本發(fā)明有關(guān)于事務(wù)層級(jí)(transactionlevel)模擬技術(shù)，并有關(guān)于事務(wù)層級(jí)的溫度仿真裝置和方法。
背景技術(shù)：
：：隨著芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度的提升，傳統(tǒng)的緩存器傳輸層級(jí)(register-transferlevel，RTL)設(shè)計(jì)流程所需的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)程越來(lái)越長(zhǎng)。此外，現(xiàn)今的芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要軟硬件的高度整合，使得產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期又增加了軟件開(kāi)發(fā)的時(shí)程，傳統(tǒng)的緩存器傳輸層級(jí)設(shè)計(jì)流程并沒(méi)辦法在硬件設(shè)計(jì)的初期提供軟件仿真的環(huán)境。因此，采用電子系統(tǒng)層級(jí)(ESL，ElectronicSystemLevel)設(shè)計(jì)來(lái)縮短系統(tǒng)軟硬件開(kāi)發(fā)時(shí)程，已成為一個(gè)必然的趨勢(shì)。為了更進(jìn)一步地重復(fù)利用已開(kāi)發(fā)出來(lái)的電子系統(tǒng)層級(jí)模型，利用高位合成(High-LevelSynthesis)工具將電子系統(tǒng)層級(jí)模型轉(zhuǎn)成緩存器傳輸層級(jí)也越來(lái)越受到廣泛的應(yīng)用。電子系統(tǒng)層級(jí)設(shè)計(jì)方法已證實(shí)能有效縮短系統(tǒng)軟硬件開(kāi)發(fā)時(shí)程，增加產(chǎn)品及時(shí)上市(Time-to-Market)的效益。此外，隨著日趨復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，溫度所造成的問(wèn)題也越顯重要，設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)初期，除了需要針對(duì)設(shè)計(jì)成本、效能與功率消耗做必要的考慮及規(guī)劃之外，更需要仿真溫度變化所造成的影響，如是否會(huì)過(guò)熱燒壞組件、是否要增加散熱機(jī)制、設(shè)計(jì)布局改變、電壓與頻率的調(diào)整等等，都與溫度有關(guān)。此外，功率消耗一直是芯片設(shè)計(jì)的重要問(wèn)題，隨著系統(tǒng)層級(jí)芯片的復(fù)雜度和速度愈來(lái)愈高，功率消耗更成為影響芯片以及系統(tǒng)效能和成本的關(guān)鍵。因此，將估測(cè)功率在更早的設(shè)計(jì)時(shí)間以及更高的設(shè)計(jì)層級(jí)(即事務(wù)層級(jí))，來(lái)進(jìn)行是非常必要的。然而，現(xiàn)今在事務(wù)層級(jí)雖然可以估測(cè)功率消耗，卻不易仿真溫度，往往需要復(fù)雜的算法與熱仿真軟件(如ANSYS-Icepak和 Mentor-FloTHERM)，它們不但成本高而且運(yùn)算時(shí)間久，容量不夠，較不適合用在事務(wù)層級(jí)溫度仿真。因此，如何提升事務(wù)層級(jí)溫度仿真的效率和效能，是一值得研究的課題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種藉由事務(wù)層級(jí)的溫度仿真裝置和方法。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種溫度仿真裝置。此溫度仿真裝置適用于事務(wù)層級(jí)設(shè)計(jì)的包含多個(gè)區(qū)塊的芯片。此溫度仿真裝置包括多個(gè)熱感知事務(wù)層功率模型電路、仿真引擎、轉(zhuǎn)換器以及溫度仿真驅(qū)動(dòng)器。多個(gè)熱感知事務(wù)層功率模型電路，分別對(duì)應(yīng)多個(gè)區(qū)塊，且用以產(chǎn)生多個(gè)區(qū)塊各自對(duì)應(yīng)的功率信息，以及根據(jù)溫度信息動(dòng)態(tài)調(diào)整功率信息。仿真引擎用以根據(jù)兼容信息產(chǎn)生多個(gè)區(qū)塊各自對(duì)應(yīng)的溫度信息。轉(zhuǎn)換器用以產(chǎn)生仿真引擎兼容的兼容信息。溫度仿真驅(qū)動(dòng)器用以驅(qū)動(dòng)仿真引擎，以及將溫度信息分別傳送給對(duì)應(yīng)的多個(gè)區(qū)塊。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種溫度仿真方法。溫度仿真方法適用于事務(wù)層級(jí)設(shè)計(jì)的包含多個(gè)區(qū)塊的芯片。