本發(fā)明涉及一種關(guān)于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的相關(guān)技術(shù)，且特別是關(guān)于一種儲(chǔ)存裝置，其控制單元，以及一種可用于儲(chǔ)存裝置的數(shù)據(jù)搬移方法。

背景技術(shù)：

一般而言，儲(chǔ)存裝置主要由控制單元與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體(例如是閃存)所構(gòu)成，其中數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體具有多個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，每一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊具有多個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)(page)，而控制單元電性耦接數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，以對(duì)上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)進(jìn)行數(shù)據(jù)之存取或抹除。由于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體的數(shù)據(jù)保存(dataretention)能力可能減弱而導(dǎo)致數(shù)據(jù)正確性(integrity)的問(wèn)題，控制單元會(huì)去檢查上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是否可以正常讀取，例如，檢查上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)的比特誤碼數(shù)(biterrorcount,bec)是否高于一臨界值。一旦數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)的位錯(cuò)誤數(shù)高于上述臨界值時(shí)，控制單元就將其儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)搬移到別的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，以確保數(shù)據(jù)的正確性。然而，造成位錯(cuò)誤數(shù)增加的原因不一，且頻繁地進(jìn)行數(shù)據(jù)搬移亦會(huì)造成系統(tǒng)效能的降低。本發(fā)明將對(duì)此問(wèn)題提供一個(gè)技術(shù)的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于一種儲(chǔ)存裝置，其能判斷數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)之所以無(wú)法正常讀取的原因，并據(jù)以決定是否真的需要執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移操作，因而能有效減少其控制單元執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移操作的次數(shù)，進(jìn)而提高儲(chǔ)存裝置整體的系統(tǒng)效能。

本發(fā)明另提供一種儲(chǔ)存裝置的控制單元，其能判斷數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)之所以無(wú)法正常讀取的原因，并據(jù)以決定是否真的需要執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移操作，因而能有效減少其本身執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移操作的次數(shù)，進(jìn)而提高儲(chǔ)存裝置整體的系統(tǒng)效能。

本發(fā)明再提供一種可用于儲(chǔ)存裝置的數(shù)據(jù)搬移方法，其使得控制單元能判斷數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)之所以無(wú)法正常讀取的原因，并據(jù)以決定是否真的需要執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移操作，因而能有效減少控制單元本身執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移操作的次數(shù)，進(jìn)而提高儲(chǔ)存裝置整體的系統(tǒng)效能。

本發(fā)明提出一種儲(chǔ)存裝置，此儲(chǔ)存裝置包括數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體與控制單元。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體具有多個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊?？刂茊卧娦择罱訑?shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，以對(duì)上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊進(jìn)行數(shù)據(jù)之存取?？刂茊卧逵啥鄠€(gè)讀取操作而取得上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之多個(gè)數(shù)據(jù)特性參數(shù)(數(shù)據(jù)特性參數(shù)例如是由位錯(cuò)誤數(shù)或是由臨界電壓位移量所決定)，并依據(jù)上述資料特性參數(shù)而計(jì)算出第一數(shù)值和第二數(shù)值?？刂茊卧x取上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊中之一目標(biāo)區(qū)塊而取得目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)，且控制單元更依據(jù)目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)、第一數(shù)值與第二數(shù)值以決定是否對(duì)目標(biāo)區(qū)塊執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移之操作。

本發(fā)明另提出一種控制單元，此控制單元包括控制邏輯與微處理器。微處理器系電性耦接控制邏輯，并用以透過(guò)控制邏輯對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體中的多個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊進(jìn)行數(shù)據(jù)之存取。微處理器藉由多個(gè)讀取操作而取得上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之多個(gè)數(shù)據(jù)特性參數(shù)，并依據(jù)這些數(shù)據(jù)特性參數(shù)而計(jì)算出第一數(shù)值和第二數(shù)值。此外，微處理器更讀取上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊中之一個(gè)目標(biāo)區(qū)塊而取得此目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)，且微處理器更依據(jù)目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)、第一數(shù)值與第二數(shù)值以決定是否對(duì)目標(biāo)區(qū)塊執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移之操作。

本發(fā)明再提出一種可用于儲(chǔ)存裝置的數(shù)據(jù)搬移方法，此方法包括下列步驟：執(zhí)行多個(gè)讀取操作而取得數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體之多個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的多個(gè)數(shù)據(jù)特性參數(shù)；依據(jù)上述資料特性參數(shù)而計(jì)算出第一數(shù)值和第二數(shù)值；讀取上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊中之一個(gè)目標(biāo)區(qū)塊，以取得此目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)；以及依據(jù)目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)、第一數(shù)值與第二數(shù)值以決定是否對(duì)目標(biāo)區(qū)塊執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移之操作。

