本申請要求2015年6月5日提交給韓國知識產(chǎn)權(quán)局的申請?zhí)枮?0-2015-0079724的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用整體合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域：
：示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，更具體地，涉及一種能夠管理數(shù)據(jù)的存儲系統(tǒng)及其操作方法。
背景技術(shù)：
：：計(jì)算機(jī)環(huán)境范式已經(jīng)變?yōu)槟軌螂S時(shí)隨地使用的普適計(jì)算系統(tǒng)。正因如此，便攜式電子設(shè)備(諸如，移動(dòng)電話、數(shù)字照相機(jī)和筆記本電腦)的使用已經(jīng)快速增加。這些便攜式電子設(shè)備通常使用具有存儲器件的存儲系統(tǒng)(即，數(shù)據(jù)儲存設(shè)備)。數(shù)據(jù)儲存設(shè)備被用作便攜式電子設(shè)備的主存儲設(shè)備或輔助存儲設(shè)備。由于使用存儲器件的數(shù)據(jù)儲存設(shè)備不具有移動(dòng)部件，因此它們具有優(yōu)異的穩(wěn)定性、耐久性、高的信息訪問速度和低功耗。具有這些優(yōu)點(diǎn)的數(shù)據(jù)儲存設(shè)備的示例包括通用串行總線(USB)存儲設(shè)備、具有各種接口的存儲卡和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：各種實(shí)施例針對一種存儲系統(tǒng)及其操作方法，該存儲系統(tǒng)能夠根據(jù)熱/冷信息來有效地儲存從主機(jī)提供的數(shù)據(jù)。在實(shí)施例中，一種存儲系統(tǒng)可以包括：存儲器件，該存儲器件包括多個(gè)塊，每個(gè)塊包括頁的第一區(qū)和第二區(qū)；以及控制器，適用于將多個(gè)數(shù)據(jù)儲存在第一區(qū)中并且將分別與多個(gè)數(shù)據(jù)相對應(yīng)的熱/冷信息儲存在第二區(qū)中?？刂破骺梢砸皂摓閱挝粚⒍鄠€(gè)數(shù)據(jù)儲存在第一區(qū)中。多個(gè)塊中的每個(gè)塊可以包括N個(gè)頁(N大于2)，以及第一區(qū)可以包括M個(gè)頁(M小于N)。第二區(qū)可以包括N-M個(gè)頁，所述N-M個(gè)頁在多個(gè)塊的每個(gè)塊中按照物理次序定位在最后。熱/冷信息可以處于位圖的形式，所述位圖中的每個(gè)位(bit)代表第一區(qū)的每個(gè)頁的熱/冷信息。第二區(qū)可以包括N-M個(gè)頁，所述N-M個(gè)頁中的每個(gè)頁在多個(gè)塊的每個(gè)塊中按照物理次序定位在每第N/(N-M)頁處。熱/冷信息可以處于位圖的形式，所述位圖中的每個(gè)位代表第一區(qū)的每個(gè)頁的熱/冷信息。在垃圾收集操作期間，控制器還可以根據(jù)儲存在犧牲塊的第二區(qū)中的熱/冷信息來將儲存在犧牲塊的第一區(qū)中的有效數(shù)據(jù)移動(dòng)至熱空閑塊和冷空閑塊中的一個(gè)，以及犧牲塊可以是多個(gè)塊之中的一個(gè)塊。在實(shí)施例中，存儲系統(tǒng)可以包括：存儲器件，該存儲器件包括多個(gè)塊；以及控制器，適用于將多個(gè)頁數(shù)據(jù)儲存在所述多個(gè)塊中并且將分別與所述多個(gè)頁數(shù)據(jù)相對應(yīng)的熱/冷信息儲存在映射表中，所述映射表代表儲存在多個(gè)塊中的多個(gè)頁數(shù)據(jù)的物理頁地址與邏輯地址之間的關(guān)系。在垃圾收集操作期間，控制器還可以根據(jù)儲存在存儲器中的熱/冷信息來將儲存在犧牲塊中的有效數(shù)據(jù)移動(dòng)至熱空閑塊和冷空閑塊中的一個(gè)，以及犧牲塊可以是多個(gè)塊之中的一個(gè)。在實(shí)施例中，用于操作存儲系統(tǒng)的方法，所述存儲系統(tǒng)包括存儲器件，該存儲器件包括多個(gè)塊，每個(gè)塊包括頁的第一區(qū)和第二區(qū)，所述方法可以包括：將多個(gè)數(shù)據(jù)儲存在第一區(qū)中；以及將分別與多個(gè)數(shù)據(jù)相對應(yīng)的熱/冷信息儲存在第二區(qū)中。可以通過以頁為單位將多個(gè)數(shù)據(jù)儲存在第一區(qū)中來執(zhí)行對多個(gè)數(shù)據(jù)的儲存。多個(gè)塊中的每個(gè)塊可以包括N個(gè)頁(N大于2)，以及第一區(qū)可以包括M個(gè)頁(M小于N)。第二區(qū)可以包括N-M個(gè)頁，所述N-M個(gè)頁在多個(gè)塊的每個(gè)塊中按照物理次序定位在最后。熱/冷信息可以處于位圖的形式，所述位圖中的每個(gè)位代表第一區(qū)的每個(gè)頁的熱/冷信息。第二區(qū)可以包括N-M個(gè)頁，所述N-M個(gè)頁中的每個(gè)頁在多個(gè)塊的每個(gè)塊中按照物理次序定位在每第N/(N-M)頁處。熱/冷信息可以處于位圖的形式，所述位圖中的每個(gè)位代表第一區(qū)的每個(gè)頁的熱/冷信息。該方法還可以包括：在垃圾收集操作期間，根據(jù)儲存在犧牲塊的第二區(qū)中的熱/冷信息來將儲存在犧牲塊的第一區(qū)中的有效數(shù)據(jù)移動(dòng)至熱空閑塊和冷空閑塊中的一個(gè)。犧牲塊可以是多個(gè)塊之中的一個(gè)塊。在實(shí)施例中，一種用于操作存儲系統(tǒng)的方法，該存儲系統(tǒng)包括存儲器件，該存儲器件包括多個(gè)塊，所述方法可以包括：將多個(gè)頁數(shù)據(jù)儲存在多個(gè)塊中；以及將分別與多個(gè)頁數(shù)據(jù)相對應(yīng)的熱/冷信息儲存在儲存映射表的存儲器中，該映射表代表儲存在多個(gè)塊中的多個(gè)頁數(shù)據(jù)的物理頁地址與邏輯地址之間的關(guān)系。該方法還可以包括：在垃圾收集操作期間，根據(jù)儲存在存儲器中的熱/冷信息來將儲存在犧牲塊中的有效數(shù)據(jù)移動(dòng)至熱空閑塊和冷空閑塊中的一個(gè)。犧牲塊可以是多個(gè)塊之中的一個(gè)塊。所述實(shí)施例采用這樣的方案，即：不管數(shù)據(jù)的熱/冷趨勢如何都將從主機(jī)提供的數(shù)據(jù)順序地儲存在塊中，并且同時(shí)將所儲存的數(shù)據(jù)的熱/冷信息儲存在單獨(dú)的空間(儲存數(shù)據(jù)的塊中包括的部分空間或邏輯地址-物理地址映射表)中。通過該方案，提供了以下優(yōu)點(diǎn)：不管從主機(jī)提供的數(shù)據(jù)的趨勢如何，都可以以總是確保存儲器件的均衡性能的方式將數(shù)據(jù)寫入在存儲器件中。此外，所述實(shí)施例采用這樣的方法，即：在垃圾收集操作中，基于儲存在單獨(dú)空間(儲存數(shù)據(jù)的塊中包括的部分空間或邏輯地址-物理地址映射表)中的熱/冷信息而分別將犧牲塊的數(shù)據(jù)移動(dòng)至熱空閑塊和冷空閑塊。通過該方法，提供了以下優(yōu)點(diǎn)：即使在執(zhí)行垃圾收集操作之后，也可以有效地管理數(shù)據(jù)。此外，當(dāng)隨后再次執(zhí)行垃圾收集操作時(shí)，可以確保更大數(shù)量的空閑塊。附圖說明圖1是圖示根據(jù)實(shí)施例的包括存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示圖。圖2是圖示圖1中所示的存儲系統(tǒng)中的存儲器件的示圖。圖3是圖示根據(jù)實(shí)施例的存儲器件中的存儲塊的電路圖。圖4至圖11是圖示圖2中所示的存儲器件的示意圖。圖12A和圖12B是圖示根據(jù)實(shí)施例的用于存儲系統(tǒng)的操作的示意圖。圖13是圖示根據(jù)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的操作的流程圖。圖14是圖示根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的操作的示意圖。圖15是圖示根據(jù)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的垃圾收集操作的示意圖。圖16是圖示根據(jù)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的垃圾收集操作的流程圖。具體實(shí)施方式以下將參照附圖來更詳細(xì)地描述各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來實(shí)施而不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于本文所闡述的實(shí)施例。更確切地說，這些實(shí)施例被提供使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。貫穿本公開，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中始終指代相同的部分。附圖不一定成比例，在某些情況下，可能已經(jīng)夸大比例以清楚地說明實(shí)施例的特征。當(dāng)元件被稱為連接或耦接至另一個(gè)元件時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解的是，前者可以直接連接或耦接至后者，或者經(jīng)由它們之間的中間元件電連接或耦接至后者。此外，當(dāng)描述為一物“包含”(或“包括”)或“具有”一些元件時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解為其可以僅包含(或包括)或具有那些元件，或者如果沒有特定限制，則其可以包含(或包括)或具有其他元件以及那些元件。