此溫度仿真方法的步驟包括，藉由多個(gè)熱感知事務(wù)層功率模型電路產(chǎn)生多個(gè)區(qū)塊各自對(duì)應(yīng)的功率信息；根據(jù)功率信息產(chǎn)生仿真引擎兼容的兼容信息；根據(jù)兼容信息產(chǎn)生多個(gè)區(qū)塊各自對(duì)應(yīng)的溫度信息；傳送溫度信息給對(duì)應(yīng)的多個(gè)區(qū)塊；以及根據(jù)溫度信息動(dòng)態(tài)調(diào)整功率信息。關(guān)于本發(fā)明其他附加的特征與優(yōu)點(diǎn)，此領(lǐng)域的熟習(xí)技術(shù)人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明并參考實(shí)施例中所揭露的執(zhí)行聯(lián)系程序的裝置、系統(tǒng)、以及方法，做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾而得到。附圖說(shuō)明圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的溫度仿真裝置100的方塊圖。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的溫度程序代碼的示意圖。圖3A根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的以粗調(diào)(Coarse)的方式設(shè)計(jì)的區(qū)塊的示意圖。圖3B根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的以細(xì)調(diào)(finegrid)的方式設(shè)計(jì)的區(qū)塊的示意圖。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的區(qū)塊被分成多個(gè)網(wǎng)格的一算法的示意圖。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例述的熱電阻-電容轉(zhuǎn)換的示意圖。圖6顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的參數(shù)信息的示意圖。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的功率信息轉(zhuǎn)換電流信息的示意圖。圖8根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的溫度仿真方法的流程圖800。圖9根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的多個(gè)區(qū)塊分成多個(gè)網(wǎng)格方法的流程圖900?！痉?hào)說(shuō)明】100溫度仿真裝置110-1內(nèi)存區(qū)塊110-2處理器區(qū)塊110-3客制化區(qū)塊120仿真引擎130轉(zhuǎn)換器140溫度仿真驅(qū)動(dòng)器T1、T2、T3溫度信息P1、P2、P3功率信息800、900流程圖具體實(shí)施方式本章節(jié)所敘述的是實(shí)施本發(fā)明的最佳方式，目的在于說(shuō)明本發(fā)明的精神而非用以限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定者為準(zhǔn)。圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的溫度仿真裝置100的方塊圖。溫度仿真裝置100適用于一事務(wù)層級(jí)(transactionlevel)設(shè)計(jì)的芯片，其中此芯片包含對(duì)應(yīng)不同功能的多個(gè)區(qū)塊(IntellectualProperty，IP)，例如：內(nèi)存區(qū)塊(memoryIP)、處理器區(qū)塊(processorIP)、編碼區(qū)塊(encodeIP)、譯碼區(qū)塊(decodeIP)，或客制化區(qū)塊(customizedIP，CIP)，但本發(fā)明并不以此為限。如圖1所示，仿真裝置100中包括了內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2、客制化區(qū)塊110-3。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2、客制化區(qū)塊110-3中分別包含了其所對(duì)應(yīng)的熱感知事務(wù)層功率模型(TransactionLevelPowerModel，TLPM)電路(圖未顯示)，或者內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2、客制化區(qū)塊110-3分別可視為不同熱感知事務(wù)層功率模型電路(圖未顯示)。此外，仿真裝置100亦包括了一仿真引擎120、一轉(zhuǎn)換器130以及一溫度仿真驅(qū)動(dòng)器140。在圖1中的方塊圖，僅系為了方便說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，但本發(fā)明并不以此為限。