yù)設(shè)電壓的絕對(duì)值大于或等于所述公共電壓的絕對(duì)值。

較佳地，所述存儲(chǔ)電容設(shè)置在所述襯底基板的周邊區(qū)域。

較佳地，所述存儲(chǔ)電容的圖案形狀為框形。

較佳地，所述開(kāi)關(guān)晶體管的個(gè)數(shù)與所述觸摸電極塊的個(gè)數(shù)相同，每一所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制芯片連接，源極與所述存儲(chǔ)電容連接，漏極與一所述觸摸電極塊分別一一對(duì)應(yīng)電連接。

較佳地，所述開(kāi)關(guān)晶體管為N型薄膜晶體管。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種觸控顯示裝置，該觸控顯示裝置包括上述的觸控顯示面板。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)觸控顯示面板的驅(qū)動(dòng)時(shí)序示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種觸控顯示面板的驅(qū)動(dòng)時(shí)序示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種觸控顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法流程圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種觸控顯示面板、觸控顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)在顯示階段觸摸電極塊恢復(fù)到公共電壓的恢復(fù)過(guò)程緩慢的問(wèn)題。

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供的觸控顯示面板。

附圖中各膜層區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本實(shí)用新型內(nèi)容。

如圖3所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供了一種觸控顯示面板，包括：襯底基板10、設(shè)置在襯底基板10上的若干陣列排列的觸摸電極塊12、若干觸摸走線13，以及觸控芯片11，每一觸摸電極塊12通過(guò)一條觸摸走線13與觸控芯片11電連接，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的觸控顯示面板還包括：至少一開(kāi)關(guān)晶體管33、存儲(chǔ)電容34、第一控制芯片31和第二控制芯片32；

開(kāi)關(guān)晶體管33的柵極與第一控制芯片31連接，源極與存儲(chǔ)電容34連接，漏極與觸摸電極塊12連接；

存儲(chǔ)電容34的另一端與第二控制芯片32連接；

第一控制芯片31用于，在進(jìn)坑前，輸出第一控制信號(hào)，控制開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)閉；以及，在出坑時(shí)，輸出第二控制信號(hào)，控制開(kāi)關(guān)晶體管打開(kāi)；

第二控制芯片32用于，在進(jìn)坑前，輸出充電信號(hào)，對(duì)存儲(chǔ)電容34充電，使得存儲(chǔ)電容34的電壓為預(yù)設(shè)電壓。

由于本實(shí)用新型具體實(shí)施例中開(kāi)關(guān)晶體管33的柵極與第一控制芯片31連接，源極與存儲(chǔ)電容34連接，漏極與觸摸電極塊12連接，而當(dāng)出坑時(shí)，第一控制芯片31控制開(kāi)關(guān)晶體管33打開(kāi)，此時(shí)觸摸電極塊12與存儲(chǔ)電容34導(dǎo)通，而在進(jìn)坑前，存儲(chǔ)電容34被充電到預(yù)設(shè)電壓，開(kāi)關(guān)晶體管33關(guān)閉，因此，出坑時(shí)觸摸電極塊12與存儲(chǔ)電容34之間存在電壓差，存儲(chǔ)電容34會(huì)通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管33迅速對(duì)所有的觸摸電極塊12進(jìn)行充電；與現(xiàn)有技術(shù)出坑時(shí)僅通過(guò)觸摸走線13對(duì)觸摸電極塊12充電相比，本實(shí)用新型具體實(shí)施例在出坑時(shí)，不僅通過(guò)觸摸走線13對(duì)觸摸電極塊12充電，同時(shí)還通過(guò)存儲(chǔ)電容34對(duì)觸摸電極塊12充電，這樣可使觸摸電極塊12迅速完成充電，減小了出坑時(shí)觸摸電極塊12的充電時(shí)間，縮短了觸摸電極塊12恢復(fù)到公共電壓的恢復(fù)時(shí)間，有效解決了顯示階段觸摸電極塊12恢復(fù)到公共電壓的恢復(fù)過(guò)程緩慢的問(wèn)題。

具體地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的開(kāi)關(guān)晶體管33和存儲(chǔ)電容34之間設(shè)置有絕緣層(圖3中未示出)，開(kāi)關(guān)晶體管33的源極通過(guò)貫穿絕緣層的過(guò)孔35與存儲(chǔ)電容34連接；另外，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的第二控制芯片32與存儲(chǔ)電容34通過(guò)過(guò)孔36實(shí)現(xiàn)電連接。本實(shí)用新型具體實(shí)施例觸摸電極塊12和觸摸走線13的設(shè)置與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

