本發(fā)明涉及存儲技術(shù)，尤其涉及一種存儲數(shù)據(jù)的方法、存儲設(shè)備、電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

固態(tài)硬盤(SSD，Solid State Drives)簡稱固盤，SSD由固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成，SSD由控制器和存儲器組成?？刂破髦饕峁┲鳈C訪問(扇區(qū))到閃存顆粒(物理頁)的訪問控制。

由于主機訪問的粒度是扇區(qū)(512B)，而閃存顆粒的物理頁大于512B，這樣就需要一種映射機制，即閃存轉(zhuǎn)換層(FTL，F(xiàn)lash Translator Layer)來對兩種地址進行轉(zhuǎn)換。此外，F(xiàn)TL還具有如下功能：壞塊管理、垃圾回收、寫平衡。

由于SSD結(jié)構(gòu)特點與制造工藝限制，快閃記憶體(NAND flash)使用中存在位錯誤現(xiàn)象，基于存儲應(yīng)用的糾錯碼技術(shù)(ECC，Error Correction Code)能夠有效解決上述數(shù)據(jù)可靠性的問題。然而，目前對于存儲數(shù)據(jù)的保護策略為單一的安全策略，在SSD使用前期，NAND flash原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較低，單一的安全策略導(dǎo)致資源的浪費。在SSD使用后期，NAND flash原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較高，單一的安全策略無法滿足性能要求。這將嚴重影響存儲設(shè)備整體性能，降低用戶的體驗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種存儲數(shù)據(jù)的方法、存儲設(shè)備、電子設(shè)備。

本發(fā)明實施例提供的存儲數(shù)據(jù)的方法，包括：

檢測存儲單元中各存儲區(qū)域，獲得第一參數(shù)集合，所述第一參數(shù)集合用于表征所述各存儲區(qū)域的存儲性能；

檢測待存儲數(shù)據(jù)的屬性，獲得第二參數(shù)集合；

基于所述第一參數(shù)集合與第二參數(shù)集合確定對所述待存儲數(shù)據(jù)的存儲策略；

基于所述存儲策略，對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長；

所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率。

本發(fā)明實施例中，所述方法還包括：

判斷所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率是否大于等于預(yù)設(shè)閾值；

當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率大于等于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第一類數(shù)據(jù)；

當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率小于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第二類數(shù)據(jù)。

本發(fā)明實施例中，所述基于所述第一參數(shù)集合與第二參數(shù)集合確定對所述待存儲數(shù)據(jù)的存儲策略，包括：

根據(jù)所述待存儲數(shù)據(jù)的類型和/或所述各存儲區(qū)域的使用時長，選擇相應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)，以對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，所述第一類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)大于所述第二類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)。

本發(fā)明實施例中，當存儲區(qū)域的使用時長越長時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越大；

當存儲區(qū)域的使用時長越小時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越小。

本發(fā)明實施例提供的存儲設(shè)備，包括：

存儲單元，用于存儲數(shù)據(jù)；

控制器，用于檢測存儲單元中各存儲區(qū)域，獲得第一參數(shù)集合，所述第一參數(shù)集合用于表征所述各存儲區(qū)域的存儲性能；檢測待存儲數(shù)據(jù)的屬性，獲得第二參數(shù)集合；基于所述第一參數(shù)集合與第二參數(shù)集合確定對所述待存儲數(shù)據(jù)的存儲策略；基于所述存儲策略，對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長；

所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率。

本發(fā)明實施例中，所述控制器，還用于判斷所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率是否大于等于預(yù)設(shè)閾值；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率大于等于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第一類數(shù)據(jù)；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率小于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第二類數(shù)據(jù)。

本發(fā)明實施例中，所述控制器，還用于根據(jù)所述待存儲數(shù)據(jù)的類型和/或所述各存儲區(qū)域的使用時長，選擇相應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)，以對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，所述第一類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)大于所述第二類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)。

本發(fā)明實施例中，當存儲區(qū)域的使用時長越長時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越大；