本發(fā)明系使儲(chǔ)存裝置之控制單元藉由前述的操作而取得第一數(shù)值、第二數(shù)值與目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)，且使控制單元依據(jù)取得的第一數(shù)值、第二數(shù)值與目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)來(lái)判斷目標(biāo)區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)之所以無(wú)法正常讀取的原因。因此，控制單元就可依據(jù)判斷結(jié)果來(lái)決定是否真的需要對(duì)目標(biāo)區(qū)塊執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移的操作。如此一來(lái)，便能有效減少控制單元執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移操作的次數(shù)，進(jìn)而提高儲(chǔ)存裝置整體的系統(tǒng)效能。

上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明之儲(chǔ)存裝置的電路方塊圖。

圖2為本發(fā)明之可用于儲(chǔ)存裝置之?dāng)?shù)據(jù)搬移方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)頁(yè)的位錯(cuò)誤數(shù)增加的主要原因有二種，一種是因資料的老化(隨著時(shí)間或抺寫(xiě)次數(shù)的增加而造成的數(shù)據(jù)保存能力的降低)；而另一種則是因數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體本身的老化(可能造成的原因包括：高溫或長(zhǎng)時(shí)間地使用)。本發(fā)明即揭露一種判斷機(jī)制以判斷位錯(cuò)誤數(shù)增加的可能原因，并針對(duì)此原因進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幹?。如此一?lái)，不但可以有效地降低資料搬移的次數(shù)，亦可降低數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊抺寫(xiě)的次數(shù)，更可提升儲(chǔ)存裝置的系統(tǒng)效能。

圖1為依照本發(fā)明一實(shí)施例之儲(chǔ)存裝置的電路方塊圖。如圖1所示，儲(chǔ)存裝置100主要包括控制單元110與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體120。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體120具有多個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊(如標(biāo)示130、140、150～m所示，其中m為自然數(shù))，且每一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊具有多個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)(如標(biāo)示p1、p2、p3、p4～pn所示，其中n為自然數(shù))。在此例中，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體220包括以非揮發(fā)性?xún)?nèi)存來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如是以閃存(flashmemory)、磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(magnetoresistiveram)、相變內(nèi)存(phase-changememory)、鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(ferroelectricram)等具有長(zhǎng)時(shí)間數(shù)據(jù)保存之內(nèi)存裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。

請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1。控制單元110系電性耦接數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體120，并用以控制數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體120的操作(例如進(jìn)行數(shù)據(jù)的存取或抹除)。在此例中，控制單元110包括接口邏輯112、微處理器114與控制邏輯116。微處理器114系電性耦接接口邏輯112與控制邏輯116。此微處理器114用以透過(guò)接口邏輯112接收來(lái)自主機(jī)(例如是計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)字相機(jī)等具運(yùn)算功能的電子裝置，未繪示)之命令或數(shù)據(jù)，例如：寫(xiě)入命令、讀取命令、抺除命令等，且微處理器114還用以透過(guò)控制邏輯116對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體120進(jìn)行數(shù)據(jù)之存取，或進(jìn)行數(shù)據(jù)之抹除。

在此實(shí)施例中，微處理器114系藉由讀取數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之多個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)而取得多個(gè)資料特性參數(shù)，其中，數(shù)據(jù)特性參數(shù)可為位錯(cuò)誤數(shù)或臨界電壓位移量，但不以此為限。微處理器114計(jì)算出這些數(shù)據(jù)特性參數(shù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差值，并給予平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差值不同的權(quán)重以取得上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之質(zhì)量參數(shù)。之后，微處理器114讀取上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊中之一個(gè)目標(biāo)區(qū)塊而取得此目標(biāo)區(qū)塊之位錯(cuò)誤數(shù)或臨界電壓位移量，然后再依據(jù)此目標(biāo)區(qū)塊的數(shù)據(jù)特性參數(shù)與質(zhì)量參數(shù)進(jìn)行比對(duì)以決定是否對(duì)目標(biāo)區(qū)塊執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移的操作。以下將以閃存作為數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體120為例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明上述操作。

首先，在操作模式下，微處理器114會(huì)依照來(lái)自主機(jī)的寫(xiě)入命令來(lái)將主機(jī)傳來(lái)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體120中的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)。當(dāng)寫(xiě)完一個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)后，微處理器114讀取此數(shù)據(jù)頁(yè)之?dāng)?shù)據(jù)并計(jì)算其位錯(cuò)誤數(shù)。在執(zhí)行完多數(shù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)頁(yè)及讀取數(shù)據(jù)頁(yè)后，微處理器114取得多數(shù)位錯(cuò)誤數(shù)。微處理器114對(duì)上述位錯(cuò)誤數(shù)進(jìn)行計(jì)算即可取得其平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差值。最后，依使用者之需求而給予平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差值不同的權(quán)重即可得出此(或此些)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之質(zhì)量參數(shù)。

