1.一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：包括包絡(luò)檢波器、紋波噪聲濾波器、
低通濾波器和遲滯比較器，所述包絡(luò)檢波器設(shè)有自舉電路，所述包絡(luò)檢波器的輸入端與射頻信號(hào)輸入端連接，所述包絡(luò)檢波器的輸出端分別與紋波噪聲濾波器的輸入端以及低通濾波器的輸入端連接，所述紋波噪聲濾波器的輸出端以及低通濾波器的輸出端均與遲滯比較器的輸入端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：所述包絡(luò)檢波器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容和第六電容，所述第一電容的一端、第五電容的一端和第六電容的一端均與射頻信號(hào)輸入端連接，所述第一電容的另一端分別與第二MOS管的源極以及第三MOS管的漏極連接，所述第二MOS管的漏極分別與第三MOS管的柵極、第五MOS管的柵極以及第四電容的一端連接，所述第三MOS管的源極分別與第二MOS管的柵極、第四電容的另一端、第五MOS管的源極、第二電容的一端、紋波噪聲濾波器的輸入端以及低通濾波器的輸入端連接，所述第二電容的另一端與接地端連接，所述第五MOS管的源極還與第四MOS管的襯底連接，所述第五MOS管的襯底分別與第四MOS管的源極以及接地端連接，所述第五MOS管的漏極分別與第四MOS管的漏極以及第五電容的另一端連接，所述第四MOS管的柵極分別與第三電容的一端、第一MOS管的源極、第六MOS管的柵極連接，所述第一MOS管的漏極和第六MOS管的源極均與第六電容的另一端連接，所述第六MOS管的漏極、第一MOS管的柵極和第三電容的另一端均與接地端連接，所述第一MOS管的襯底、第二MOS管的襯底、第三MOS管的襯底和第六MOS管的襯底均懸空。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：所述遲滯比較器包括兩級(jí)差分運(yùn)算放大器、第一級(jí)反相器和第二級(jí)反相器，所述兩級(jí)差分運(yùn)算放大器的輸入端分別與紋波噪聲濾波器的輸出端以及低通濾波器的輸出端連接，所述兩級(jí)差分運(yùn)算放大器的輸出端與第一級(jí)反相器的輸入端連接，所述第一級(jí)反相器的輸出端與第二級(jí)反相器的輸入端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：所述第一MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第六MOS管均采用PMOS管，所述第二MOS管和第四MOS管均采用NMOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：所述兩級(jí)差分運(yùn)算放大器包括電流偏置晶體管、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一負(fù)載晶體管、第二負(fù)載晶體管、第三負(fù)載晶體管、第四負(fù)載晶體管、第五負(fù)載晶體管和第六負(fù)載晶體管，所述第一晶體管的柵極與低通濾波器的輸出端連接 ，所述第一晶體管的源極分別與第五負(fù)載晶體管的柵極、第三負(fù)載晶體管的漏極、第一負(fù)載晶體管的漏極、第一負(fù)載晶體管的柵極和第二負(fù)載晶體管的柵極連接，所述第二晶體管的柵極與紋波噪聲濾波器的輸出端連接，所述第二晶體管的源極分別與第六負(fù)載晶體管的柵極、第四負(fù)載晶體管的漏極、第二負(fù)載晶體管的漏極、第三負(fù)載晶體管的柵極和第四負(fù)載晶體管的柵極連接，所述第一晶體管的漏極、第二晶體管的漏極均與電流偏置晶體管的源極連接，所述第五負(fù)載晶體管的漏極分別與第三晶體管的柵極、第三晶體管的源極和第四晶體管的柵極連接，所述第三晶體管的漏極 、電流偏置晶體管的漏極以及第四晶體管的漏極均與第一級(jí)反相器的輸入端連接，所述第六負(fù)載晶體管的漏極分別與第四晶體管的源極以及第一級(jí)反相器的輸入端連接，所述第一負(fù)載晶體管的源極、第二負(fù)載晶體管的源極、第三負(fù)載晶體管的源極、第四負(fù)載晶體管的源極、第五負(fù)載晶體管的源極和第六負(fù)載晶體管的源極均與第一級(jí)反相器的輸入端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：所述第一級(jí)反相器包括第一管對(duì)，所述第二級(jí)反相器包括第二管對(duì)，所述第一管對(duì)和第二管對(duì)均由一對(duì)共源共柵的PMOS管和NMOS管組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：所述電流偏置晶體管、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管均采用P溝道增強(qiáng)型MOS管，所述第一負(fù)載晶體管、第二負(fù)載晶體管、第三負(fù)載晶體管、第四負(fù)載晶體管、第五負(fù)載晶體管和第六負(fù)載晶體管均采用N溝道增強(qiáng)型MOS管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：所述紋波噪聲濾波器由一階RC濾波器構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種RFID微功耗高靈敏度解調(diào)器電路，其特征在于：所述低通濾波器由閉環(huán)運(yùn)放構(gòu)成。