本申請(qǐng)涉及石油勘探開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種確定油層射孔層位的方法及裝置。

背景技術(shù)：

由于低阻油層電測(cè)曲線特征與鄰近水層相比差別較小、識(shí)別難度大，目前研究主要集中于低阻油層的成因及識(shí)別領(lǐng)域，而在識(shí)別完成后的進(jìn)一步挖潛研究則剛剛起步，這一方面常規(guī)油層研究相對(duì)多，主要分為三個(gè)方面：數(shù)學(xué)方法進(jìn)行研究、單井地質(zhì)綜合研究以及單井測(cè)井新技術(shù)研究。

現(xiàn)有方法主要基于單井動(dòng)靜態(tài)數(shù)據(jù)、單井測(cè)井資料或數(shù)學(xué)方法直接對(duì)補(bǔ)孔層位進(jìn)行選擇，而研究中缺乏對(duì)試油資料、低阻油層動(dòng)靜態(tài)分類資料、同層鄰井生產(chǎn)資料等多類資料的融合分析，沒有充分利用油田開發(fā)積累的大量靜態(tài)、動(dòng)態(tài)資料，研究不能體現(xiàn)當(dāng)前的認(rèn)識(shí)水平。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例的目的是提供一種確定油層射孔層位的方法及裝置，以提高確定的油層射孔層位的可靠性。

為解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種確定油層射孔層位的方法及裝置是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種確定油層射孔層位的方法，包括：獲取當(dāng)前井的測(cè)井資料和錄井資料；根據(jù)預(yù)設(shè)的低阻油層數(shù)據(jù)庫以及所述測(cè)井資料和錄井資料，識(shí)別當(dāng)前井中的低阻油層；選取所述當(dāng)前井中的低阻油層的待補(bǔ)孔層位；根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則，計(jì)算所述低阻油層待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力；根據(jù)所述計(jì)算得到的生產(chǎn)潛力，確定油層射孔層位。

優(yōu)選方案中，所述識(shí)別的當(dāng)前井中的低阻油層為至少一個(gè)，所述選取的待補(bǔ)孔層位為至少一個(gè)。

優(yōu)選方案中，所述低阻油層數(shù)據(jù)庫包括下述信息中的一種或多種：低阻油層所在井號(hào)、低阻油層的層位頂?shù)咨疃取⒌妥栌蛯拥乃鶎賹游?、低阻油層的測(cè)井曲線特征、低阻油層的巖心資料、低阻油層的巖屑資料、低阻油層的分布產(chǎn)狀、低阻油層的單采/合采資料、低阻油層初產(chǎn)油信息、低阻油層初產(chǎn)水信息、低阻油層采油指數(shù)、低阻油層生產(chǎn)時(shí)間、低阻油層累產(chǎn)油信息。

優(yōu)選方案中，所述預(yù)設(shè)的低阻油層數(shù)據(jù)庫采用下述方式建立：獲取低阻油層數(shù)據(jù)信息，所述數(shù)據(jù)信息包括動(dòng)態(tài)資料信息和靜態(tài)資料信息；根據(jù)所述低阻油層數(shù)據(jù)信息對(duì)所述低阻油層進(jìn)行分類；將所述分類后的低阻油層機(jī)器對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信息作為低阻油層數(shù)據(jù)庫。

優(yōu)選方案中，所述根據(jù)低阻油層數(shù)據(jù)信息對(duì)所述低阻油層進(jìn)行分類，包括：根據(jù)所述低阻油層庫內(nèi)各層的有效厚度、含油飽和度、孔隙度、滲透率、采油指數(shù)、累產(chǎn)油對(duì)低阻油層進(jìn)行分類。

優(yōu)選方案中，所述識(shí)別當(dāng)前井中的低阻油層采用下述方法中的任意一種：圖版法、考慮粉砂組分的解釋模型法、海拔高程判別法、成藏分析法。

優(yōu)選方案中，所述圖版法包括：利用阿爾奇公式反算求得的地層水電阻率；上式中S_W為儲(chǔ)層含水飽和度；為儲(chǔ)層孔隙度；R_t為儲(chǔ)層深電阻率，單位為歐姆·米，a、b為巖性指數(shù)；m為膠結(jié)指數(shù)，n為飽和度指數(shù)；所述a、b、m、n均從巖電實(shí)驗(yàn)中得到。