另一實(shí)施例中微處理器114僅讀取每一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之其中一數(shù)據(jù)頁(yè)并進(jìn)行上述之計(jì)算，以提高效率。舉例來(lái)說(shuō)，每寫(xiě)完一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，微處理器114便讀取此數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之第k個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)的數(shù)據(jù)，例如是讀取第一個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)(即數(shù)據(jù)頁(yè)p1)的資料。當(dāng)然，微處理器114也可以讀取每一資料儲(chǔ)存區(qū)塊之隨機(jī)數(shù)據(jù)頁(yè)并進(jìn)行上述之計(jì)算。又或者，微處理器114可依據(jù)一個(gè)設(shè)定表所設(shè)定的數(shù)值來(lái)讀取每一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之特定數(shù)據(jù)頁(yè)并進(jìn)行上述之計(jì)算。又或者，微處理器114可依據(jù)一方程式的計(jì)算來(lái)讀取每一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊之特定數(shù)據(jù)頁(yè)并進(jìn)行上述之計(jì)算。舉例來(lái)說(shuō)，微處理器114可以是去讀取第一個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊(數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊130)的數(shù)據(jù)頁(yè)p1，并去讀取第二個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊(數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊140)的數(shù)據(jù)頁(yè)p3，以及去讀取第三個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊(儲(chǔ)存區(qū)塊150)的數(shù)據(jù)頁(yè)p7，以此類(lèi)推。由于設(shè)定表及方程式之設(shè)定乃熟悉此技藝者可輕易完成，故不多作敘述。

接著，當(dāng)儲(chǔ)存裝置100離開(kāi)操作模式或進(jìn)入背景模式后，微處理器114讀取數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊130～m中之一個(gè)目標(biāo)區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)的數(shù)據(jù)而取得位錯(cuò)誤數(shù)。優(yōu)選地，此目標(biāo)區(qū)塊可以是數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊130～m中最早被寫(xiě)入資料者。至于如何判斷最早被寫(xiě)入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的方法有許多，例如，由微處理器114管理一寫(xiě)入數(shù)據(jù)表，并在此寫(xiě)入數(shù)據(jù)表中依序記錄被寫(xiě)入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的代碼，然后把寫(xiě)入數(shù)據(jù)表儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)頁(yè)、內(nèi)部的記憶空間(未繪示)，或電性耦接但相互獨(dú)立的一個(gè)記憶裝置(未繪示)中。在實(shí)作中，上述的寫(xiě)入數(shù)據(jù)表可以采用鏈結(jié)表(linklist)來(lái)實(shí)現(xiàn)。據(jù)此，微處理器114便可自寫(xiě)入數(shù)據(jù)表尋找出最早被寫(xiě)入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊，以便當(dāng)作前述之目標(biāo)區(qū)塊。另外，微處理器114對(duì)目標(biāo)區(qū)塊的讀取操作，可以是采用讀取目標(biāo)區(qū)塊之至少一個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)的方式來(lái)進(jìn)行。例如：只讀取一個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)，讀取多數(shù)數(shù)據(jù)頁(yè)，讀取默認(rèn)之?dāng)?shù)據(jù)頁(yè)，或是讀取隨機(jī)選中的數(shù)據(jù)頁(yè)等。

在取得目標(biāo)區(qū)塊的位錯(cuò)誤數(shù)后，微處理器114就會(huì)先判斷此目標(biāo)區(qū)塊的位錯(cuò)誤數(shù)是否大于等于比特誤碼閾值(errorbitthreshold)。當(dāng)判斷為否時(shí)，表示此目標(biāo)區(qū)塊之狀態(tài)良好，不存在數(shù)據(jù)保存的問(wèn)題，因此，無(wú)數(shù)據(jù)搬移之需要；反之，當(dāng)判斷為是時(shí)，表示此目標(biāo)區(qū)塊之狀態(tài)不佳，存在數(shù)據(jù)保存的問(wèn)題。然而，造成位錯(cuò)誤數(shù)增加的主因需進(jìn)行進(jìn)一步的判斷，而判斷的方式即比較位錯(cuò)誤數(shù)是否大于質(zhì)量參數(shù)，再依據(jù)判斷的結(jié)果來(lái)決定是否進(jìn)行數(shù)據(jù)的搬移。

