技術(shù)特征：

1.一種基于離子束技術(shù)的復(fù)雜曲面去除函數(shù)計算方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、選定一組離子源工作參數(shù)，測量離子束流在距離離子源L處的離子濃度分布d₀；

步驟二、通過去除函數(shù)實驗獲得所選定的離子源工作參數(shù)在距離L處的平面基準(zhǔn)去除函數(shù)；并對所述離子濃度分布d₀與平面基準(zhǔn)去除函數(shù)進行標(biāo)定，獲得離子濃度與材料去除率的對應(yīng)系數(shù)矩陣C；

步驟三、根據(jù)加工需要設(shè)定離子源工作參數(shù)，測量離子束流在距離離子源L處離子濃度分布d_a，利用系數(shù)矩陣C，計算得到與距離離子源L處離子束流濃度分布所對應(yīng)的平面去除函數(shù)F；

步驟四、選用步驟三中所述的離子源工作參數(shù)，測量離子束流濃度空間分布并進行歸一化處理，得到離子束流空間分布矩陣I_d；

步驟五、計算復(fù)雜曲面表面曲率半徑變化對去除函數(shù)的影響獲得矩陣ω；

步驟六、根據(jù)平面去除函數(shù)F、離子束流空間分布矩陣I_d和矩陣ω，得到每個駐留點處的曲面去除函數(shù)R，完成復(fù)雜曲面去除函數(shù)的計算。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于離子束技術(shù)的復(fù)雜曲面去除函數(shù)計算方法，其特征在于，

其中，I_max為距離離子源z處的電流峰值，exp為以e為底的指數(shù)函數(shù)，η_x、η_y為掃描結(jié)果分別在實驗室坐標(biāo)系內(nèi)x，y方向上的高斯分布系數(shù)。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于離子束技術(shù)的復(fù)雜曲面去除函數(shù)計算方法，其特征在于，

$\mathrm{\ω}=\{1+\frac{a}{2}{\left(\frac{a_{\mathrm{\σ}}}{a_{\mathrm{\μ}}}\right)}^2(\frac{{\∂}^{2}h(x,y)}{\∂x^2}+\frac{{\∂}^{2}h(x,y)}{\∂y^2})-\frac{1}{4}(\frac{a_{\mathrm{\σ}}^2}{a_{\mathrm{\μ}}^2}-\frac{a_{\mathrm{\σ}}^4}{a_{\mathrm{\μ}}^4}-1)\[{\left(\frac{{\∂}^{2}h(x,y)}{\∂x}\right)}^2+{\left(\frac{\∂h(x,y)}{\∂y}\right)}^2\]\}$

其中，a為離子能量平均入射深度，σ、μ分別為入射能量在材料內(nèi)部子午方向和弧矢方向上的分布系數(shù)，a_σ＝a/σ，a_μ＝a/μ，h(x,y)為復(fù)雜曲面在實驗室坐標(biāo)系內(nèi)的數(shù)學(xué)表達式。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于離子束技術(shù)的復(fù)雜曲面去除函數(shù)計算方法，其特征在于，R＝ωI_dF。