優(yōu)選方案中，所述考慮粉砂組分的解釋模型法包括：利用下述公式計(jì)算油層的含水飽和度：上式中，S_w為含水飽和度；R_t為地層真電阻率，單位為歐姆·米；為孔隙度；V_cl為粘土礦物含量；V_silt為粉砂組分含量；R_w為地層水電阻率，單位為歐姆·米；R_cl為粘土組分束縛水電阻率；單位為歐姆·米；R_silt為粉砂組分束縛水電阻率；單位為歐姆·米；根據(jù)預(yù)設(shè)的含水飽和度的上限以及計(jì)算得到的含水飽和度，確定所述油層是否為低阻油層。

優(yōu)選方案中，所述海拔高程判別法包括：分析油水界面和待判定儲(chǔ)層的海拔高度；若待判定儲(chǔ)層的位置高于油水界面位置，則所述待判定儲(chǔ)層為油層；或者，若與油水界面的位置差小于預(yù)設(shè)閾值，則所述待判定儲(chǔ)層為油水同層；或者，若待判定儲(chǔ)層的位置低于油水界面位置，則所述待判定儲(chǔ)層為水層。

優(yōu)選方案中，所述選取所述當(dāng)前井中的低阻油層的待補(bǔ)孔層位，包括：選擇厚度大和/或未開采的低阻油層作為待補(bǔ)孔層位。

優(yōu)選方案中，所述根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則計(jì)算所述低阻油層待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力，包括：根據(jù)試油資料確定待補(bǔ)孔層位的第一生產(chǎn)潛力；根據(jù)區(qū)塊分類方法，確定待補(bǔ)孔層位低阻油層類型，根據(jù)所述待補(bǔ)孔層位低阻油層類型確定所述待補(bǔ)孔層位的第二生產(chǎn)潛力；根據(jù)待補(bǔ)孔層位所在砂體的關(guān)聯(lián)井的生產(chǎn)動(dòng)態(tài)，確定所述待補(bǔ)孔層位的第三生產(chǎn)潛力。

優(yōu)選方案中，所述根據(jù)計(jì)算得到的生產(chǎn)潛力確定油層射孔層位，包括：根據(jù)所述計(jì)算的各待補(bǔ)孔層位的第一生產(chǎn)潛力、第二生產(chǎn)潛力和第三生產(chǎn)潛力，確定所述各待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力類型；根據(jù)所述各待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力類型，從所述各待補(bǔ)孔層位中確定油層射孔層位。

一種確定油層射孔層位的裝置，包括：資料獲取模塊、低阻油層識(shí)別模塊、待補(bǔ)孔層位選取模塊、生產(chǎn)潛力計(jì)算模塊和油層射孔層位確定模塊；其中，所述資料獲取模塊，用于獲取當(dāng)前井的測(cè)井資料和錄井資料；所述低阻油層識(shí)別模塊，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的低阻油層數(shù)據(jù)庫以及所述測(cè)井資料和錄井資料，識(shí)別當(dāng)前井中的低阻油層；所述待補(bǔ)孔層位選取模塊，用于選取所述當(dāng)前井中的低阻油層的待補(bǔ)孔層位；所述生產(chǎn)潛力計(jì)算模塊，用于根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則，計(jì)算所述低阻油層待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力；所述油層射孔層位確定模塊，用于根據(jù)所述計(jì)算得到的生產(chǎn)潛力，確定油層射孔層位。

由以上本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案可見，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種確定低阻油層射孔層位的方法及裝置，綜合了多種資料對(duì)待補(bǔ)孔低阻油層生產(chǎn)潛力進(jìn)行研究，并根據(jù)確定的生產(chǎn)潛力來確定射孔層位，消除了現(xiàn)有技術(shù)中的主觀性，結(jié)果客觀、可靠性強(qiáng)。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請(qǐng)確定油層射孔層位的方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖；

圖2是本申請(qǐng)方法實(shí)施例中待補(bǔ)孔層位所在砂體分布及其產(chǎn)狀的示例圖；

圖3是本申請(qǐng)確定油層射孔層位的裝置一個(gè)實(shí)施例的模塊圖。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種確定油層射孔層位的方法及裝置。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

