本發(fā)明是有關(guān)于觸控面板技術(shù)，特別有關(guān)于觸控面板的架橋結(jié)構(gòu)材料。
背景技術(shù)：
：近年來，觸控面板已經(jīng)廣泛地應用在各種電子產(chǎn)品中，例如手機、便攜計算機以及掌上電腦等，觸控面板通常與顯示面板結(jié)合成為電子產(chǎn)品的輸入/輸出接口。在習知技術(shù)中，觸控面板通常包含多個互相連接的導電單元與多個互相分開的導電單元排列成觸控陣列，還包含架橋線將這些互相分開的導電單元電性連接在一起，以提供觸控感測功能。傳統(tǒng)的架橋線通常由鉬/鋁/鉬組成，為了保證架橋線的電性連接功能，其厚度需達到至少或更厚，當架橋線的厚度較厚時，在觸控面板的制程中將會產(chǎn)生對架橋線蝕刻不完全的現(xiàn)象，并且使觸控面板存在整體厚度增加、表面平整度降低等問題，進而影響觸控面板的良率。此外，鉬/鋁/鉬制成的架橋線亮度較高，導致觸控面板的架橋線容易被用戶看到，即有可視性的問題，進而影響觸控面板的外觀。另一種傳統(tǒng)的架橋結(jié)構(gòu)的材料(例如:銦錫氧化物)電阻率較大，且架橋結(jié)構(gòu)的寬度通常不大，因此需要厚度較大的架橋結(jié)構(gòu)以保證觸控電極的靈敏度，然而，當架橋結(jié)構(gòu)厚度增加時，會存在蝕刻不完全、觸控面板整體厚度增加、觸控面板平整度低等問題，進而降低觸控面板的制造良率，且當架橋結(jié)構(gòu)的厚度增加后，還會產(chǎn)生觸控面板的可視問題。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供觸控面板的架橋結(jié)構(gòu)之材料選擇，利用本發(fā)明之架橋結(jié)構(gòu)的材料，可使得觸控面板的架橋結(jié)構(gòu)在達到低阻抗的同時具有較薄的厚度，而在觸控面板的制程中，對較薄的架橋結(jié)構(gòu)較不易產(chǎn)生蝕刻不完全的問題，并且可以讓架橋結(jié)構(gòu)的亮度降低，避免架橋結(jié)構(gòu)可視性的問題，達到良率高及外觀佳的觸控面板。本發(fā)明的一些實施例提供觸控面板，具有觸控面，包括：第一軸向觸控電極與第二軸向觸控電極絕緣地交錯設置于基板上，其中第一軸向觸控電極包含復數(shù)個第一導電單元經(jīng)由連接部互相連接，第二軸向觸控電極包含復數(shù)個互相分開的第二導電單元，及架橋結(jié)構(gòu)電性連接這些第二導電單元，其中架橋結(jié)構(gòu)包括:金屬層及第一透明導電層，且第一透明導電層相較于金屬層更靠近觸控面。附圖說明圖1a顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例的觸控面板的平面示意圖。圖1b顯示圖1a之剖面線a-a’的一些實施例的局部剖面示意圖。圖1c顯示圖1a之剖面線a-a’的一些其他實施例的局部剖面示意圖。圖1d顯示圖1a之剖面線a-a’的一些其他實施例的局部剖面示意圖。圖2a-2c顯示本發(fā)明一些其他實施例的觸控面板的局部剖面示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。請參照圖1a，其顯示出依據(jù)本發(fā)明的一些實施例的觸控面板100的平面示 意圖。觸控面板100包含基板101。在一些實施例中，基板101的材質(zhì)可包含玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)或聚亞酰胺(polyimide，pi)。在一些實施例中，觸控面板100包含復數(shù)條第一軸向觸控電極102與復數(shù)條第二軸向觸控電極103互相絕緣地交錯設置于基板101上，其中第一軸向觸控電極102包含復數(shù)個沿著第一方向(例如:x軸方向)延伸的第一導電單元102a，第一導電單元102a經(jīng)由第一軸向觸控電極102的連接部102b互相連接，第二軸向觸控電極103包含復數(shù)個沿著第二方向(例如:y軸方向)延伸的第二導電單元103a，第二方向垂直于第一方向，第二導電單元103a互相分開，相鄰的兩個第二導電單元103a分別設置在連接部102b的兩側(cè)，并藉由架橋結(jié)構(gòu)104互相連接。在一些實施例中，第一軸向觸控電極102可為接收電極，第二軸向觸控電極103則為驅(qū)動電極。