當存儲區(qū)域的使用時長越小時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越小。

本發(fā)明實施例提供的電子設(shè)備包括上述存儲設(shè)備。

本發(fā)明實施例的技術(shù)方案中，檢測存儲單元中各存儲區(qū)域，獲得第一參數(shù)集合，所述第一參數(shù)集合用于表征所述各存儲區(qū)域的存儲性能；檢測待存儲數(shù)據(jù)的屬性，獲得第二參數(shù)集合；基于所述第一參數(shù)集合與第二參數(shù)集合確定對所述待存儲數(shù)據(jù)的存儲策略；基于所述存儲策略，對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲?？梢?，本發(fā)明實施例針對存儲區(qū)域的存儲性能以及待存儲數(shù)據(jù)的屬性，采取了對應(yīng)的存儲策略對數(shù)據(jù)進行存儲，減少了ECC資源的浪費，同時，提高了存儲設(shè)備的使用壽命以及系統(tǒng)的整體性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一的存儲數(shù)據(jù)的方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例二的存儲數(shù)據(jù)的方法的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例三的存儲數(shù)據(jù)的方法的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例四至實施例六的存儲設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖。

具體實施方式

為了能夠更加詳盡地了解本發(fā)明實施例的特點與技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例的實現(xiàn)進行詳細闡述，所附附圖僅供參考說明之用，并非用來限定本發(fā)明實施例。

SSD在使用過程中，存儲單元中各存儲區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)有冷熱之分。冷數(shù)據(jù)是指：數(shù)據(jù)存入SSD后，較長時間內(nèi)不會進行讀取操作。熱數(shù)據(jù)是指：數(shù)據(jù)存入SSD后，短時間內(nèi)會對某部分數(shù)據(jù)進行頻繁讀取操作。這種冷熱數(shù)據(jù)之分，具有不同的數(shù)據(jù)錯誤率。

此外，NAND flash原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)隨擦寫次數(shù)(PE)、放置時間(Retention Time)、讀取擾動等情況也會發(fā)生變化，這就是說，在NAND flash的生命不同階段可能的數(shù)據(jù)錯誤率是不同的。

針對以上兩種情況，如果采取相同的安全策略對數(shù)據(jù)進行存儲，原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較低時，導(dǎo)致資源的浪費。在原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較高時，無法滿足存儲設(shè)備性能的要求。

為此，本發(fā)明實施例提出了根據(jù)SSD中存儲數(shù)據(jù)的冷熱區(qū)別，NAND flash生命周期不同階段采取不同的安全策略。

圖1為本發(fā)明實施例一的存儲數(shù)據(jù)的方法的流程示意圖，本示例中的存儲數(shù)據(jù)的方法應(yīng)用于電子設(shè)備中，如圖1所示，所述存儲數(shù)據(jù)的方法包括以下步驟：

步驟101：檢測存儲單元中各存儲區(qū)域，獲得第一參數(shù)集合，所述第一參數(shù)集合用于表征所述各存儲區(qū)域的存儲性能。

本發(fā)明實施例中，所述電子設(shè)備可以是筆記本、主機、一體機、服務(wù)器等等。所述電子設(shè)備包括存儲介質(zhì)和控制器，存儲介質(zhì)用于存儲電子設(shè)備的數(shù)據(jù)、指令等等，控制器用于控制電子設(shè)備在存儲介質(zhì)中讀/寫數(shù)據(jù)，和/或執(zhí)行存儲介質(zhì)中的指令等等。一般，存儲介質(zhì)和控制器集成設(shè)置，形成具有控制功能的存儲設(shè)備，如SSD。以存儲設(shè)備為SSD為例，SSD中的存儲介質(zhì)一般為NAND flash。這里，存儲單元也即是SSD中的存儲介質(zhì)。

本發(fā)明實施例中，以存儲單元為SSD中的NAND flash為例，NAND flash原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)隨擦寫次數(shù)(PE)、放置時間(Retention Time)、讀取擾動等情況會發(fā)生變化。這里，擦寫次數(shù)(PE)、放置時間(Retention Time)、讀取擾動等表明了存儲區(qū)域的存儲性能，存儲區(qū)域不同的階段對應(yīng)的存儲性能不同，通過各存儲區(qū)域的使用時長你能夠表征各存儲區(qū)域的的存儲性能，基于此，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長。

步驟102：檢測待存儲數(shù)據(jù)的屬性，獲得第二參數(shù)集合。

本發(fā)明實施例中，存儲單元中各存儲區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)具有各自的屬性，這個屬性與數(shù)據(jù)的讀寫頻率有關(guān)，可見，所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率。具體地，判斷所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率是否大于等于預(yù)設(shè)閾值；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率大于等于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第一類數(shù)據(jù)；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率小于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第二類數(shù)據(jù)。