仿真裝置100亦可包括其他不同區(qū)塊和其他組件。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2、客制化區(qū)塊110-3的熱感知事務(wù)層功率模型電路可用以產(chǎn)生內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2、客制化區(qū)塊110-3各自對(duì)應(yīng)的一功率信息P1、P2、P3，并將所產(chǎn)生的功率信息P1、P2、P3傳送給轉(zhuǎn)換器130。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，每一熱感知事務(wù)層功率模型電路中會(huì)包含其對(duì)應(yīng)的溫度程序代碼(thermalcoding)。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的溫度程序代碼的示意圖。以圖2為例，假設(shè)經(jīng)過(guò)溫度的特征化(characterization)后，若在溫度50度(℃)以下時(shí)，一熱感知事務(wù)層功率模型電路的功耗為5瓦特(W)，在溫度100度以上時(shí)，此熱感知事務(wù)層功率模型電路的功耗則為8瓦特，以及在溫度50～100度時(shí)，溫度和功率則成一線性關(guān)系。因此，如圖2所示，就可將此熱感知事務(wù)層功率模型電路的溫度和功率的關(guān)系寫(xiě)成溫度程序代碼，并將此溫度程序代碼預(yù)先儲(chǔ)存在此熱感知事務(wù)層功率模型電路中。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，每一熱感知事務(wù)層功率模型電路可藉由其所包含的溫度程序代碼，根據(jù)溫度仿真驅(qū)動(dòng)器140所提供的溫度信息，來(lái)產(chǎn)生功率信息。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，每一區(qū)塊會(huì)預(yù)先被分成多個(gè)網(wǎng)格(grid)，其中每一網(wǎng)格可對(duì)應(yīng)相同或不同的功率比重。以圖3A-3B為例，當(dāng)一區(qū)塊經(jīng)過(guò)一預(yù)先的分析后，若此區(qū)塊產(chǎn)生的溫度和功率分布均勻時(shí)(如圖3A所示)，就會(huì)考慮以粗調(diào)(Coarse)的方式(即不將此區(qū)塊分成多個(gè)網(wǎng)格)設(shè)計(jì)該區(qū)塊。若此區(qū)塊產(chǎn)生的溫度和功率分布不均勻(每一網(wǎng)格對(duì)應(yīng)不同的功率比重)時(shí)(如圖3B所示，每一網(wǎng)格對(duì)應(yīng)的功率比重并未完全相同)，就會(huì)考慮以細(xì)調(diào)(finegrid)的方式(即將此區(qū)塊分成多個(gè)網(wǎng)格)設(shè)計(jì)該區(qū)塊。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，每一區(qū)塊預(yù)先被分成多個(gè)網(wǎng)格時(shí)，會(huì)計(jì)算每一區(qū)塊被分成一第一數(shù)量(例如：1*1)的網(wǎng)格時(shí)所對(duì)應(yīng)的一第一溫度最大差值，和每一區(qū)塊被分成一第二數(shù)量(例如：2*2)的網(wǎng)格時(shí)所對(duì)應(yīng)的一第二溫度最大差值，其中第二數(shù)量大于第一數(shù)量。接著，會(huì)去計(jì)算第二溫度最大差值和第一溫度最大差值的一第一差異值，并判斷第一差異值是否大于一臨界值。當(dāng)?shù)谝徊町愔敌∮诨虻扔诖伺R界值，就采用第一數(shù)量的網(wǎng)格。當(dāng)?shù)谝徊町愔荡笥诖伺R界值時(shí)，則會(huì)再計(jì)算此區(qū)塊被分成一第三數(shù)量(例如：4*4)的網(wǎng)格時(shí)所對(duì)應(yīng)的一第三溫度最大差值，其中第三數(shù)量大于第二數(shù)量。接著，計(jì)算第三溫度最大差值計(jì)算和第二溫度最大差值的一第二差異值，以及判斷第二差異值是否大于此臨界值。以此類(lèi)推的作法，直到差異值小于或等于此臨界值為止。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，不同數(shù)量的網(wǎng)格所對(duì)應(yīng)的溫度最大差值，系表示該區(qū)塊分成不同數(shù)量的網(wǎng)格時(shí)，該區(qū)塊所對(duì)應(yīng)的最大溫度值(Tmax)和最低溫度值(Tmin)相減的差異值。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述流程可適用于一算法，但本發(fā)明并不以此為限。算法的流程則如圖4所示，其中在圖4中ΔTm表示被分成m*m個(gè)網(wǎng)格的一區(qū)塊所對(duì)應(yīng)的溫度最大差值，溫度最大差值則表示為ΔT＝Tmax-Tmin，其中Tmax表示該區(qū)塊對(duì)應(yīng)的最大溫度值，Tmin表示該區(qū)塊對(duì)應(yīng)的最低溫度值。