圖1是本申請(qǐng)確定油層射孔層位的方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖。參照?qǐng)D1，所述方法包括以下步驟。

S101：獲取當(dāng)前井的測(cè)井資料和錄井資料。

可以獲取當(dāng)前井的測(cè)井資料和錄井資料。所述測(cè)井資料和錄井資料具體可以包括：當(dāng)前井各位置處的儲(chǔ)層孔隙度、儲(chǔ)層深電阻率、儲(chǔ)層膠結(jié)指數(shù)、飽和度指數(shù)等。

S102：根據(jù)預(yù)設(shè)的低阻油層數(shù)據(jù)庫以及所述測(cè)井資料和錄井資料，識(shí)別當(dāng)前井中的低阻油層。

所述低阻油層數(shù)據(jù)庫包括下述信息中的一種或多種：低阻油層所在井號(hào)、低阻油層的層位頂?shù)咨疃?、低阻油層的所屬層位、低阻油層的測(cè)井曲線特征、低阻油層的巖心資料、低阻油層的巖屑資料、低阻油層的分布產(chǎn)狀、低阻油層的單采/合采資料、低阻油層初產(chǎn)油信息、低阻油層初產(chǎn)水信息、低阻油層采油指數(shù)、低阻油層生產(chǎn)時(shí)間、低阻油層累產(chǎn)油信息。

所述預(yù)設(shè)的低阻油層數(shù)據(jù)庫采用下述方式建立：獲取低阻油層數(shù)據(jù)信息，所述數(shù)據(jù)信息包括動(dòng)態(tài)資料信息和靜態(tài)資料信息；根據(jù)所述低阻油層數(shù)據(jù)信息對(duì)所述低阻油層進(jìn)行分類；將所述分類后的低阻油層機(jī)器對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信息作為低阻油層數(shù)據(jù)庫。其中，

在所述獲取低阻油層數(shù)據(jù)信息前，需要確認(rèn)低阻油層。確認(rèn)可疑層為低阻油層的方法包括巖心資料法、試油法、生產(chǎn)動(dòng)態(tài)法。巖心方面，可以直觀地從巖心上識(shí)別巖石的含油性，含油級(jí)別一般劃分為飽含油、富含油、油浸、油斑、油跡、熒光。試油資料方面，試油結(jié)論一般直接給出地層含油性，如油層、油氣層、水層、干層等。生產(chǎn)動(dòng)態(tài)法在應(yīng)用中一方面可以根據(jù)射開層位產(chǎn)油、產(chǎn)水狀況直接判斷含油氣性，例如X井某層位射開后具有1個(gè)月的無水產(chǎn)油期，初期日產(chǎn)油48.1t/d，即可判斷其為油層，又如該井射開另一層段后含水從60％迅速上升至90％，產(chǎn)油量下降、產(chǎn)水量上升，即可判斷其為水層。另一方面可根據(jù)與該層位鄰近或特征相近層位的生產(chǎn)動(dòng)態(tài)判斷該層的含油氣性。如X-S-2井厚度32.5m的塊狀砂體分上下兩段，上段儲(chǔ)層物性好、泥質(zhì)含量低，下段儲(chǔ)層物性差、泥質(zhì)含量高，上段地層深電阻率明顯高于下段，下兩段間無穩(wěn)定隔層。2015年7月對(duì)射開上層后，出現(xiàn)10天無水采油期，初期日產(chǎn)油150.5t，可認(rèn)定其為油層，且下部無相鄰水體，因此下部為同為油層。

所述根據(jù)低阻油層數(shù)據(jù)信息對(duì)所述低阻油層進(jìn)行分類，包括：根據(jù)所述低阻油層庫內(nèi)各層的有效厚度、含油飽和度、孔隙度、滲透率、采油指數(shù)、累產(chǎn)油對(duì)低阻油層進(jìn)行分類。其中，采油指數(shù)為油層單位生產(chǎn)壓差下的日產(chǎn)油量，單位為t/(d·Mpa)，如果油層為合采，則在計(jì)算前將產(chǎn)量劈分，然后進(jìn)行計(jì)算。如果單井同一時(shí)間有不同層位正在開采，則需要進(jìn)行產(chǎn)量劈分，具體操作時(shí)對(duì)各生產(chǎn)層位按照進(jìn)行加權(quán)劈分(式中k_i為第i個(gè)生產(chǎn)層段的平均滲透率，單位為×10^-3μm^-2；h_i為第i個(gè)生產(chǎn)層段的有效厚度，單位m；μ_i為第i個(gè)生產(chǎn)層段的產(chǎn)出原油粘度)。

