本發(fā)明涉及一種可掃描圖像的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

觸摸屏面板是一種使圖像顯示裝置的畫(huà)面上顯示的文字或圖形與人的手指或其他接觸手段接觸而輸入用戶的命令的裝置，并且貼附在圖像顯示裝置上而被使用。觸摸屏面板將被人的手指等接觸的接觸位置轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。所述電信號(hào)用作輸入信號(hào)。

觸摸屏面板的觸摸檢測(cè)方式有膜電阻方式、光學(xué)方式、電容方式以及超聲波方式等各種方式。其中，電容方式利用在觸摸產(chǎn)生手段與顯示裝置的畫(huà)面接觸時(shí)變化的電容來(lái)檢測(cè)是否發(fā)生接觸。電容方式的觸摸屏面板可以探測(cè)人的手指、導(dǎo)電觸摸筆等的接觸。

另一方面，最近隨著安全相關(guān)問(wèn)題的突顯，對(duì)智能手機(jī)、平板電腦等個(gè)人攜帶設(shè)備的安全已經(jīng)作為重要課題之一而出現(xiàn)。由于用戶的攜帶設(shè)備使用頻率增加，在通過(guò)攜帶設(shè)備的電子商務(wù)上等的安全被需求，而根據(jù)這些需求，利用如指紋、虹膜、人臉、聲音、血管等生物信息。

在各種生物信息認(rèn)證技術(shù)中最普遍使用的技術(shù)是通過(guò)指紋的認(rèn)證技術(shù)。近年來(lái)，對(duì)智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用指紋識(shí)別和通過(guò)指紋識(shí)別的認(rèn)證技術(shù)的產(chǎn)品上市。

然而，為了將用于識(shí)別指紋的傳感器結(jié)合到攜帶設(shè)備，除了影像顯示裝置之外還需要安裝用于識(shí)別指紋的裝置，由此導(dǎo)致攜帶設(shè)備的體積增加等問(wèn)題。

因此，需要開(kāi)發(fā)能夠在攜帶設(shè)備中除去用于指紋識(shí)別傳感器的獨(dú)立空間并不妨礙顯示區(qū)域的技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問(wèn)題

本發(fā)明的目的在于通過(guò)設(shè)計(jì)成至少一個(gè)接觸傳感器分別對(duì)應(yīng)于顯示模塊的單位像素中來(lái)使得在顯示裝置的至少一部分可以掃描在顯示畫(huà)面上接觸的圖像。

技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的可掃描圖像的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示裝置包括顯示模塊和接觸傳感器模塊，所述顯示模塊布置在顯示影像的顯示區(qū)域且包括多個(gè)單位像素，所述接觸傳感器模塊形成有與所述顯示區(qū)域重疊的檢測(cè)區(qū)域且包括與所述單位像素分別對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)接觸傳感器，且所述方法包括：檢測(cè)模式判別步驟，判別所述顯示裝置的檢測(cè)模式；觸摸傳感器選擇步驟，根據(jù)所判別的所述檢測(cè)模式選擇激活目標(biāo)接觸傳感器；及接觸傳感器激活和檢測(cè)步驟，激活所選擇的所述接觸傳感器，且從所激活的所述接觸傳感器接收檢測(cè)信號(hào)。

并且，在所述檢測(cè)模式判別步驟中，所述檢測(cè)模式可包括：接觸識(shí)別模式，劃分所述顯示裝置的所述檢測(cè)區(qū)域，使得在包括布置在所劃分的區(qū)域的所述接觸傳感器的多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)中所包括的所述接觸傳感器中的一部分接觸傳感器被選擇，從而識(shí)別接觸手段是否與所述顯示裝置接觸；及指紋識(shí)別模式，使比所述接觸識(shí)別模式更多的所述接觸傳感器被選擇，從而掃描與所述顯示裝置接觸的用戶指紋的圖像。

而且，所述接觸傳感器與掃描線可以連接，用于向所述接觸傳感器提供驅(qū)動(dòng)電壓的掃描信號(hào)可以被施加到所述掃描線，

且所述接觸傳感器模塊還可包括包括至少兩個(gè)所述接觸傳感器扇區(qū)的多個(gè)接觸傳感器塊，

所述檢測(cè)模式還可包括非接觸識(shí)別模式，所述非接觸識(shí)別模式使所述接觸傳感器塊中所包括的所述接觸傳感器中的一部分接觸傳感器被選擇，從而識(shí)別所述接觸手段是否與所述檢測(cè)區(qū)域接近，

當(dāng)所述非接觸識(shí)別模式被選擇時(shí)，與在所述接觸識(shí)別模式和指紋識(shí)別模式中的任一個(gè)被選擇的情況相比，對(duì)所述接觸傳感器施加的所述掃描信號(hào)的電壓可以更高。

此外，在所述檢測(cè)模式判別步驟中所述非接觸識(shí)別模式被選擇而針對(duì)根據(jù)所述非接觸識(shí)別模式所選擇的所述接觸傳感器進(jìn)行所述接觸傳感器激活和檢測(cè)步驟時(shí)，還可包括標(biāo)準(zhǔn)電壓超過(guò)判斷步驟，在所述標(biāo)準(zhǔn)電壓超過(guò)判斷步驟中判斷在所述接觸傳感器生成的檢測(cè)信號(hào)的電壓值是否超過(guò)非接觸識(shí)別標(biāo)準(zhǔn)電壓，在所述標(biāo)準(zhǔn)電壓超過(guò)判斷步驟中，當(dāng)所述檢測(cè)信號(hào)的電壓值小于或等于所述標(biāo)準(zhǔn)電壓時(shí)，可以將在所述多個(gè)接觸傳感器塊中生成所述檢測(cè)信號(hào)的所述接觸傳感器塊判斷為非接觸識(shí)別中心，在所述標(biāo)準(zhǔn)電壓超過(guò)判斷步驟中，當(dāng)所述檢測(cè)信號(hào)的電壓值超過(guò)所述標(biāo)準(zhǔn)電壓時(shí)，可以根據(jù)所述接觸識(shí)別模式進(jìn)行接觸傳感器激活和檢測(cè)步驟。

并且，所述指紋識(shí)別模式可包括：整個(gè)指紋識(shí)別模式，使所述顯示裝置的所有所述接觸傳感器被選擇；圖標(biāo)指紋識(shí)別模式，使與顯示在所述顯示裝置的多個(gè)圖標(biāo)中至少一個(gè)圖標(biāo)重疊的多個(gè)接觸傳感器被選擇；及輸入窗口指紋識(shí)別模式，使與顯示在所述顯示裝置的一部分區(qū)域的輸入窗口重疊的多個(gè)接觸傳感器被選擇。

而且，在所述檢測(cè)模式判別步驟中，在所述指紋識(shí)別模式中所述圖標(biāo)指紋識(shí)別模式和輸入窗口指紋識(shí)別模式中的任一個(gè)被選擇時(shí)，可以使布置在除了布置有與所述圖標(biāo)或所述輸入窗口重復(fù)的所述接觸傳感器的區(qū)域之外的區(qū)域中的所述接觸傳感器中一部分接觸傳感器還被選擇。

此外，在所述檢測(cè)模式判別步驟中，在所述接觸識(shí)別模式被選擇時(shí)，所選擇的所述接觸傳感器扇區(qū)的所述接觸傳感器可以布置在所述接觸傳感器扇區(qū)的邊緣或隨機(jī)布置在所述接觸傳感器扇區(qū)。

并且，所述方法還可包括：接觸地點(diǎn)判斷步驟，基于從檢測(cè)到與多個(gè)所述接觸傳感器重疊的所述接觸手段的接觸的所述接觸傳感器接收的檢測(cè)信息而判斷接觸地點(diǎn)，在所述接觸地點(diǎn)判斷步驟中，可以將1)包括在檢測(cè)到接觸的所述接觸傳感器中最大數(shù)量的所述接觸傳感器的所述接觸傳感器扇區(qū)的中心或2)從包括檢測(cè)到接觸的所述接觸傳感器的所述接觸傳感器扇區(qū)的中心以與將各個(gè)所述接觸傳感器扇區(qū)所包括的檢測(cè)到所述接觸的接觸傳感器的數(shù)量加權(quán)平均的值對(duì)應(yīng)的間隔隔開(kāi)的運(yùn)算中心判斷為接觸地點(diǎn)的中心。

而且，所述多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)中的任一個(gè)接觸傳感器扇區(qū)和與所述接觸傳感器扇區(qū)鄰接的其他接觸傳感器扇區(qū)可以共享至少一個(gè)以上的接觸傳感器。

此外，在所述接觸傳感器扇區(qū)中的任一個(gè)接觸傳感器扇區(qū)和與所述接觸傳感器扇區(qū)鄰接的其他接觸傳感器扇區(qū)之間可以布置未包括在任何接觸傳感器扇區(qū)中的所述接觸傳感器。

并且，所述接觸傳感器可以包括像素電極和晶體管部，所述像素電極通過(guò)與接觸手段之間的接觸形成觸點(diǎn)容量，且由透明材料形成，所述晶體管部包括與所述像素電極連接的至少一個(gè)以上的晶體管，且所述像素電極與所述顯示模塊的所述單位像素可以重疊，且用于顯示影像的光線從所述單位像素可以透過(guò)所述像素電極。

而且，所述晶體管部可以包括：復(fù)位晶體管，其漏電極與所述像素電極連接，且其柵電極和源電極中的至少一個(gè)與施加第一選擇信號(hào)的第一掃描線或提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線連接；放大晶體管，其柵電極與所述復(fù)位晶體管的漏電極連接，且其源電極與所述第一掃描線、所述數(shù)據(jù)線、施加與所述第一選擇信號(hào)不同的第二選擇信號(hào)的第二掃描線中的任一個(gè)連接；及檢測(cè)晶體管，其漏電極與所述放大晶體管的漏電極連接，其柵電極與施加第二選擇信號(hào)的第二掃描線連接，其源電極與用于檢測(cè)對(duì)應(yīng)于所述觸點(diǎn)容量的電流的讀出線連接。

此外，所述接觸傳感器激活和檢測(cè)步驟可以包括如下步驟：通過(guò)接收所述第一選擇信號(hào)來(lái)導(dǎo)通的所述復(fù)位晶體管充電形成在所述像素電極與所述接觸手段之間的觸點(diǎn)容量；通過(guò)所述放大晶體管產(chǎn)生根據(jù)向所述觸點(diǎn)容量充電的電壓而變化的電流；及通過(guò)接收所述第二選擇信號(hào)來(lái)導(dǎo)通的所述檢測(cè)晶體管檢測(cè)所產(chǎn)生的電流，以判斷與所述接觸傳感器的上部是否發(fā)生接觸并判斷接觸狀態(tài)。

并且，所述像素電極可以布置在所述復(fù)位晶體管、所述放大晶體管、所述檢測(cè)晶體管、所述第一掃描線、所述第二掃描線、所述數(shù)據(jù)線、所述讀出線的更上方處。

而且，所述像素電極可以覆蓋所述復(fù)位晶體管、所述放大晶體管、所述檢測(cè)晶體管、所述第一掃描線的一部分、所述第二掃描線的一部分、所述數(shù)據(jù)線的一部分、所述讀出線的一部分中的至少一個(gè)。

此外，所述復(fù)位晶體管、所述放大晶體管及所述檢測(cè)晶體管可以設(shè)置成不覆蓋所述顯示模塊的濾色層的單位彩色像素，且所述像素電極可以設(shè)置成覆蓋所述單位彩色像素的至少一部分。