除非另外說明，否則單數(shù)形式的術(shù)語可以包括復(fù)數(shù)形式。圖1是圖示根據(jù)實(shí)施例的包括存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的框圖。參照圖1，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100可以包括主機(jī)102和存儲系統(tǒng)110。主機(jī)102可以包括例如，諸如移動(dòng)電話、MP3播放器和膝上型計(jì)算機(jī)的便攜式電子設(shè)備或諸如臺式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、TV和投影儀的電子設(shè)備。存儲系統(tǒng)110可以響應(yīng)于來自主機(jī)102的請求而操作，具體地，儲存要被主機(jī)102訪問的數(shù)據(jù)。換句話說，存儲系統(tǒng)110可以用作主機(jī)102的主存儲系統(tǒng)或輔助存儲系統(tǒng)。存儲系統(tǒng)110可以根據(jù)要與主機(jī)102電耦接的主機(jī)接口的協(xié)議而用各種類型的儲存設(shè)備中的任意一種來實(shí)施。存儲系統(tǒng)110可以用諸如固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、縮小尺寸MMC(RS-MMC)和微型MMC、安全數(shù)字(SD)卡、迷你SD和微型SD、通用串行總線(USB)儲存設(shè)備、通用快閃儲存(UFS)設(shè)備、緊湊型快閃(CF)卡、智能媒體(SM)卡和記憶棒等的各種類型的儲存設(shè)備中的任意一種來實(shí)施。用于存儲系統(tǒng)110的儲存設(shè)備可以用易失性存儲器件(諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM))或非易失性存儲器件(諸如只讀存儲器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)、相變RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)和電阻式RAM(RRAM))來實(shí)施。存儲系統(tǒng)110可以包括儲存要被主機(jī)102訪問的數(shù)據(jù)的存儲器件150以及可以控制將數(shù)據(jù)儲存在存儲器件150中的控制器130。控制器130和存儲器件150可以被集成至一個(gè)半導(dǎo)體器件中。例如，控制器130和存儲器件150可以被集成至一個(gè)半導(dǎo)體器件中并且配置固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。當(dāng)存儲系統(tǒng)110用作SSD時(shí)，可以顯著地提高與存儲系統(tǒng)110電耦接的主機(jī)102的操作速度?？刂破?30和存儲器件150可以被集成至一個(gè)半導(dǎo)體器件中并且配置存儲卡?？刂破?30和存儲卡150可以被集成至一個(gè)半導(dǎo)體器件中，并且配置諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲卡國際協(xié)會(PCMCIA)卡、緊湊型閃存(CF)卡、智能媒體(SM)卡(SMC)、記憶棒、多媒體卡(MMC)、RS-MMC和微型MMC、安全數(shù)字(SD)卡、迷你SD、微型SD和SDHC以及通用快閃儲存(UFS)設(shè)備的存儲卡。再例如，存儲系統(tǒng)110可以配置計(jì)算機(jī)、超移動(dòng)PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板(webtablet)、平板電腦、無線電話、移動(dòng)電話、智能電話、電子書、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲機(jī)、導(dǎo)航儀、黑匣子、數(shù)字照相機(jī)、數(shù)字多媒體廣播(DMB)播放器、三維(3D)電視、智能電視、數(shù)字錄音機(jī)、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖片記錄器、數(shù)字圖片播放器、數(shù)字錄像機(jī)、數(shù)字視頻播放器、配置數(shù)據(jù)中心的儲存器、能夠在無線環(huán)境下收發(fā)信息的設(shè)備、配置家庭網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備中的一種、配置計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備中的一種、配置遠(yuǎn)程信息處理網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備中的一種、RFID設(shè)備或者配置計(jì)算系統(tǒng)的各種組成元件中的一種。存儲系統(tǒng)110的存儲器件150在電源被中斷時(shí)可以保持儲存的數(shù)據(jù)，具體地，在寫入操作期間儲存從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)，以及在讀取操作期間將儲存的數(shù)據(jù)提供給主機(jī)102。存儲器件150可以包括多個(gè)存儲塊152、154和156。存儲塊152、154和156中的每個(gè)可以包括多個(gè)頁。每個(gè)頁可以包括多個(gè)存儲單元，多個(gè)字線(WL)電耦接至所述多個(gè)存儲單元。存儲器件150可以是非易失性存儲器件，例如，快閃存儲器?？扉W存儲器可以具有三維(3D)層疊結(jié)構(gòu)。之后將參照圖2至圖11來詳細(xì)描述存儲器件150的結(jié)構(gòu)和存儲器件150的三維(3D)層疊結(jié)構(gòu)。存儲系統(tǒng)110的控制器130可以響應(yīng)于來自主機(jī)102的請求來控制存儲器件150?？刂破?30可以將從存儲器件150讀取的數(shù)據(jù)提供給主機(jī)102，以及將從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)儲存在存儲器件150中。為此，控制器130可以控制存儲器件150的總體操作(諸如讀取操作、寫入操作、編程操作和擦除操作)。詳細(xì)地，控制器130可以包括主機(jī)接口單元132、處理器134、錯(cuò)誤校正碼(ECC)單元138、電源管理單元140、NAND閃存控制器142和存儲器144。主機(jī)接口單元132可以處理從主機(jī)102提供的命令和數(shù)據(jù)，以及可以通過諸如通用串行總線(USB)、多媒體卡(MMC)、外圍組件互連快速(PCI-E)、串行連接SCSI(SAS)、串行高級技術(shù)附件(SATA)、并行高級技術(shù)附件(PATA)、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)、增強(qiáng)型小盤接口(ESDI)和集成驅(qū)動(dòng)電路(IDE)的各種接口協(xié)議中的至少一種來與主機(jī)102通信。ECC單元138可以在讀取操作期間檢測并校正從存儲器件150讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。當(dāng)錯(cuò)誤位的數(shù)量大于或等于可校正錯(cuò)誤位的閾值數(shù)量時(shí)，ECC單元138不能校正錯(cuò)誤位，并且可以輸出指示校正錯(cuò)誤位失敗的錯(cuò)誤校正失敗信號。ECC單元138可以基于諸如低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)碼、博斯-喬赫里-霍克文黑姆(BCH，Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)碼、渦輪碼(turbocode)、里德-所羅門(RS，Reed-Solomon)碼、卷積碼、遞歸系統(tǒng)碼(RSC)、格形編碼調(diào)制(TCM)和分組編碼調(diào)制(BCM)等的編碼調(diào)制來執(zhí)行錯(cuò)誤校正操作。ECC單元138可以包括用于錯(cuò)誤校正操作的所有電路、系統(tǒng)或設(shè)備。PMU140可以提供和管理用于控制器130的電源，即，用于包括在控制器130中的組成元件的電源。NFC142可以用作控制器130與存儲器件150之間的存儲器接口，以允許控制器130響應(yīng)于來自主機(jī)102的請求來控制存儲器件150。當(dāng)存儲器件150是快閃存儲器時(shí)，具體地，當(dāng)存儲器件150是NAND快閃存儲器時(shí)，NFC142可以產(chǎn)生用于存儲器件150的控制信號以及在處理器134的控制下處理數(shù)據(jù)。存儲器144可以用作存儲系統(tǒng)110和控制器130的工作存儲器，并且儲存用于驅(qū)動(dòng)存儲系統(tǒng)110和控制器130的數(shù)據(jù)?？刂破?30可以響應(yīng)于來自主機(jī)102的請求來控制存儲器件150。例如，控制器130可以將從存儲器件150讀取的數(shù)據(jù)提供給主機(jī)102，以及將從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)儲存在存儲器件150中。當(dāng)控制器130控制存儲器件150的操作時(shí)，存儲器144可以儲存由控制器130和存儲器件150使用以用于諸如讀取操作、 寫入操作、編程操作和擦除操作的操作的數(shù)據(jù)。存儲器144可以利用易失性存儲器來實(shí)施。