在另一些實施例中，第一軸向觸控電極102可為驅(qū)動電極，第二軸向觸控電極103則為接收電極。第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的材質(zhì)可包含透明導電材料，例如銦錫氧化物(indiumtinoxide,ito)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide,izo)、摻氟氧化錫(fluorinedopedtinoxide,fto)、摻鋁氧化鋅(aluminumdopedzincoxide,azo)、摻鎵氧化鋅(galliumdopedzincoxide,gzo)，或者其他透光導電材料，例如金屬網(wǎng)格(metalmesh)、納米銀線(silvernano-wire，snw)等。架橋結(jié)構(gòu)104設置在互相分開的第二導電單元103a之間，以電性連接第二導電單元103a，并且在第一軸向觸控電極102的連接部102b與架橋結(jié)構(gòu)104之間設置絕緣塊105，使連接部102b與架橋結(jié)構(gòu)104透過絕緣塊105形成電性隔絕，以提供第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103之間的電性隔絕。 在一些實施例中，絕緣塊105的材質(zhì)可包含無機材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或前述之組合)，有機材料(例如，環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂(polyimide)、苯環(huán)丁烯(butylcyclobutene，bcb)、聚對二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、氟碳化物(fluorocarbons)、丙烯酸酯(acrylates))或其他適合的絕緣材料。請參照圖1b，其顯示沿著圖1a之剖面線a-a’，觸控面板100的一些實施例的局部剖面示意圖，觸控面板100包含基板101，基板101具有觸控面101a及與觸控面101a相對的另一內(nèi)側(cè)面101b，第一軸向觸控電極102及其連接部102b與第二導電單元103a形成于基板101的內(nèi)側(cè)面101b上，絕緣塊105形成于連接部102b上并包覆連接部102b，架橋結(jié)構(gòu)104位于絕緣塊105上方，依據(jù)本發(fā)明的一些實施例，架橋結(jié)構(gòu)104包含金屬層104a及第一透明導電層104b，其中第一透明導電層104b相較于金屬層104a更靠近觸控面101a，可降低金屬層104a的反射，因此當使用者由觸控面101a觀看觸控面板100時，使架橋結(jié)構(gòu)104的亮度降低，避免架橋結(jié)構(gòu)104可視性的問題。請參照表1，其顯示架橋結(jié)構(gòu)104對于不同的光線入射面(即從第一透明導電層104b側(cè)入射與從金屬層104a側(cè)入射)產(chǎn)生的l亮度空間數(shù)據(jù)表，當光線從金屬層104a側(cè)入射時，架橋結(jié)構(gòu)104的l*值為68.4077，當光線從第一透明導電層104b側(cè)入射面時，架橋結(jié)構(gòu)104的l*值為50.0068。由此可見，當光線先進入第一透明導電層104b再通過金屬層104a時，所反射的光線亮度較暗(l*值較小)，因此，當?shù)谝煌该鲗щ妼?04b相較于金屬層104a更靠近觸控面101a時，第一透明導電層104b具有降低金屬層104a的反射的功效，證明架橋結(jié)構(gòu)104的亮度可降低，進而避免架橋結(jié)構(gòu)104可視性的問題。表1:入射面金屬層104a第一透明導電層104bl*68.407750.0068在一些實施例中，金屬層104a由電阻率在20℃時介于1.6×10-7ω·m至5.3×10-8ω·m之間的材質(zhì)形成，金屬層104a的材質(zhì)可包含銅、銀、金、鋁、鎢及其合金，且金屬層104a的厚度范圍可在約10納米與約50納米之間，即可產(chǎn)生低阻抗的架橋結(jié)構(gòu)104。