優(yōu)選地，如圖3所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中開(kāi)關(guān)晶體管33的個(gè)數(shù)與觸摸電極塊12的個(gè)數(shù)相同，每一開(kāi)關(guān)晶體管33的柵極與第一控制芯片31連接，源極與存儲(chǔ)電容34連接，漏極與一觸摸電極塊12分別一一對(duì)應(yīng)電連接。在具體實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中開(kāi)關(guān)晶體管33的源極和漏極根據(jù)輸入信號(hào)的不同，其功能可以互換，在此不做具體區(qū)分。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的開(kāi)關(guān)晶體管33為N型薄膜晶體管，當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，開(kāi)關(guān)晶體管33還可以選擇P型薄膜晶體管，本實(shí)用新型具體實(shí)施例僅以開(kāi)關(guān)晶體管33為N型薄膜晶體管為例進(jìn)行介紹。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的存儲(chǔ)電容34設(shè)置在襯底基板10的周邊區(qū)域，具體實(shí)施時(shí)，如襯底基板10為制作陣列基板的襯底基板，存儲(chǔ)電容34設(shè)置在封框膠對(duì)應(yīng)的襯底基板10上，這樣不影響觸控性能和顯示效果。具體實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的存儲(chǔ)電容34的上、下電極板可以采用單獨(dú)增加的掩膜板制作，也可以與陣列基板上的導(dǎo)電膜層同層制作，如：本實(shí)用新型具體實(shí)施例中存儲(chǔ)電容34的上電極板與陣列基板包括的公共電極層同層制作，下電極板與陣列基板包括的柵極層同層制作。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的存儲(chǔ)電容34的圖案形狀為框形，框形的存儲(chǔ)電容34設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單，且得到的存儲(chǔ)電容34能夠存儲(chǔ)更多的電荷。當(dāng)然，實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，存儲(chǔ)電容34的圖案形狀還可以設(shè)計(jì)為其它對(duì)稱或非對(duì)稱、規(guī)則或不規(guī)則的形狀，本實(shí)用新型具體實(shí)施例并不對(duì)存儲(chǔ)電容34的圖案形狀做具體限定。

下面結(jié)合圖3和圖4詳細(xì)介紹本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供的觸控顯示面板的工作過(guò)程。

如圖3和圖4所示，首先，在進(jìn)坑前，第二控制芯片32輸出充電信號(hào)，對(duì)存儲(chǔ)電容34充電，使得存儲(chǔ)電容34的電壓為預(yù)設(shè)電壓，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的預(yù)設(shè)電壓為預(yù)先設(shè)定的電壓值，該電壓值可以與公共電壓的電壓值相等；第一控制芯片31輸出第一控制信號(hào)，控制所有的開(kāi)關(guān)晶體管33關(guān)閉，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的第一控制信號(hào)為低電平電壓(VGL)控制信號(hào)，此時(shí)觸摸電極塊12保持公共電壓。本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的進(jìn)坑前指即將進(jìn)坑之前的顯示時(shí)間段，出坑后指剛出坑之后的顯示時(shí)間段。

接著，進(jìn)坑后，觸控芯片11通過(guò)觸摸走線13將觸摸電極塊12的電位恢復(fù)到接地(GND)電壓，并通過(guò)觸摸走線13發(fā)送觸控檢測(cè)方波信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)完成后，再通過(guò)觸摸走線13將觸摸電極塊12的電位恢復(fù)到接地(GND)電壓，本實(shí)用新型具體實(shí)施例進(jìn)坑后的觸控檢測(cè)過(guò)程與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

接著，出坑時(shí)，觸控芯片11通過(guò)觸摸走線13輸出公共電壓對(duì)觸摸電極塊12充電，同時(shí)，第一控制芯片31輸出第二控制信號(hào)，控制所有的開(kāi)關(guān)晶體管33打開(kāi)，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的第二控制信號(hào)為高電平電壓(VGH)控制信號(hào)，此時(shí)觸摸電極塊12與存儲(chǔ)電容34導(dǎo)通，由于在進(jìn)坑前存儲(chǔ)電容34被充電到預(yù)設(shè)電壓，此時(shí)觸摸電極塊12與存儲(chǔ)電容34之間存在電壓差，存儲(chǔ)電容34會(huì)通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管33迅速對(duì)所有的觸摸電極塊12進(jìn)行充電，充電完成后，觸摸電極塊12在下次進(jìn)坑前一直保持公共電壓。其中，本實(shí)用新型具體實(shí)施例通過(guò)觸摸走線13輸出公共電壓對(duì)觸摸電極塊12充電的過(guò)程與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