并且，所述多個(gè)接觸傳感器中的任一個(gè)接觸傳感器和與所述接觸傳感器鄰接的其他接觸傳感器可以連接到一個(gè)所述數(shù)據(jù)線，且所述接觸傳感器和與所述接觸傳感器鄰接的其他接觸傳感器可以以所述數(shù)據(jù)線為基準(zhǔn)對(duì)稱。

而且，所述數(shù)據(jù)線可以由分別輸入相互獨(dú)立地形成的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的多個(gè)數(shù)據(jù)線形成，順次形成的掃描信號(hào)可以分別被輸入到包括所述第一掃描線和所述第二掃描線的所述多個(gè)掃描線，其中，可以同時(shí)輸入所述掃描信號(hào)和所述數(shù)據(jù)信號(hào)的所述接觸傳感器被激活，而未輸入所述掃描信號(hào)和所述數(shù)據(jù)信號(hào)中的至少一個(gè)的所述接觸傳感器不被激活。

此外，所述顯示裝置還可包括保護(hù)層，所述保護(hù)層的一面與所述接觸傳感器的像素電極接觸，且另一面與用戶指紋接觸，其中，通過(guò)檢測(cè)根據(jù)與所述保護(hù)層接觸的所述用戶指紋的脊和谷的觸點(diǎn)容量具有不同值的電流來(lái)可以掃描所述用戶指紋的圖像。

并且，在所述多個(gè)接觸傳感器中的任一個(gè)接觸傳感器的所述像素電極與其他接觸傳感器的所述像素電極之間可以形成隔離空間，所述一個(gè)接觸傳感器的所述像素電極和與所述像素電極鄰接的一個(gè)隔離空間可以形成一個(gè)檢測(cè)間距，其中，所述檢測(cè)間距的寬度范圍可以在5um至200um之間。

有益效果

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，利用借助晶體管和外圍電路構(gòu)成中所包括的寄生電容的耦合現(xiàn)象來(lái)能夠提高所檢測(cè)的信號(hào)的大小。

并且，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，利用透明電極來(lái)構(gòu)成傳感器，從而可以提高顯示裝置的可視性。

而且，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過(guò)將接觸傳感器設(shè)計(jì)成具有顯示單位像素尺寸，從而能夠使在顯示畫(huà)面上接觸的圖像被檢測(cè)到顯示裝置上。

此外，通過(guò)將微小單位的接觸傳感器布置在顯示裝置，可以掃描用戶的指紋圖像或能夠檢測(cè)到如銷或刷子等具有微細(xì)直徑的接觸手段是否接觸。

附圖說(shuō)明

圖1為示出本發(fā)明的一實(shí)施例的電子設(shè)備的形狀的附圖。

圖2a至圖2d為示出本發(fā)明的一實(shí)施例的具有圖像檢測(cè)功能的顯示裝置的構(gòu)成的剖視圖。

圖3為示出本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。

圖4為示出本發(fā)明的一實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)圖像檢測(cè)功能的傳感器陣列層的構(gòu)成的附圖。

圖5為示出布置在傳感器陳列上的接觸傳感器的實(shí)現(xiàn)例的電路圖。

圖6為示出可應(yīng)用于本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置的電容接觸傳感器的構(gòu)成的電路圖。

圖7至圖9為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的電容接觸傳感器的構(gòu)成的電路圖。

圖10為用于說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例的接觸傳感器的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖11為本發(fā)明的一實(shí)施例的接觸傳感器的平面圖。

圖12為示出將本發(fā)明的另一實(shí)施例的多個(gè)接觸傳感器排列而成的傳感器陳列的平面圖的附圖。

圖13為放大圖12中圖示的單位像素的接觸傳感器的平面圖。

圖14為圖12中圖示的單位像素的接觸傳感器的沿a-a’線的剖視圖。

圖15為圖12中圖示的單位像素的接觸傳感器的沿b-b’線的剖視圖。

圖16為圖12中圖示的單位像素的接觸傳感器的沿c-c’線的剖視圖。

圖17為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的剖視圖的附圖。

圖18為將本發(fā)明的另一實(shí)施例的多個(gè)接觸傳感器排列而成的傳感器陳列的平面圖。

圖19為放大圖18中圖示的單位像素的接觸傳感器的平面圖。

圖20為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的平面圖的附圖。

圖20為本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的平面圖。

圖21為包括本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的顯示裝置的簡(jiǎn)要分解透視圖。

圖22為示出圖21的顯示裝置的接觸傳感器的概略配置的附圖。

圖23為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的概略配置的附圖。

圖24為圖23的接觸傳感器的平面圖。

圖25為示出包括本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的顯示裝置以接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

圖26為示出圖25的顯示裝置的接觸傳感器陳列的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的附圖。

圖27為用于說(shuō)明圖26的接觸傳感器的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖28為示出在圖27的顯示裝置以接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)下，接觸手段接觸的狀態(tài)的附圖。

圖29至圖31為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的顯示裝置以接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

圖32為示出圖25的顯示裝置以整個(gè)指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

圖33為示出圖25的顯示裝置以圖標(biāo)指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

圖34為示出圖25的顯示裝置以輸入窗口指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

圖35為示出圖25的顯示裝置以非接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

圖36為示出圖25的顯示裝置的構(gòu)成的示意性框圖。

圖37為示出圖25的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)過(guò)程的流程圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，參考附圖，會(huì)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述，使得本發(fā)明可被本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地實(shí)施。但是，應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明并不限于這些實(shí)施方式，而可以多種其他方式實(shí)施。為了說(shuō)明的簡(jiǎn)潔，在附圖中，與描述無(wú)關(guān)的部件被省略，且縱貫全文，相同的參考數(shù)字表示相同的部件。并且，為了方便地說(shuō)明任意顯示附圖中的各結(jié)構(gòu)的大小及厚度，并不局限于本發(fā)明的附圖。

在本發(fā)明中，“～上”是指位于目標(biāo)部件的上面或下面，并不一定表示重力方向的上部。進(jìn)一步地，文中所使用的術(shù)語(yǔ)“包括或包含”和/或“含有或包含有”意味著在所述部件、步驟、操作和/或元件之外，不排除一或多個(gè)其他部件、步驟、操作和/或元件的存在或增加，除非上下文中另有規(guī)定。

并且，在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，某一部分與另一部分相“連接”時(shí)，不僅包括“直接連接”的情況，還包括在中間具備其他元件“間接連接”的情況。

在本說(shuō)明書(shū)中，“接觸識(shí)別”是指識(shí)別與表面接觸的物體(object)的功能，且應(yīng)被理解為概括通過(guò)人的手指的指紋或觸摸識(shí)別及與此不同的觸摸產(chǎn)生手段。

下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

圖1為示出本發(fā)明的一實(shí)施例的電子設(shè)備的形狀的附圖。

參照?qǐng)D1，根據(jù)一實(shí)施例的電子設(shè)備10包括顯示裝置dp。

電子設(shè)備10可以是一種包括有線/無(wú)線通信功能或其他功能的數(shù)字設(shè)備。例如，其具體指代具備存儲(chǔ)單元以及具有計(jì)算能力的微處理器在內(nèi)的移動(dòng)電話、導(dǎo)航系統(tǒng)、連網(wǎng)板、pda、工作站、個(gè)人計(jì)算機(jī)(例如，筆記本電腦等)等數(shù)字設(shè)備。優(yōu)選地，以智能手機(jī)為例將進(jìn)行描述，但本發(fā)明并不限于此。

顯示裝置dp形成在電子設(shè)備10的一面，優(yōu)選地，如圖1所示，可以實(shí)現(xiàn)為形成在電子設(shè)備10的前面并執(zhí)行作為輸入裝置的功能的觸摸屏面板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，顯示裝置dp不僅識(shí)別觸摸產(chǎn)生手段(例如，手指等)是否接觸和接觸位置，還執(zhí)行手指的指紋識(shí)別功能。

具體而言，在驅(qū)動(dòng)第一應(yīng)用時(shí)，顯示裝置dp可以起用于驅(qū)動(dòng)特定功能等的觸摸屏的作用。在驅(qū)動(dòng)第二應(yīng)用時(shí)，可以在通過(guò)顯示裝置dp顯示的指紋輸入窗口fp的區(qū)域或顯示裝置dp全區(qū)域?qū)崿F(xiàn)指紋識(shí)別功能。

如將要描述的，通過(guò)觸摸產(chǎn)生手段的觸摸或手指指紋的脊(ridge)和谷(valley)的接觸由形成多個(gè)行和列的傳感器實(shí)現(xiàn)，其中，為了識(shí)別手指指紋，必須能夠區(qū)分脊和谷的接觸。因此，與顯示裝置dp中所包括的傳感器的數(shù)量有關(guān)的接觸檢測(cè)的分辨率需要形成為能夠區(qū)分手指指紋的脊和谷的接觸。

圖2a至圖2d為示出本發(fā)明的一實(shí)施例的具有圖像檢測(cè)功能的顯示裝置的構(gòu)成的剖視圖。圖2a至圖2d以將圖像檢測(cè)功能結(jié)合到液晶顯示裝置(lcd，liquidcrystaldisplay)的情況為例示出。

參照?qǐng)D2a至圖2d，液晶顯示裝置由順次層疊的第一基板210、薄膜晶體管層220、液晶層230、濾色層240、第二基板250及覆蓋窗口260構(gòu)成。

液晶顯示裝置以在由位于第一基板210下方的背光單元(blu，backlightunit)照射的光線透過(guò)液晶層230之后，通過(guò)以像素為單位提取顏色來(lái)實(shí)現(xiàn)顏色的濾色層240實(shí)現(xiàn)所需的顏色和影像的原理動(dòng)作。薄膜晶體管層220起傳遞或控制電信號(hào)的功能，在液晶層230中存在的液晶根據(jù)施加的電信號(hào)改變分子結(jié)構(gòu)來(lái)控制光線的透過(guò)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，執(zhí)行觸摸產(chǎn)生手段的接觸檢測(cè)或指紋識(shí)別功能，即，執(zhí)行圖像檢測(cè)功能的傳感器陣列層300可以布置在液晶顯示裝置的一部分區(qū)域。

首先，如圖2a所示，根據(jù)一實(shí)施例的傳感器陣列層300可以與濾色層240接近地布置。在此情況下，傳感器陣列層300可以布置在濾色層240的下部區(qū)域或?yàn)V色層240與第二基板250之間的區(qū)域。

其次，如圖2b所示，根據(jù)一實(shí)施例的傳感器陣列層300可以布置在第二基板250與覆蓋窗口260之間，或如圖2c所示，可以布置在用于保護(hù)顯示裝置的覆蓋窗口260上方。

如圖2c所示，若傳感器陣列層300布置在覆蓋窗口260上方，則其上方還需要形成用于保護(hù)傳感器陣列層300的另外的保護(hù)層270。

另一方面，如圖2d所示，根據(jù)一實(shí)施例的傳感器陣列層300可以形成在與實(shí)現(xiàn)有用于驅(qū)動(dòng)顯示裝置的電路的薄膜晶體管層220相同的層。

上面以將顯示裝置實(shí)現(xiàn)為液晶顯示裝置的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明。但當(dāng)然可以由如有機(jī)發(fā)光二極管(oled，organiclightemittingdiode)顯示裝置或電泳顯示器(epd，electrophoreticdisplay)等其他類型的顯示裝置實(shí)現(xiàn)。

有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有將兩面形成有電極層的有機(jī)發(fā)光二極管元件布置在基板上的結(jié)構(gòu)。在此情況下，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，執(zhí)行圖像檢測(cè)功能的傳感器陣列層300可以形成在基板上方或有機(jī)發(fā)光二極管元件的上方等。