表1示出了一種低阻油層的分類示例。

表1低阻油層分類表

所述識(shí)別的當(dāng)前井中的低阻油層為至少一個(gè)。

所述識(shí)別當(dāng)前井中的低阻油層采用下述方法中的任意一種：圖版法、考慮粉砂組分的解釋模型法、海拔高程判別法、成藏分析法。

所述圖版法包括：利用阿爾奇公式，即公式(1)反算求得的地層水電阻率；

上式中S_W為儲(chǔ)層含水飽和度；為儲(chǔ)層孔隙度；R_t為儲(chǔ)層深電阻率，單位為歐姆·米，a、b為巖性指數(shù)；m為膠結(jié)指數(shù)，n為飽和度指數(shù)；所述a、b、m、n均從巖電實(shí)驗(yàn)中得到。

所述考慮粉砂組分的解釋模型法包括：利用下述公式(2)計(jì)算油層的含水飽和度

上式中，式中，S_w為含水飽和度，R_t為地層真電阻率，一般采用深電阻率曲線數(shù)值，單位Ω·m；為孔隙度，一般采用時(shí)間-平均公式由聲波時(shí)差曲線計(jì)算而來；V_cl為粘土礦物含量，由巖性指數(shù)標(biāo)定而來；V_silt為粉砂組分含量，根據(jù)其與有效孔隙度的線性關(guān)系得到；R_w為地層水電阻率，單位Ω·m；R_cl為粘土組分束縛水電阻率，根據(jù)目的層附近較純泥巖的電阻率確定，單位Ω·m；R_silt為粉砂組分束縛水電阻率，根據(jù)計(jì)算的粉砂含量曲線選擇粉砂含量較高處儲(chǔ)層的電阻率，單位Ω·m。求得Sw后，根據(jù)研究區(qū)含水飽和度上限，即含油飽和度下限判斷層位含油性。

所述海拔高程判別法包括：分析油水界面和待判定儲(chǔ)層的海拔高度；若待判定儲(chǔ)層的位置高于油水界面位置，則所述待判定儲(chǔ)層為油層；或者，若與油水界面的位置差小于預(yù)設(shè)閾值，則所述待判定儲(chǔ)層為油水同層；或者，若待判定儲(chǔ)層的位置低于油水界面位置，則所述待判定儲(chǔ)層為水層。

在本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施方式中，還可以采用自然電位幅度法確定識(shí)別當(dāng)前井中的低阻油層。具體地，油層自然電位幅度差與水層相比明顯降低，平均約為水層幅度差的0.57倍，且對(duì)淡水泥漿情況下降低幅度更加明顯。

成藏分析法主要通常需要綜合待判定儲(chǔ)層的烴源巖質(zhì)量、儲(chǔ)層質(zhì)量、蓋層質(zhì)量、圈閉條件、油氣輸導(dǎo)條件和保存條件等，對(duì)于其油氣成藏的可能性進(jìn)行判斷。若判斷不具備成藏條件，則直接判斷為水層；若判斷其成藏條件良好，則結(jié)合其他特征判定為油層；若判斷其成藏條件中等，則需要結(jié)合其他方法判別結(jié)果進(jìn)行研究。

S103：選取所述當(dāng)前井中的低阻油層的待補(bǔ)孔層位。

所述選取的待補(bǔ)孔層位為至少一個(gè)。所述選取所述當(dāng)前井中的低阻油層的待補(bǔ)孔層位，包括：選擇厚度大和/或未開采的低阻油層作為待補(bǔ)孔層位。

S104：根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則，計(jì)算所述低阻油層待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力。

所述根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則計(jì)算所述低阻油層待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力，包括：根據(jù)試油資料確定待補(bǔ)孔層位的第一生產(chǎn)潛力；根據(jù)區(qū)塊分類方法，確定待補(bǔ)孔層位低阻油層類型，根據(jù)所述待補(bǔ)孔層位低阻油層類型確定所述待補(bǔ)孔層位的第二生產(chǎn)潛力；根據(jù)待補(bǔ)孔層位所在砂體的關(guān)聯(lián)井的生產(chǎn)動(dòng)態(tài)，確定所述待補(bǔ)孔層位的第三生產(chǎn)潛力。其中，