一開(kāi)n會(huì)先設(shè)成1，也就是說(shuō)會(huì)先計(jì)算分成1*1個(gè)網(wǎng)格的一區(qū)塊所對(duì)應(yīng)的溫度最大差值ΔT1，以及計(jì)算分成2*2個(gè)網(wǎng)格的一區(qū)塊所對(duì)應(yīng)的溫度最大差值ΔT2。接著再判斷溫度最大差值ΔT2和溫度最大差值ΔT1相減的差異值是否會(huì)大于臨界值。若差異值未大于臨界值，采用分成1*1個(gè)網(wǎng)格的一區(qū)塊。若差異值大于臨界值，則將n＝2代入。如上所述，會(huì)先計(jì)算分成2*2個(gè)網(wǎng)格的一區(qū)塊所對(duì)應(yīng)的溫度最大差值ΔT2，以及計(jì)算 分成4*4個(gè)網(wǎng)格的一區(qū)塊所對(duì)應(yīng)的溫度最大差值ΔT4。接著再判斷溫度最大差值ΔT2和溫度最大差值ΔT4相減的差異值是否會(huì)大于臨界值。若差異值未大于臨界值，采用分成2*2個(gè)網(wǎng)格的一區(qū)塊。若差異值大于臨界值，則以此類(lèi)推繼續(xù)上述流程。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，每一熱感知事務(wù)層功率模型電路會(huì)根據(jù)其所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊是否有被分成多個(gè)網(wǎng)格，采用一粗調(diào)(Coarse)或一細(xì)調(diào)(finegrid)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，每一熱感知事務(wù)層功率模型電路更包含一對(duì)應(yīng)的查找表(look-uptable)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，每一熱感知事務(wù)層功率模型電路所包含的查找表預(yù)先根據(jù)每一熱感知事務(wù)層功率模型電路所對(duì)應(yīng)的不同溫度和不同功率的關(guān)系被建立。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，當(dāng)每一熱感知事務(wù)層功率模型電路獲得一溫度信息時(shí)，即可根據(jù)其所包含的查找表，取得對(duì)應(yīng)此溫度信息的功率信息。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，當(dāng)轉(zhuǎn)換器130取得功率信息P1、P2、P3后，轉(zhuǎn)換器130會(huì)將功率信息P1、P2、P3轉(zhuǎn)換成仿真引擎120兼容的兼容信息。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，仿真引擎120可系一類(lèi)SPICE仿真引擎(SPICE-likeSimulationEngine)，例如：一PSPICE仿真引擎、一HSPICE仿真引擎、一Spectra仿真引擎，或一Nexxim仿真引擎，但本發(fā)明并不以此為限。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，轉(zhuǎn)換器130會(huì)根據(jù)每一區(qū)塊的布局(Floorplan)和材料(material)，產(chǎn)生每一區(qū)塊對(duì)應(yīng)的一電阻電容網(wǎng)絡(luò)，并根據(jù)電阻電容網(wǎng)絡(luò)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)電阻電容網(wǎng)絡(luò)的一參數(shù)信息，其中此參數(shù)信息系兼容于仿真引擎120的格式。底下將會(huì)以圖5圖來(lái)做說(shuō)明。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的熱電阻-電容轉(zhuǎn)換的示意圖。如圖5所示，轉(zhuǎn)換器130會(huì)根據(jù)內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2和客制化區(qū)塊110-3的布局和材料，產(chǎn)生內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2和客制化區(qū)塊110-3所對(duì)應(yīng)的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，其中節(jié)電N1系對(duì)應(yīng)內(nèi)存區(qū)塊110-1，節(jié)電N2系對(duì)應(yīng)處理器區(qū)塊110-2，以及節(jié)電N3系對(duì)應(yīng)客制化區(qū)塊110-3。