技術(shù)特征：

1.一種環(huán)形器匹配電路的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述設(shè)計(jì)方法包括：

獲取環(huán)形器需要達(dá)到的預(yù)設(shè)隔離度A；

從所述環(huán)形器的使用頻率范圍內(nèi)選取多個(gè)頻點(diǎn)，并在史密斯圓圖上繪制出所選取的每個(gè)頻點(diǎn)均達(dá)到所述預(yù)設(shè)隔離度A時(shí)的等隔離度圓；

從所繪制出的多個(gè)所述等隔離度圓的相交部分中選取其中一點(diǎn)，作為滿足所述環(huán)形器預(yù)設(shè)隔離度A的匹配點(diǎn)，并從史密斯圓圖上讀取出與所述匹配點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的匹配系數(shù)Γ；

根據(jù)所述匹配系數(shù)Γ，計(jì)算得到所述環(huán)形器上匹配端負(fù)載的阻抗值Z_L，并根據(jù)所述阻抗值Z_L設(shè)計(jì)所述匹配端口的匹配電路。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述在史密斯圓圖上繪制出所選取的每個(gè)頻點(diǎn)均達(dá)到所述預(yù)設(shè)隔離度A時(shí)的等隔離度圓的步驟具體包括：

測(cè)試得到所述環(huán)形器上每?jī)蓚€(gè)端口之間的散射參數(shù)；

根據(jù)所述環(huán)形器中的信號(hào)關(guān)系，獲取所述頻點(diǎn)的隔離度S_反與所述散射參數(shù)以及所述頻點(diǎn)的匹配系數(shù)Γ之間的第一函數(shù)關(guān)系；

使所述頻點(diǎn)的隔離度S_反等于所述預(yù)設(shè)隔離度A，并根據(jù)所述第一函數(shù)關(guān)系獲取所述頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的圓心C_circle、半徑R_circle與所述預(yù)設(shè)隔離度A之間的第二函數(shù)關(guān)系；

由所述第二函數(shù)關(guān)系計(jì)算得到所述頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的圓心C_circle以及半徑R_circle，并根據(jù)所述圓心C_circle以及半徑R_circle在史密斯圓圖上繪制出所述頻點(diǎn)的隔離度圓。

3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述環(huán)形器為三端口環(huán)形器，且第三端口為匹配端口，則所述頻點(diǎn)的隔離度S_反與所述散射參數(shù)以及所述頻點(diǎn)的匹配系數(shù)Γ之間的第一函數(shù)關(guān)系為：

其中，S_反表示所述頻點(diǎn)的隔離度；S₁₂表示由第二端口到第一端口的反向 傳輸系數(shù)；S₁₃表示由所述第三端口到所述第一端口的反向傳輸系數(shù)；S₃₂表示由所述第二端口到所述第三端口的正向傳輸系數(shù)；S₃₃表示所述第三端口的反射系數(shù)；Γ表示所述頻點(diǎn)的匹配系數(shù)。

4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，使得隔離度S_反等于所述預(yù)設(shè)隔離度A，且K＝S₁₂S₃₃-S₃₂S₁₃，則根據(jù)所述述第一函數(shù)獲取的所述頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的圓心C_circle、半徑R_circle與所述預(yù)設(shè)隔離度A之間的第二函數(shù)關(guān)系為：

$|\mathrm{\Γ}-M|=\sqrt{\frac{A^2-|S_{12}{|}^2}{|K{|}^2-A^2|S_{33}{|}^2}+|M{|}^2}$

其中，M與C_circle均表示頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的圓心，且其中K^*表示K的共軛實(shí)數(shù)，R_circle表示所述頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的半徑，且

5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述根據(jù)所述匹配系數(shù)Γ，計(jì)算所述環(huán)形器上匹配端負(fù)載的阻抗值Z_L時(shí)，具體采用如下公式：

$Z_L=\frac{1+\mathrm{\Γ}}{1-\mathrm{\Γ}}{Z}_0$

其中，Γ表示所述匹配點(diǎn)的匹配系數(shù)，Z₀表示所述預(yù)設(shè)歸一化阻抗值，Z_L表示所述環(huán)形器上匹配端負(fù)載的阻抗值。

