本申請(qǐng)涉及電子設(shè)備領(lǐng)域,尤其涉及一種電子設(shè)備控制方法、裝置和電子設(shè)備。
背景技術(shù):
隨著科技的進(jìn)步,用戶使用的電子設(shè)備越來越多,例如移動(dòng)通信設(shè)備、可穿戴式設(shè)備等。電子設(shè)備的某些元件會(huì)比較脆弱,例如顯示屏、麥克風(fēng)等,而由于用戶的不小心操作可能會(huì)導(dǎo)致電子設(shè)備的跌落,造成這些元件的損壞。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本申請(qǐng)的目的在于提供一種電子設(shè)備控制技術(shù)和使用該控制技術(shù)進(jìn)行控制的電子設(shè)備。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一個(gè)方面,提供一種電子設(shè)備控制方法,所述方法包括:
至少響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一第一指令,所述指令用于使至少一第二電子設(shè)備生成一第一磁場(chǎng);
發(fā)送所述第一指令。
優(yōu)選地,所述方法還包括:控制一第二磁場(chǎng)的生成,所述第二磁場(chǎng)與所述第一磁場(chǎng)的極性相反。
優(yōu)選地,所述方法還包括:確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)包括:
至少響應(yīng)于所述第一電子設(shè)備在重力方向上的加速度值超過一第一閾值,確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)包括:
至少響應(yīng)于所述第一電子設(shè)備與一用戶的接觸面積小于一第二閾值,確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述第一指令包括:所述第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度信息和/或極性信息。
優(yōu)選地,所述方法還包括:發(fā)送一第二指令,所述第二指令用于使所述至少一第二電子設(shè)備停止所述第一磁場(chǎng)的生成。
優(yōu)選地,至少響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)生成一第一指令包括:響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)且在所述第一電子設(shè)備預(yù)定范圍內(nèi)存在至少一第二電子設(shè)備,生成所述第一指令。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供一種電子設(shè)備控制方法,所述方法包括:
接收一第一指令,所述第一指令用于生成一第一磁場(chǎng);
根據(jù)所述第一指令控制所述第一磁場(chǎng)的生成。
優(yōu)選地,所述第一指令包括:所述第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度信息和/或極性信息,
根據(jù)所述第一指令生成所述第一磁場(chǎng)包括:
根據(jù)所述強(qiáng)度信息和/或所述極性信息控制所述第一磁場(chǎng)的生成。
優(yōu)選地,所述方法進(jìn)一步包括:響應(yīng)于接收到一第二指令,停止所述第一磁場(chǎng)的生成。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供一種電子設(shè)備控制方法,所述方法包括:
至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),控制一磁場(chǎng)的生成。
優(yōu)選地,所述方法還包括:確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)包括:
至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備在重力方向上的加速度值超過一第一閾值,確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)包括:
至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備與一用戶的接觸面積小于一第二閾值,確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供一種電子設(shè)備,所述設(shè)備包括:
第一指令生成模塊,用于至少響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一第一指令,所述指令用于使至少一第二電子設(shè)備生成一第一磁場(chǎng);
第一指令發(fā)送模塊,用于發(fā)送所述第一指令。