實際應(yīng)用中，存儲單元中各存儲區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)有冷熱之分。冷數(shù)據(jù)是指：數(shù)據(jù)存入SSD后，較長時間內(nèi)不會進行讀取操作。熱數(shù)據(jù)是指：數(shù)據(jù)存入SSD后，短時間內(nèi)會對某部分數(shù)據(jù)進行頻繁讀取操作。這種冷熱數(shù)據(jù)之分，具有不同的數(shù)據(jù)錯誤率。

步驟103：基于所述第一參數(shù)集合與第二參數(shù)集合確定對所述待存儲數(shù)據(jù)的存儲策略；基于所述存儲策略，對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，針對存儲區(qū)域的存儲性能以及待存儲數(shù)據(jù)的屬性，采取了對應(yīng)的存儲策略對數(shù)據(jù)進行存儲，減少了ECC資源的浪費，同時，提高了存儲設(shè)備的使用壽命以及系統(tǒng)的整體性能。

圖2為本發(fā)明實施例二的存儲數(shù)據(jù)的方法的流程示意圖，本示例中的存儲數(shù)據(jù)的方法應(yīng)用于電子設(shè)備中，如圖2所示，所述存儲數(shù)據(jù)的方法包括以下步驟：

步驟201：檢測存儲單元中各存儲區(qū)域，獲得第一參數(shù)集合，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長。

本發(fā)明實施例中，所述電子設(shè)備可以是筆記本、主機、一體機、服務(wù)器等等。所述電子設(shè)備包括存儲介質(zhì)和控制器，存儲介質(zhì)用于存儲電子設(shè)備的數(shù)據(jù)、指令等等，控制器用于控制電子設(shè)備在存儲介質(zhì)中讀/寫數(shù)據(jù)，和/或執(zhí)行存儲介質(zhì)中的指令等等。一般，存儲介質(zhì)和控制器集成設(shè)置，形成具有控制功能的存儲設(shè)備，如SSD。以存儲設(shè)備為SSD為例，SSD中的存儲介質(zhì)一般為NAND flash。這里，存儲單元也即是SSD中的存儲介質(zhì)。

本發(fā)明實施例中，以存儲單元為SSD中的NAND flash為例，NAND flash原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)隨擦寫次數(shù)(PE)、放置時間(Retention Time)、讀取擾動等情況會發(fā)生變化。這里，擦寫次數(shù)(PE)、放置時間(Retention Time)、讀取擾動等表明了存儲區(qū)域的存儲性能，存儲區(qū)域不同的階段對應(yīng)的存儲性能不同，通過各存儲區(qū)域的使用時長你能夠表征各存儲區(qū)域的的存儲性能，基于此，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長。

步驟202：檢測待存儲數(shù)據(jù)的屬性，獲得第二參數(shù)集合，所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率；根據(jù)所述讀寫頻率確定待存儲數(shù)據(jù)的類型。

本發(fā)明實施例中，存儲單元中各存儲區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)具有各自的屬性，這個屬性與數(shù)據(jù)的讀寫頻率有關(guān)，可見，所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率。具體地，判斷所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率是否大于等于預(yù)設(shè)閾值；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率大于等于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第一類數(shù)據(jù)；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率小于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第二類數(shù)據(jù)。

實際應(yīng)用中，存儲單元中各存儲區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)有冷熱之分。冷數(shù)據(jù)是指：數(shù)據(jù)存入SSD后，較長時間內(nèi)不會進行讀取操作。熱數(shù)據(jù)是指：數(shù)據(jù)存入SSD后，短時間內(nèi)會對某部分數(shù)據(jù)進行頻繁讀取操作。這種冷熱數(shù)據(jù)之分，具有不同的數(shù)據(jù)錯誤率。

步驟203：根據(jù)所述待存儲數(shù)據(jù)的類型和/或所述各存儲區(qū)域的使用時長，選擇相應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)，以對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，數(shù)據(jù)的冷熱程度與NAND flash的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)具有映射關(guān)系，冷數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)相對于熱數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較低。

本發(fā)明實施例中，NAND flash生命周期不同階段與NAND flash原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)具有映射關(guān)系，使用時間越長的NAND flash的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)相對于使用時間越短的NAND flash的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較高。

在原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較低時，選擇糾錯碼校驗位位數(shù)較少的LDPC糾錯碼，可以減少ECC資源浪費。在原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較高時，選擇糾錯碼校驗位位數(shù)較多的LDPC糾錯碼，可以提高SSD的使用壽命以及系統(tǒng)的整體性能。