存儲器144可以利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)來實(shí)施。如上所述，存儲器144可以儲存由主機(jī)102和存儲器件150使用以用于讀取操作和寫入操作的數(shù)據(jù)。為了儲存該數(shù)據(jù)，存儲器144可以包括程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器、寫入緩沖器、讀取緩沖器和映射緩沖器等。處理器134可以控制存儲系統(tǒng)110的常規(guī)操作，以及響應(yīng)于來自主機(jī)102的寫入請求或讀取請求來控制針對存儲器件150的寫入操作或讀取操作。處理器134可以驅(qū)動(dòng)被稱為閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)的固件來控制存儲系統(tǒng)110的常規(guī)操作。處理器134可以利用微處理器或中央處理單元(CPU)來實(shí)施。管理單元(未示出)可以被包括在處理器134中，并且可以執(zhí)行對存儲器件150的壞塊管理。管理單元可以找到包括在存儲器件150中的壞存儲塊(其不滿足進(jìn)一步使用的條件)并且對壞存儲塊執(zhí)行壞塊管理。當(dāng)存儲器件150是快閃存儲器(例如，NAND快閃存儲器)時(shí)，在寫入操作期間(例如，在編程操作期間)，可能因NAND邏輯功能的特性而發(fā)生編程失敗。在壞塊管理期間，編程失敗的存儲塊或壞存儲塊的數(shù)據(jù)可以被編程至新存儲塊中。此外，因編程失敗導(dǎo)致的壞塊嚴(yán)重地降低了具有3D層疊結(jié)構(gòu)的存儲器件150的利用效率以及存儲系統(tǒng)100的可靠性，從而需要可靠的壞塊管理。圖2是圖示圖1中所示的存儲器件150的示意圖。參照圖2，存儲器件150可以包括多個(gè)存儲塊，例如，第零存儲塊210至第(N-1)存儲塊240。多個(gè)存儲塊210至240中的每個(gè)可以包括多個(gè)頁，例如，2M個(gè)頁(2MPAGES)，本發(fā)明將不局限于該2M個(gè)頁。多個(gè)頁中的每個(gè)可以包括多個(gè)存儲單元，多個(gè)字線電耦接至該多個(gè)存儲單元。此外，存儲器件150可以包括多個(gè)存儲塊，根據(jù)在每個(gè)存儲單元中可以儲存或表示的位的數(shù)量而作為單電平單元(SLC)存儲塊和多電平單元(MLC)存儲塊。SLC存儲塊可以包括用每個(gè)存儲單元能夠儲存1位數(shù)據(jù)的存儲單元來實(shí)施的多個(gè)頁。MLC存儲塊可以包括利用每個(gè)存儲單元能夠儲存多位數(shù)據(jù)(例如，兩位或多位數(shù)據(jù))的存儲單元來實(shí)施的多個(gè)頁。包括用每個(gè)存儲單元能夠儲存3位數(shù)據(jù)的存儲單元來實(shí)施的多個(gè)頁的MLC存儲塊可以被定義為三電平單元(TLC)存儲塊。多個(gè)存儲塊210至240中的每個(gè)可以在寫入操作期間儲存從主機(jī)設(shè)備102提供的數(shù)據(jù)，以及可以在讀取操作期間將儲存的數(shù)據(jù)提供給主機(jī)102。圖3是圖示圖1中所示的多個(gè)存儲塊152至156中的一個(gè)存儲塊的電路圖。參照圖3，存儲器件150的存儲塊152可以包括分別電耦接至位線BL0至BLm-1的多個(gè)單元串340。每列的單元串340可以包括至少一個(gè)漏極選擇晶體管DST和至少一個(gè)源極選擇晶體管SST。多個(gè)存儲單元或多個(gè)存儲單元晶體管MC0至MCn-1可以串聯(lián)地電耦接在選擇晶體管DST與選擇晶體管SST之間。各個(gè)存儲單元MC0至MCn-1可以由多電平單元(MLC)來配置，多電平單元(MLC)中的每個(gè)儲存多位的數(shù)據(jù)信息。串340可以分別電耦接至對應(yīng)的位線BL0至BLm-1。作為參考，在圖3中，“DSL”表示漏極選擇線，“SSL”表示源極選擇線，以及“CSL”表示公共源極線。雖然圖3示出了由NAND快閃存儲單元配置的存儲塊152作為示例，但是要注意的是，根據(jù)實(shí)施例的存儲器件150的存儲塊152不限于NAND快閃存儲器，并且可以實(shí)現(xiàn)為NOR快閃存儲器、在其中組合了至少兩種類型的存儲單元的混合快閃存儲器、或控制器被構(gòu)建在存儲芯片中的一體NAND快閃存儲器(one-NANDflashmemory)。半導(dǎo)體器件的操作特性不僅可以應(yīng)用至在其中電荷儲存層由導(dǎo)電浮柵配置的快閃存儲器件，還可以應(yīng)用至在其中電荷儲存層由電介質(zhì)層配置的電荷俘獲閃存(CTF)。存儲器件150的電壓供應(yīng)塊310可以提供根據(jù)操作模式而要被供應(yīng)至各個(gè)字線的字線電壓(例如，編程電壓、讀取電壓和通過電壓)以及要被供應(yīng)至塊體(bulk)(例如，在其中形成存儲單元的阱區(qū))的電壓。電壓供應(yīng)塊310可以在控制電路(未示出)的控制下執(zhí)行電壓發(fā)生操作。電壓供應(yīng)塊310可以產(chǎn)生多個(gè)可變讀取電壓以產(chǎn)生多個(gè)讀取數(shù)據(jù)，在控制電路的控制下選擇存儲單元陣列的一個(gè)存儲塊或扇區(qū)，選擇選中存儲塊的字線中的一個(gè)，以及將字線電壓提供至選中字線和未選中字線。存儲器件150的讀/寫電路320可以由控制電路控制，以及可以根據(jù)操作模式而用作感測放大器或?qū)懭腧?qū)動(dòng)器。在驗(yàn)證/正常讀取操作期間，讀/寫電路320可以用作用于從存儲單元陣列讀取數(shù)據(jù)的感測放大器。此外，在編程操作期間，讀/寫電路320可以用作寫入驅(qū)動(dòng)器，寫入驅(qū)動(dòng)器根據(jù)要被儲存在存儲單元陣列中的數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)位線。讀/寫電路320可以在編程操作期間從緩沖器(未示出)接收要被寫入在存儲單元陣列中的數(shù)據(jù)，以及可以根據(jù)輸入的數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)位線。為此，讀/寫電路320可以包括分別與列(或位線)或列對(或位線對)相對應(yīng)的多個(gè)頁緩沖器322、324和326，且多個(gè)鎖存器(未示出)可以被包括在頁緩沖器322、324和326中的每個(gè)中。圖4至圖11是圖示圖1中所示的存儲器件150的示意圖。圖4是圖示圖1中所示的存儲器件150的多個(gè)存儲塊152至156的示例的框圖。參照圖4，存儲器件150可以包括多個(gè)存儲塊BLK0至BLKN-1，且存儲塊BLK0至BLKN-1中的每個(gè)可以實(shí)現(xiàn)為三維(3D)結(jié)構(gòu)或垂直結(jié)構(gòu)。各個(gè)存儲塊BLK0至BLKN-1可以包括沿第一方向至第三方向(例如，x軸方向、y軸方向和z軸方向)延伸的結(jié)構(gòu)。各個(gè)存儲塊BLK0至BLKN-1可以包括沿第二方向延伸的多個(gè)NAND串NS。多個(gè)NAND串NS可以沿第一方向和第三方向設(shè)置。每個(gè)NAND串NS可以電耦接至位線BL、至少一個(gè)源極選擇線SSL、至少一個(gè)接地選擇線GSL、多個(gè)字線WL、至少一個(gè)虛設(shè)字線DWL和公共源極線CSL。即，各個(gè)存儲塊BLK0至BLKN-1可以電耦接至多個(gè)位線BL、多個(gè)源極選擇線SSL、多個(gè)接地選擇線GSL、多個(gè)字線WL、多個(gè)虛設(shè)字線DWL和多個(gè)公共源極線CSL。圖5是圖4中所示的多個(gè)存儲塊BLK0至BLKN-1中的一個(gè)存儲塊BLKi的透視圖。圖6是沿圖5中所示的存儲塊BLKi的I-I′線截取的剖視圖。參照圖5和圖6，存儲器件150的多個(gè)存儲塊之中的存儲塊BLKi可以包括沿第一方向至第三方向延伸的結(jié)構(gòu)?？梢栽O(shè)置有襯底5111。襯底5111可以包括用第一類型雜質(zhì)摻雜的硅材料。襯底5111可以包括用p型雜質(zhì)摻雜的硅材料，或者可以是p型阱(例如，口袋型p阱)，并且包括圍繞p型阱的n型阱。雖然假設(shè)襯底5111是p型硅，但是要注意的是，襯底5111不局限于是p型硅。沿第一方向延伸的多個(gè)摻雜區(qū)5311至5314可以設(shè)置在襯底5111之上。多個(gè)摻雜區(qū)5311至5314可以包含不同于襯底5111的第二類型雜質(zhì)。多個(gè)摻雜區(qū)5311至5314可以用n型雜質(zhì)摻雜。雖然這里假設(shè)第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314是n型，但是要注意的是，第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314不局限于是n型。在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的襯底5111之上的區(qū)域中，沿第一方向延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112可以沿第二方向順序地設(shè)置。電介質(zhì)材料5112和襯底5111可以沿第二方向彼此分離預(yù)定距離。電介質(zhì)材料5112可以沿第二方向彼此分離預(yù)定距離。電介質(zhì)材料5112可以包括諸如氧化硅的電介質(zhì)材料。在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的襯底5111之上的區(qū)域中，可以設(shè)置多個(gè)柱體5113，多個(gè)柱體5113沿第一方向順序地布置并且沿第二方向穿過電介質(zhì)材料5112。