所述根據(jù)試油資料確定待補(bǔ)孔層位的第一生產(chǎn)潛力，包括：根據(jù)試油資料對(duì)地層的產(chǎn)液性質(zhì)進(jìn)行判斷，若試油中只獲得油和氣，則為油氣層；若獲得油和水，則應(yīng)判斷水的來源，若水僅為鉆井濾液，則為油層，若有地層水，若其含量超過15％，則判定為油水同層；若獲得氣和水，則根據(jù)產(chǎn)氣量將其判斷為氣層、氣水同層和水層；當(dāng)同時(shí)獲得油、氣、水時(shí)，根據(jù)其數(shù)量和經(jīng)驗(yàn)圖版判斷程度產(chǎn)液性質(zhì)。

所述確定待補(bǔ)孔層位低阻油層類型，根據(jù)所述待補(bǔ)孔層位低阻油層類型確定所述待補(bǔ)孔層位的第二生產(chǎn)潛力，具體可以包括：讀取該層的有效厚度、含油飽和度、孔隙度、滲透率等信息，結(jié)合巖心、巖屑資料等，根據(jù)低阻油層分類確定低阻油層類型。若屬Ⅰ類，則潛力較大，可以射開；若屬Ⅱ～Ⅲ類，則潛力中等，需進(jìn)行經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)后再確定是否射開；若屬Ⅳ類，則潛力較小，極有可能油水同產(chǎn)或產(chǎn)水較高，不建議射開。如X-S-2井，E10層2569.7～2580.7m，厚度11m，平均含油飽和度58.8％，平均孔隙度為15.6％，平均滲透率為45.3×10^-3μm^-2，屬Ⅱ類低阻油層，潛力中等，預(yù)計(jì)采油指數(shù)為6～12t/(d·Mpa)，預(yù)計(jì)累產(chǎn)油1～3×10⁴t，推薦對(duì)其射孔。

所述根據(jù)待補(bǔ)孔層位所在砂體的關(guān)聯(lián)井的生產(chǎn)動(dòng)態(tài)，確定所述待補(bǔ)孔層位的第三生產(chǎn)潛力，具體可以包括：明確待補(bǔ)孔層位所在砂體分布，及其產(chǎn)狀，分析射開該砂體其它井生產(chǎn)動(dòng)態(tài)，判斷該層潛力大小及是否射開。參照?qǐng)D2，本發(fā)明一個(gè)實(shí)例中，E14小層砂體在該層整體發(fā)育，但受沉積條件控制，低阻油層僅發(fā)育于B井附近地區(qū)。對(duì)該斷塊內(nèi)其它井該砂體生產(chǎn)情況進(jìn)行研究，發(fā)現(xiàn)只有A井射開該層，初期含水較低，日產(chǎn)油10.5t，累產(chǎn)油2.5萬噸。由于B井與A井構(gòu)造高低相近，砂體發(fā)育情況相近，且有一定距離，判斷A井潛力較大，可以補(bǔ)孔。另外，如果砂體附近存在斷層或者注采系統(tǒng)不完善的地區(qū)，則一般驅(qū)替強(qiáng)度較低，補(bǔ)孔潛力較大。

S105：根據(jù)所述計(jì)算得到的生產(chǎn)潛力，確定油層射孔層位。

根據(jù)所述計(jì)算的各待補(bǔ)孔層位的第一生產(chǎn)潛力、第二生產(chǎn)潛力和第三生產(chǎn)潛力，確定所述各待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力類型；根據(jù)所述各待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力類型，從所述各待補(bǔ)孔層位中確定油層射孔層位。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種確定低阻油層射孔層位的方法，綜合了多種資料對(duì)待補(bǔ)孔低阻油層生產(chǎn)潛力進(jìn)行研究，并根據(jù)確定的生產(chǎn)潛力來確定射孔層位，消除了現(xiàn)有技術(shù)中的主觀性，結(jié)果客觀、可靠性強(qiáng)。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種確定油層射孔層位的裝置。