本發(fā)明實施例中，針對存儲區(qū)域的存儲性能以及待存儲數(shù)據(jù)的屬性，采取了對應(yīng)的存儲策略對數(shù)據(jù)進行存儲，減少了ECC資源的浪費，同時，提高了存儲設(shè)備的使用壽命以及系統(tǒng)的整體性能。

圖3為本發(fā)明實施例三的存儲數(shù)據(jù)的方法的流程示意圖，本示例中的存儲數(shù)據(jù)的方法應(yīng)用于電子設(shè)備中，如圖3所示，所述存儲數(shù)據(jù)的方法包括以下步驟：

步驟301：檢測存儲單元中各存儲區(qū)域，獲得第一參數(shù)集合，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長。

本發(fā)明實施例中，所述電子設(shè)備可以是筆記本、主機、一體機、服務(wù)器等等。所述電子設(shè)備包括存儲介質(zhì)和控制器，存儲介質(zhì)用于存儲電子設(shè)備的數(shù)據(jù)、指令等等，控制器用于控制電子設(shè)備在存儲介質(zhì)中讀/寫數(shù)據(jù)，和/或執(zhí)行存儲介質(zhì)中的指令等等。一般，存儲介質(zhì)和控制器集成設(shè)置，形成具有控制功能的存儲設(shè)備，如SSD。以存儲設(shè)備為SSD為例，SSD中的存儲介質(zhì)一般為NAND flash。這里，存儲單元也即是SSD中的存儲介質(zhì)。

本發(fā)明實施例中，以存儲單元為SSD中的NAND flash為例，NAND flash原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)隨擦寫次數(shù)(PE)、放置時間(Retention Time)、讀取擾動等情況會發(fā)生變化。這里，擦寫次數(shù)(PE)、放置時間(Retention Time)、讀取擾動等表明了存儲區(qū)域的存儲性能，存儲區(qū)域不同的階段對應(yīng)的存儲性能不同，通過各存儲區(qū)域的使用時長你能夠表征各存儲區(qū)域的的存儲性能，基于此，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長。

步驟302：檢測待存儲數(shù)據(jù)的屬性，獲得第二參數(shù)集合，所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率；根據(jù)所述讀寫頻率確定待存儲數(shù)據(jù)的類型。

本發(fā)明實施例中，存儲單元中各存儲區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)具有各自的屬性，這個屬性與數(shù)據(jù)的讀寫頻率有關(guān)，可見，所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率。具體地，判斷所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率是否大于等于預(yù)設(shè)閾值；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率大于等于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第一類數(shù)據(jù)；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率小于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第二類數(shù)據(jù)。

實際應(yīng)用中，存儲單元中各存儲區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)有冷熱之分。冷數(shù)據(jù)是指：數(shù)據(jù)存入SSD后，較長時間內(nèi)不會進行讀取操作。熱數(shù)據(jù)是指：數(shù)據(jù)存入SSD后，短時間內(nèi)會對某部分數(shù)據(jù)進行頻繁讀取操作。這種冷熱數(shù)據(jù)之分，具有不同的數(shù)據(jù)錯誤率。

步驟303：根據(jù)所述待存儲數(shù)據(jù)的類型和/或所述各存儲區(qū)域的使用時長，選擇相應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)，以對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，數(shù)據(jù)的冷熱程度與NAND flash的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)具有映射關(guān)系，冷數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)相對于熱數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較低。

本發(fā)明實施例中，NAND flash生命周期不同階段與NAND flash原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)具有映射關(guān)系，使用時間越長的NAND flash的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)相對于使用時間越短的NAND flash的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較高。

步驟304：所述第一類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)大于所述第二類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)。當存儲區(qū)域的使用時長越長時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越大；當存儲區(qū)域的使用時長越小時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越小。

本發(fā)明實施例中，在原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較低時，選擇糾錯碼校驗位位數(shù)較少的LDPC糾錯碼，可以減少ECC資源浪費。在原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較高時，選擇糾錯碼校驗位位數(shù)較多的LDPC糾錯碼，可以提高SSD的使用壽命以及系統(tǒng)的整體性能。

考慮到如下關(guān)系：冷數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)相對于熱數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較低，使用時間越長的NAND flash的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)相對于使用時間越短的NAND flash的原始數(shù)據(jù)錯誤率(RBER)較高，可見，所述第一類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)大于所述第二類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)。當存儲區(qū)域的使用時長越長時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越大；當存儲區(qū)域的使用時長越小時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越小。根據(jù)數(shù)據(jù)的冷熱程度、NAND flash使用時間確定出對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)如表1所示：