圖3為示出本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。

圖3中圖示濾色層240和傳感器陣列層300。如上所述，以濾色層240為基準(zhǔn)，傳感器陣列層300可以形成在相對(duì)上方，或可以形成在其下方。

根據(jù)一實(shí)施例，包括多個(gè)接觸傳感器的傳感器陳列可以形成在顯示器全面，或根據(jù)另一實(shí)施例，可以形成在顯示器的一部分區(qū)域。若其形成在顯示器的一部分區(qū)域，則可以通過(guò)鈍化(圖中未示出)將不包括接觸傳感器的區(qū)域配置成與包括接觸傳感器的區(qū)域之間不具有臺(tái)階。

傳感器陣列層300設(shè)置有多個(gè)接觸傳感器sn。接觸傳感器sn可以實(shí)現(xiàn)為包括多個(gè)晶體管的電容方式的傳感器。

濾色層240可以包括顯示紅色影像的紅色像素r、顯示綠色影像的綠色像素g及顯示藍(lán)色影像的藍(lán)色像素b。各一個(gè)紅色像素r、綠色像素g、藍(lán)色像素b構(gòu)成一個(gè)單位像素，該單位像素形成為由多個(gè)行和列構(gòu)成的矩陣形式。據(jù)此，每一個(gè)單位像素可以設(shè)置有一個(gè)接觸傳感器sn。

根據(jù)一實(shí)施例，接觸傳感器sn形成在傳感器陳列層300，在從頂部(topview)觀察時(shí)，接觸傳感器sn的傳感電路(例如，晶體管和配線等)布置在不覆蓋(non-overlap)濾色層240的紅色像素r、綠色像素g及藍(lán)色像素b的區(qū)域，而接觸傳感器sn的像素電極可以由如ito等透明電極材料制成且布置在覆蓋顏色像素(r、g或b)的至少一部分的區(qū)域或不蓋顏色像素的區(qū)域的一部分。雖然圖3中以接觸傳感器sn設(shè)置在單位像素下方的情況為例示出，但接觸傳感器sn可以設(shè)置在所述單位像素的上部、側(cè)面部等。并且，還可以通過(guò)將紅色像素r、綠色像素g及藍(lán)色像素b中的一個(gè)像素的大小形成為相對(duì)小來(lái)使接觸傳感器sn的傳感電路位于相關(guān)位置。

根據(jù)另一實(shí)施例，在接觸傳感器sn利用為晶體管和配線的透明電極材料的情況下，可以將其形成為使得在傳感器陳列層300上像素電極和傳感電路都覆蓋(overlap)濾色層240的紅色像素r、綠色像素g及藍(lán)色像素b。據(jù)此，由于可以將接觸傳感器sn形成為覆蓋單位像素，因而每一個(gè)單位像素設(shè)置有至少兩個(gè)接觸傳感器sn，從而能夠提高圖像檢測(cè)的分辨率，且通過(guò)加大單位接觸傳感器sn的尺寸來(lái)可以提高圖像檢測(cè)敏感度。

圖4為示出本發(fā)明的一實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)圖像檢測(cè)功能的傳感器陣列層300的構(gòu)成的附圖。

參照?qǐng)D4，傳感器陣列層300包括多個(gè)掃描線sl1、sl2、～、sln和多個(gè)讀出線rl1、rl2、～、rll。對(duì)多個(gè)掃描線sl1、sl2、～、sln順次供給掃描信號(hào)，且多個(gè)讀出線rl1、rl2、～、rll接收從接觸傳感器sn輸出的信號(hào)來(lái)將其傳遞到處理該信號(hào)的讀出電路(圖中未示出)。

根據(jù)一實(shí)施例，供給到多個(gè)掃描線的掃描信號(hào)可以為從設(shè)置在傳感器陣列層300的掃描驅(qū)動(dòng)器供給的信號(hào)。

掃描線sl1、sl2、～、sln和讀出線rl1、rl2、～、rll可以布置成彼此交叉，且在每一交叉點(diǎn)可以形成至少一個(gè)接觸傳感器sn。

圖5為示出布置在傳感器陳列300上的接觸傳感器sn的比較例的電路圖。

參照?qǐng)D5，接觸傳感器sn可以包括像素電極(圖中未示出)、開(kāi)關(guān)晶體管t1及傳感晶體管t2。若接觸手段與像素電極接觸，則可以形成觸點(diǎn)容量c1。

在圖5的(a)部分中的開(kāi)關(guān)晶體管t1的柵電極和漏電極與第一掃描線sl1連接，其源電極與形成觸點(diǎn)容量c1的節(jié)點(diǎn)連接。另一方面，傳感晶體管t2的漏電極與讀出線rl連接，其源電極與開(kāi)關(guān)晶體管t1的源電極，而其柵電極與第二掃描線sl2連接。

圖5的(b)部分與圖5的(a)部分相比，其區(qū)別在于，開(kāi)關(guān)晶體管t1的漏電極不是與第一掃描線連接而是與數(shù)據(jù)線dl連接。

若第一掃描線sl1的選擇信號(hào)被供給到開(kāi)關(guān)晶體管t1的柵電極，則開(kāi)關(guān)晶體管t1導(dǎo)通，以充電觸點(diǎn)容量c1。若向第二掃描線sl2施加選擇信號(hào)，則傳感晶體管t2導(dǎo)通，向觸點(diǎn)容量c1充電的電荷可以被觸點(diǎn)容量c1和讀出線rl的寄生電容共享。

詳細(xì)而言，若接觸手段接近到接觸傳感器sn，則在接觸手段與接觸傳感器sn之間形成較大的觸點(diǎn)容量c1。若接觸手段遠(yuǎn)離接觸傳感器sn，則觸點(diǎn)容量c1的大小減少。

然后，讀出線rl的信號(hào)電壓被傳遞到獨(dú)立的ic芯片，從而通過(guò)傳遞的信號(hào)電壓可以判斷相關(guān)像素是否發(fā)生畫(huà)面接觸并判斷接觸面積等。換言之，讀出線rl以電壓檢測(cè)與向接觸傳感器sn充電的電荷量相應(yīng)的信號(hào)，而通過(guò)如此檢測(cè)到的電壓大小可以判斷是否發(fā)生接觸并判斷接觸狀態(tài)。

根據(jù)圖5中圖示的方法，存儲(chǔ)于觸點(diǎn)容量c1的電荷通過(guò)傳感晶體管t2被傳遞到讀出線rl，此時(shí)，在接觸傳感器sn中，由于觸點(diǎn)容量c1、傳感晶體管t2及讀出線rl周圍的電路構(gòu)成或與其他構(gòu)成要素之間的關(guān)系而必然存在寄生電容。從而，由于接觸傳感器sn通過(guò)觸點(diǎn)容量c1與讀出線rl的寄生電容之間的電荷共享檢測(cè)電壓，存在因讀出線rl的寄生電容大于觸點(diǎn)容量c1而所檢測(cè)的電壓非常小的缺點(diǎn)。

圖6為示出可應(yīng)用于本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置的電容接觸傳感器的構(gòu)成的等效電路圖。

參照?qǐng)D6，本發(fā)明的一實(shí)施例的接觸傳感器sn設(shè)置在形成于參照?qǐng)D3說(shuō)明的傳感器陳列300上的單位像素的至少一部分。

各個(gè)接觸傳感器sn可以包括像素電極(sensingelectrode)和3個(gè)晶體管，其中，3個(gè)晶體管分別可以由復(fù)位晶體管t1、放大晶體管t2及檢測(cè)晶體管t3構(gòu)成。在一實(shí)施例中，各個(gè)晶體管t1～t3可以實(shí)現(xiàn)為如非晶硅(氫化非晶硅，a-si:h，hydrogenatedamorphoussilicon)、多晶硅(聚硅，poly-si，polysilicon)、氧化物晶體管等硅系晶體管、或如由有機(jī)材料形成溝道區(qū)域的有機(jī)薄膜晶體管(organicthinfilmtransistor)等有機(jī)化合物晶體管。各個(gè)晶體管t1～t3可以實(shí)現(xiàn)為共面(coplanar)、交錯(cuò)(staggered)、倒共面(invertedcoplanar)或反向交錯(cuò)(invertedstaggered)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。

在一實(shí)施例中，各個(gè)晶體管t1～t3可以由透明薄膜晶體管(ttft，transparentthinfilmtransistor)構(gòu)成。透明薄膜晶體管的特征在于使可見(jiàn)光區(qū)域的波長(zhǎng)的光線通過(guò)，由此，即使結(jié)合到顯示裝置，也能夠確?？梢曅浴?/p>

當(dāng)施加掃描線sln信號(hào)時(shí)，復(fù)位晶體管t1使與放大晶體管t2連接的像素電極的殘余電荷被恒定地復(fù)位。

復(fù)位晶體管t1的柵電極可以與掃描線sln連接，源電極可以與電源輸入端vdd連接，漏電極可以與像素電極連接。

放大晶體管t2通過(guò)柵電極接收施加到接觸手段與像素電極(sensingelectrode)之間生成的觸點(diǎn)容量c1的電壓v1，從而起與電壓v1的變化量對(duì)應(yīng)地將電流信號(hào)傳遞到檢測(cè)晶體管t3的放大器作用。

放大晶體管t2的柵電極可以與像素電極(sensingelectrode)連接，源電極可以與電源輸入端vdd連接，漏電極可以與傳感晶體管t3的漏電極連接。

檢測(cè)晶體管t3起選擇性地將流過(guò)放大晶體管t2的電流傳遞到讀出線rl的作用。檢測(cè)晶體管t3通過(guò)施加到柵電極的來(lái)自掃描線sln+1的選擇信號(hào)執(zhí)行將流過(guò)放大晶體管t2的電流傳遞到讀出線rl的動(dòng)作。

檢測(cè)晶體管t3的柵電極可以與掃描線sln+1連接，漏電極可以與放大晶體管t2的漏電極，源電極可以與讀出線rl連接。

根據(jù)一實(shí)施例，像素電極形成在圖2中圖示的顯示單位像素的中心部，而在各個(gè)晶體管t1～t3由非透明或半透明電極材料形成的情況下，為了確保顯示器的可視性，像素電極可以布置在與電極邊緣或?yàn)V色片不重疊的區(qū)域。

根據(jù)另一實(shí)施例，在各個(gè)晶體管t1～t3由透明電極材料形成的情況下，像素電極可以布置在與濾色片重疊的區(qū)域。

圖7至圖9為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的電容接觸傳感器的構(gòu)成的等效電路圖。

參照?qǐng)D7，在如圖6所示的接觸傳感器sn的構(gòu)成中，僅可以變更復(fù)位晶體管t1的連接狀態(tài)。詳細(xì)而言，復(fù)位晶體管t1的源電極不是與電源輸入端vdd連接，而是與柵電極連接，由此，當(dāng)對(duì)柵電極施加來(lái)自掃描線sln的選擇信號(hào)時(shí)，同樣地對(duì)源電極施加相同的選擇信號(hào)，從而為驅(qū)動(dòng)接觸傳感器sn而無(wú)需獨(dú)立的電源輸入端。

參照?qǐng)D8，在如圖7所示的接觸傳感器sn的構(gòu)成中，僅可以變更復(fù)位晶體管t1的連接狀態(tài)。雖然在圖7的電路中復(fù)位晶體管t1的源電極和柵電極綁在一起的狀態(tài)下與掃描線sln連接，但如圖8的電路所示，復(fù)位晶體管t1的源電極和柵電極可以綁在一起的狀態(tài)下與電源輸入端vdd連接。根據(jù)各種實(shí)施例，復(fù)位晶體管t1的源電極和柵電極綁在一起的狀態(tài)下連接的電源輸入端線可以用施加預(yù)定電壓的數(shù)據(jù)線代替。