多個(gè)柱體5113可以分別穿過電介質(zhì)材料5112并且可以與襯底5111電耦接。每個(gè)柱體5113可以由多種材料配置。每個(gè)柱體5113的表面層5114可以包括用第一類型雜質(zhì) 摻雜的硅材料。每個(gè)柱體5113的表面層5114可以包括用與襯底5111相同類型的雜質(zhì)摻雜的硅材料。雖然這里假設(shè)每個(gè)柱體5113的表面層5114可以包括p型硅，但是每個(gè)柱體5113的表面層5114不局限于是p型硅。每個(gè)柱體5113的內(nèi)層5115可以由電介質(zhì)材料形成。每個(gè)柱體5113的內(nèi)層5115可以由諸如氧化硅的電介質(zhì)材料填充。在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的區(qū)域中，電介質(zhì)層5116可以沿電介質(zhì)材料5112、柱體5113和襯底5111的暴露表面設(shè)置。電介質(zhì)層5116的厚度可以小于電介質(zhì)材料5112之間的距離的一半。換句話說，在其中可以布置除電介質(zhì)材料5112和電介質(zhì)層5116之外的材料的區(qū)域可以被設(shè)置在(i)設(shè)置在電介質(zhì)材料5112的第一電介質(zhì)材料的底表面之上的電介質(zhì)層5116與(ii)設(shè)置在電介質(zhì)材料5112的第二電介質(zhì)材料的頂表面之上的電介質(zhì)層5116之間。電介質(zhì)材料5112位于第一電介質(zhì)材料之下。在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的區(qū)域中，導(dǎo)電材料5211至5291可以設(shè)置在電介質(zhì)層5116的暴露表面之上。沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211可以設(shè)置在鄰近于襯底5111的電介質(zhì)材料5112與襯底5111之間。具體地，沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211可以設(shè)置在(i)布置在襯底5111之上的電介質(zhì)層5116與(ii)布置在鄰近于襯底5111的電介質(zhì)材料5112的底表面之上的電介質(zhì)層5116之間。沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料可以設(shè)置在(i)布置在電介質(zhì)材料5112的一個(gè)電介質(zhì)材料的頂表面之上的電介質(zhì)層5116與(ii)布置在電介質(zhì)材料5112的另一電介質(zhì)材料(其布置在特定電介質(zhì)材料5112之上)的底表面之上的電介質(zhì)層5116之間。沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5221至5281可以設(shè)置在電介質(zhì)材料5112之間。沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5291可以設(shè)置在最上電介質(zhì)材料5112之上。沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291可以是金屬材料。沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291可以是諸如多晶硅的導(dǎo)電材料。在第二摻雜區(qū)5312與第三摻雜區(qū)5313之間的區(qū)域中，可以設(shè)置與第一摻雜區(qū)5311和第二摻雜區(qū)5312之間的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。例如，在第二摻雜區(qū)5312與第三摻雜區(qū)5313之間的區(qū)域中，可以設(shè)置沿第一方向延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112、沿第一方向順序地布置且沿第二方向穿過多個(gè)電介質(zhì)材料5112的多個(gè)柱體5113、設(shè)置在多個(gè)電介質(zhì)材料5112和多個(gè)柱體5113的暴露表面之上的電介質(zhì)層5116以及沿第一方向延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料5212至5292。在第三摻雜區(qū)5313與第四摻雜區(qū)5314之間的區(qū)域中，可以設(shè)置與第一摻雜區(qū)5311和第二摻雜區(qū)5312之間的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。例如，在第三摻雜區(qū)5313與第四摻雜區(qū)5314 之間的區(qū)域中，可以設(shè)置沿第一方向延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112、沿第一方向順序地布置且沿第二方向穿過多個(gè)電介質(zhì)材料5112的多個(gè)柱體5113、設(shè)置在多個(gè)電介質(zhì)材料5112和多個(gè)柱體5113的暴露表面之上的電介質(zhì)層5116以及沿第一方向延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料5213至5293。漏極5320可以分別設(shè)置在多個(gè)柱體5113之上。漏極5320可以是用第二類型雜質(zhì)摻雜的硅材料。漏極5320可以是用n型雜質(zhì)摻雜的硅材料。雖然為了方便起見而假設(shè)漏極5320包括n型硅，但是要注意的是，漏極5320不局限于是n型硅。例如，每個(gè)漏極5320的寬度可以大于每個(gè)對應(yīng)柱體5113的寬度。每個(gè)漏極5320可以以焊盤的形狀設(shè)置在每個(gè)對應(yīng)柱體5113的頂表面之上。沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331至5333可以設(shè)置在漏極5320之上。導(dǎo)電材料5331至5333可以沿第一方向順序地布置。各個(gè)導(dǎo)電材料5331至5333可以與對應(yīng)區(qū)域的漏極5320電耦接。漏極5320與沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331至5333可以通過接觸插塞電耦接。沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331至5333可以是金屬材料。沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331至5333可以是諸如多晶硅的導(dǎo)電材料。在圖5和圖6中，各個(gè)柱體5113可以與沿第一方向延伸的電介質(zhì)層5116以及導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293一起形成串。各個(gè)柱體5113可以與沿第一方向延伸的電介質(zhì)層5116以及導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293一起形成NAND串NS。每個(gè)NAND串NS可以包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。圖7是圖6中所示的晶體管結(jié)構(gòu)TS的剖視圖。參照圖7，在圖6中所示的晶體管結(jié)構(gòu)TS中，電介質(zhì)層5116可以包括第一子電介質(zhì)層至第三子電介質(zhì)層5117、5118和5119。在柱體5113的每個(gè)中的p型硅的表面層5114可以用作本體。鄰近于柱體5113的第一子電介質(zhì)層5117可以用作隧道電介質(zhì)層，并且可以包括熱氧化層。第二子電介質(zhì)層5118可以用作電荷儲存層。第二子電介質(zhì)層5118可以用作電荷俘獲層，并且可以包括氮化物層或者諸如氧化鋁層或氧化鉿層等的金屬氧化物層。鄰近于導(dǎo)電材料5233的第三子電介質(zhì)層5119可以用作阻擋電介質(zhì)層。鄰近于沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5233的第三子電介質(zhì)層5119可以被形成為單層或多層。第三子電介質(zhì)層5119可以是諸如氧化鋁層或氧化鉿層等的高-k電介質(zhì)層，其具有比第一子電介質(zhì)層5117和第二子電介質(zhì)層5118大的介電常數(shù)。導(dǎo)電材料5233可以用作柵極或控制柵極。即，柵極或控制柵極5233、阻擋電介質(zhì)層5119、電荷儲存層5118、隧道電介質(zhì)層5117和本體5114可以形成晶體管或存儲單元晶體管結(jié)構(gòu)。例如，第一子電介質(zhì)層5117至第三子電介質(zhì)層5119可以形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，為了方便起見，在柱體5113的每個(gè)中的p型硅的表面層5114將被稱為沿第二方向的本體。存儲塊BLKi可以包括多個(gè)柱體5113。即，存儲塊BLKi可以包括多個(gè)NAND串NS。詳細(xì)地，存儲塊BLKi可以包括沿第二方向或垂直于襯底5111的方向延伸的多個(gè)NAND串NS。每個(gè)NAND串NS可以包括沿第二方向布置的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。