表1

本發(fā)明實施例中，針對存儲區(qū)域的存儲性能以及待存儲數(shù)據(jù)的屬性，采取了對應(yīng)的存儲策略對數(shù)據(jù)進行存儲，減少了ECC資源的浪費，同時，提高了存儲設(shè)備的使用壽命以及系統(tǒng)的整體性能。

圖4為本發(fā)明實施例四至實施例六的存儲設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖。

在本發(fā)明實施例四中，存儲設(shè)備，包括：

存儲單元41，用于存儲數(shù)據(jù)；

控制器42，用于檢測存儲單元41中各存儲區(qū)域，獲得第一參數(shù)集合，所述第一參數(shù)集合用于表征所述各存儲區(qū)域的存儲性能；檢測待存儲數(shù)據(jù)的屬性，獲得第二參數(shù)集合；基于所述第一參數(shù)集合與第二參數(shù)集合確定對所述待存儲數(shù)據(jù)的存儲策略；基于所述存儲策略，對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長；

所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率。

本發(fā)明實施例中，所述控制器42，還用于判斷所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率是否大于等于預(yù)設(shè)閾值；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率大于等于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第一類數(shù)據(jù)；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率小于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第二類數(shù)據(jù)。

基于以上實施例四中的存儲設(shè)備，在本發(fā)明實施例五中，所述控制器42，還用于根據(jù)所述待存儲數(shù)據(jù)的類型和/或所述各存儲區(qū)域的使用時長，選擇相應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)，以對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

基于以上實施例五中的存儲設(shè)備，在本發(fā)明實施例六中，所述第一類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)大于所述第二類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)。

當存儲區(qū)域的使用時長越長時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越大；

當存儲區(qū)域的使用時長越小時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越小。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，圖4所示的存儲設(shè)備中的各功能模塊的實現(xiàn)功能可參照前述存儲數(shù)據(jù)的方法的相關(guān)描述而理解。

本發(fā)明實施例還提供了一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括上述任意所述的存儲設(shè)備；其中，所述存儲設(shè)備包括：

存儲單元，用于存儲數(shù)據(jù)；

控制器，用于檢測存儲單元中各存儲區(qū)域，獲得第一參數(shù)集合，所述第一參數(shù)集合用于表征所述各存儲區(qū)域的存儲性能；檢測待存儲數(shù)據(jù)的屬性，獲得第二參數(shù)集合；基于所述第一參數(shù)集合與第二參數(shù)集合確定對所述待存儲數(shù)據(jù)的存儲策略；基于所述存儲策略，對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，所述第一參數(shù)集合包括所述各存儲區(qū)域的使用時長；

所述第二參數(shù)集合包括所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率。

本發(fā)明實施例中，所述控制器，還用于判斷所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率是否大于等于預(yù)設(shè)閾值；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率大于等于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第一類數(shù)據(jù)；當所述待存儲數(shù)據(jù)的讀寫頻率小于所述預(yù)設(shè)閾值時，確定所述待存儲數(shù)據(jù)的類型為第二類數(shù)據(jù)。

本發(fā)明實施例中，所述控制器，還用于根據(jù)所述待存儲數(shù)據(jù)的類型和/或所述各存儲區(qū)域的使用時長，選擇相應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)，以對所述待存儲數(shù)據(jù)進行存儲。

本發(fā)明實施例中，所述第一類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)大于所述第二類數(shù)據(jù)所對應(yīng)的糾錯碼校驗位位數(shù)。

當存儲區(qū)域的使用時長越長時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越大；

當存儲區(qū)域的使用時長越小時，所選擇的糾錯碼校驗位位數(shù)越小。

本發(fā)明實施例所記載的技術(shù)方案之間，在不沖突的情況下，可以任意組合。

在本發(fā)明所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的方法和智能設(shè)備，可以通過其它的方式實現(xiàn)。以上所描述的設(shè)備實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，如：多個單元或組件可以結(jié)合，或可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的各組成部分相互之間的耦合、或直接耦合、或通信連接可以是通過一些接口，設(shè)備或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性的、機械的或其它形式的。

上述作為分離部件說明的單元可以是、或也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是、或也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上；可以根據(jù)實際的需要選擇其中的部分或全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各實施例中的各功能單元可以全部集成在一個第二處理單元中，也可以是各單元分別單獨作為一個單元，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中；上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。