1.一種指紋識別裝置，其特征在于，包括：
多個識別元件，每一個識別元件包括第一識別單元和第二識別單元，
其中，
所述第一識別單元包括第一溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層、下電極、密封層、夾在所述第一溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層與所述下電極之間并且由所述密封層圍封的導(dǎo)電液滴，以及至少部分地浸入在所述導(dǎo)電液滴中且不與所述下電極接觸的上電極，
所述第二識別單元包括第二溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層、下電極、密封層、夾在所述第二溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層與所述下電極之間并且由所述密封層圍封的導(dǎo)電液滴，以及至少部分地浸入在所述導(dǎo)電液滴中且不與所述下電極接觸的上電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述第一溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層的親水/疏水轉(zhuǎn)換溫度為T1，所述第二溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層的親水/疏水轉(zhuǎn)換溫度為T2，手指的脊部的溫度為T，手指的脊部和谷部之間的溫度差的絕對值為τ，并且
T-τ＜T1＜T＜T2＜T+τ。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的指紋識別裝置，其特征在于，τ等于0.1℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別裝置，其特征在于，當(dāng)所述第一溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層和/或所述第二溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層從親水轉(zhuǎn)換成疏水時，與所述導(dǎo)電液滴的接觸角從0°-60°的范圍增加至100°-150°的范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述第一溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層和/或所述第二溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層包括基底和形成在所述基底上的交聯(lián)型接枝膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述基底具有多個凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述凹槽之間的間距小于或等于10μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述第一溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層的所述交聯(lián)型接枝膜包括聚異丙基丙烯酰胺。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述第二溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層的所述交聯(lián)型接枝膜包括N-乙丙基烯酰胺與N-異丙基丙烯酰胺的共聚物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述密封層為疏水密封層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述密封層由有機玻璃制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述指紋識別裝置還包括信號處理電路，每一個識別元件與所述信號處理電路電氣連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述指紋識別裝置還包括布置在所述識別元件上方的導(dǎo)熱層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱層由碳納米管復(fù)合材料制成。
15.權(quán)利要求13所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱層包括多個平行的柱狀單元，每一個柱狀單元在垂直于所述指紋和所述指紋識別裝置的接觸面的方向上延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述指紋識別裝置還包括布置在所述導(dǎo)熱層上方的保護層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的指紋識別裝置，其特征在于，所述保護層由鋼化玻璃或有機玻璃制成。
18.一種顯示設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-17中任一項所述的指紋識別裝置。
19.一種指紋識別裝置的制作方法，其特征在于，包括：
提供多個識別元件，每一個識別元件包括第一識別單元和第二識別單元，
第一識別單元包括夾在第一溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層與下電極之間并且由密封層圍封的導(dǎo)電液滴，
第二識別單元包括夾在第二溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層與下電極之間并且由密封層圍封的導(dǎo)電液滴，
第一識別單元和第二識別單元的上電極至少部分地浸入在導(dǎo)電液滴中且不與下電極接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，第一溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層和/或第二溫敏型親水/疏水轉(zhuǎn)換層通過以下步驟形成：
提供基底；
在基底上形成交聯(lián)型接枝膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，在基底的形成交聯(lián)型接枝膜的表面上通過構(gòu)圖工藝形成多個凹槽。