因此，本實(shí)用新型具體實(shí)施例在出坑時(shí)，不僅會(huì)通過(guò)觸摸走線13對(duì)觸摸電極塊12充電，同時(shí)還通過(guò)存儲(chǔ)電容34對(duì)觸摸電極塊12充電，與現(xiàn)有技術(shù)僅通過(guò)觸摸走線13對(duì)觸摸電極塊12充電相比，本實(shí)用新型具體實(shí)施例可使觸摸電極塊12迅速充電到公共電壓，減小了觸摸電極塊12的充電時(shí)間，縮短了觸摸電極塊12恢復(fù)到公共電壓的恢復(fù)時(shí)間，具體比較結(jié)果如圖2和圖4所示。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例在出坑后，當(dāng)觸摸電極塊12的電壓與存儲(chǔ)電容34的電壓相等時(shí)，即觸摸電極塊12與存儲(chǔ)電容34之間不再存在電壓差時(shí)，此時(shí)存儲(chǔ)電容34已經(jīng)不能再給觸摸電極塊12進(jìn)行充電，此時(shí)，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的第一控制芯片31在檢測(cè)到觸摸電極塊12的電壓與存儲(chǔ)電容34的電壓相等時(shí)，輸出第一控制信號(hào)，控制所有的開(kāi)關(guān)晶體管33關(guān)閉，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的第二控制芯片32在檢測(cè)到觸摸電極塊12的電壓與存儲(chǔ)電容34的電壓相等時(shí)，輸出截止信號(hào)，停止對(duì)存儲(chǔ)電容34充電，這時(shí)，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的觸控芯片11會(huì)迅速通過(guò)觸摸走線13將觸摸電極塊12充電到公共電壓。

本實(shí)用新型具體實(shí)施例由于在觸摸電極塊12的電壓與存儲(chǔ)電容34的電壓相等時(shí)，斷開(kāi)了存儲(chǔ)電容34和觸摸電極塊12的連接，不僅能夠減小觸控芯片11的驅(qū)動(dòng)負(fù)載，也能夠進(jìn)一步減小觸摸電極塊12的充電時(shí)間。另外，停止對(duì)存儲(chǔ)電容34充電，能夠減小整個(gè)觸控顯示面板的芯片的驅(qū)動(dòng)負(fù)載。

在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，本實(shí)用新型具體實(shí)施例為了進(jìn)一步減小整個(gè)觸控顯示面板的芯片的驅(qū)動(dòng)負(fù)載，對(duì)觸摸電極塊12充電完成后，再對(duì)存儲(chǔ)電容34充電，以補(bǔ)充損失的電荷。具體地，出坑后，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的第二控制芯片32檢測(cè)到觸摸電極塊12的電壓為公共電壓時(shí)，輸出充電信號(hào)，對(duì)存儲(chǔ)電容34充電，使得存儲(chǔ)電容34的電壓為預(yù)設(shè)電壓。

具體實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的預(yù)設(shè)電壓的絕對(duì)值大于或等于公共電壓的絕對(duì)值，當(dāng)本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的預(yù)設(shè)電壓的絕緣值大于公共電壓的絕對(duì)值時(shí)，能夠進(jìn)一步減小觸摸電極塊12的充電時(shí)間。預(yù)設(shè)電壓的具體值根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)進(jìn)行設(shè)置，如：當(dāng)預(yù)設(shè)電壓的絕對(duì)值設(shè)置的較大時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致觸摸電極塊12的過(guò)充，此時(shí)需要通過(guò)觸控芯片11放電，以保證觸摸電極塊12的電壓為公共電壓。

本實(shí)用新型具體實(shí)施例還提供了一種觸控顯示裝置，該觸控顯示裝置包括本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供的上述觸控顯示面板，該觸控顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。

下面簡(jiǎn)單的介紹一下本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供的上述觸控顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，如圖5所示，該方法包括：

S501、進(jìn)坑前，第二控制芯片輸出充電信號(hào)，對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，使得所述存儲(chǔ)電容的電壓為預(yù)設(shè)電壓；以及，第一控制芯片輸出第一控制信號(hào)，控制開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)閉；