相較于傳統(tǒng)的架橋結(jié)構(gòu)的材料(例如:銦錫氧化物或鉬/鋁/鉬)，依據(jù)本發(fā)明的實施例，由于形成架橋結(jié)構(gòu)104的金屬層104a的電阻率相較于傳統(tǒng)架橋結(jié)構(gòu)的材料更低，因此在架橋結(jié)構(gòu)104的金屬層104a與傳統(tǒng)架橋結(jié)構(gòu)具有相同的阻抗(例如:約0.3ω)的情況下，且金屬層104a與傳統(tǒng)架橋結(jié)構(gòu)具有相同的長度時，金屬層104a相較于傳統(tǒng)架橋結(jié)構(gòu)具有更薄的厚度(例如:約)，使得架橋結(jié)構(gòu)104的整體膜厚降低，因此架橋結(jié)構(gòu)104的蝕刻制程較不易發(fā)生蝕刻不完全的問題，進而提升觸控面板100的制造良率。同時，當架橋結(jié)構(gòu)104的膜厚降低后會具有較佳的光線穿透率，藉此可避免架橋結(jié)構(gòu)104的可視性問題，并且當觸控面板100與顯示面板組合時，顯示面板發(fā)出的光線穿透架橋結(jié)構(gòu)的穿透率較高，可產(chǎn)生較佳的顯示效果。再者，當架橋結(jié)構(gòu)104的金屬層104a在達到更低阻抗約0.15ω的情況下，相較于架橋結(jié)構(gòu)的阻抗為0.3ω時，金屬層104a的厚度通常需增加一倍以上，而依據(jù)本發(fā)明的一些實施例，在架橋結(jié)構(gòu)具有相同阻抗的情況下，金屬層104a的厚度(例如:約)相較于傳統(tǒng)的架橋結(jié)構(gòu)的材料(例如:鉬/鋁/鉬)的厚度(例如:約)降低許多，因此本發(fā)明的實施例提供的架橋結(jié)構(gòu)104的優(yōu)點就更趨明顯。如圖1a所示，觸控面板100更包含周邊線路107，周邊線路107電性連接第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103至接墊108。其材質(zhì)可包含金屬網(wǎng)格、納米銀線或透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、摻氟氧化錫、摻鋁氧化鋅、摻鎵氧化鋅等。在一些實施例中，周邊線路107和接墊108可與金屬層104a一起形成，即周邊線路107與接墊108的材質(zhì)與厚度可相同于金屬層104a，且在同一步制程中一次形成。減少觸控面板100的制作步驟，節(jié)省材料、提高良率。在另一些實施例中，周邊線路107和接墊108還可與架橋結(jié)構(gòu)104一起形成。依據(jù)本發(fā)明的實施例，架橋結(jié)構(gòu)104的第一透明導電層104b與第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103具有相同或相近的折射率，使得架橋結(jié)構(gòu)104在觸控面板100上的視覺顏色與第一軸向觸控電極102及第二軸向觸控電極103的視覺顏色接近。在一些實施例中，形成第一透明導電層104b的材料之折射率范圍可在約1.6至約2.2，第一透明導電層104b的材質(zhì)可包含銦鋅氧化物、摻氟氧化錫、摻鋁氧化鋅或摻鎵氧化鋅，且第一透明導電層104b的厚度范圍可在約20納米與約50納米之間。此外，觸控面板100還包含保護層106，保護層106設置于基板101上，全面性地覆蓋第一軸向觸控電極102(包含第一導電單元102a、連接部102b)、第二軸向觸控電極103(包含第二導電單元103a)、架橋結(jié)構(gòu)104(包含金屬層104a、第一透明導電層104b)及絕緣塊105。在一些實施例中，保護層106的材質(zhì)可包含無機材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或前述之組合)、有機材料(例如，環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的材料。在一些實施例中，觸控面板100的基板101為保護蓋板，且觸控面板100 還包含顯示組件110，顯示組件110接合于保護層106下方。顯示組件110可包含液晶顯示組件(liquidcrystaldisplay，lcd)或主動矩陣有機發(fā)光二極管(active-matrixorganiclight-emittingdiode,amoled)顯示組件。請參照圖1c，其顯示沿著圖1a之剖面線a-a’，觸控面板100的一些其他實施例的局部剖面示意圖，其中相同于圖1b中的部件使用相同的標號表示并省略其說明。