優(yōu)選地,所述裝置還包括:第二磁場(chǎng)生成模塊,用于控制一第二磁場(chǎng)的生成,所述第二磁場(chǎng)與所述第一磁場(chǎng)的極性相反。
優(yōu)選地,所述裝置還包括:跌落狀態(tài)確定模塊,用于確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述跌落狀態(tài)確定模塊具體用于:
至少響應(yīng)于所述第一電子設(shè)備在重力方向上的加速度值超過一第一閾值,確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述跌落狀態(tài)確定模塊具體用于:
至少響應(yīng)于所述第一電子設(shè)備與一用戶的接觸面積小于一第二閾值,確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述第一指令包括:所述第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度信息和/或極性信息。
優(yōu)選地,所述裝置還包括:第二指令發(fā)送模塊,用于發(fā)送一第二指令,所述第二指令用于使所述至少一第二電子設(shè)備停止所述第一磁場(chǎng)的生成。
優(yōu)選地,所述第一指令生成模塊具體用于:
響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)且在所述第一電子設(shè)備預(yù)定范圍內(nèi)存在至少一第二電子設(shè)備,生成所述第一指令。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供一種電子設(shè)備,所述設(shè)備包括:
第一指令接收模塊,用于接收一第一指令,所述第一指令用于生成一第一磁場(chǎng);
第一磁場(chǎng)生成模塊,用于根據(jù)所述第一指令控制所述第一磁場(chǎng)的生成。
優(yōu)選地,所述第一指令包括:所述第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度信息和/或極性信息,
所述第一指令生成模塊具體用于:
根據(jù)所述強(qiáng)度信息和/或所述極性信息控制所述第一磁場(chǎng)的生成。
優(yōu)選地,所述裝置還包括:第一磁場(chǎng)停止模塊,用于響應(yīng)于接收到一第二指令,停止所述第一磁場(chǎng)的生成。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供一種電子設(shè)備,所述設(shè)備包括:
磁場(chǎng)生成模塊,用于至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),控制一磁場(chǎng)的生成。
優(yōu)選地,所述裝置還包括:跌落狀態(tài)確定模塊,用于確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述跌落狀態(tài)確定模塊具體用于:
至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備在重力方向上的加速度值超過一第一閾值,確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述跌落狀態(tài)確定模塊具體用于:
至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備與一用戶的接觸面積小于一第二閾值,確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供一種第一電子設(shè)備,所述第一電子設(shè)備包括:
第一指令生成模塊,用于至少響應(yīng)于所述第一電子設(shè)備處于跌落 狀態(tài),生成一第一指令,所述指令用于使至少一第二電子設(shè)備生成一第一磁場(chǎng);
第一指令發(fā)送模塊,用于發(fā)送所述第一指令。
優(yōu)選地,所述第一電子設(shè)備還包括:
第二磁場(chǎng)生成模塊,用于生成一第二磁場(chǎng),所述第二磁場(chǎng)與所述第一磁場(chǎng)的極性相反。
優(yōu)選地,所述第二磁場(chǎng)生成模塊包括:一線圈和設(shè)置于所述線圈中的一鐵芯。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供一種電子設(shè)備,所述電子設(shè)備包括:
第一指令接收模塊,用于接收一第一指令,所述第一指令用于生成一第一磁場(chǎng);
第一磁場(chǎng)生成模塊,用于根據(jù)所述第一指令生成所述第一磁場(chǎng)。
優(yōu)選地,所述第一磁場(chǎng)生成模塊包括:一線圈和設(shè)置于所述線圈中的一鐵芯。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供一種電子設(shè)備,所述電子設(shè)備包括:
磁場(chǎng)生成模塊,用于至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一磁場(chǎng)。