在此實(shí)施例中，質(zhì)量參數(shù)是由a倍的之平均值加上b倍的標(biāo)準(zhǔn)偏差值的加總，數(shù)值a和b可為整數(shù)、復(fù)數(shù)、分?jǐn)?shù)、正數(shù)或負(fù)數(shù)，可依使用者之需求而進(jìn)行設(shè)定。目標(biāo)區(qū)塊的位錯(cuò)誤數(shù)大于錯(cuò)誤位臨界值但小于質(zhì)量參數(shù)時(shí)，其可能造成的原因是數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體本身的老化，因此，無(wú)需進(jìn)行數(shù)據(jù)的搬移。目標(biāo)區(qū)塊的位錯(cuò)誤數(shù)大于錯(cuò)誤位臨界值且大于質(zhì)量參數(shù)時(shí)，其可能造成的原因是數(shù)據(jù)的老化，故需進(jìn)行數(shù)據(jù)的搬移。此時(shí)，微處理器114將目標(biāo)區(qū)塊的數(shù)據(jù)搬移至另一個(gè)空白的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊。微處理器114亦可執(zhí)行垃圾收集(garbagecollection)，將包含目標(biāo)區(qū)塊的多數(shù)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的有效數(shù)據(jù)整并至一個(gè)空白的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊。當(dāng)然，在執(zhí)行完數(shù)據(jù)搬移或垃圾收集的操作后，微處理器114就需要去更新上述之寫(xiě)入數(shù)據(jù)表。

盡管在上述各實(shí)施樣態(tài)中，微處理器114系藉由讀取操作來(lái)取得位錯(cuò)誤數(shù)，以將取得的位錯(cuò)誤數(shù)當(dāng)作數(shù)據(jù)特性參數(shù)(也就是數(shù)據(jù)特性參數(shù)系由位錯(cuò)誤數(shù)所決定)，然此并非用以限制本發(fā)明。本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)知，微處理器114也可以是藉由讀取操作來(lái)取得構(gòu)成資料頁(yè)之至少一個(gè)儲(chǔ)存單元(memorycell)的臨界電壓位移量，以將取得的臨界電壓位移量當(dāng)作數(shù)據(jù)特性參數(shù)(也就是數(shù)據(jù)特性參數(shù)系由臨界電壓位移量所決定)。

藉由上述教示，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者當(dāng)可歸納出一種可用于儲(chǔ)存裝置之?dāng)?shù)據(jù)搬移方法的一些基本操作步驟，一如圖2所示。圖2即為依照本發(fā)明一實(shí)施例之一種可用于儲(chǔ)存裝置之?dāng)?shù)據(jù)搬移方法的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，此方法包括有下列步驟：執(zhí)行多個(gè)讀取操作而取得數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體之多個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊的多個(gè)數(shù)據(jù)特性參數(shù)(如步驟s201所示)；依據(jù)上述資料特性參數(shù)而計(jì)算出第一數(shù)值和第二數(shù)值(如步驟s202所示)；讀取上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)塊中之一個(gè)目標(biāo)區(qū)塊，以取得此目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)(如步驟s203所示)；以及依據(jù)目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)、第一數(shù)值與第二數(shù)值以決定是否對(duì)目標(biāo)區(qū)塊執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移之操作(如步驟s204所示)。

綜上所述，本發(fā)明系使儲(chǔ)存裝置之控制單元藉由前述的操作而取得質(zhì)量參數(shù)與目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)，且使控制單元依據(jù)取得的質(zhì)量參數(shù)與目標(biāo)區(qū)塊之?dāng)?shù)據(jù)特性參數(shù)來(lái)判斷目標(biāo)區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)之所以無(wú)法正常讀取，是因?yàn)閿?shù)據(jù)的老化而導(dǎo)致還是因?yàn)閿?shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體本身的老化所導(dǎo)致。因此，當(dāng)控制單元判斷目標(biāo)區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)之所以無(wú)法正常讀取，是因?yàn)閿?shù)據(jù)的老化而導(dǎo)致時(shí)，控制單元就會(huì)執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移的操作；反之，當(dāng)控制單元判斷目標(biāo)區(qū)塊的數(shù)據(jù)頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)之所以無(wú)法正常讀取，是因?yàn)閿?shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體本身的老化所導(dǎo)致時(shí)，控制單元就不會(huì)執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移的操作。如此一來(lái)，便能有效減少控制單元執(zhí)行數(shù)據(jù)搬移操作的次數(shù)，進(jìn)而提高儲(chǔ)存裝置整體的系統(tǒng)效能。

雖然本發(fā)明以前述的實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍須視本說(shuō)明書(shū)所附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定者為準(zhǔn)。