接著，轉(zhuǎn)換器130會(huì)根據(jù)電阻電容網(wǎng)絡(luò)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)電阻電容網(wǎng)絡(luò)的一參數(shù)信息。圖6顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的參數(shù)信息的示意圖，其中R1_2N1N2valr1_2系表示節(jié)點(diǎn)N1和節(jié)點(diǎn)N2間的熱電阻值，C1_2N1N2valc1_2 系表示節(jié)點(diǎn)N1和節(jié)點(diǎn)N2間的熱電容值。以此類(lèi)推，R1_3N1N3valr1_3系表示節(jié)點(diǎn)N1和節(jié)點(diǎn)N3間的熱電阻值，C1_3N1N3valc1_3系表示節(jié)點(diǎn)N1和節(jié)點(diǎn)N3間的熱電容值，R2_3N2N3valr2_3系表示節(jié)點(diǎn)N2和節(jié)點(diǎn)N3間的熱電阻值，C2_3N2N3valc2_3系表示節(jié)點(diǎn)N2和節(jié)點(diǎn)N3間的熱電容值。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，轉(zhuǎn)換器130亦會(huì)將功率信息P1、P2、P3轉(zhuǎn)換成電流信息。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的功率信息轉(zhuǎn)換電流信息的示意圖。如圖7所示，轉(zhuǎn)換器130會(huì)將功率信息P1、P2、P3帶入圖7的函式，即可取得內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2和客制化區(qū)塊110-3所對(duì)應(yīng)的電流信息，其中Tij表示時(shí)間，Pij表示功耗，i是區(qū)塊的編號(hào)，j是時(shí)間點(diǎn)的編號(hào)，PWL則是SPICE既定的格式。因此，Isource1Iprocessor0PWL(T11P11T12P12…)即表示內(nèi)存區(qū)塊110-1的電流信息，Isource2Imemory0PWL(T21P21T22P22…)即表示處理器區(qū)塊110-2的電流信息，Isource3ICIP0PWL(T31P31T32P32…)即表示客制化區(qū)塊110-3的電流信息。本發(fā)明所述的兼容信息包含轉(zhuǎn)換器130所產(chǎn)生的參數(shù)信息以及電流信息。當(dāng)要進(jìn)行溫度仿真時(shí)，溫度仿真驅(qū)動(dòng)器140會(huì)主動(dòng)去驅(qū)動(dòng)仿真引擎120。仿真引擎120被驅(qū)動(dòng)后，就會(huì)根據(jù)兼容信息進(jìn)行仿真，以產(chǎn)生內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2和客制化區(qū)塊110-3所對(duì)應(yīng)的溫度信息T1、T2、T3。接著，仿真引擎120會(huì)將溫度信息T1、T2、T3傳送給溫度仿真驅(qū)動(dòng)器140。溫度仿真驅(qū)動(dòng)器會(huì)將溫度信息T1、T2、T3分別傳送給對(duì)應(yīng)的內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2和客制化區(qū)塊110-3。內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2和客制化區(qū)塊110-3取得溫度信息T1、T2、T3后，就會(huì)再根據(jù)溫度信息T1、T2、T3，再產(chǎn)生新的功率信息P1、P2、P3，以進(jìn)行大體上實(shí)時(shí)(substantiallyrealtime)動(dòng)態(tài)調(diào)整更新溫度和功耗。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，溫度仿真裝置100更包括一判斷電路(圖未顯示)。判斷電路系用以判斷芯片系一二維(2dimension，2D)芯片或一三維(3dimension，3D)芯片。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，當(dāng)芯片系二維芯片時(shí)，進(jìn)行一傳統(tǒng)的分析方法，例如：一數(shù)值分析方法(numericalmethod)、一解析方 法(analyticalmethod)等，當(dāng)芯片系三維芯片時(shí)，則進(jìn)行本發(fā)明的溫度仿真方法。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，溫度仿真裝置100適用于不同時(shí)序?qū)蛹?jí)的設(shè)計(jì)模型，例如：周期性精確(CycleAccurate，CA)、含時(shí)間的程序者觀點(diǎn)(ProgrammerViewwithTiming，PVT)、程序者觀點(diǎn)(ProgrammerView，PV)、無(wú)時(shí)間(untime)等。