優(yōu)選地,所述磁場(chǎng)生成模塊包括:一線圈和設(shè)置于所述線圈中的一鐵芯。
本申請(qǐng)實(shí)施例的方法、裝置及設(shè)備能夠在處于跌落狀態(tài)的電子設(shè)備和其他電子設(shè)備之間產(chǎn)生磁性吸附力,使得電子設(shè)備之間相互吸附或者減小電子設(shè)備的跌落速度,有可能避免電子設(shè)備的跌落和電子元件的損壞。
附圖說明
圖1是本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例中在第一電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制方法的流程圖;
圖2是本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例中在第一電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制方法的另一流程圖;
圖3是本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例中在第一電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制方法的另一流程圖;
圖4是本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例中在第二電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制方法的流程圖;
圖5是本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例中在第二電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制方法的另一流程圖;
圖6是本申請(qǐng)第二個(gè)實(shí)施例中在第一電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制方法的流程圖;
圖7是本申請(qǐng)第三個(gè)實(shí)施例中電子設(shè)備控制方法的流程圖;
圖8是本申請(qǐng)第三個(gè)實(shí)施例中電子設(shè)備控制方法的另一流程圖;
圖9是本申請(qǐng)第四個(gè)實(shí)施例中在第一電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制裝置的功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖10是本申請(qǐng)第四個(gè)實(shí)施例中在第一電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制裝置的另一功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖11是本申請(qǐng)第四個(gè)實(shí)施例中在第一電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制裝置的另一功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖12是本申請(qǐng)第四個(gè)實(shí)施例中在第二電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制裝置的功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖13是本申請(qǐng)第四個(gè)實(shí)施例中在第二電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制裝置的另一功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖14是本申請(qǐng)第五個(gè)實(shí)施例中在第一電子設(shè)備端實(shí)施的電子設(shè)備控制裝置的功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖15是本申請(qǐng)第六個(gè)實(shí)施例中電子設(shè)備控制裝置的功能結(jié)構(gòu)示 意圖;
圖16是本申請(qǐng)第六個(gè)實(shí)施例中電子設(shè)備控制裝置的另一功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖17是本申請(qǐng)第七個(gè)實(shí)施例中第一電子設(shè)備的功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖18是本申請(qǐng)第七個(gè)實(shí)施例中第一電子設(shè)備的另一功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖19是本申請(qǐng)第七個(gè)實(shí)施例中第二電子設(shè)備的功能結(jié)構(gòu)示意圖;