通過(guò)如上所述構(gòu)成接觸傳感器sn的電路，可以減少驅(qū)動(dòng)各個(gè)接觸傳感器sn所需的掃描線sln的數(shù)量。整體來(lái)看，雖然掃描線sln的數(shù)量只減少一個(gè)，但驅(qū)動(dòng)各個(gè)接觸傳感器sn所需的掃描線的數(shù)量從兩個(gè)減少到一個(gè)，因此可以簡(jiǎn)化掃描驅(qū)動(dòng)器的動(dòng)作。

參照?qǐng)D9，在本發(fā)明中公開(kāi)的接觸傳感器sn的電路構(gòu)成中，可以除去電源輸入端vdd，而僅通過(guò)掃描線sln可以驅(qū)動(dòng)接觸傳感器sn。

詳細(xì)而言，放大晶體管t2的源電極不是從電源輸入端vdd接收電壓而是從掃描線sln接收電壓來(lái)啟動(dòng)，為此，掃描驅(qū)動(dòng)器可以被驅(qū)動(dòng)使得放大晶體管t2在操作時(shí)序傳遞信號(hào)。

如上所述，通過(guò)除去源輸入端vdd來(lái)設(shè)計(jì)上可以更簡(jiǎn)化接觸傳感器sn的電路構(gòu)成。

另一方面，在如圖6至圖9所示的接觸傳感器sn的等效電路構(gòu)成中，電源輸入端vdd可以為數(shù)據(jù)線dl，而施加到所述數(shù)據(jù)線的電壓可以是數(shù)據(jù)信號(hào)。

圖10為用于說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例的接觸傳感器sn的動(dòng)作的時(shí)序圖。

參照?qǐng)D6至圖10對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施例的接觸傳感器sn的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明如下。

在圖10中sln和sln+1分別表示供給到相當(dāng)掃描線sln、sln+1的信號(hào)，應(yīng)被理解為在高區(qū)間選擇信號(hào)被供給到掃描線sln、sln+1。通過(guò)施加選擇信號(hào)來(lái)使特定接觸傳感器sn被選擇，并輸出來(lái)自其他接觸傳感器sn的信號(hào)。下面，將sl稱為掃描線信號(hào)。并且，rlreset是用于復(fù)位讀出線rl的信號(hào)，在高(high)區(qū)間供給復(fù)位信號(hào)來(lái)使讀出線rl復(fù)位。

另一方面，v1表示與放大晶體管t2的柵電極連接的像素電極(sensingelectrode)的電位，即，通過(guò)向在接觸手段與像素電極之間生成的觸點(diǎn)容量c1充電的電荷的電位，而rl表示在與檢測(cè)晶體管t3的源電極連接的讀出線rl檢測(cè)到的電流量。

在v1和rl的時(shí)序圖中，根據(jù)脊接觸到接觸傳感器sn的傳感晶體管t1上或谷接觸到接觸傳感器sn的傳感晶體管t1上，根據(jù)向觸點(diǎn)容量c1充電的電荷量的電位v1和讀出線rl的電流發(fā)生變化。

首先，對(duì)任何接觸手段都不接觸到接觸傳感器sn的情況進(jìn)行說(shuō)明。由于不存在接觸手段，因此不存在像素電極與接觸手段之間形成的觸點(diǎn)容量c1。

若與復(fù)位晶體管t1的柵電極連接的掃描線信號(hào)sln被轉(zhuǎn)換為高水平(s2)，則復(fù)位晶體管t1導(dǎo)通，借助通過(guò)與復(fù)位晶體管t1的源電極連接的電源輸入端vdd被輸入的電壓向與復(fù)位晶體管t1的漏電極連接的像素電極充電一定量的電荷，從而電壓v1上升。

放大晶體管t2的源電極也與電源輸入端vdd連接而接收輸入電壓。然而，在因接觸傳感器sn與指紋的谷接觸而觸點(diǎn)容量c1較小的狀態(tài)下，放大晶體管t2的柵電壓v1和源電極的關(guān)系被設(shè)計(jì)為無(wú)法超過(guò)放大晶體管t2的閾值電壓，因此不存在從放大晶體管t2的漏電極傳遞到檢測(cè)晶體管t3的電流，從而在讀出線rl也無(wú)法檢測(cè)到電流。

其次，將分成手指指紋的谷與接觸傳感器sn接觸的情況和脊與接觸傳感器sn接觸的情況進(jìn)行說(shuō)明如下。通過(guò)手指的谷或脊與接觸傳感器sn接觸，接觸手段與接觸傳感器sn之間形成觸點(diǎn)容量c1，此時(shí)，與谷接觸的情況和與脊接觸的情況分別形成不同大小的觸點(diǎn)容量c1。

當(dāng)在與復(fù)位晶體管t1的柵電極連接的掃描線sln的s2區(qū)間施加選擇信號(hào)時(shí)，復(fù)位晶體管t1導(dǎo)通，來(lái)自電源輸入端vdd的信號(hào)通過(guò)復(fù)位晶體管t1的漏電極被傳遞，從而充電觸點(diǎn)容量c1。

根據(jù)像素電極與接觸手段之間的距離而觸點(diǎn)容量c1不同，其中，指紋的谷與像素電極接觸的情況與指紋的脊與像素電極接觸的情況相比，所形成的觸點(diǎn)容量c1的大小較小。

先對(duì)手指指紋的谷與像素電極接觸的情況進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)對(duì)第一掃描線sln施加高信號(hào)時(shí)(s2)，通過(guò)從復(fù)位晶體管t1的源電極流到漏電極的電流而觸點(diǎn)容量c1的電壓v1上升。然后，當(dāng)對(duì)第二掃描線sln+1施加高信號(hào)(s4)，檢測(cè)晶體管t3導(dǎo)通，從而放大晶體管t2的源電極的電位降低到0，由于通過(guò)放大晶體管t2的柵極與源極之間形成的寄生電容的偶合而觸點(diǎn)容量c1的電壓v1減少。并且，當(dāng)對(duì)檢測(cè)晶體管t3的柵電極施加第二掃描線sln+1的高信號(hào)時(shí)，檢測(cè)晶體管t3導(dǎo)通。若檢測(cè)晶體管t3導(dǎo)通，則來(lái)自放大晶體管t2的漏電極的電流通過(guò)檢測(cè)晶體管t3的漏電極流到源電極，從而電流最終流到讀出線rl。在此情況下，由于觸點(diǎn)容量c1的電壓v1較低的狀態(tài)，因此流過(guò)讀出線rl的電流可以比與脊接觸的情況的電流更小。

對(duì)手指指紋的脊與像素電極接觸的情況進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)對(duì)第一掃描線sln施加高信號(hào)時(shí)(s2)，觸點(diǎn)容量c1的電壓v1上升。此時(shí)，由于觸點(diǎn)容量c1比與谷接觸的情況更大，因而不發(fā)生由于在放大晶體管t2的柵極與源極之間寄生電容的耦合。因此，在此情況下，觸點(diǎn)容量c1的電壓v1可以保持恒定。然后，當(dāng)對(duì)第二掃描線sln+1施加高信號(hào)時(shí)(s4)，檢測(cè)晶體管t3導(dǎo)通，來(lái)自放大晶體管t2的漏電極的電流通過(guò)檢測(cè)晶體管t3的源電極流到漏電極。而且，在讀出線rl可檢測(cè)到電流，但不發(fā)生由于寄生電容的耦合，從而放大晶體管t2的柵電極電位保持不變，因此與谷接觸的情況相比流過(guò)更大量的電流。

然后，通過(guò)用讀出線rl檢測(cè)到的電流大小的變化模式，可以判斷像素電極與手指指紋的脊接觸或與手指指紋的谷接觸，還可以判斷接觸面積等。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)對(duì)掃描線施加信號(hào)時(shí)，通過(guò)復(fù)位晶體管t1進(jìn)行電路的復(fù)位，因此，存在無(wú)需獨(dú)立的復(fù)位線的優(yōu)點(diǎn)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，無(wú)需除了掃描線之外的獨(dú)立的配線，因此能夠簡(jiǎn)單地構(gòu)成電路。并且，在對(duì)與檢測(cè)晶體管t3的柵電極連接的掃描線施加選擇信號(hào)的情況下，相關(guān)掃描線也與其他接觸傳感器sn的復(fù)位晶體管t1的柵電極連接，因此，一個(gè)掃描線可以同時(shí)控制在一個(gè)接觸傳感器sn中包括的讀出線rl的信號(hào)檢測(cè)和在其他接觸傳感器sn包括的傳感晶體管t1的動(dòng)作。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，根據(jù)觸點(diǎn)容量c1的變化使放大晶體管t2動(dòng)作，因此能夠改善在電荷共享電路檢測(cè)到的信號(hào)變小的缺點(diǎn)。

并且，在本發(fā)明的實(shí)施例中，利用透明薄膜晶體管和透明電極，在像素電極的中心部形成開(kāi)口部，從而能夠提高顯示裝置的開(kāi)口率。

圖11為本發(fā)明的一實(shí)施例的接觸傳感器的平面圖。

參照?qǐng)D6和圖11，t1、t2及t3分別對(duì)應(yīng)于在圖10的左側(cè)上端中圖示的復(fù)位tr(resettr)、在圖10的左側(cè)下端中圖示的放大tr(amptr)及在右側(cè)下端中圖示的檢測(cè)tr(readtr)。

復(fù)位晶體管t1的柵電極rg可以與掃描線sln連接，源電極rs可以與電源輸入端dl連接，漏電極rd可以與像素電極(sensingelectrode)連接。

放大晶體管t2的柵電極ag可以通過(guò)接觸con與像素電極(sensingelectrode)連接，源電極as可以與電源輸入端dl連接，漏電極ad可以與檢測(cè)晶體管t3的源電極rs連接。

檢測(cè)晶體管t3的柵電極rg可以與掃描線sln+1，源電極rs可以與放大晶體管t2的漏電極ad連接，漏電極rd可以與讀出線rl連接。

根據(jù)一實(shí)施例，在t1至t3由氧化物晶體管實(shí)現(xiàn)的情況下，氧化物的特性可以根據(jù)入射光而變化，因此還可包括屏蔽電極sd。屏蔽電極sd以與t1至t3重疊的狀態(tài)下布置在t1至t3上，從而能過(guò)阻擋外部光。

此時(shí)，接觸手段與像素電極(sensingelectrode)之間形成觸點(diǎn)容量c1，且對(duì)觸點(diǎn)容量c1施加的電壓v1被輸入到放大晶體管t2的柵電極ag。而且，根據(jù)輸入到放大晶體管t2的柵電極ag的電壓v1的變化量而不同的電流信號(hào)可以被傳遞到檢測(cè)晶體管t3。

另一方面，手指與像素電極(sensingelectrode)之間的接觸面積越大，觸點(diǎn)容量c1的大小也越大。

因此，如圖11的實(shí)施例所示，為了在同一平面上同時(shí)實(shí)現(xiàn)t1至t3晶體管和像素電極，可以最大限度地減少t1至t3所占的面積，并使像素電極所占的面積最大化。

并且，根據(jù)另一實(shí)施例，當(dāng)用于實(shí)現(xiàn)t1至t3的源電極、漏電極或柵電極中至少一個(gè)電極材料的光線透過(guò)率較低時(shí)，如圖2所示，可以將t1至t3實(shí)現(xiàn)在與顏色像素(r、g、b)不重疊的區(qū)域，且將像素電極作為透明電極實(shí)現(xiàn)在與顏色像素重疊的區(qū)域。在此情況下，不降低顯示可視性，同時(shí)，具有可以進(jìn)行指紋圖像掃描的效果。