圖1c中的觸控面板100之結(jié)構(gòu)類似于圖1b中的觸控面板100之結(jié)構(gòu)，差異處在于觸控面板100的架橋結(jié)構(gòu)104還包含第二透明導電層104c，使得金屬層104a設置于第一透明導電層104b與第二透明導電層104c之間。在一些實施例中，第二透明導電層104c的材質(zhì)及厚度可相同于第一透明導電層104b。在一些其他實施例中，第二透明導電層104c的材質(zhì)及厚度可不同于第一透明導電層104b。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，架橋結(jié)構(gòu)104包含的第二透明導電層104c可以在觸控面板100的制造過程中保護金屬層104a不被氧化，或者可增加架橋結(jié)構(gòu)104與第二導電單元103a之間的附著力。請參照圖1d，其顯示沿著圖1a之剖面線a-a’，觸控面板100的一些其他實施例的局部剖面示意圖，其中相同于圖1b中的部件是使用相同的標號表示并省略其說明。圖1d中的觸控面板100之結(jié)構(gòu)類似于圖1b中的觸控面板100之結(jié)構(gòu)，差異處在于觸控面板100的基板101是作為承載第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的基板，且觸控面板100還包含保護蓋板120設置于保護層106上，在此實施例中，觸控面板100的觸控面120a位于保護蓋板120上，并且顯示組件110接合于基板101遠離觸控面120a的一側(cè)。關(guān)于觸控面板100的制造方法，如圖1b所示，在一些實施例中，提供基板 101，基板101具有觸控面101a及與其相對的另一內(nèi)側(cè)表面101b，可透過沉積制程(例如，物理氣相沈積制程、化學氣相沈積制程或其他適合的制程)、微影制程及蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、電漿蝕刻制程、反應性離子蝕刻制程或其他適合的制程)，或以涂布與圖案化制程，形成第一軸向觸控電極102(包含第一導電單元102a、連接部102b)與第二軸向觸控電極103(包含第二導電單元103a)于基板101上，然后可透過沉積制程(例如，物理氣相沈積制程、化學氣相沈積制程或其他適合的制程)、微影制程及蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、電漿蝕刻制程、反應性離子蝕刻制程或其他適合的制程)，或以涂布與圖案化制程，形成絕緣塊105于連接部102b上，且絕緣塊105包覆連接部102b。接著，可透過沉積制程(例如，物理氣相沈積制程、化學氣相沈積制程或其他適合的制程)、微影制程及蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、電漿蝕刻制程、反應性離子蝕刻制程或其他適合的制程)，或以涂布與圖案化制程，形成架橋結(jié)構(gòu)104(包含金屬層104a、第一透明導電層104b)于絕緣塊105上，架橋結(jié)構(gòu)104電性連接第二導電單元103a，其中第一透明導電層104b相較于金屬層104a更靠近觸控面101a。由于架橋結(jié)構(gòu)104的金屬層104a在達到低阻抗約0.15ω的情況下具有較薄的厚度(約)，因此在蝕刻制程中較不易發(fā)生蝕刻不完全的問題，達到良率高的觸控面板。接著，可透過沉積制程(例如，物理氣相沈積制程、化學氣相沈積制程或其他適合的制程)或涂布制程形成保護層106于基板101上，全面性地覆蓋第一軸向觸控電極102(包含第一導電單元102a、連接部102b)、第二軸向觸控電極103(包含第二導電單元103a)、架橋結(jié)構(gòu)104(包含金屬層104a、第一透明導電層104b)及絕緣塊105。接著，可透過光學透明膠(opticalclearadhesive，oca)或光學透明樹脂(opticalclearresin，ocr)將顯示組件110貼合于保護層106遠離觸控面101a的一側(cè)，完成觸控面板100。關(guān)于如圖1c所示之觸控面板100的制造方法，其中相同于圖1b的觸控面板100的制造方法將省略其說明。