圖20是本申請(qǐng)第八個(gè)實(shí)施例中電子設(shè)備的功能結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖(若干附圖中相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元素)和實(shí)施例,對(duì)本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)說明。以下實(shí)施例用于說明本申請(qǐng),但不用來限制本申請(qǐng)的范圍。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,本申請(qǐng)中的“第一”、“第二”等術(shù)語僅用于區(qū)別不同步驟、設(shè)備或模塊等,既不代表任何特定技術(shù)含義,也不表示它們之間的必然邏輯順序。
隨著電子設(shè)備數(shù)量的增加,用戶經(jīng)常會(huì)同時(shí)攜帶多個(gè)電子設(shè)備,例如在攜帶手機(jī)等移動(dòng)通信設(shè)備的同時(shí)還佩戴了智能手表或智能手環(huán)等可穿戴式電子設(shè)備。本申請(qǐng)各實(shí)施例中述及的電子設(shè)備包括但不限于:智能手機(jī)、智能手表、智能手環(huán)、便攜式電腦、平板電腦、小型智能家電等。同時(shí)為了滿足本申請(qǐng)的目的,本申請(qǐng)實(shí)施例中的至少一部分電子設(shè)備中具有用以產(chǎn)生電磁場(chǎng)的線圈和設(shè)置于線圈中的鐵芯,或者具有用于產(chǎn)生電磁場(chǎng)的其它相應(yīng)元件。在本申請(qǐng)的至少部分實(shí)施例中,電子設(shè)備之間還可以通過WiFi、藍(lán)牙、紅外、Zigbee等無線通信方式進(jìn)行無線數(shù)據(jù)傳輸。
隨著無線充電技術(shù)的廣泛采用,越來越多的電子設(shè)備內(nèi)置了用于接收無線能量傳輸?shù)碾娮泳€圈。這些線圈除了具有接收無線能量的功 能外,還能夠在通過電流的情況下與設(shè)置于線圈中的鐵芯共同生成電磁場(chǎng)。根據(jù)發(fā)明人的發(fā)明構(gòu)思,有可能利用電子設(shè)備內(nèi)置的電子線圈所生成的電磁場(chǎng)產(chǎn)生外力,防止電子設(shè)備的跌落,從而減少對(duì)電子設(shè)備元件的損壞。
例如,用戶不小心將手中的手機(jī)滑落,在滑落過程中手機(jī)可以自身產(chǎn)生一電磁場(chǎng)以吸附附近的其它電子設(shè)備;或者,手機(jī)可以通過無線通信方式向戴在用戶手腕上的智能手表發(fā)出使該智能手表產(chǎn)生電磁場(chǎng)的指令,該智能手表在接收到該指令后產(chǎn)生電磁場(chǎng),對(duì)跌落中的手機(jī)產(chǎn)生磁性吸附力;或者,手機(jī)可以在自身產(chǎn)生一電磁場(chǎng)的同時(shí)向戴在用戶手腕上的智能手表發(fā)出使該智能手表產(chǎn)生電磁場(chǎng)的指令,手機(jī)的電磁場(chǎng)和智能手表的電磁場(chǎng)之間產(chǎn)生相互吸附力,從而至少給用戶提供更多的反應(yīng)時(shí)間,避免手機(jī)的跌落。
根據(jù)本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例,如圖1所示,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電子設(shè)備控制方法,該方法可在有可能處于跌落狀態(tài)的用戶電子設(shè)備(在本實(shí)施例中又被稱為“第一電子設(shè)備”)端實(shí)施。該電子設(shè)備控制方法可包括:
S120:至少響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一第一指令,該指令用于使至少一第二電子設(shè)備生成一第一磁場(chǎng);
S140:發(fā)送該第一指令。
在本實(shí)施例中,所述跌落狀態(tài)是指第一電子設(shè)備脫離用戶控制而處于高速滑落的狀態(tài),例如從用戶的手中滑脫而呈自由落體狀態(tài)等。該跌落狀態(tài)的形成是本實(shí)施例中第一電子設(shè)備生成用于使其它電子設(shè)備產(chǎn)生電磁場(chǎng)的第一指令的基礎(chǔ),因此應(yīng)采用適當(dāng)方式來確定上述跌落狀態(tài)的發(fā)生。如圖2所示,本實(shí)施例的上述方法還可以包括:
S110:確定第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