圖12為示出將本發(fā)明的另一實(shí)施例的多個(gè)接觸傳感器排列而成的傳感器陳列的平面圖的附圖，圖13為放大圖12中圖示的單位像素的接觸傳感器的平面圖。

參照?qǐng)D12，傳感器陳列400包括多個(gè)接觸傳感器pa。各個(gè)接觸傳感器pa與一個(gè)數(shù)據(jù)線dl1、一個(gè)讀出線rl及兩個(gè)掃描線sln、sln+1)連接。為了方便說(shuō)明，作為一實(shí)施例圖示了5x4陳列，但本發(fā)明的范圍不限于此，也可以實(shí)現(xiàn)為mxn陳列(m、n為大于或等于1的自然數(shù))。

參照將圖12的單位接觸傳感器放大圖示的圖13具體說(shuō)明。一個(gè)單位接觸傳感器與數(shù)據(jù)線dl、讀出線rl及掃描線sl連接，并包括復(fù)位晶體管(resettr、t1)、放大晶體管(amptr、t2)、檢測(cè)晶體管(readtr、t3)及像素電極(se)。

圖13的各個(gè)晶體管的連接關(guān)系與圖11的說(shuō)明相同，因此省略說(shuō)明。其與圖11之間的區(qū)別在于，不存在t1至t3上重疊的屏蔽電極，以像素電極(se)重疊來(lái)形成單位接觸傳感器pa的前面。

此時(shí)，像素電極通過(guò)接觸與復(fù)位晶體管t1的漏電極rd和放大晶體管t2的柵電極ag連接。

圖14為圖12中圖示的單位像素的接觸傳感器的沿a-a’線的剖視圖，圖15為圖12中圖示的單位像素的接觸傳感器的沿b-b’線的剖視圖，圖16為圖12中圖示的單位像素的接觸傳感器的沿c-c’線的剖視圖。

參照?qǐng)D14至圖16，晶體管分別在基板上形成柵極，并形成柵絕緣層。在柵絕緣層上形成活動(dòng)層，然后通過(guò)光刻工藝進(jìn)行圖案化來(lái)形成源/漏電極。

參照?qǐng)D14，在從a-a’截面觀察接觸傳感器時(shí)，左側(cè)下端的復(fù)位晶體管t1包括源/漏電極、柵電極、柵絕緣層(g/i)及活動(dòng)層。其中，基板可以由如玻璃、薄膜、塑料(pi)、不銹鋼等材料形成。

復(fù)位晶體管t1的源/漏電極或柵電極可以由ito、izo、mo、al、cu、ag、ti等單一物質(zhì)或合成物質(zhì)實(shí)現(xiàn)。源/漏電極之間的活動(dòng)區(qū)域可以由a-si:h、低溫聚硅(ltps，lowtemperaturepolysilicon)、銦鎵氧化鋅(igzo，indiumgalliumzincoxide)等氧化物(oxide)系材料、有機(jī)(organic)系材料實(shí)現(xiàn)。柵絕緣層(g/i)可以由sio2、sinx等實(shí)現(xiàn)。

復(fù)位晶體管t1還可包括蝕刻塞。蝕刻塞(etchstopper，e/s)可以由sio2、sinx等物質(zhì)實(shí)現(xiàn)。蝕刻塞在用于形成源-漏電極的光刻工藝過(guò)程中通過(guò)化學(xué)物質(zhì)保護(hù)預(yù)先形成的活動(dòng)層，以防止活動(dòng)區(qū)域被損壞。

接觸傳感器pa在復(fù)位晶體管t1上形成像素電極之前，形成用于使表面均勻的鈍化(passivation)層。鈍化層可以由薄膜玻璃(thin-glass)、sio2、sinω等透明材料實(shí)現(xiàn)。

如圖12所說(shuō)明，在復(fù)位晶體管t1中，漏電極rd與像素電極se連接。此時(shí)，如圖11和圖12所示，其形成為覆蓋單位接觸傳感器前面，因此像素電極通過(guò)貫通鈍化層的接觸con與漏電極rd連接。根據(jù)各種實(shí)施例，像素電極se可以由ito、izo、mo、al、cu、ag、ti等具有透過(guò)性的單一物質(zhì)或合成物質(zhì)實(shí)現(xiàn)。

參照?qǐng)D15，在從b-b’截面觀察接觸傳感器時(shí)，左側(cè)下端的放大晶體管t2形成在基板上，且包括源/漏電極、柵電極、柵絕緣層g/i及活動(dòng)層。并且，右側(cè)下端的檢測(cè)晶體管t3形成在基板上，且包括源/漏電極、柵電極、柵絕緣層g/i及活動(dòng)層。其中，基板可以由如玻璃、薄膜、塑料(pi)、不銹鋼等材料形成。

由于構(gòu)成放大晶體管t2和檢測(cè)晶體管t3的源/漏電極、柵電極、柵絕緣層g/i及活動(dòng)層(active)在復(fù)位晶體管形成工藝中同時(shí)形成，因此可以與復(fù)位晶體管t1的材料相同。

放大晶體管t2和檢測(cè)晶體管t3還可包括蝕刻塞。蝕刻塞(e/s)可以由sio2、sinω等物質(zhì)實(shí)現(xiàn)。蝕刻塞在用于形成源-漏電極的光刻工藝過(guò)程中通過(guò)化學(xué)物質(zhì)保護(hù)預(yù)先形成的活動(dòng)層，以防止活動(dòng)區(qū)域被損壞。

接觸傳感器pa在復(fù)位晶體管t1、放大晶體管t2及檢測(cè)晶體管t3上形成像素電極之前，形成用于使表面均勻的鈍化層。鈍化層可以由薄膜玻璃、sio2、sinω等透明材料實(shí)現(xiàn)。

并且，使放大晶體管的柵電極ag與復(fù)位晶體管的漏電極rd連接，如圖13和圖16所示，使與接觸傳感器重疊的像素電極與放大晶體管的柵電極連接。

若通過(guò)根據(jù)本實(shí)施例的接觸傳感器掃描接觸手段的表面，則由于以更大的面積實(shí)現(xiàn)透明電極而能夠確保顯示裝置的可視性并提高圖像靈敏度，而且，通過(guò)利用由于晶體管和外圍電路構(gòu)成中所包括的寄生電容的耦合現(xiàn)象來(lái)可以進(jìn)一步提高所檢測(cè)的信號(hào)大小。

圖17為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的剖視圖的附圖。為了方便說(shuō)明，以與圖14之間的差異為中心進(jìn)行說(shuō)明。

參照?qǐng)D17，晶體管t1～t3分別在基板上形成柵極，并形成柵絕緣層。在柵絕緣層上形成活動(dòng)層，然后通過(guò)光刻工藝進(jìn)行圖案化來(lái)形成源/漏電極。此時(shí)，為了保護(hù)活動(dòng)層，在形成源/漏電極圖案之前，還可包括蝕刻塞區(qū)域。

與圖14不同地，像素電極可以形成在與形成有晶體管的基板的相反面。此時(shí)，像素電極在所述基板上形成通孔而通過(guò)所述通孔連接到復(fù)位晶體管的漏電極和放大晶體管的柵電極。在本實(shí)施例中，接觸傳感器在像素電極上還包括鈍化層即保護(hù)層，使得像素電極免受由于接觸手段的接觸引起的損傷。此時(shí)，鈍化層可以由如薄膜玻璃(thin-glass)、超薄玻璃(ultra-thinglass)、sio2或sinω等透明材料實(shí)現(xiàn)。

圖18為將本發(fā)明的另一實(shí)施例的多個(gè)接觸傳感器排列而成的傳感器陳列的平面圖，圖19為放大圖18中圖示的單位像素的接觸傳感器的平面圖。

參照?qǐng)D18，傳感器陳列包括多個(gè)接觸傳感器pb。然而，與圖12的實(shí)施例不同地，接觸傳感器pb與在一個(gè)方向上的其他接觸傳感器對(duì)稱地排列。

更詳細(xì)而言，第一接觸傳感器pb1至第三接觸傳感器pb3在一個(gè)方向即在行方向平行排列。第一接觸傳感器pb1與第二接觸傳感器pb2以相鄰的邊即讀出線rl或數(shù)據(jù)線dl為基準(zhǔn)相互對(duì)稱。同樣地，第二接觸傳感器pb2和第三接觸傳感器pb3以相鄰的邊為基準(zhǔn)相互對(duì)稱。

另一方面，在其他方向即在列方向相鄰的接觸傳感器不對(duì)稱地排列。第一接觸傳感器pb1與第四接觸傳感器pb4不以相鄰的邊即掃描線為基準(zhǔn)相互對(duì)稱地排列。

參照?qǐng)D19，在一個(gè)方向排列的一對(duì)接觸傳感器以數(shù)據(jù)線dl為基準(zhǔn)相互對(duì)稱。即，復(fù)位晶體管、放大晶體管、檢測(cè)晶體管、像素電極及信號(hào)線dl、rl、sl相互對(duì)稱地排列。

當(dāng)鄰接的接觸傳感器之間相互對(duì)稱地排列時(shí)，根據(jù)一實(shí)施例，數(shù)據(jù)線可以分別單獨(dú)排列在每個(gè)接觸傳感器，但根據(jù)另一實(shí)施例，作為對(duì)稱基準(zhǔn)線的一條數(shù)據(jù)線可以由兩個(gè)相鄰的接觸傳感器共享。結(jié)果，信號(hào)配線的數(shù)量減少，并且，通過(guò)顯示單位像素對(duì)比觸摸傳感器的開(kāi)口率更大，從而可以提高顯示器的可視性。

圖20為本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的平面圖。

參照?qǐng)D20，接觸傳感器包括復(fù)位晶體管、放大晶體管、檢測(cè)晶體管、像素電極se及信號(hào)線dl、rl、sl。

像素電極在與晶體管不同的平面上通過(guò)復(fù)位晶體管的漏電極和放大晶體管的柵電極之間的接觸而形成。像素電極可以形成為獨(dú)立于相鄰的觸摸傳感器并具有能夠覆蓋單位接觸傳感器的整個(gè)尺寸的最大面積。此時(shí)，像素電極可以由ito、izo、mo、al、cu、ag、ti等具有透過(guò)性的單一物質(zhì)或合成物質(zhì)實(shí)現(xiàn)。

如圖11下面所述，在復(fù)位晶體管、放大晶體管、檢測(cè)晶體管的源電極、漏電極或柵電極半透明或不透明的情況下，若接觸傳感器形成為與顯示單位像素重疊，則顯示像素的開(kāi)口率減少，有可能降低顯示器的可視性。

從而，如本實(shí)施例所述，在至少一個(gè)晶體管的源電極、漏電極或柵電極半透明或不透明的情況下，可以將接觸傳感器的晶體管t1至t3布置在顯示像素中的遮光區(qū)域(黑矩陣)即未布置彩色像素cf的區(qū)域。

遮光區(qū)域是設(shè)置有用于實(shí)現(xiàn)顯示器的驅(qū)動(dòng)元件并且屏蔽光透過(guò)的區(qū)域，因此，若將接觸傳感器的晶體管和信號(hào)配線形成在遮光區(qū)域中，則可以避免顯示器的可視性降低。

圖21為包括本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的顯示裝置的簡(jiǎn)要分解透視圖，圖22為示出圖21的顯示裝置的接觸傳感器的概略配置的附圖。

參照?qǐng)D21和圖22，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp包括顯示模塊510、粘合層520，接觸傳感器模塊530及覆蓋窗口540。

在顯示模塊510形成有用于顯示影像的顯示區(qū)域，且顯示模塊510包括布置在所述顯示區(qū)域并用于顯示影像的所述多個(gè)單位像素，作為例子，可以為有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示模塊、液晶顯示(lcd)顯示模塊。