圖1c的觸控面板100之制造方法類似于圖1b的觸控面板100之制造方法，差異處在于形成觸控面板100的架橋結(jié)構(gòu)104時，還包含形成第二透明導電層104c覆蓋金屬層104a，使得金屬層104a介于第一透明導電層104b與第二透明導電層104c之間，第二透明導電層104c的形成可以保護金屬層104a避免其在制程當中被氧化。關(guān)于如圖1d所示之觸控面板100的制造方法，其中相同于圖1b的觸控面板100的制造方法將省略其說明。圖1d的觸控面板100之制造方法類似于圖1b的觸控面板100之制造方法，差異處在于形成保護層106之后，透過光學透明膠或光學透明樹脂(圖1d未繪出)將保護蓋板120貼合于保護層106上，使得觸控面板100的觸控面120a位于保護蓋板120上，并透過另一光學透明膠或光學透明樹脂(未繪出)將顯示組件110貼合于基板101遠離觸控面120a的一側(cè)，在此實施例中，觸控面板100的基板101是作為第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的承載基板。請參照圖2a，其顯示依據(jù)本發(fā)明一些其他實施例之觸控面板200的局部剖面示意圖，其中相同于圖1b中的部件是使用相同的標號表示并省略其說明。圖2a中的觸控面板200之結(jié)構(gòu)類似于圖1b中的觸控面板100之結(jié)構(gòu)，基板101具有觸控面101a及與觸控面101a相對的內(nèi)側(cè)面101b，差異處在于觸控面板200的架橋結(jié)構(gòu)104(包括金屬層104a及第一透明導電層104b)先形成于基 板101的內(nèi)側(cè)面101b上，絕緣塊105位于架橋結(jié)構(gòu)104上，且第一軸向觸控電極102的連接部102b位于絕緣塊105上，也就是說，觸控面板200的架橋結(jié)構(gòu)104先形成于基板101上，再形成第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103。此外，觸控面板200的架橋結(jié)構(gòu)104中的第一透明導電層104b相較于金屬層104a更靠近觸控面101a。請參照圖2b，其顯示依據(jù)本發(fā)明一些其他實施例的觸控面板200的剖面示意圖，其中相同于圖2a中的部件是使用相同的標號表示并省略其說明。圖2b中的觸控面板200之結(jié)構(gòu)類似于圖2a中的觸控面板200之結(jié)構(gòu)，差異處在于圖2b的觸控面板200還包含第二透明導電層104c覆蓋金屬層104a，使得金屬層104a介于第一透明導電層104b與第二透明導電層104c之間。在一些實施例中，第二透明導電層104c的材質(zhì)及厚度可相同于第一透明導電層104b。在一些其他實施例中，第二透明導電層104c的材質(zhì)及厚度可不同于第一透明導電層104b，第二透明導電層104c可在觸控面板200的制程中保護金屬層104a，避免金屬層104a發(fā)生氧化。請參照圖2c，其顯示依據(jù)本發(fā)明一些其他實施例的局部剖面示意圖，其中相同于圖2a中的部件是使用相同的標號表示并省略其說明。圖2c中的觸控面板200之結(jié)構(gòu)類似于圖2a中的觸控面板200之結(jié)構(gòu)，差異處在于圖2c的觸控面板200的基板101是作為第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的承載基板，且觸控面板200還包含保護蓋板120設置于保護層106上，觸控面板200的觸控面120a位于保護蓋板120上，以及顯示組件110接合于基板101遠離觸控面120a的一側(cè)。關(guān)于如圖2a所示之觸控面板200的制造方法，其中相同于圖1b中的制造方法將省略其說明。圖2a中的觸控面板200之制造方法類似于圖1b中的觸控面板100之制造方法，差異處在于觸控面板200透過沉積制程(例如，物理氣相沈積制程、化學氣相沈積制程或其他適合的制程)、微影制程及蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、電漿蝕刻制程、反應性離子蝕刻制程或其他適合的制程)或以涂布與圖案化制程，形成架橋結(jié)構(gòu)104(包含金屬層104a、第一透明導電層104b)于基板101之與觸控面101a相反的另一內(nèi)側(cè)表面101b上，架橋結(jié)構(gòu)104電性連接第二導電單元103a，并且架橋結(jié)構(gòu)104的第一透明導電層104b相較于金屬層104a更靠近觸控面101a，然后可透過沉積制程(例如，物理氣相沈積制程、化學氣相沈積制程或其他適合的制程)、微影制程及蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、電漿蝕刻制程、反應性離子蝕刻制程或其他適合的制程)或以涂布與圖案化制程，形成絕緣塊105于架橋結(jié)構(gòu)104上。