圖8根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的溫度仿真方法的流程圖800，此溫度仿真方法適用于一事務(wù)層級(jí)設(shè)計(jì)的包含多個(gè)區(qū)塊(例如：內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2、客制化區(qū)塊110-3)的一芯片。如圖8所示，在步驟S810，藉由溫度仿真裝置100的多個(gè)熱感知事務(wù)層功率模型電路產(chǎn)生多個(gè)區(qū)塊各自對(duì)應(yīng)的一功率信息。在步驟S820，藉由溫度仿真裝置100根據(jù)功率信息產(chǎn)生一仿真引擎(例如：一PSPICE仿真引擎、一HSPICE仿真引擎、一Spectra仿真引擎，或一Nexxim仿真引擎)兼容的一兼容信息。在步驟S830，藉由溫度仿真裝置100根據(jù)兼容信息產(chǎn)生多個(gè)區(qū)塊各自對(duì)應(yīng)的一溫度信息。在步驟S840，藉由溫度仿真裝置100傳送溫度信息給對(duì)應(yīng)的多個(gè)區(qū)塊。在步驟S840，藉由溫度仿真裝置100根據(jù)溫度信息動(dòng)態(tài)調(diào)整功率信息。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，在步驟S810更包括藉由每一熱感知事務(wù)層功率模型電路，透過(guò)一溫度程序代碼，根據(jù)溫度信息，來(lái)產(chǎn)生功率信息。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，每一區(qū)塊預(yù)會(huì)先被分成多個(gè)網(wǎng)格(grid)，且每一網(wǎng)格對(duì)應(yīng)相同或不同的功率比重。因此，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，在步驟S810更包括根據(jù)多個(gè)區(qū)塊是否有被分成多個(gè)網(wǎng)格(grid)，采用一粗調(diào)(Coarse)或一細(xì)調(diào)(finegrid)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，在步驟S810更包括預(yù)先根據(jù)不同溫度和不同功率的關(guān)系在每一熱感知事務(wù)層功率模型電路建立一查找表(lookuptable)，并根據(jù)上述查找表，取得功率信息。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，在步驟S820更包括根據(jù)每一多個(gè)區(qū)塊的布局和材料，產(chǎn)生每一多個(gè)區(qū)塊對(duì)應(yīng)的一電阻電容網(wǎng)絡(luò)，接著根據(jù)上述電阻電容網(wǎng)絡(luò)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)上述電阻電容網(wǎng)絡(luò)的一參數(shù)信息。此外，在步驟S820更包括將功率信息轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)每一區(qū)塊的電流信息，其中上述兼容信息包含了參數(shù)信息以及電流信息。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，在步驟S810之后，會(huì)先判斷上述芯片系一二維芯片或一三維芯片。若上述芯片系二維芯片時(shí)，就會(huì)進(jìn)行一傳統(tǒng)的分析方法，例如：一數(shù)值分析方法(numericalmethod)、一解析方法(analyticalmethod)等。圖9根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的多個(gè)區(qū)塊分成多個(gè)網(wǎng)格方法的流程圖900，此溫度仿真方法適用于一事務(wù)層級(jí)設(shè)計(jì)的包含多個(gè)區(qū)塊(例如：內(nèi)存區(qū)塊110-1、處理器區(qū)塊110-2、客制化區(qū)塊110-3)的一芯片。如圖9所示，在步驟S910，計(jì)算區(qū)塊被分成一第一數(shù)量的網(wǎng)格時(shí)所對(duì)應(yīng)的一第一溫度最大差值，和計(jì)算區(qū)塊被分成一第二數(shù)量的網(wǎng)格時(shí)所對(duì)應(yīng)的一第二溫度最大差值，其中第二數(shù)量大于第一數(shù)量。在步驟S920，計(jì)算第二溫度最大差值和第一溫度最大差值的差異值(第一差異值)。在步驟S930，判斷差異值是否大于一臨界值。若差異值小于或等于一臨界值時(shí)，進(jìn)行步驟S940。在步驟S940，采用第一數(shù)量的網(wǎng)格來(lái)進(jìn)行區(qū)塊的分析。若差異值大于上述臨界值時(shí)，回到步驟S910。