在接觸傳感器模塊530形成有與所述顯示區(qū)域重疊的檢測(cè)區(qū)域，且接觸傳感器模塊530包括透明基板531、布置在透明基板531的一面的多個(gè)接觸傳感器sn、用于向接觸傳感器sn傳遞控制信號(hào)或從接觸傳感器sn接收檢測(cè)信號(hào)的集成電路封裝532以及用于從外部向集成電路封裝532傳遞所述控制信號(hào)的柔性印刷電路板(fpcb)533。

另一方面，顯示模塊510的所述單位像素可以以一對(duì)一關(guān)系與觸摸傳感器模塊530的觸摸傳感器sn重疊。然而，這僅是示例性的配置構(gòu)成而已，也可以實(shí)現(xiàn)將多個(gè)觸摸傳感器sn疊加在顯示模塊510的一個(gè)所述單位像素上的構(gòu)成。

如圖6至圖9所示的接觸傳感器sn一般，布置在根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp的接觸傳感器sn利用與布置在接觸傳感器模塊530的上方的覆蓋窗口540接觸的用戶指紋9的脊和谷的電容差來(lái)可以掃描用戶指紋9的圖像。

雖然在本實(shí)施例中以接觸傳感器sn布置在顯示模塊510的透明基板531上的情況為例說(shuō)明，但也可以使接觸傳感器sn布置在覆蓋窗口540的一面而省略另外的透明基板531。

在多個(gè)接觸傳感器sn中，第一接觸傳感器sn1和與第一接觸傳感器sn1鄰接的第二接觸傳感器sn2分別包括用于檢測(cè)用戶指紋9的脊和谷的所述觸點(diǎn)容量的第一像素電極se1和第二像素電極se2，和用于向第一像素電極se1和第二像素電極se2提供電壓的第一薄膜晶體管部tft1和第二薄膜晶體管部tft2。

第一薄膜晶體管部tft1和第二薄膜晶體管部tft2可以包括如圖6至圖9所說(shuō)明的接觸傳感器sn1的復(fù)位晶體管、放大晶體管及檢測(cè)晶體管中的至少一個(gè)。第一薄膜晶體管部tft1和第二薄膜晶體管部tft2可以布置在與第一像素電極se1、第二像素電極se2及用于提供信號(hào)的配線(圖中未示出)相同的平面上。

此時(shí)，第一像素電極se1、第二像素電極se2、第一薄膜晶體管部tft1、第二薄膜晶體管部tft2及所述配線可以形成為具有預(yù)定透光率的透明材料的薄膜，作為例子，可以由氧化銦錫(ito，indiumtinoxide)、銀納米線(silvernano-wire)、碳納米管(cnt，carbonenano-tube)、氧化銦鋅(izo，indiumzincoxide)中至少一個(gè)材料形成。

另一方面，在第一接觸傳感器sn1與第二接觸傳感器sn2之間形成隔離空間539。如樹(shù)脂(resin)等絕緣材料可以布置在隔離空間539中，使得第一接觸傳感器sn1和第二接觸傳感器sn2相互絕緣。

此時(shí)，第一接觸傳感器sn1和隔離空間539形成一個(gè)檢測(cè)間距(pitch)，所述檢測(cè)間距的寬度w2等于第一觸摸傳感器sn1的寬度w11和間隔空間539的寬度w12之和。

檢測(cè)間距的寬度w2范圍在5μm至200μm之間，以便順利區(qū)分具有大約200μm間隔的用戶指紋9的脊(ridge)和谷(valley)。

另一方面，第一像素電極se1、第二像素電極se2、第一薄膜晶體管部tft1、第二薄膜晶體管部tft2及所述配線的具體構(gòu)成與如圖6至圖9所說(shuō)明的接觸傳感器sn的構(gòu)成實(shí)際上相同，因此省略其詳細(xì)說(shuō)明。

圖23為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的概略配置的附圖，圖24為圖23的接觸傳感器的平面圖。

根據(jù)本實(shí)施例的接觸傳感器sn的區(qū)別僅在于接觸傳感器sn的配置構(gòu)成，而其他構(gòu)成與圖21和圖22的接觸傳感器sn的構(gòu)成實(shí)際上相同，因此，下面以本實(shí)施例的特征部分為中心進(jìn)行說(shuō)明。

參照?qǐng)D23和圖24，在根據(jù)本實(shí)施例的多個(gè)接觸傳感器sn中，第一接觸傳感器sn1和第二接觸傳感器sn2的第一像素電極se1和第二像素電極se2布置在覆蓋窗口540的下面下方。第一薄膜晶體管部tft1和第一配線wire1及第二薄膜晶體管部tft2和第二配線wire2分別在第一像素電極se1與第二像素電極se2重疊的狀態(tài)下布置在第一像素電極se1和第二像素電極se2的下側(cè)。

第一薄膜晶體管部tft1和第二薄膜晶體管部tft2可以包括如圖6至圖9所說(shuō)明的接觸傳感器sn的復(fù)位晶體管、放大晶體管及檢測(cè)晶體管中的至少一個(gè)。第一配線wire1和第二配線wire2可以為如圖6至圖9所說(shuō)明的接觸傳感器sn的掃描線的一部分、數(shù)據(jù)線的一部分及讀出線的一部分中的至少一個(gè)。即，像素電極se1、se2可以以覆蓋所述復(fù)位晶體管、所述放大晶體管、所述檢測(cè)晶體管、所述掃描線的一部分、所述數(shù)據(jù)線的一部分及所述讀出線的一部分中的一部分或全部的形式布置。

像素電極se1、se2、所述復(fù)位晶體管、所述放大晶體管、所述檢測(cè)晶體管、所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線及所述讀出線由如izo、ito等透明導(dǎo)電材料形成，使得在從布置于接觸傳感器模塊530的下側(cè)的顯示模塊520生成的光線透過(guò)接觸傳感器模塊530的接觸傳感器sn而被投射到外部。

根據(jù)本實(shí)施例，接觸傳感器sn的像素電極se1、se2布置在晶體管部tft1、tft2及配線wire1、wire2的上方，從而可以形成為更廣，而且能夠抑制由于形成在晶體管部tft1、tft2和配線wire1、wire2的寄生電容的干涉，因此具有能夠提高用戶指紋的觸檢測(cè)靈敏度的優(yōu)點(diǎn)。

圖25為示出包括本發(fā)明的另一實(shí)施例的接觸傳感器的顯示裝置以接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

根據(jù)本實(shí)施例的包括接觸傳感器的顯示裝置的區(qū)別僅在于所述接觸傳感器的驅(qū)動(dòng)方法而已，與如圖1至圖24所說(shuō)明的包括接觸傳感器的顯示裝置的構(gòu)成相同，因此，下面以本實(shí)施例的特征部分為中心進(jìn)行說(shuō)明。

參照?qǐng)D25，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp的接觸傳感器模塊530具有包括在多個(gè)接觸傳感器sn中至少兩個(gè)接觸傳感器sn的多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4。

在接觸傳感器模塊530以接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的情況下，使在多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4中所包括的接觸傳感器sn中一部分接觸傳感器sn被選擇而激活。

在根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp中，接觸傳感器模塊530基本上以所述接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)，只一部分接觸傳感器sn被激活，從而，與所有接觸傳感器sn都被選擇的情況相比，可減少電耗。

此時(shí)，接觸傳感器sn處于激活狀態(tài)即被激活意味著通過(guò)對(duì)接觸傳感器sn施加掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)使接觸傳感器sn被選擇，使得接觸傳感器sn能夠檢測(cè)接觸手段是否接觸到顯示裝置dp的表面的狀態(tài)。

更詳細(xì)而言，根據(jù)本實(shí)施例的接觸傳感器模塊530的接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4與布置有顯示裝置dp的所述單位像素并用于顯示影像的顯示區(qū)域重疊，劃分所述檢測(cè)區(qū)域，且包括布置在所劃分的區(qū)域上的多個(gè)接觸傳感器sn。

作為一例，接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4形成為正方形，且在接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4之間布置有不包括在任何接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的接觸傳感器sn，使得接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4之間以對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)接觸傳感器sn的寬度相互隔開(kāi)。

在接觸傳感器模塊530以接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的情況下，在接觸傳感器模塊530的接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4中所包括的接觸傳感器sn中一部分接觸傳感器sn被激活，所激活的接觸傳感器sn可以檢測(cè)接觸手段例如用戶的手指是否接觸到顯示裝置dp的表面并可以檢測(cè)接觸位置。

在根據(jù)本實(shí)施例的接觸傳感器模塊530以接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的情況下，在接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4中被激活的接觸傳感器sna布置在接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的邊緣部分，布置在所述邊緣的內(nèi)側(cè)的接觸傳感器sni保持非激活狀態(tài)。

雖然以根據(jù)本實(shí)施例的接觸傳感器模塊530的接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4形成為正方形的情況為例說(shuō)明，但接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4可以形成為除了正方形以外的多邊形或圓形。

圖26為示出圖25的顯示裝置的接觸傳感器陳列的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的附圖，圖27為用于說(shuō)明圖26的接觸傳感器的動(dòng)作的時(shí)序圖。

參照?qǐng)D26和圖27，向接觸傳感器sn提供數(shù)據(jù)信號(hào)的第一數(shù)據(jù)線dl1至第五數(shù)據(jù)線dl5在一個(gè)方向布置，且提供選擇信號(hào)的第一掃描線sl1至第四掃描線sl4以與第一數(shù)據(jù)線dl1至第五數(shù)據(jù)線dl5交叉的方式布置。

各個(gè)接觸傳感器sn布置在第一數(shù)據(jù)線dl1至第五數(shù)據(jù)線dl5和第一掃描線sl1至第四掃描線sl4分別交叉的地點(diǎn)。此時(shí)，圖6至圖9的電源輸入線vdd可以被視為對(duì)應(yīng)于圖26的數(shù)據(jù)線，但不限于該術(shù)語(yǔ)，而是指施加恒定電壓的線。

而且，第一讀出線rl1至第四讀出線rl4與第一數(shù)據(jù)線dl1至第五數(shù)據(jù)線dl5平行布置，與各個(gè)接觸傳感器sn連接，在第一讀出線rl1至第四讀出線rl4檢測(cè)到作為與接觸傳感器sn的觸點(diǎn)容量相應(yīng)的電流信號(hào)的讀出信號(hào)。

此時(shí)，施加到第一掃描線sl1至第四掃描線sl4的掃描信號(hào)相互順序地形成，即以時(shí)間序列方式形成，并且施加到第一數(shù)據(jù)線dl1至第五數(shù)據(jù)線dl5的數(shù)據(jù)信號(hào)彼此獨(dú)立地形成。

下面，對(duì)接觸傳感器模塊530以所述接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)，使得布置在觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的邊緣的接觸傳感器sn被激活，從所激活的接觸傳感器sn檢測(cè)到所述讀出信號(hào)的過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。將所述數(shù)據(jù)信號(hào)、所述掃描信號(hào)及所述讀出信號(hào)被施加或檢測(cè)的情況定義為高(high)，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)、所述掃描信號(hào)及所述讀出信號(hào)未被施加或檢測(cè)的情況定義為低(low)。

首先，第一掃描信號(hào)在從第一基準(zhǔn)時(shí)間t1到第二基準(zhǔn)時(shí)間t2被施加到第一掃描線sl1。此時(shí)，第一數(shù)據(jù)信號(hào)至第四數(shù)據(jù)信號(hào)被輸入到第一數(shù)據(jù)線dl1至第四數(shù)據(jù)線dl4，使得布置在第一掃描線sl1與第一數(shù)據(jù)線dl1至第四數(shù)據(jù)線dl4交叉的地點(diǎn)的所有接觸傳感器sna都被激活。