依據(jù)本發(fā)明的實施例，架橋結(jié)構(gòu)104的金屬層104a在達到低阻抗約0.15ω時具有較薄的厚度，因此在蝕刻制程中較不易造成蝕刻不完全的問題，達到良率高的觸控面板。接著，可透過沉積制程(例如，物理氣相沈積制程、化學氣相沈積制程或其他適合的制程)、微影制程及蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、電漿蝕刻制程、反應性離子蝕刻制程或其他適合的制程)或以涂布與圖案化制程，形成第一軸向觸控電極102(包含第一導電單元102a及連接部102b)與第二軸向觸控電極103(包含第二導電單元103a)于基板101上，其中第一軸向觸控電極102的連接部102b形成于絕緣塊105上，并且架橋結(jié)構(gòu)104電性連接第二導電單元103a。關(guān)于如圖2b所示之觸控面板200的制造方法，其中相同于圖2a中的觸控面板200的制造方法將省略其說明。圖2b中的觸控面板200之制造方法類似于圖2a中的觸控面板200之制造 方法，差異處在于形成觸控面板200的架橋結(jié)構(gòu)104時，還包含形成第二透明導電層104c包覆金屬層104a，使得金屬層104a介于第一透明導電層104b與第二透明導電層104c之間。關(guān)于如圖2c所示之觸控面板200的制造方法，其中相同于圖2a中的觸控面板200的制造方法將省略其說明。圖2c中的觸控面板200之制造方法類似于圖2a中的觸控面板200之制造方法，差異處在于形成保護層106之后，透過光學透明膠或光學透明樹脂(未繪出)將保護蓋板120貼合于保護層106上，在此實施例中，觸控面板200的觸控面120a位于保護蓋板120上，并透過另一光學透明膠或光學透明樹脂將顯示組件110貼合于基板101遠離觸控面120a的一側(cè)，在此實施例中，觸控面板200的基板101是作為第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的承載基板。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，由于架橋結(jié)構(gòu)包含由電阻率低于傳統(tǒng)架橋結(jié)構(gòu)的材料所制成的金屬層及第一透明導電層，因此可在達到低阻抗的同時降低整體架橋結(jié)構(gòu)的厚度，使架橋結(jié)構(gòu)具有較薄的厚度，又避免架橋結(jié)構(gòu)的可視性問題。此外，架橋結(jié)構(gòu)還包含第一透明導電層，相較于金屬層，第一透明導電層設置在更靠近觸控面(也是使用者的觀看面)的位置，藉此可降低金屬層的反射，使整體架橋結(jié)構(gòu)的亮度降低，使其相較于傳統(tǒng)鉬/鋁/鉬制成的架橋線可避免架橋結(jié)構(gòu)于觸控面板發(fā)生可視性問題，達到外觀佳的觸控面板。依據(jù)本發(fā)明的實施例，觸控面板的架橋結(jié)構(gòu)在達到低阻抗的同時，整體厚度也降低，藉此可改善觸控面板的架橋結(jié)構(gòu)在制程中對架橋結(jié)構(gòu)蝕刻不完全的現(xiàn)象，進而提升觸控面板的制造良率。此外，當架橋結(jié)構(gòu)的金屬層在達到低阻抗約0.15ω的情況下，金屬層的厚度相較于傳統(tǒng)的架橋結(jié)構(gòu)的材料的厚度降低 更多，因此本發(fā)明的實施例提供的架橋結(jié)構(gòu)的優(yōu)點就更趨明顯。本發(fā)明的實施例可以應用于使用架橋結(jié)構(gòu)連接觸控電極之分開的導電單元的任何類型的觸控顯示設備，例如觸控面板形成在顯示組件外(如圖1b-1d及2a-2c所示)或觸控面板形成在顯示組件的彩色濾光片(colorfilter,cf)上。此外，第一軸向觸控電極與第二軸向觸控電極的圖案設計并不限定于上述圖式中的型態(tài)。雖然本發(fā)明已以具體之較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當可更動與組合上述各種實施例。當前第1頁12