圖3是本申請(qǐng)確定油層射孔層位的裝置一個(gè)實(shí)施例的模塊圖。如圖所示，所述裝置可以包括：資料獲取模塊301、低阻油層識(shí)別模塊302、待補(bǔ)孔層位選取模塊303、生產(chǎn)潛力計(jì)算模塊304和油層射孔層位確定模塊305；其中，

所述資料獲取模塊301，可以用于獲取當(dāng)前井的測(cè)井資料和錄井資料。

所述低阻油層識(shí)別模塊302，可以用于根據(jù)預(yù)設(shè)的低阻油層數(shù)據(jù)庫以及所述測(cè)井資料和錄井資料，識(shí)別當(dāng)前井中的低阻油層。

所述待補(bǔ)孔層位選取模塊303，可以用于選取所述當(dāng)前井中的低阻油層的待補(bǔ)孔層位。

所述生產(chǎn)潛力計(jì)算模塊304，可以用于根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則，計(jì)算所述低阻油層待補(bǔ)孔層位的生產(chǎn)潛力。

所述油層射孔層位確定模塊305，可以用于根據(jù)所述計(jì)算得到的生產(chǎn)潛力，確定油層射孔層位。

上述實(shí)施例提供的確定油層射孔層位的裝置與本申請(qǐng)方法實(shí)施例相對(duì)應(yīng)，其可實(shí)現(xiàn)的功能和效果可以參照方法實(shí)施例進(jìn)行對(duì)照解釋。

在20世紀(jì)90年代，對(duì)于一個(gè)技術(shù)的改進(jìn)可以很明顯地區(qū)分是硬件上的改進(jìn)(例如，對(duì)二極管、晶體管、開關(guān)等電路結(jié)構(gòu)的改進(jìn))還是軟件上的改進(jìn)(對(duì)于方法流程的改進(jìn))。然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，當(dāng)今的很多方法流程的改進(jìn)已經(jīng)可以視為硬件電路結(jié)構(gòu)的直接改進(jìn)。設(shè)計(jì)人員幾乎都通過將改進(jìn)的方法流程編程到硬件電路中來得到相應(yīng)的硬件電路結(jié)構(gòu)。因此，不能說一個(gè)方法流程的改進(jìn)就不能用硬件實(shí)體模塊來實(shí)現(xiàn)。例如，可編程邏輯器件(Programmable Logic Device,PLD)(例如現(xiàn)場可編程門陣列(Field Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA))就是這樣一種集成電路，其邏輯功能由用戶對(duì)器件編程來確定。由設(shè)計(jì)人員自行編程來把一個(gè)數(shù)字系統(tǒng)“集成”在一片PLD上，而不需要請(qǐng)芯片制造廠商來設(shè)計(jì)和制作專用的集成電路芯片2。而且，如今，取代手工地制作集成電路芯片，這種編程也多半改用“邏輯編譯器(logic compiler)”軟件來實(shí)現(xiàn)，它與程序開發(fā)撰寫時(shí)所用的軟件編譯器相類似，而要編譯之前的原始代碼也得用特定的編程語言來撰寫，此稱之為硬件描述語言(Hardware Description Language，HDL)，而HDL也并非僅有一種，而是有許多種，如ABEL(Advanced Boolean Expression Language)、AHDL(Altera Hardware Description Language)、Confluence、CUPL(Cornell University Programming Language)、HDCal、JHDL(Java Hardware Description Language)、Lava、Lola、MyHDL、PALASM、RHDL(Ruby Hardware Description Language)等，目前最普遍使用的是VHDL(Very-High-Speed Integrated Circuit Hardware Description Language)與Verilog2。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該清楚，只需要將方法流程用上述幾種硬件描述語言稍作邏輯編程并編程到集成電路中，就可以很容易得到實(shí)現(xiàn)該邏輯方法流程的硬件電路。

控制器可以按任何適當(dāng)?shù)姆绞綄?shí)現(xiàn)，例如，控制器可以采取例如微處理器或處理器以及存儲(chǔ)可由該(微)處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼(例如軟件或固件)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)、邏輯門、開關(guān)、專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限于以下微控制器：ARC 625D、Atmel AT91SAM、Microchip PIC18F26K20以及Silicone Labs C8051F320，存儲(chǔ)器控制器還可以被實(shí)現(xiàn)為存儲(chǔ)器的控制邏輯的一部分。