其次，第二掃描信號(hào)在從第二基準(zhǔn)時(shí)間t2到第三基準(zhǔn)時(shí)間t3被施加到第二掃描線sl2。此時(shí)，所述第一數(shù)據(jù)信號(hào)至第四數(shù)據(jù)信號(hào)分別被輸入到第一數(shù)據(jù)線dl1至第四數(shù)據(jù)線dl4，但所述數(shù)據(jù)信號(hào)未被輸入到第二數(shù)據(jù)線dl2和第三數(shù)據(jù)線dl3。因此，從第二基準(zhǔn)時(shí)間t2到第三基準(zhǔn)時(shí)間t3，僅布置在第二掃描線sl2與第一數(shù)據(jù)線dl1及第四數(shù)據(jù)線dl4交叉的地點(diǎn)的接觸傳感器sna被激活。

其次，第三掃描信號(hào)在從第三基準(zhǔn)時(shí)間t3到第四基準(zhǔn)時(shí)間t4被施加到第三掃描線sl3。此時(shí)，所述第一數(shù)據(jù)信號(hào)至第四數(shù)據(jù)信號(hào)分別被輸入到第一數(shù)據(jù)線dl1至第四數(shù)據(jù)線dl4，但所述數(shù)據(jù)信號(hào)未被輸入到第二數(shù)據(jù)線dl2和第三數(shù)據(jù)線dl3。因此，從第三基準(zhǔn)時(shí)間t3至第四基準(zhǔn)時(shí)間t4，僅布置在第三掃描線sl3與第一數(shù)據(jù)線dl1及第四數(shù)據(jù)線dl4交叉的地點(diǎn)的接觸傳感器sna被激活。

其次，第四掃描信號(hào)在從第四基準(zhǔn)時(shí)間t4到第五基準(zhǔn)時(shí)間t5被施加到第四掃描線sl4。此時(shí)，所述第一數(shù)據(jù)信號(hào)至第四數(shù)據(jù)信號(hào)分別被輸入到第一數(shù)據(jù)線dl1至第四數(shù)據(jù)線dl4，使得布置在第四掃描線sl4與第一數(shù)據(jù)線dl1至第四數(shù)據(jù)線dl4交叉的地點(diǎn)的所有接觸傳感器sna都被激活。

因此，從第一基準(zhǔn)時(shí)間t1至第五基準(zhǔn)時(shí)間t5，布置在接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的邊緣的接觸傳感器sna順次被激活，而布置在所述邊緣內(nèi)部的接觸傳感器sni保持非激活狀態(tài)。

即，在布置于接觸傳感器模塊530的接觸傳感器sn中，施加所述掃描信號(hào)和所述數(shù)據(jù)信號(hào)兩者的接觸傳感器sna被激活，而未施加在所述掃描信號(hào)和所述數(shù)據(jù)信號(hào)中任一個(gè)的接觸傳感器sni未被激活。

另一方面，在布置于接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的邊緣的接觸傳感器sna都檢測(cè)所有所述接觸手段的接觸的情況下，通過(guò)與接觸傳感器sn連接的第一讀出線rl1至第四讀出線rl4輸出所述讀出信號(hào)。

當(dāng)根據(jù)本實(shí)施例的接觸傳感器sn形成為如圖6所示的等效電路構(gòu)成時(shí)，接觸傳感器sn中所包括的所述檢測(cè)晶體管的柵電極連接到與接觸傳感器sn的所述復(fù)位晶體管連接的掃描線的下一條掃描線。

即，當(dāng)所述復(fù)位晶體管為與第一掃描線sl1連接的接觸傳感器sn時(shí)，所述接觸傳感器sn的所述檢測(cè)晶體管的所述柵電極與第二掃描線sl2連接。

因此，在某個(gè)基準(zhǔn)時(shí)間激活的接觸傳感器sn的接觸檢測(cè)信號(hào)可以在下一個(gè)基準(zhǔn)時(shí)間被輸出。

作為例子，從第二掃描信號(hào)施加到第二掃描線sl2的第二參考時(shí)間t2到第三參考時(shí)間t3，檢測(cè)連接到第一掃描線sl1的觸摸傳感器sn的接觸檢測(cè)信號(hào)通過(guò)第一讀出線rl1被輸出。

在本實(shí)施例中，以在接觸傳感器模塊530以所述接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)時(shí)，僅布置在接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的邊緣的接觸傳感器sna被激活的情況為例說(shuō)明，但布置在接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的邊緣內(nèi)側(cè)的接觸傳感器sn中一部分接觸傳感器sn隨機(jī)或規(guī)則地被激活，或每個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4僅一個(gè)接觸傳感器sn被激活的構(gòu)成也包含在本發(fā)明的思想中。

并且，在本實(shí)施例中，以在接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4中所包括的接觸傳感器sn相互不同的情況為例說(shuō)明，但接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4也可以共享至少一個(gè)以上的接觸傳感器sn。在此情況下，接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4中一部分會(huì)相互重疊。

下面，對(duì)在多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4同時(shí)檢測(cè)所述接觸手段的觸摸時(shí)，檢測(cè)接觸手段的接觸位置的過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明。

圖28為示出在圖27的顯示裝置以所述接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)下，接觸手段接觸的狀態(tài)的附圖。

參照?qǐng)D28，作為一例，當(dāng)如用戶的手指f等接觸手段同時(shí)接觸到多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4時(shí)，在本實(shí)施例中的另一顯示裝置dp將在檢測(cè)接觸的接觸傳感器sna中包括最大數(shù)量的所述接觸傳感器sna的接觸傳感器扇區(qū)ss4的中心，即，第四接觸傳感器扇區(qū)ss4的中心c1判斷為接觸地點(diǎn)。

即，顯示裝置dp對(duì)在各個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4中所包括的接觸傳感器sna中檢測(cè)接觸的接觸傳感器sna的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)，并將包括檢測(cè)接觸的最大數(shù)量的接觸傳感器sna的接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的中心c1判斷為所述接觸地點(diǎn)。

作為另一例子，顯示裝置dp可以將從包括檢測(cè)接觸的接觸傳感器sna的所述接觸傳感器扇區(qū)ss1、ss2、ss3、ss4的中心以與對(duì)通過(guò)各個(gè)所述接觸傳感器扇區(qū)中所包括的所述檢測(cè)接觸的接觸傳感器的數(shù)量進(jìn)行加權(quán)平均而得的值對(duì)應(yīng)的距離隔開(kāi)的運(yùn)算中心c2判斷為接觸地點(diǎn)。

即，顯示裝置dp可以通過(guò)計(jì)算從包括最少數(shù)量的檢測(cè)接觸的接觸傳感器sna的第一接觸傳感器扇區(qū)ss1的中心最遠(yuǎn)且從包括最大數(shù)量的檢測(cè)接觸的接觸傳感器sna的第四接觸傳感器扇區(qū)ss4的中心最近的運(yùn)算中心c2，從而將運(yùn)算中心c2判斷為接觸地點(diǎn)。

根據(jù)本實(shí)施例，在簡(jiǎn)單地檢測(cè)用戶是否接觸到顯示裝置dp表面時(shí)，通過(guò)激活只一部分接觸傳感器sn來(lái)檢測(cè)用戶是否觸摸，因此，與激活整個(gè)接觸傳感器的情況相比，具有可以最小化顯示裝置dp電耗的優(yōu)點(diǎn)。

圖29至圖31為示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的顯示裝置以接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置的區(qū)別僅在于接觸傳感器扇區(qū)的構(gòu)成，而其他構(gòu)成與如圖25至圖28所說(shuō)明的顯示裝置的構(gòu)成實(shí)際上相同，因此，下面以本實(shí)施例的特征部分為中心進(jìn)行說(shuō)明。

在單位觸摸傳感器區(qū)段ss內(nèi)，觸摸傳感器可以根據(jù)觸摸識(shí)別模式的識(shí)別靈敏度和坐標(biāo)檢測(cè)精度以各種預(yù)定模式被激活并非激活。更詳細(xì)而言，參照?qǐng)D29，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp的單位接觸傳感器扇區(qū)ss包括隨機(jī)布置在接觸傳感器扇區(qū)ss的區(qū)域的激活接觸傳感器sna和非激活接觸傳感器sni。

其次，參照?qǐng)D30，單位接觸傳感器扇區(qū)ss的區(qū)域包括以一定模式交替排列布置的激活接觸傳感器sna和非激活接觸傳感器sni。

其次，參照?qǐng)D31，單位接觸傳感器扇區(qū)ss區(qū)域包括布置在其上的至少一個(gè)激活接觸傳感器sna和包圍激活接觸傳感器sna的非激活接觸傳感器sni。在本實(shí)施例中，激活接觸傳感器sna可以布置在接觸傳感器扇區(qū)ss的中心。

圖32為示出圖25的顯示裝置以整個(gè)指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

參照?qǐng)D32，在根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp的接觸傳感器模塊530以整個(gè)指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的情況下，接觸傳感器模塊530中所包括的所有接觸傳感器sn處于激活狀態(tài)，從而能夠掃描接觸到顯示裝置dp表面的用戶指紋的圖像。

圖33為示出圖25的顯示裝置以圖標(biāo)指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

參照?qǐng)D33，在顯示裝置dp的圖標(biāo)指紋識(shí)別模式下，在顯示在顯示模塊510的多個(gè)圖標(biāo)icon中，使與顯示在所述顯示模塊的多個(gè)圖標(biāo)中至少一個(gè)圖標(biāo)icons重疊的多個(gè)接觸傳感器sn被選擇。

即，在多個(gè)圖標(biāo)icon中，作為例子，在選擇與連接到如移動(dòng)銀行應(yīng)用程序(app)、需要生物識(shí)別的應(yīng)用程序或用戶設(shè)定的應(yīng)用程序等安全應(yīng)用程序的安全圖標(biāo)icons重疊的接觸傳感器sn之后，激活所述接觸傳感器sn，從而在用戶觸摸到圖標(biāo)icons的過(guò)程中掃描用戶的指紋圖像，以使所述安全應(yīng)用程序程序驅(qū)動(dòng)，而無(wú)需另外登錄過(guò)程。

圖34為示出圖25的顯示裝置以輸入窗口指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

參照?qǐng)D34，在顯示裝置dp的輸入窗口指紋識(shí)別模式下，使與顯示在顯示模塊510的一部分區(qū)域的輸入窗口fp重疊的多個(gè)接觸傳感器sn被選擇。

即，在如電子設(shè)備10的指紋輸入步驟等用戶認(rèn)證步驟中，顯示裝置dp使與生成的輸入窗口fp重疊的多個(gè)接觸傳感器sn被選擇并激活，以實(shí)現(xiàn)通過(guò)指紋掃描圖像的用戶認(rèn)證。

當(dāng)根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp處于所述圖標(biāo)指紋識(shí)別模式或所述輸入窗口指紋識(shí)別模式時(shí)，與安全圖標(biāo)icons或輸入窗口fp重疊的多個(gè)接觸傳感器sn都被激活。與安全圖標(biāo)icons和輸入窗口fp不重疊的其他接觸傳感器sn可使以接觸傳感器區(qū)段ss區(qū)分的一些接觸傳感器sn激活。

圖35為示出圖25的顯示裝置以非接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)的附圖。

參照?qǐng)D35，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp的接觸傳感器模塊530還包括具有多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss的多個(gè)接觸傳感器塊hb。

在接觸傳感器模塊530以非接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的情況下，多個(gè)接觸傳感器塊hb所包括的多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss被激活。此時(shí)，如圖25至圖31所說(shuō)明，在各個(gè)接觸傳感器扇區(qū)所包括的接觸傳感器sn中一部分接觸傳感器sn被選擇并激活。