作為具體實(shí)施方式,可以通過第一電子設(shè)備自身的傳感器來幫助確定該第一電子設(shè)備是否處于跌落狀態(tài)。例如,可以通過第一電子設(shè) 備中的加速度傳感器來幫助確定,當(dāng)該第一電子設(shè)備在重力方向上的加速度值超過一第一閾值的情況下,確定該第一電子設(shè)備已處于跌落狀態(tài),該第一閾值可由用戶根據(jù)需求來預(yù)先設(shè)定;也可以通過第一電子設(shè)備中的例如電容傳感器、壓力傳感器等接觸傳感器來測(cè)量該第一電子設(shè)備與用戶的接觸面積,在該接觸面積小于一第二閾值的情況下,確定該第一電子設(shè)備已處于跌落狀態(tài),該第二閾值可由用戶根據(jù)需求來預(yù)先設(shè)定。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,在“第一電子設(shè)備與用戶的接觸面積”中,此處的“用戶”既包括用戶的身體,例如皮膚表面,也包括用戶的衣物表面、用戶所使用的辦公桌表面等第一電子設(shè)備的接觸面。
在本實(shí)施例中,第一電子設(shè)備可以通過無線通信方式與周圍的其它電子設(shè)備進(jìn)行無線數(shù)據(jù)傳輸。具體地,在S140中,第一電子設(shè)備可以通過單播方式將該第一指令發(fā)送給特定的第二電子設(shè)備,也可以通過廣播方式將該第一指令向外發(fā)送,使得在一定范圍內(nèi)的周圍多個(gè)第二電子設(shè)備均可以接收到用于生成電磁場(chǎng)的該第一指令。
在本實(shí)施例中,由于第一電子設(shè)備要通過第一指令使得附近的至少一個(gè)第二電子設(shè)備產(chǎn)生磁場(chǎng)以對(duì)第一設(shè)備自身產(chǎn)生磁力吸附作用,在實(shí)施本實(shí)施例上述方法時(shí)還可以進(jìn)一步考慮在第一電子設(shè)備周圍可產(chǎn)生磁力吸附作用的范圍內(nèi)是否存在可用的第二電子設(shè)備,并以此作為生成第一指令的條件之一?;谏鲜隹紤],本方法的S120可具體實(shí)施為:響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)且在所述第一電子設(shè)備預(yù)定范圍內(nèi)存在至少一第二電子設(shè)備,生成該第一指令。具體地,第一電子設(shè)備可通過與周邊設(shè)備間的無線通信等方式來確定設(shè)備間距離,該預(yù)定范圍可根據(jù)磁場(chǎng)強(qiáng)度等因素由用戶預(yù)先確定。
在本實(shí)施例中,該第一指令用于使接收到該指令的第二設(shè)備生成一第一磁場(chǎng)。具體地,該第一指令中可包括該第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度信息,或該第一磁場(chǎng)的極性信息,或者二者均有之。當(dāng)?shù)诙O(shè)備通過自身線 圈和線圈中的鐵芯作為磁場(chǎng)發(fā)生元件時(shí),該強(qiáng)度信息可用于確定第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度值,從而確定通過該線圈的電流強(qiáng)度;該極性信息可用于確定該第一磁場(chǎng)的正/負(fù)極性,從而確定通過該線圈的電流方向。
在本實(shí)施例中,在第二設(shè)備所產(chǎn)生的第一磁場(chǎng)對(duì)第一設(shè)備產(chǎn)生磁力吸附作用之后,第一設(shè)備可向第二設(shè)備發(fā)送另一指令以停止該第一磁場(chǎng)的產(chǎn)生。因此如圖3所示,本實(shí)施例的上述方法可進(jìn)一步包括:
S160:發(fā)送一第二指令,該第二指令用于使所述至少一第二電子設(shè)備停止該第一磁場(chǎng)的生成。
這樣,在接收到該第二指令后,根據(jù)第一指令生成第一磁場(chǎng)的至少一個(gè)第二設(shè)備停止該第一磁場(chǎng)的生成,第二設(shè)備對(duì)第一設(shè)備的磁力吸附作用相應(yīng)消失。當(dāng)?shù)诙O(shè)備通過自身線圈和線圈中的鐵芯作為磁場(chǎng)發(fā)生元件時(shí),該第二指令使得線圈中的電流消失。
根據(jù)本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)方面,如圖4所示,本申請(qǐng)還提供一種控制電子設(shè)備的方法,該方法可在接收到用于產(chǎn)生電磁場(chǎng)的指令的電子設(shè)備(在本實(shí)施例中又被稱為“第二電子設(shè)備”)端實(shí)施。該電子設(shè)備的控制方法可包括:
S220:接收一第一指令,該第一指令用于生成一第一磁場(chǎng);
S240:根據(jù)該第一指令控制該第一磁場(chǎng)的生成。
在本實(shí)施例中,該第一指令用于使接收到的每個(gè)第二設(shè)備生成一第一磁場(chǎng)。具體地,該第一指令中可包括該第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度信息,或該第一磁場(chǎng)的極性信息,或者二者均有之。因此,本方法的S240可具體實(shí)施為:第二電子設(shè)備根據(jù)該強(qiáng)度信息和/或該極性信息控制該第一磁場(chǎng)的生成。當(dāng)?shù)诙O(shè)備通過自身線圈和線圈中的鐵芯作為磁場(chǎng)發(fā)生元件時(shí),該強(qiáng)度信息可用于確定第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度值,從而確定通過該線圈的電流強(qiáng)度;該極性信息可用于確定該第一磁場(chǎng)的正/負(fù)極性,從而確定通過該線圈的電流方向。