每個(gè)NAND串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的至少一個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)可以用作源極選擇晶體管SST。每個(gè)NAND串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的至少一個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)可以用作接地選擇晶體管GST。柵極或控制柵極可以對應(yīng)于沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293。換句話說，柵極或控制柵極可以沿第一方向延伸并且形成字線和至少兩個(gè)選擇線(至少一個(gè)源極選擇線SSL和至少一個(gè)接地選擇線GSL)。沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331至5333可以電耦接至NAND串NS的一端。沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331至5333可以用作位線BL。即，在一個(gè)存儲塊BLKi中，多個(gè)NAND串NS可以電耦接至一個(gè)位線BL。沿第一方向延伸的第二類型摻雜區(qū)5311至5314可以被設(shè)置至NAND串NS的另一端。沿第一方向延伸的第二類型摻雜區(qū)5311至5314可以用作公共源極線CSL。即，存儲塊BLKi可以包括沿垂直于襯底5111的方向(例如，第二方向)延伸的多個(gè)NAND串NS，并且可以用作在其中多個(gè)NAND串NS電耦接至一個(gè)位線BL的NAND快閃存儲塊(例如，電荷俘獲型存儲器的NAND快閃存儲塊)。雖然在圖5至圖7中圖示了沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293被設(shè)置在9層中，但是要注意的是，沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293不局限于被設(shè)置在9層中。例如，沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料可以被設(shè)置在8層、16層或任意的多層中。換句話說，在一個(gè)NAND串NS中，晶體管的數(shù)量可以是8、16或更多。雖然在圖5至圖7中圖示了3個(gè)NAND串NS電耦接至一個(gè)位線BL，但是要注意的是，實(shí)施例不局限于具有電耦接至一個(gè)位線BL的3個(gè)NAND串NS。在存儲塊BLKi 中，m個(gè)NAND串NS可以電耦接至一個(gè)位線BL，m是正整數(shù)。根據(jù)電耦接至一個(gè)位線BL的NAND串NS的數(shù)量，也可以控制沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293的數(shù)量以及公共源極線5311至5314的數(shù)量。此外，雖然在圖5至圖7中圖示了3個(gè)NAND串NS電耦接至沿第一方向延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料，但是要注意的是，實(shí)施例不局限于具有電耦接至沿第一方向延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料的3個(gè)NAND串NS。例如，n個(gè)NAND串NS可以電耦接至沿第一方向延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料，n是正整數(shù)。根據(jù)電耦接至沿第一方向延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料的NAND串NS的數(shù)量，也可以控制位線5331至5333的數(shù)量。圖8是圖示具有參照圖5至圖7所描述的第一結(jié)構(gòu)的存儲塊BLKi的等效電路圖。參照圖8，在具有第一結(jié)構(gòu)的塊BLKi中，NAND串NS11至NS31可以設(shè)置在第一位線BL1與公共源極線CSL之間。第一位線BL1可以對應(yīng)于圖5和圖6的沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331。NAND串NS12至NS32可以設(shè)置在第二位線BL2與公共源極線CSL之間。第二位線BL2可以對應(yīng)于圖5和圖6的沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5332。NAND串NS13至NS33可以設(shè)置在第三位線BL3與公共源極線CSL之間。第三位線BL3可以對應(yīng)于圖5和圖6的沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5333。每個(gè)NAND串NS的源極選擇晶體管SST可以電耦接至對應(yīng)的位線BL。每個(gè)NAND串NS的接地選擇晶體管GST可以電耦接至公共源極線CSL。存儲單元MC可以設(shè)置在每個(gè)NAND串NS的源極選擇晶體管SST與接地選擇晶體管GST之間。在該示例中，NAND串NS可以以行和列為單位來定義，并且電耦接至一個(gè)位線的NAND串NS可以形成一列。電耦接至第一位線BL1的NAND串NS11至NS31可以對應(yīng)于第一列，電耦接至第二位線BL2的NAND串NS12至NS32可以對應(yīng)于第二列，以及電耦接至第三位線BL3的NAND串NS13至NS33可以對應(yīng)于第三列。電耦接至一個(gè)源極選擇線SSL的NAND串NS可以形成一行。電耦接至第一源極選擇線SSL1的NAND串NS11至NS13可以形成第一行，電耦接至第二源極選擇線SSL2的NAND串NS21至NS23可以形成第二行，以及電耦接至第三源極選擇線SSL3的NAND串NS31至NS33可以形成第三行。在每個(gè)NAND串NS中，可以定義高度。在每個(gè)NAND串NS中，鄰近于接地選擇晶體管GST的存儲單元MC1的高度可以具有值“1”。在每個(gè)NAND串NS中，當(dāng)從襯底5111測量時(shí)，存儲單元的高度可以隨存儲單元靠近源極選擇晶體管SST而增大。在每個(gè)NAND串NS中，鄰近于源極選擇晶體管SST的存儲單元MC6的高度可以是7。在同一行中的NAND串NS的源極選擇晶體管SST可以共享源極選擇線SSL。在不同行中的NAND串NS的源極選擇晶體管SST可以分別電耦接至不同的源極選擇線SSL1、SSL2和SSL3。在NAND串NS中的同一高度處的存儲單元可以共享字線WL。即，在同一高度處，電耦接至不同行中的NAND串NS的存儲單元MC的字線WL可以電耦接。在NAND串NS中的同一高度處的虛設(shè)存儲單元DMC可以共享虛設(shè)字線DWL。即，在同一高度或水平處，電耦接至不同行中的NAND串NS的虛設(shè)存儲單元DMC的虛設(shè)字線DWL可以電耦接。位于同一水平或同一高度或同一層處的字線WL或虛設(shè)字線DWL可以在其中可以設(shè)置有沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293的層處彼此電耦接。沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293可以通過接觸共同地電耦接至上層。在上層處，沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293可以電耦接。換句話說，在同一行中的NAND串NS的接地選擇晶體管GST可以共享接地選擇線GSL。此外，在不同行中的NAND串NS的接地選擇晶體管GST可以共享接地選擇線GSL。即，NAND串NS11至NS13、NS21至NS23和NS31至NS33可以電耦接至接地選擇線GSL。公共源極線CSL可以電耦接至NAND串NS。在有源區(qū)之上和襯底5111之上，第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314可以電耦接。第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314可以通過接觸電耦接至上層，并且在上層處，第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314可以電耦接。即，如圖8中所示，同一高度或同一水平處的字線WL可以電耦接。因此，當(dāng)特定高度處的字線WL被選中時(shí)，電耦接至該字線WL的所有NAND串NS可以被選中。在不同行中的NAND串NS可以電耦接至不同的源極選擇線SSL。因此，在電耦接至同一字線WL的NAND串NS之中，通過選擇源極選擇線SSL1至SSL3中的一個(gè)，在未選中行中的NAND串NS可以與位線BL1至BL3電隔離。換句話說，通過選擇源極選擇線SSL1至SSL3中的一個(gè)，一行NAND串NS可以被選中。此外，通過選擇位線BL1至BL3中的一個(gè)，在選中行中的NAND串NS可以以列為單位而被選中。在每個(gè)NAND串NS中，可以設(shè)置虛設(shè)存儲單元DMC。在圖8中，在每個(gè)NAND串NS中，虛設(shè)存儲單元DMC可以設(shè)置在第三存儲單元MC3與第四存儲單元MC4之間。即，第一存儲單元MC1至第三存儲單元MC3可以設(shè)置在虛設(shè)存儲單元DMC與接地選擇晶體管GST之間。第四存儲單元MC4至第六存儲單元MC6可以設(shè)置在虛設(shè)存 儲單元DMC與源極選擇晶體管SST之間。每個(gè)NAND串NS的存儲單元MC可以被虛設(shè)存儲單元DMC劃分為存儲單元組。在劃分的存儲單元組中，鄰近于接地選擇晶體管GST的存儲單元(例如，MC1至MC3)可以被稱為下存儲單元組，而鄰近于源極選擇晶體管SST的存儲單元(例如，MC4至MC6)可以被稱為上存儲單元組。