S502、進(jìn)坑后，觸摸走線向觸摸電極塊傳遞觸控掃描信號(hào)，且將發(fā)生觸控位置處的觸摸電極塊產(chǎn)生的觸摸信號(hào)傳輸?shù)接|控芯片；

S503、出坑時(shí)，第一控制芯片輸出第二控制信號(hào)，控制開(kāi)關(guān)晶體管打開(kāi)。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中觸控顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法還包括：出坑后，當(dāng)觸摸電極塊的電壓與存儲(chǔ)電容的電壓相等時(shí)，第一控制芯片輸出第一控制信號(hào)，控制開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)閉；第二控制芯片輸出截止信號(hào)，停止對(duì)存儲(chǔ)電容充電。這時(shí)，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的觸控芯片11會(huì)迅速通過(guò)觸摸走線13將觸摸電極塊12充電到公共電壓，不僅能夠減小觸控芯片11的驅(qū)動(dòng)負(fù)載，也能夠進(jìn)一步減小觸摸電極塊12的充電時(shí)間。另外，停止對(duì)存儲(chǔ)電容34充電，能夠減小整個(gè)觸控顯示面板的芯片的驅(qū)動(dòng)負(fù)載。

進(jìn)一步地，為了減小整個(gè)觸控顯示面板的芯片的驅(qū)動(dòng)負(fù)載，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中觸控顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法還包括：出坑后，當(dāng)觸摸電極塊的電壓為公共電壓時(shí)，第二控制芯片輸出充電信號(hào)，對(duì)存儲(chǔ)電容充電，使得存儲(chǔ)電容的電壓為預(yù)設(shè)電壓。這樣，補(bǔ)充了存儲(chǔ)電容損失的電荷，為下一次給觸摸電極塊充電做充分的準(zhǔn)備。

另外，本實(shí)用新型具體實(shí)施例步驟S502進(jìn)坑后觸控芯片的觸控檢測(cè)過(guò)程以及具體驅(qū)動(dòng)方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

綜上所述，本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供一種觸控顯示面板，包括：襯底基板、設(shè)置在襯底基板上的若干陣列排列的觸摸電極塊、若干觸摸走線，以及觸控芯片，每一觸摸電極塊通過(guò)一條觸摸走線與觸控芯片電連接，其中，還包括：至少一開(kāi)關(guān)晶體管、存儲(chǔ)電容、第一控制芯片和第二控制芯片；開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與第一控制芯片連接，源極與存儲(chǔ)電容連接，漏極與觸摸電極塊連接；存儲(chǔ)電容的另一端與第二控制芯片連接；第一控制芯片用于，在進(jìn)坑前，輸出第一控制信號(hào)，控制開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)閉；以及，在出坑時(shí)，輸出第二控制信號(hào)，控制開(kāi)關(guān)晶體管打開(kāi)；第二控制芯片用于，在進(jìn)坑前，輸出充電信號(hào)，對(duì)存儲(chǔ)電容充電，使得存儲(chǔ)電容的電壓為預(yù)設(shè)電壓。由于本實(shí)用新型具體實(shí)施例中開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與第一控制芯片連接，源極與存儲(chǔ)電容連接，漏極與觸摸電極塊連接，因此，當(dāng)出坑時(shí)，第一控制芯片控制開(kāi)關(guān)晶體管打開(kāi)后，觸摸電極塊與存儲(chǔ)電容導(dǎo)通，而由于在進(jìn)坑前，存儲(chǔ)電容被充電到預(yù)設(shè)電壓，因此，觸摸電極塊與存儲(chǔ)電容之間存在電壓差，存儲(chǔ)電容會(huì)通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管迅速對(duì)所有的觸摸電極塊進(jìn)行充電，與現(xiàn)有技術(shù)出坑時(shí)僅通過(guò)觸摸走線對(duì)觸摸電極塊充電相比，本實(shí)用新型具體實(shí)施例在出坑時(shí)，不僅通過(guò)觸摸走線對(duì)觸摸電極塊充電，同時(shí)還通過(guò)存儲(chǔ)電容對(duì)觸摸電極塊充電，這樣可使觸摸電極塊迅速完成充電，減小了觸摸電極塊的充電時(shí)間，縮短了觸摸電極塊恢復(fù)到公共電壓的恢復(fù)時(shí)間。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。