本領(lǐng)域技術(shù)人員也知道，除了以純計(jì)算機(jī)可讀程序代碼方式實(shí)現(xiàn)控制器以外，完全可以通過將方法步驟進(jìn)行邏輯編程來使得控制器以邏輯門、開關(guān)、專用集成電路、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器等的形式來實(shí)現(xiàn)相同功能。因此這種控制器可以被認(rèn)為是一種硬件部件，而對(duì)其內(nèi)包括的用于實(shí)現(xiàn)各種功能的裝置也可以視為硬件部件內(nèi)的結(jié)構(gòu)?；蛘呱踔粒梢詫⒂糜趯?shí)現(xiàn)各種功能的裝置視為既可以是實(shí)現(xiàn)方法的軟件模塊又可以是硬件部件內(nèi)的結(jié)構(gòu)。

上述實(shí)施例闡明的系統(tǒng)、裝置、模塊或單元，具體可以由計(jì)算機(jī)芯片或?qū)嶓w實(shí)現(xiàn)，或者由具有某種功能的產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)。

為了描述的方便，描述以上裝置時(shí)以功能分為各種單元分別描述。當(dāng)然，在實(shí)施本申請(qǐng)時(shí)可以把各單元的功能在同一個(gè)或多個(gè)軟件和/或硬件中實(shí)現(xiàn)。

通過以上的實(shí)施方式的描述可知，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本申請(qǐng)可借助軟件加必需的通用硬件平臺(tái)的方式來實(shí)現(xiàn)?；谶@樣的理解，本申請(qǐng)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，在一個(gè)典型的配置中，計(jì)算設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)處理器(CPU)、輸入/輸出接口、網(wǎng)絡(luò)接口和內(nèi)存。該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在內(nèi)存中，內(nèi)存可能包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的非永久性存儲(chǔ)器，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和/或非易失性內(nèi)存等形式，如只讀存儲(chǔ)器(ROM)或閃存(flash RAM)。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的示例。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括永久性和非永久性、可移動(dòng)和非可移動(dòng)媒體可以由任何方法或技術(shù)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。信息可以是計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序的模塊或其他數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)介質(zhì)的例子包括，但不限于相變內(nèi)存(PRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、其他類型的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃記憶體或其他內(nèi)存技術(shù)、只讀光盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、數(shù)字多功能光盤(DVD)或其他光學(xué)存儲(chǔ)、磁盒式磁帶，磁帶磁磁盤存儲(chǔ)或其他磁性存儲(chǔ)設(shè)備或任何其他非傳輸介質(zhì)，可用于存儲(chǔ)可以被計(jì)算設(shè)備訪問的信息。按照本文中的界定，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)不包括短暫電腦可讀媒體(transitory media)，如調(diào)制的數(shù)據(jù)信號(hào)和載波。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其基本相似于方法實(shí)施例，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。

本申請(qǐng)可用于眾多通用或?qū)Ｓ玫挠?jì)算機(jī)系統(tǒng)環(huán)境或配置中。例如：個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、手持設(shè)備或便攜式設(shè)備、平板型設(shè)備、多處理器系統(tǒng)、基于微處理器的系統(tǒng)、置頂盒、可編程的消費(fèi)電子設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)PC、小型計(jì)算機(jī)、大型計(jì)算機(jī)、包括以上任何系統(tǒng)或設(shè)備的分布式計(jì)算環(huán)境等等。

本申請(qǐng)可以在由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的一般上下文中描述，例如程序模塊。一般地，程序模塊包括執(zhí)行特定任務(wù)或?qū)崿F(xiàn)特定抽象數(shù)據(jù)類型的例程、程序、對(duì)象、組件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等等。也可以在分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí)踐本申請(qǐng)，在這些分布式計(jì)算環(huán)境中，由通過通信網(wǎng)絡(luò)而被連接的遠(yuǎn)程處理設(shè)備來執(zhí)行任務(wù)。在分布式計(jì)算環(huán)境中，程序模塊可以位于包括存儲(chǔ)設(shè)備在內(nèi)的本地和遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)中。

雖然通過實(shí)施例描繪了本申請(qǐng)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知道，本申請(qǐng)有許多變形和變化而不脫離本申請(qǐng)的精神，希望所附的權(quán)利要求包括這些變形和變化而不脫離本申請(qǐng)的精神。