在下文中，將參照圖9至圖11做出詳細(xì)描述，圖9至圖11示出根據(jù)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)中的用不同于第一結(jié)構(gòu)的三維(3D)非易失性存儲器件實(shí)施的存儲器件。圖9是示意性圖示利用三維(3D)非易失性存儲器件(其不同于以上參照圖5至圖8描述的第一結(jié)構(gòu))來實(shí)施并且示出圖4的多個(gè)存儲塊中的存儲塊BLKj的透視圖。圖10是圖示沿圖9的VII-VII′線截取的存儲塊BLKj的剖視圖。參照圖9和圖10，圖1的存儲器件150的多個(gè)存儲塊之中的存儲塊BLKj可以包括沿第一方向至第三方向延伸的結(jié)構(gòu)?？梢栽O(shè)置襯底6311。例如，襯底6311可以包括用第一類型雜質(zhì)摻雜的硅材料。例如，襯底6311可以包括用p型雜質(zhì)摻雜的硅材料，或者可以是p型阱(例如，口袋型p阱)，并且包括圍繞p型阱的n型阱。雖然在實(shí)施例中為了方便起見假設(shè)襯底6311是p型硅，但是要注意的是，襯底6311不局限于是p型硅。沿x軸方向和y軸方向延伸的第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324設(shè)置在襯底6311之上。第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324可以沿z軸方向分離預(yù)定距離。沿x軸方向和y軸方向延伸的第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328設(shè)置在襯底6311之上。第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328可以沿z軸方向分離預(yù)定距離。第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328可以沿y軸方向與第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324分離。可以設(shè)置有穿過第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324的多個(gè)下柱體DP。每個(gè)下柱體DP沿z軸方向延伸。此外，可以設(shè)置有穿過第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328的多個(gè)上柱體UP。每個(gè)上柱體UP沿z軸方向延伸。下柱體DP和上柱體UP中的每個(gè)柱體可以包括內(nèi)部材料6361、中間層6362和表面層6363。中間層6362可以用作單元晶體管的溝道。表面層6363可以包括阻擋電介質(zhì)層、電荷儲存層和隧道電介質(zhì)層。下柱體DP和上柱體UP可以通過管柵PG電耦接。管柵PG可以布置在襯底6311中。例如，管柵PG可以包括與下柱體DP和上柱體UP相同的材料。沿x軸方向和y軸方向延伸的第二類型的摻雜材料6312可以設(shè)置在下柱體DP之上。例如，第二類型的摻雜材料6312可以包括n型硅材料。第二類型的摻雜材料6312可以用作公共源極線CSL。漏極6340可以設(shè)置在上柱體UP之上。漏極6340可以包括n型硅材料。沿y軸方向延伸的第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352可以設(shè)置在漏極6340之上。第一上導(dǎo)電材料6351與第二上導(dǎo)電材料6352可以沿x軸方向分離。第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352可以由金屬形成。第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352與漏極6340可以通過接觸插塞電耦接。第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352分別用作第一位線BL1和第二位線BL2。第一導(dǎo)電材料6321可以用作源極選擇線SSL，第二導(dǎo)電材料6322可以用作第一虛設(shè)字線DWL1，以及第三導(dǎo)電材料6323和第四導(dǎo)電材料6324分別用作第一主字線MWL1和第二主字線MWL2。第五導(dǎo)電材料6325和第六導(dǎo)電材料6326分別用作第三主字線MWL3和第四主字線MWL4，第七導(dǎo)電材料6327可以用作第二虛設(shè)字線DWL2，以及第八導(dǎo)電材料6328可以用作漏極選擇線DSL。下柱體DP和鄰近于下柱體DP的第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324形成下串。上柱體UP和鄰近于上柱體UP的第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328形成上串。下串與上串可以通過管柵PG電耦接。下串的一端可以電耦接至用作公共源極線CSL的第二類型的摻雜材料6312。上串的一端可以通過漏極6340電耦接至對應(yīng)的位線。一個(gè)下串和一個(gè)上串形成一個(gè)單元串，該單元串電耦接在第二類型的摻雜材料6312(用作公共源極線CSL)與上導(dǎo)電材料層6351和6352中對應(yīng)的一個(gè)(用作位線BL)之間。即，下串可以包括源極選擇晶體管SST、第一虛設(shè)存儲單元DMC1以及第一主存儲單元MMC1和第二主存儲單元MMC2。上串可以包括第三主存儲單元MMC3和第四主存儲單元MMC4、第二虛設(shè)存儲單元DMC2以及漏極選擇晶體管DST。在圖9和圖10中，上串和下串可以形成NAND串NS，且NAND串NS可以包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。由于以上參照圖7詳細(xì)描述了包括在圖9和圖10的NAND串NS中的晶體管結(jié)構(gòu)，因此這里將省略其詳細(xì)描述。圖11是圖示具有如上面參照圖9和圖10描述的第二結(jié)構(gòu)的存儲塊BLKj的等效電路的電路圖。為了方便起見，僅示出了第二結(jié)構(gòu)中的在存儲塊BLKj中形成對的第一串和第二串。參照圖11，在存儲器件150的多個(gè)塊之中的具有第二結(jié)構(gòu)的存儲塊BLKj中，可以 以定義多個(gè)對的方式來設(shè)置單元串，如以上參照圖9和圖10所描述的，每個(gè)單元串利用經(jīng)由管柵PG而電耦接的一個(gè)上串和一個(gè)下串來實(shí)施。即，在具有第二結(jié)構(gòu)的存儲塊BLKj中，例如，沿第一溝道CH1(未示出)層疊的存儲單元CG0至CG31、至少一個(gè)源極選擇柵極SSG1和至少一個(gè)漏極選擇柵極DSG1可以形成第一串ST1，以及例如，沿第二溝道CH2(未示出)層疊的存儲單元CG0至CG31、至少一個(gè)源極選擇柵極SSG2和至少一個(gè)漏極選擇柵極DSG2可以形成第二串ST2。第一串ST1和第二串ST2可以電耦接至同一漏極選擇線DSL和同一源極選擇線SSL。第一串ST1可以電耦接至第一位線BL1，而第二串ST2可以電耦接至第二位線BL2。雖然在圖11中描述了第一串ST1和第二串ST2電耦接至同一漏極選擇線DSL和同一源極選擇線SSL，但是可以設(shè)想第一串ST1和第二串ST2可以電耦接至同一源極選擇線SSL和同一位線BL，第一串ST1可以電耦接至第一漏極選擇線DSL1，而第二串ST2可以電耦接至第二漏極選擇線DSL2。此外，可以設(shè)想第一串ST1和第二串ST2可以電耦接至同一漏極選擇線DSL和同一位線BL，第一串ST1可以電耦接至第一源極選擇線SSL1，而第二串ST2可以電耦接至第二源極選擇線SSL2。圖12A和圖12B是圖示根據(jù)實(shí)施例的針對存儲系統(tǒng)的操作的示意圖。圖12A和圖12B示出在參照圖1至圖11描述的存儲系統(tǒng)110的存儲器件150中包括的多個(gè)存儲塊152至156之中的選中存儲塊152。圖12A和圖12B示出儲存多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的選中存儲塊152。從主機(jī)102提供多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>至控制器130?？刂破?30一個(gè)接一個(gè)地選擇在存儲器件150中包括的多個(gè)存儲塊152至156，并且順序地儲存從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)DATA<1:14>?？刂破?30將多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>儲存在多個(gè)存儲塊152至156之中順序地選中的一個(gè)存儲塊中。選中的存儲塊152可以被劃分為第一區(qū)D1和第二區(qū)D2?？刂破?30將多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>儲存在第一區(qū)D1中，并且將針對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息儲存在第二區(qū)D2中。圖12A示例性示出選中存儲塊152的多個(gè)頁P(yáng)<1:16>之中的作為第一區(qū)D1的14個(gè)頁P(yáng)<1:14>以及作為第二區(qū)D2的2個(gè)頁P(yáng)<15:16>。圖12B示例性示出選中存儲塊152的多個(gè)頁P(yáng)<1:16>之中的作為第一區(qū)D1的14個(gè)頁P(yáng)<1:7,9:15>以及作為第二區(qū)D2的2個(gè)頁P(yáng)<8,16>。