與本實(shí)施例中的上一方法對(duì)應(yīng)地,在第二設(shè)備所產(chǎn)生的第一磁場(chǎng) 對(duì)第一設(shè)備產(chǎn)生磁力吸附作用之后,第二設(shè)備會(huì)在接收到另一指令后停止該第一磁場(chǎng)的產(chǎn)生。因此如圖5所示,本方法可進(jìn)一步包括:
S260:響應(yīng)于接收到一第二指令,停止所述第一磁場(chǎng)的生成。
這樣,在接收到該第二指令后,根據(jù)第一指令生成第一磁場(chǎng)的至少一個(gè)第二設(shè)備停止該第一磁場(chǎng)的生成,第二設(shè)備對(duì)第一設(shè)備的磁力吸附作用相應(yīng)消失。當(dāng)?shù)诙O(shè)備通過自身線圈和線圈中的鐵芯作為磁場(chǎng)發(fā)生元件時(shí),該第二指令使得線圈中的電流消失。
根據(jù)本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例中的方法,第一電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,生成并發(fā)送使附近的至少一個(gè)第二電子設(shè)備生成電磁場(chǎng)的指令,第二電子設(shè)備在接收到該指令后生成電磁場(chǎng)。該電磁場(chǎng)的產(chǎn)生使得該第二電子設(shè)備有可能對(duì)具有磁性材料的第一電子設(shè)備產(chǎn)生吸附力。如果該吸附力足夠大,該第一電子設(shè)備有可能被吸附在第二電子設(shè)備上而擺脫跌落狀態(tài),即使吸附力不足以造成與第二電子設(shè)備的緊密吸附效果,也可以減小該第一電子設(shè)備的跌落速度,給用戶提供更多的反應(yīng)時(shí)間,避免電子設(shè)備的跌落和電子元件的損壞。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,在本申請(qǐng)具體實(shí)施例的上述方法中,各步驟的序號(hào)大小并不意味著執(zhí)行順序的先后,各步驟的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定,而不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)具體實(shí)施例的實(shí)施過程構(gòu)成任何限定。
此外,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),包括在被執(zhí)行時(shí)進(jìn)行以下操作的計(jì)算機(jī)可讀指令:執(zhí)行上述圖1-5所示實(shí)施方式中的方法的各步驟操作。
根據(jù)本申請(qǐng)第二個(gè)實(shí)施例,如圖6所示,本申請(qǐng)還提供一種電子設(shè)備控制方法,該方法可在有可能處于跌落狀態(tài)的用戶電子設(shè)備(在本實(shí)施例中又被稱為“第一電子設(shè)備”)端實(shí)施。該電子設(shè)備控制方法可包括:
S320:至少響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一第一指令,該指令用于使至少一第二電子設(shè)備生成一第一磁場(chǎng);
S340:發(fā)送該第一指令;
S360:控制一第二磁場(chǎng)的生成,該第二磁場(chǎng)與該第一磁場(chǎng)的極性相反。
與本申請(qǐng)第一實(shí)施例有所區(qū)別的是,為了增強(qiáng)第一電子設(shè)備與至少一第二電子設(shè)備之間的磁性吸附力,在本實(shí)施例中第一電子設(shè)備實(shí)施的步驟S360中,第一電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,由自身的磁場(chǎng)生成元件同時(shí)控制與第一磁場(chǎng)極性相反的一第二磁場(chǎng)的生成。這樣,第一電子設(shè)備所產(chǎn)生的第二磁場(chǎng)與至少一第二設(shè)備中所產(chǎn)生的第一磁場(chǎng)異性相吸,可以產(chǎn)生更大的相互磁力吸附作用。
與本申請(qǐng)第一個(gè)實(shí)施例相同,本申請(qǐng)第二個(gè)實(shí)施例中還提供一種控制電子設(shè)備的方法,該方法可在接收到用于產(chǎn)生電磁場(chǎng)的指令的電子設(shè)備(在本實(shí)施例中又被稱為“第二電子設(shè)備”)端實(shí)施。由于該方法的所有步驟實(shí)施細(xì)節(jié)與第一個(gè)實(shí)施例相同,此處不再贅述。