在步驟S910，計(jì)算區(qū)塊被分成一第三數(shù)量的網(wǎng)格時(shí)所對(duì)應(yīng)的一第三溫度最大差值，其中第三數(shù)量大于第二數(shù)量。接著，再進(jìn)行步驟S920，計(jì)算第三溫度最大差值和第二溫度最大差值的差異值(第二差異值)。接著再進(jìn)行步驟S930，判斷差異值是否大于臨界值。若差異值小于或等于一臨界值時(shí)，就采用第二數(shù)量的網(wǎng)格來(lái)進(jìn)行區(qū)塊的分析。若差異值大于一臨界值時(shí)，就繼續(xù)回到步驟S810。根據(jù)本發(fā)明所提出的溫度仿真方法，可將原本溫度與功耗的仿真問(wèn)題，轉(zhuǎn)換成電壓與電流的問(wèn)題。本發(fā)明所提出的溫度仿真方法可透過(guò)適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)與格式的轉(zhuǎn)換，就可以利用類(lèi)SPICE仿真工具來(lái)進(jìn)行事務(wù)層級(jí)仿真溫度，并大體上實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)更新調(diào)整溫度和功耗的信息，以達(dá)到高效能和高效率的模擬效果。此外，SPICE在電子電路已經(jīng)是很成熟的模擬工具，其具有非常強(qiáng)大的解矩陣的能力與快速模擬的能力，因此透過(guò)本發(fā)明所提出的溫度仿真方法將不用采取運(yùn)算復(fù)雜度高的算法與熱仿真軟件。根據(jù)本發(fā)明所公開(kāi)的方法和算法的步驟，可直接透過(guò)執(zhí)行一處理器直接應(yīng)用在硬件以及軟件模塊或兩者的結(jié)合上。一軟件模塊(包括執(zhí)行指令和相關(guān)數(shù)據(jù))和其它數(shù)據(jù)可儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)內(nèi)存中，像是隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)、閃 存(flashmemory)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可抹除可規(guī)化只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電子可抹除可規(guī)劃只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、緩存器、硬盤(pán)、可攜式應(yīng)碟、光盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、DVD或在此領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)中任何其它計(jì)算機(jī)可讀取的儲(chǔ)存媒體格式。一儲(chǔ)存媒體可耦接至一機(jī)器裝置，舉例來(lái)說(shuō)，像是計(jì)算機(jī)/處理器(為了說(shuō)明的方便，在本說(shuō)明書(shū)以處理器來(lái)表示)，上述處理器可透過(guò)來(lái)讀取信息(像是程序代碼)，以及寫(xiě)入信息至儲(chǔ)存媒體。一儲(chǔ)存媒體可整合一處理器。一特殊應(yīng)用集成電路(ASIC)包括處理器和儲(chǔ)存媒體。一用戶設(shè)備則包括一特殊應(yīng)用集成電路。換句話說(shuō)，處理器和儲(chǔ)存媒體以不直接連接用戶設(shè)備的方式，包含于用戶設(shè)備中。此外，在一些實(shí)施例中，任何適合計(jì)算機(jī)程序的產(chǎn)品包括可讀取的儲(chǔ)存媒體，其中可讀取的儲(chǔ)存媒體包括和一或多個(gè)所揭露實(shí)施例相關(guān)的程序代碼。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)程序的產(chǎn)品可包括封裝材料。本說(shuō)明書(shū)中所提到的「一實(shí)施例」或「實(shí)施例」，表示與實(shí)施例有關(guān)的所述特定的特征、結(jié)構(gòu)、或特性是包含根據(jù)本發(fā)明的至少一實(shí)施例中，但并不表示它們存在于每一個(gè)實(shí)施例中。因此，在本說(shuō)明書(shū)中不同地方出現(xiàn)的「在一實(shí)施例中」或「在實(shí)施例中」詞組并不必然表示本發(fā)明的相同實(shí)施例。以上段落使用多種層面描述。而根據(jù)本發(fā)明的教示可以多種方式實(shí)現(xiàn)，在實(shí)施例中公開(kāi)的任何特定架構(gòu)或功能僅為一代表性的狀況。根據(jù)本發(fā)明的教示，任何熟知此技藝的人士應(yīng)理解在本發(fā)明公開(kāi)的各層面可獨(dú)立實(shí)作或兩種以上的層面可以合并實(shí)作。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求保護(hù)范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3