選中存儲塊中的第一區(qū)D1和第二區(qū)D2的大小和位置可以根 據(jù)電路設(shè)計(jì)而變化。參照圖12A，控制器130可以將14個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>儲存在作為第一區(qū)D1的14個(gè)頁P(yáng)<1:14>中，以及將針對14個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息儲存在作為第二區(qū)D2的2個(gè)頁P(yáng)<15:16>中?？刂破?30可以將針對14個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息以位圖的形式儲存在作為第二區(qū)D2的2個(gè)頁P(yáng)<15:16>中。例如，如圖中所示，針對第一區(qū)D1的14個(gè)頁P(yáng)<1:14>之中的第一頁至第七頁P(yáng)<1:7>的熱/冷信息“0001100”可以被儲存在第二區(qū)D2的第十五頁P(yáng)<15>中，以及針對第一區(qū)D1的14個(gè)頁P(yáng)<1:14>之中的第八頁至第十四頁P(yáng)<8:14>的熱/冷信息“1000011”可以被儲存在第二區(qū)D2的第十六頁P(yáng)<16>中。參照圖12B，控制器130可以將14個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>儲存在作為第一區(qū)D1的14個(gè)頁P(yáng)<1:7,9:15>中，以及將針對14個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息儲存在作為第二區(qū)D2的2個(gè)頁P(yáng)<8,16>?？刂破?30可以將針對14個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息以位圖的形式儲存在作為第二區(qū)D2的2個(gè)頁P(yáng)<8,16>中。例如，如圖中所示，針對第一區(qū)D1的14個(gè)頁P(yáng)<1:7,9:15>之中的第一頁至第七頁P(yáng)<1:7>的熱/冷信息“0001100”可以被儲存在第二區(qū)D2的第八頁P(yáng)<8>中，以及針對第一區(qū)D1的14個(gè)頁P(yáng)<1:7,9:15>之中的第九頁至第十五頁P(yáng)<9:15>的熱/冷信息“0000111”可以被儲存在第二區(qū)D2的第十六頁P(yáng)<16>中。圖13是圖示根據(jù)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的操作的流程圖。參照圖13，在步驟10處，可以從主機(jī)102提供多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>(例如，圖12A和圖12B中的14個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>)連同寫入命令。在步驟20處，控制器130選擇存儲器件150中包括的多個(gè)存儲塊152至156之中的任意一個(gè)存儲塊152以儲存多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>?？刂破?30可以對選中存儲塊152中的多個(gè)頁(例如，圖12A和圖12B中的16個(gè)頁P(yáng)<1:16>)中的每個(gè)頁執(zhí)行步驟30和步驟40如下。在步驟30處，控制器130判斷多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>中的每個(gè)數(shù)據(jù)具有熱趨勢還是冷趨勢，并且產(chǎn)生代表所確定的多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的趨勢的元數(shù)據(jù)。對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>具有熱趨勢還是冷趨勢的判斷是眾所周知的。在步驟30期間，控制器130可以對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>執(zhí)行步驟31至步驟33 如下。在步驟31處，控制器130可以判斷多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>中的每個(gè)數(shù)據(jù)具有熱趨勢還是冷趨勢。根據(jù)步驟31的判斷，控制器130可以在步驟32和步驟33處將多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的每個(gè)元數(shù)據(jù)標(biāo)記為代表所確定的熱趨勢和冷趨勢的值中的一個(gè)。因此，多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的元數(shù)據(jù)可以包括針對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息。在步驟40處，控制器130可以將多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>和所述多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的元數(shù)據(jù)儲存在一個(gè)選中存儲塊152中。在步驟40期間，控制器130可以對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>和元數(shù)據(jù)中的每個(gè)執(zhí)行步驟41至步驟43如下。在步驟41處，控制器130可以判斷選中存儲塊152的多個(gè)頁P(yáng)<1:16>中的當(dāng)前頁在第一區(qū)D1還是在第二區(qū)D2。根據(jù)步驟41的判斷，控制器130可以在步驟42和步驟43處將多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>儲存在第一區(qū)D1的當(dāng)前頁中或者將多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的元數(shù)據(jù)儲存在第二區(qū)D2的當(dāng)前頁中。以圖12A和圖12B為例，在步驟41處，檢查當(dāng)前頁被包括在第一區(qū)D1的頁P(yáng)<1:14>或P<1:7,9:15>中還是被包括在第二區(qū)D2的頁P(yáng)<15:16>或P<8,16>中。在作為步驟41的結(jié)果檢查到當(dāng)前頁被包括在第一區(qū)D1的頁P(yáng)<1:14>或P<1:7,9:15>中的情況下，在步驟43處，以從第一數(shù)據(jù)DATA<1>至第十四數(shù)據(jù)DATA<14>的次序?qū)⒍鄠€(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>儲存在當(dāng)前頁中。在作為步驟41的結(jié)果檢查到當(dāng)前頁被包括在第二區(qū)D2的頁P(yáng)<15:16>或P<8,16>中的情況下，在步驟42處，將元數(shù)據(jù)儲存在當(dāng)前頁中。在步驟50處，檢查包括在選中存儲塊152中的所有頁P(yáng)<1:16>是否都已經(jīng)被順序選擇用于步驟30和步驟40。作為步驟50的判斷的結(jié)果，當(dāng)選中存儲塊152中包括的所有頁P(yáng)<1:16>都已經(jīng)被順序選擇用于步驟30和步驟40時(shí)，控制器130可以重復(fù)步驟20以選擇多個(gè)存儲塊152至156之中的另一個(gè)存儲塊，并且對新選中的存儲塊重復(fù)步驟30和步驟40?？刂破?30可以利用新選中的存儲塊來重復(fù)步驟20至步驟40，直到從主機(jī)提供的所有數(shù)據(jù)都被儲存在存儲器件150中為止。作為步驟50的判斷的結(jié)果，當(dāng)選中存儲塊152中包括的頁P(yáng)<1:16>尚未全部被順序選擇用于步驟30和步驟40時(shí)，控制器130可以選擇選中存儲塊152中的多個(gè)頁P(yáng)<1:16>之中的另一個(gè)頁并且對選中存儲塊152中的新選中的頁重復(fù)步驟30和步驟40?？刂破?30可以利用選中存儲塊152中的新選中的頁重復(fù)步驟30和步驟40，直到選中存儲塊 152中包括的所有頁P(yáng)<1:16>被順序選擇用于步驟30和步驟40為止。圖14是圖示根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的操作的示意圖。圖14示出參照圖1至圖11描述的存儲系統(tǒng)110的存儲器件150中包括的多個(gè)存儲塊152至156之中的選中存儲塊152。圖14示出儲存多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的選中存儲塊152。除圖14中所示的選中存儲塊152不包括第二區(qū)D2以外，圖14中所示的選中存儲塊152可以與參照圖12A和圖13描述的選中存儲塊152相同。此外，圖14示出包括在控制器130中的存儲器144。存儲器144可以儲存代表存儲塊152的物理地址PBA與對應(yīng)的邏輯地址LBA之間的映射關(guān)系的映射表。例如，存儲器144的映射表儲存選中存儲塊152中儲存的多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的物理地址“P1”至“P14”(作為物理地址PBA)與對應(yīng)的邏輯地址“K+1”至“K+14”(作為邏輯地址LBA)之間的映射關(guān)系。每當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>中的每個(gè)被儲存在選中存儲塊152中時(shí)，控制器130可以更新映射表。