根據(jù)本申請(qǐng)第二個(gè)實(shí)施例中的方法,第一電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,生成并發(fā)送使附近的至少一個(gè)第二電子設(shè)備生成電磁場(chǎng)的指令,第二電子設(shè)備在接收到該指令后生成第一磁場(chǎng)。同時(shí),第一電子設(shè)備由自身的磁場(chǎng)生成元件生成與第一磁場(chǎng)極性相反的第二磁場(chǎng),使得該第二電子設(shè)備有可能與第一電子設(shè)備之間產(chǎn)生較大的吸附力。如果該吸附力足夠大,該第一電子設(shè)備有可能被吸附在第二電子設(shè)備上而擺脫跌落狀態(tài),即使吸附力不足以造成與第二電子設(shè)備的緊密吸附效果,也可以減小該第一電子設(shè)備的跌落速度,給用戶提供更多的反應(yīng)時(shí)間,避免電子設(shè)備的跌落和電子元件的損壞。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,在本申請(qǐng)具體實(shí)施例的上述方法中,各步驟的序號(hào)大小并不意味著執(zhí)行順序的先后,各步驟的執(zhí)行順序應(yīng) 以其功能和內(nèi)在邏輯確定,而不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)具體實(shí)施例的實(shí)施過程構(gòu)成任何限定。
此外,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),包括在被執(zhí)行時(shí)進(jìn)行以下操作的計(jì)算機(jī)可讀指令:執(zhí)行上述圖6所示實(shí)施方式中的方法的各步驟操作。
根據(jù)本申請(qǐng)第三個(gè)實(shí)施例,如圖7所示,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N控制電子設(shè)備的方法,該方法可在有可能處于跌落狀態(tài)的用戶電子設(shè)備端實(shí)施。該電子設(shè)備的控制方法可包括:
S420:至少響應(yīng)于電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),控制一磁場(chǎng)的生成。
在本實(shí)施例中,該跌落狀態(tài)是指電子設(shè)備脫離用戶控制而處于高速滑落的狀態(tài),例如從用戶的手中滑脫而呈自由落體狀態(tài)等。該跌落狀態(tài)的形成是本實(shí)施例方法中電子設(shè)備生成自身電磁場(chǎng)的基礎(chǔ),因此應(yīng)采用適當(dāng)方式來確定上述跌落狀態(tài)的發(fā)生。如圖8所示,本實(shí)施例的上述方法還可以包括:
S410:確定電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
作為具體實(shí)施方式,可以通過電子設(shè)備自身傳感器來幫助確定該電子設(shè)備是否處于跌落狀態(tài)。例如,可以通過電子設(shè)備中的加速度傳感器來幫助確定,在該電子設(shè)備在重力方向上的加速度值超過一第一閾值的情況下,確定該電子設(shè)備已處于跌落狀態(tài),該第一閾值可由用戶根據(jù)需求來預(yù)先設(shè)定;也可以通過電子設(shè)備中的例如電容傳感器、壓力傳感器等接觸傳感器來測(cè)量該電子設(shè)備與用戶的接觸面積,在該接觸面積小于一第二閾值的情況下,確定該電子設(shè)備已處于跌落狀態(tài),該第二閾值可由用戶根據(jù)需求來預(yù)先設(shè)定。
根據(jù)本申請(qǐng)第三個(gè)實(shí)施例中的方法,電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,由自身的磁場(chǎng)生成元件生成一電磁場(chǎng)。該電磁場(chǎng)的產(chǎn)生使得該電子設(shè)備有可能對(duì)附近具有磁性材料的其他電子設(shè)備產(chǎn)生吸附力。如果該吸附力足夠大,該電子設(shè)備有可能被吸附在 其他電子設(shè)備上而擺脫跌落狀態(tài),即使吸附力不足以造成與其它電子設(shè)備的緊密吸附效果,也可以減小該電子設(shè)備的跌落速度,給用戶提供更多的反應(yīng)時(shí)間,避免電子設(shè)備的跌落和電子元件的損壞。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,在本申請(qǐng)具體實(shí)施例的上述方法中,各步驟的序號(hào)大小并不意味著執(zhí)行順序的先后,各步驟的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定,而不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)具體實(shí)施例的實(shí)施過程構(gòu)成任何限定。