6.一種環(huán)形器匹配電路的設(shè)計(jì)裝置，其特征在于，所述設(shè)計(jì)裝置包括：

獲取模塊，用于獲取環(huán)形器需要達(dá)到的預(yù)設(shè)隔離度A；

繪制模塊，用于從所述環(huán)形器的使用頻率范圍內(nèi)選取多個(gè)頻點(diǎn)，并在史密斯圓圖上繪制出所選取的每個(gè)頻點(diǎn)均達(dá)到所述預(yù)設(shè)隔離度A時(shí)的等隔離度圓；

匹配模塊，用于從所繪制出的多個(gè)所述等隔離度圓的相交部分中選取其中一點(diǎn)，作為滿足所述環(huán)形器預(yù)設(shè)隔離度A的匹配點(diǎn)，并從史密斯圓圖上讀取出與所述匹配點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的匹配系數(shù)Γ；

計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述匹配系數(shù)Γ，計(jì)算得到所述環(huán)形器上匹配端負(fù)載 的阻抗值Z_L，并根據(jù)所述阻抗值Z_L設(shè)計(jì)所述匹配端口的匹配電路。

7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)計(jì)裝置，其特征在于，所述繪制模塊具體包括：

測(cè)試單元，用于測(cè)試得到所述環(huán)形器上每?jī)蓚€(gè)端口之間的散射參數(shù)；

第一獲取單元，用于根據(jù)所述環(huán)形器中的信號(hào)關(guān)系，獲取所述頻點(diǎn)的隔離度S_反與所述散射參數(shù)以及所述頻點(diǎn)的匹配系數(shù)Γ之間的第一函數(shù)關(guān)系；

第二獲取單元，用于使所述頻點(diǎn)的隔離度S_反等于所述預(yù)設(shè)隔離度A，并根據(jù)所述第一函數(shù)關(guān)系獲取所述頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的圓心C_circle、半徑R_circle與所述預(yù)設(shè)隔離度A之間的第二函數(shù)關(guān)系；

繪制單元，用于由所述第二函數(shù)關(guān)系計(jì)算得到所述頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的圓心C_circle以及半徑R_circle，并根據(jù)所述圓心C_circle以及半徑R_circle在史密斯圓圖上繪制出所述頻點(diǎn)的隔離度圓。

8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)計(jì)裝置，其特征在于，所述環(huán)形器為三端口環(huán)形器，且第三端口為匹配端口，則所述頻點(diǎn)的隔離度S_反與所述散射參數(shù)以及所述頻點(diǎn)的匹配系數(shù)Γ之間的第一函數(shù)關(guān)系為：

其中，S_反表示所述頻點(diǎn)的隔離度；S₁₂表示由第二端口到第一端口的反向傳輸系數(shù)；S₁₃表示由所述第三端口到所述第一端口的反向傳輸系數(shù)；S₃₂表示由所述第二端口到所述第三端口的正向傳輸系數(shù)；S₃₃表示所述第三端口的反射系數(shù)；Γ表示所述頻點(diǎn)的匹配系數(shù)。

9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)計(jì)裝置，其特征在于，使得隔離度S_反等于所述預(yù)設(shè)隔離度A，且K＝S₁₂S₃₃-S₃₂S₁₃，則根據(jù)所述述第一函數(shù)獲取的所述頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的圓心C_circle、半徑R_circle與所述預(yù)設(shè)隔離度A之間的第二函數(shù)關(guān)系為：

$|\mathrm{\Γ}-M|=\sqrt{\frac{A^2-|S_{12}{|}^2}{|K{|}^2-A^2|S_{33}{|}^2}+|M{|}^2}$

其中，M與C_circle均表示頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的圓心，且其中K^*表示K的共軛實(shí)數(shù)，R_circle表示所述頻點(diǎn)的隔離度圓在史密斯圓圖上的半徑，且

10.如權(quán)利要求6所述的設(shè)計(jì)裝置，其特征在于，所述計(jì)算模塊計(jì)算所述環(huán)形器上匹配端負(fù)載的阻抗值Z_L時(shí)，具體采用如下公式：

$Z_L=\frac{1+\mathrm{\Γ}}{1-\mathrm{\Γ}}{Z}_0$

其中，Γ表示所述匹配點(diǎn)的匹配系數(shù)，Z₀表示所述預(yù)設(shè)歸一化阻抗值，Z_L表示所述環(huán)形器上匹配端負(fù)載的阻抗值。