此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，存儲器144還可以儲存針對儲存在選中存儲塊152中的多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息。在存儲器144中，對于多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>中的每個(gè)，物理地址PBA、邏輯地址LBA和熱/冷信息可以彼此對應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，控制器1330可以在更新映射表時(shí)更新針對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>中的每個(gè)的熱/冷信息。例如，由于儲存在選中存儲塊152的第一頁P(yáng)<1>中的第一數(shù)據(jù)DATA<1>具有冷趨勢，因此當(dāng)更新用于映射為“K+1”的邏輯地址LBA與為“P1”的物理地址PBA的映射表時(shí)，更新值“0”并且一起儲存。圖14示例性示出與物理地址PBA和邏輯地址LBA一起儲存在存儲器144中的針對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息“00011001000011”。圖15是圖示根據(jù)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的垃圾收集操作的示意圖。示例性地假設(shè)：在垃圾收集操作期間，參照圖12A描述的選中存儲塊152被選中作為犧牲塊(victimblock)。此外，示例性地假設(shè)：在第一區(qū)D1中儲存的多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>之中，一些數(shù)據(jù)DATA<4:5,7:9>被確定為無效數(shù)據(jù)，而其余數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:14>被確定為有效數(shù)據(jù)。例如，在垃圾收集操作期間，基于儲存在犧牲塊152的第二區(qū)D2中的熱/冷信息，將儲存在第一區(qū)D1中的有效數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:14>移動(dòng)至熱空閑塊和冷空閑塊中的一個(gè)。另一方面，在垃圾收集操作期間可以丟棄無效數(shù)據(jù)DATA<4:5,7:9>。詳細(xì)地，在垃圾收集操作期間，在犧牲塊152的第一區(qū)D1中儲存的多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>中的有效數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:14>之中，可以將熱數(shù)據(jù)DATA<13:14>移動(dòng)至熱空閑塊，而可以將冷數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:12>移動(dòng)至冷空閑塊?？梢曰趦Υ嬖诘诙^(qū)D2中的熱/冷信息來確定熱數(shù)據(jù)DATA<13:14>和冷數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:12>。通過儲存在第二區(qū)D2的2個(gè)頁P(yáng)<8,16>和存儲器144中的針對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>的熱/冷信息，參照圖12B和圖14描述的選中存儲塊152和存儲器144的示例性實(shí)施例可以以與參照圖15所描述的方式類似的方式應(yīng)用于垃圾收集操作。圖16是圖示根據(jù)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的垃圾收集操作的流程圖。參照圖12A、圖12B、圖14、圖15和圖16，在步驟10處開始垃圾收集操作。在步驟20處，控制器130讀取儲存在第二區(qū)D2或存儲器144中的針對多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>(其儲存在犧牲塊152的第一區(qū)D1中)的熱/冷信息。在步驟30處，控制器130根據(jù)在步驟20處讀取的熱/冷信息來將犧牲塊152的多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>移動(dòng)至熱空閑塊和冷空閑塊中的一個(gè)。在步驟30期間，控制器130可以對犧牲塊152的多個(gè)頁P(yáng)<1:16>之中的儲存有效數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:14>的所有犧牲頁P(yáng)<1:3,6,10:14>執(zhí)行如下的步驟31至步驟33。雖然未顯示，但是在垃圾收集操作期間可以丟棄儲存在頁P(yáng)<4:5,7:9>中的無效數(shù)據(jù)DATA<4:5,7:9>。在步驟31處，控制器130可以基于在步驟20處讀取的熱/冷信息來判斷犧牲頁P(yáng)<1:3,6,10:14>的當(dāng)前頁中包括的有效數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:14>中的每個(gè)具有熱趨勢還是冷趨勢。根據(jù)步驟31的判斷，在步驟32和步驟33處控制器130可以將儲存在當(dāng)前犧牲頁中的有效數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:14>中的每個(gè)復(fù)制至熱空閑塊和冷空閑塊中的一個(gè)。例如，在犧牲頁P(yáng)<1:3,6,10:14>中的當(dāng)前犧牲頁中，在步驟31處控制器130檢查儲存在當(dāng)前犧牲頁中的數(shù)據(jù)具有熱趨勢還是冷趨勢。根據(jù)檢查結(jié)果，在儲存在當(dāng)前犧牲頁中的數(shù)據(jù)具有熱趨勢的情況下，在步驟32處儲存在當(dāng)前犧牲頁中的數(shù)據(jù)被復(fù)制至熱空閑塊。根據(jù)檢查結(jié)果，在儲存在當(dāng)前犧牲頁中的數(shù)據(jù)具有冷趨勢的情況下，在步驟33處儲存在當(dāng)前犧牲頁中的數(shù)據(jù)被復(fù)制至冷空閑塊。在步驟40處，檢查犧牲塊152中的儲存有效數(shù)據(jù)DATA<1:3,6,10:14>的犧牲頁P(yáng)<1:3,6,10:14>是否已經(jīng)全部被選擇用于步驟30。作為步驟40的判斷的結(jié)果，當(dāng)包括在犧牲塊152中的全部犧牲頁P(yáng)<1:3,6,10:14> 已經(jīng)被選擇用于步驟30時(shí)，在步驟50處垃圾收集操作可以結(jié)束。作為步驟40的判斷的結(jié)果，當(dāng)包括在犧牲塊152中的犧牲頁P(yáng)<1:3,6,10:14>尚未全部被選擇用于步驟30時(shí)，控制器130可以選擇犧牲塊152中的犧牲頁P(yáng)<1:3,6,10:14>之中的另一個(gè)犧牲頁并且對犧牲塊152中的新選中的犧牲頁重復(fù)步驟30。控制器130可以利用犧牲塊152中的新選中的犧牲頁重復(fù)步驟30，直到包括在犧牲塊152中的全部犧牲頁P(yáng)<1:3,6,10:14>被順序選擇用于步驟30為止。以供參考，由于在以上描述中假設(shè)了存儲器件150是非易失性存儲器件，因此其被解釋為多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>通過以頁為單位識別來輸入和儲存，然而，這僅是用于說明的示例。當(dāng)檢查輸入數(shù)據(jù)的熱/冷趨勢所經(jīng)由的單位不是頁單位時(shí)，相應(yīng)地可以以各種方式來不同地設(shè)置多個(gè)數(shù)據(jù)DATA<1:14>被輸入和儲存所經(jīng)由的單位。從以上描述明顯的是，實(shí)施例采用這樣的方案，即：不管數(shù)據(jù)的熱/冷趨勢如何都將從主機(jī)提供的數(shù)據(jù)順序地儲存在塊中，并且同時(shí)將所儲存的數(shù)據(jù)的熱/冷信息儲存在單獨(dú)的空間(儲存數(shù)據(jù)的塊中包括的部分空間或邏輯地址-物理地址映射表)中。通過該方案，不管從主機(jī)提供的數(shù)據(jù)的趨勢如何，都可以以總是確保存儲器件的均衡性能的方式將數(shù)據(jù)寫入在存儲器件中。此外，實(shí)施例采用這樣的方法，即：在垃圾收集操作中，基于儲存在單獨(dú)空間(儲存數(shù)據(jù)的塊中包括的部分空間或邏輯地址-物理地址映射表)中的熱/冷信息而將犧牲塊的數(shù)據(jù)分別移動(dòng)至熱空閑塊和冷空閑塊。通過該方法，即使在執(zhí)行垃圾收集操作之后，也可以有效地管理數(shù)據(jù)的趨勢。此外，當(dāng)隨后再次執(zhí)行垃圾收集操作時(shí)，可以確保更大數(shù)量的空閑塊。雖然已經(jīng)出于說明的目的而描述了各種實(shí)施例，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，在不脫離如所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出各種改變和變型。例如，在以上實(shí)施例中作為示例描述的邏輯門和晶體管的位置和種類可以根據(jù)輸入至其中的信號的極性而不同地實(shí)現(xiàn)。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3