并且，如在圖25至圖31中多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss被激活的方式一般，多個(gè)接觸傳感器塊hb可以以相互重疊的方式被激活并可以檢測(cè)接觸手段p的非接觸接近或接觸狀態(tài)。

此時(shí)，從所述掃描線施加到激活接觸傳感器sn的所述掃描信號(hào)的電壓大于在接觸傳感器模塊530以接觸識(shí)別模式和所述指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的情況下的電壓。結(jié)果，由于與接觸識(shí)別模式或指紋識(shí)別模式相比在更寬的面積上形成更大的驅(qū)動(dòng)電壓，從而形成在從顯示裝置dp遠(yuǎn)離預(yù)定距離的位置也能夠檢測(cè)接近與否的大電磁場(chǎng)(e-field)。

因此，即使如觸摸筆等接觸手段p與顯示裝置dp的所述顯示區(qū)域或所述檢測(cè)區(qū)域不直接接觸并位于與所述顯示區(qū)域上方相鄰的位置，也顯示裝置dp可以檢測(cè)由接觸手段p指示的接觸傳感器塊hbs。

在多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss中所包括的接觸傳感器sn檢測(cè)未接觸的接觸手段p的過(guò)程中的區(qū)別僅在于所施加的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓大小，而與如圖25至圖28所示的接觸傳感器sn檢測(cè)所述接觸手段p的構(gòu)成實(shí)際上相同，因此省略其詳細(xì)說(shuō)明。

所述非接觸識(shí)別模式可以是在接觸手段p不直接接觸到顯示裝置dp的所述顯示區(qū)域或所述檢測(cè)區(qū)域的狀態(tài)下檢測(cè)接觸手段p是否接近的懸停(hovering)模式。

圖36為示出圖25的顯示裝置的構(gòu)成的示意性框圖，圖37為示出圖25的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)過(guò)程的流程圖。

參照?qǐng)D36和圖37，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp還包括向接觸傳感器模塊530傳遞控制信號(hào)sc并從接觸傳感器模塊530接收檢測(cè)信號(hào)sr的控制單元700。雖然以根據(jù)本實(shí)施例的控制單元700獨(dú)立于接觸傳感器模塊530的構(gòu)成為例說(shuō)明，但控制單元700可以被包含在接觸傳感器模塊530。

根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp的控制單元700判別顯示裝置dp的檢測(cè)模式(s10)，根據(jù)所判別的所述檢測(cè)模式選擇激活目標(biāo)接觸傳感器sn(s20)，然后激活所選擇的所述接觸傳感器sn，從所激活的所述接觸傳感器傳遞檢測(cè)信號(hào)(s30)。

更詳細(xì)而言，在檢測(cè)模式判別步驟(s10)中，控制單元70根據(jù)設(shè)置有顯示裝置dp的電子設(shè)備10的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)判別顯示裝置dp的檢測(cè)模式。

此時(shí)，所述檢測(cè)模式還包括：接觸識(shí)別模式，使顯示裝置dp的多個(gè)接觸傳感器扇區(qū)ss中所包括的接觸傳感器中一部分的接觸傳感器sn被選擇，并識(shí)別接觸手段是否接觸到顯示裝置dp；指紋識(shí)別模式，使比所述接觸識(shí)別模式更多的所述接觸傳感器sn被選擇，并掃描接觸到顯示裝置sn的用戶指紋圖像；及非接觸識(shí)別模式，使在接觸傳感器塊hb中所包括的所述接觸傳感器sn中一部分接觸傳感器sn被選擇，并識(shí)別所述接觸手段是否接近到所述檢測(cè)區(qū)域。

在顯示裝置dp以所述指紋識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的情況下，與顯示裝置dp以所述接觸識(shí)別模式驅(qū)動(dòng)的情況相比，更多的接觸傳感器sn被激活，因此，顯示裝置dp可以具有更高接觸識(shí)別分辨率，以便掃描用戶指紋圖像。

并且，所述指紋識(shí)別模式包括：整個(gè)指紋識(shí)別模式，使顯示裝置dp的所有接觸傳感器sn被選擇；圖標(biāo)指紋識(shí)別模式，使與顯示在顯示裝置dp的多個(gè)圖標(biāo)icon中至少一個(gè)圖標(biāo)icons重疊的多個(gè)接觸傳感器sn被選擇；及輸入窗口指紋識(shí)別模式，使與顯示在顯示裝置dp的一部分區(qū)域的輸入窗口fp重疊的多個(gè)接觸傳感器sn被選擇。

作為例子，在電子設(shè)備10的通常驅(qū)動(dòng)模式下，控制單元700判斷顯示裝置dp處于所述接觸識(shí)別模式，而在電子設(shè)備10在顯示裝置dp的整個(gè)區(qū)域上進(jìn)行掃描用戶指紋的動(dòng)作的情況下，判斷顯示裝置dp處于所述整個(gè)指紋識(shí)別模式，從而能夠抑制電子設(shè)備10的電耗。

并且，在觸摸筆p從電子設(shè)備10分離或電子設(shè)備10處于觸摸筆p使用模式的情況下，控制單元700可以判斷顯示裝置dp處于非接觸識(shí)別模式。

而且，在多個(gè)圖標(biāo)icon中安全圖標(biāo)icons顯示在電子設(shè)備10上的情況下，控制單元700判斷顯示裝置dp處于所述圖標(biāo)指紋識(shí)別模式，而在指紋輸入窗口fp形成在電子設(shè)備10上的情況下，可以判斷顯示裝置dp處于所述輸入窗口指紋識(shí)別模式。

其次，控制單元700根據(jù)所判別的所述檢測(cè)模式選擇激活目標(biāo)接觸傳感器sn(s20)。

此時(shí)，控制單元700可以通過(guò)從設(shè)置在控制單元70內(nèi)部或外部的存儲(chǔ)器接收關(guān)于每個(gè)所述選擇模式的激活目標(biāo)接觸傳感器sn的信息來(lái)選擇激活目標(biāo)接觸傳感器sn。

其次，在接觸傳感器激活和檢測(cè)步驟(s30)中，控制單元70通過(guò)接收所述第一選擇信號(hào)而導(dǎo)通的所述復(fù)位晶體管向所選擇的接觸傳感器sn充電像素電極se與所述接觸手段之間形成的觸點(diǎn)容量，通過(guò)所述放大晶體管產(chǎn)生根據(jù)向所述觸點(diǎn)容量充電的電壓變化的電流，然后通過(guò)接收所述第二選擇信號(hào)而導(dǎo)通的所述檢測(cè)晶體管檢測(cè)所產(chǎn)生的電流來(lái)判斷接觸手段是否接觸到接觸傳感器sn的上部并判斷其接觸狀態(tài)。

并且，在檢測(cè)模式判別步驟(s10)中選擇所述非接觸識(shí)別模式并對(duì)根據(jù)所述非接觸識(shí)別模式所選擇的接觸傳感器sn進(jìn)行所述接觸傳感器激活和檢測(cè)步驟時(shí)，控制單元70可以判斷在所述接觸傳感器所生成的檢測(cè)信號(hào)的電壓值是否超過(guò)非接觸識(shí)別標(biāo)準(zhǔn)電壓vref。

在此情況下，在所述標(biāo)準(zhǔn)電壓超過(guò)判斷步驟中，在所述檢測(cè)信號(hào)的電壓值v小于或等于非接觸識(shí)別標(biāo)準(zhǔn)電壓vref的情況下，控制單元70將在所述多個(gè)接觸傳感器塊hb中生成所述檢測(cè)信號(hào)的所述接觸傳感器塊hb判斷為非接觸識(shí)別中心。

而且，在所述判斷是否超過(guò)非接觸識(shí)別標(biāo)準(zhǔn)電壓的步驟中，在所述檢測(cè)信號(hào)的電壓值v超過(guò)非接觸識(shí)別標(biāo)準(zhǔn)電壓vref的情況下，控制單元70根據(jù)所述接觸識(shí)別模式進(jìn)行接觸傳感器激活和檢測(cè)步驟(s30)。當(dāng)接觸手段p接近到顯示裝置dp的所述顯示區(qū)域或所述檢測(cè)區(qū)域時(shí)，從接觸傳感器sn檢測(cè)的所述檢測(cè)信號(hào)的電壓值v小于在接觸手段p直接接觸到顯示裝置dp的所述顯示區(qū)域或所述檢測(cè)區(qū)域時(shí)的所述檢測(cè)信號(hào)電壓值v。因此，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置dp可以通過(guò)判斷所述檢測(cè)信號(hào)的電壓值v是否超過(guò)非接觸識(shí)別標(biāo)準(zhǔn)電壓vref來(lái)可以判斷接觸手段p處于接近到顯示裝置dp的狀態(tài)或接觸到示裝置dp的狀態(tài)。

根據(jù)所提出的實(shí)施例，具有以下優(yōu)點(diǎn)：由于可選擇性地激活的微小單元的觸摸傳感器sn布置在顯示裝置dp上，因而可以掃描用戶的指紋圖像，或可以檢測(cè)是否接觸如針或刷等具有微細(xì)直徑的接觸手段。

如圖1至圖37所說(shuō)明的顯示裝置的接觸傳感器以與電源輸入端vdd或數(shù)據(jù)線連接并接收電源或數(shù)據(jù)信號(hào)的構(gòu)成為例被描述。所述電源輸入端vdd或所述數(shù)據(jù)線都指施加用于啟動(dòng)所述接觸傳感器的預(yù)定大小的電壓的線，但不限于該術(shù)語(yǔ)，而所述電源輸入端vdd和所述數(shù)據(jù)線實(shí)際上可以被解釋為相互對(duì)應(yīng)的概念。

上述的本發(fā)明的說(shuō)明只是例示性的，只要是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，就能理解在不變更本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特征的情況下，也能輕易變形為其他具體形態(tài)。因此，以上所述的實(shí)施例在各方面僅是例示性的，但并不局限于此。例如，作為單一型進(jìn)行說(shuō)明的各結(jié)構(gòu)部件也能分散進(jìn)行實(shí)施，同樣，使用分散的進(jìn)行說(shuō)明的結(jié)構(gòu)部件也能以結(jié)合的形態(tài)進(jìn)行實(shí)施。

上述的本發(fā)明的說(shuō)明只是例示性的，只要是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，就能理解在不變更本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特征的情況下，也能輕易變形為其他具體形態(tài)。因此，以上所述的實(shí)施例在各方面僅是例示性的，但并不局限于此。例如，作為單一型進(jìn)行說(shuō)明的各結(jié)構(gòu)部件也能分散進(jìn)行實(shí)施，同樣，使用分散的進(jìn)行說(shuō)明的結(jié)構(gòu)部件也能以結(jié)合的形態(tài)進(jìn)行實(shí)施。

本發(fā)明的范圍是通過(guò)所附權(quán)利要求書(shū)來(lái)表示，而并非通過(guò)上述詳細(xì)的說(shuō)明，而由權(quán)利要求書(shū)的意義、范圍及其均等概念導(dǎo)出的所有變更或變形的形態(tài)應(yīng)解釋為包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

以上說(shuō)明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，在權(quán)利要求書(shū)和說(shuō)明書(shū)以及說(shuō)明書(shū)附圖所公開(kāi)的范圍內(nèi)可用多種形式變形實(shí)施，當(dāng)然這也應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

已經(jīng)以用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明最好的模式描述了用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各種實(shí)施例。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明涉及一種可掃描圖像的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其可應(yīng)用于各種顯示裝置，且存在反復(fù)使用的可能性，因此具有產(chǎn)業(yè)上的用途。