此外,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),包括在被執(zhí)行時(shí)進(jìn)行以下操作的計(jì)算機(jī)可讀指令:執(zhí)行上述圖7-8所示實(shí)施方式中的方法的各步驟操作。
根據(jù)本申請(qǐng)第四個(gè)實(shí)施例,如圖9所示,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電子設(shè)備控制裝置100,該裝置100可設(shè)置于有可能處于跌落狀態(tài)的用戶電子設(shè)備(在本實(shí)施例中又被稱為“第一電子設(shè)備”)端。該電子設(shè)備控制裝置100可包括:
第一指令生成模塊120,用于至少響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一第一指令,所述指令用于使至少一第二電子設(shè)備生成一第一磁場(chǎng);
第一指令發(fā)送模塊140,用于發(fā)送所述第一指令。
如圖10所示,本實(shí)施例的上述裝置還可以包括:
跌落狀態(tài)確定模塊110,用于確定所述第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
作為具體實(shí)施方式,可以通過第一電子設(shè)備自身的傳感器來幫助確定該第一電子設(shè)備是否處于跌落狀態(tài)。例如,可以通過第一電子設(shè)備中的加速度傳感器來幫助確定,當(dāng)該第一電子設(shè)備在重力方向上的加速度值超過一第一閾值的情況下,跌落狀態(tài)確定模塊110確定該第一電子設(shè)備已處于跌落狀態(tài),該第一閾值可由用戶根據(jù)需求來預(yù)先設(shè)定;也可以通過第一電子設(shè)備中的例如電容傳感器、壓力傳感器等接 觸傳感器來測(cè)量該第一電子設(shè)備與用戶的接觸面積,在該接觸面積小于一第二閾值的情況下,跌落狀態(tài)確定模塊110確定該第一電子設(shè)備已處于跌落狀態(tài),該第二閾值可由用戶根據(jù)需求來預(yù)先設(shè)定。
在本實(shí)施例中,還可以進(jìn)一步考慮在第一電子設(shè)備周圍可產(chǎn)生磁力吸附作用的范圍內(nèi)是否存在可用的第二電子設(shè)備,并以此作為生成第一指令的條件之一?;谏鲜隹紤],本裝置100的第一指令生成模塊120可響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)且在該第一電子設(shè)備預(yù)定范圍內(nèi)存在至少一第二電子設(shè)備,生成該第一指令。
在本實(shí)施例中,該第一指令中可包括該第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度信息,或該第一磁場(chǎng)的極性信息,或者二者均有之。當(dāng)?shù)诙O(shè)備通過自身線圈和線圈中的鐵芯作為磁場(chǎng)發(fā)生元件時(shí),該強(qiáng)度信息可用于確定第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度值,從而確定通過該線圈的電流強(qiáng)度;該極性信息可用于確定該第一磁場(chǎng)的正/負(fù)極性,從而確定通過該線圈的電流方向。
在本實(shí)施例中,如圖11所示,該裝置可進(jìn)一步包括:
第二指令發(fā)送模塊160,用于發(fā)送一第二指令,該第二指令用于使所述至少一第二電子設(shè)備停止該第一磁場(chǎng)的生成。
根據(jù)本申請(qǐng)第四個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)方面,如圖12所示,本申請(qǐng)還提供一種電子設(shè)備控制裝置200,該裝置200可設(shè)置于接收到用于產(chǎn)生電磁場(chǎng)的指令的電子設(shè)備(在本實(shí)施例中又被稱為“第二電子設(shè)備”)端。該電子設(shè)備控制裝置200可包括:
第一指令接收模塊220,用于接收一第一指令,所述第一指令用于生成一第一磁場(chǎng);
第一磁場(chǎng)生成模塊240,用于根據(jù)所述第一指令控制所述第一磁場(chǎng)的生成。
在本實(shí)施例中,該第一指令中可包括該第一磁場(chǎng)的強(qiáng)度信息,或該第一磁場(chǎng)的極性信息,或者二者均有之。因此,第一磁場(chǎng)生成模塊240可具體用于根據(jù)該強(qiáng)度信息和/或該極性信息控制該第一磁場(chǎng)的 生成。
如圖13所示,本裝置200可進(jìn)一步包括:
第一磁場(chǎng)停止模塊260,用于響應(yīng)于接收到一第二指令,停止所述第一磁場(chǎng)的生成。
根據(jù)本申請(qǐng)第四個(gè)實(shí)施例,第一電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,利用電子設(shè)備控制裝置100生成并發(fā)送使附近的至少一個(gè)第二電子設(shè)備生成電磁場(chǎng)的指令,第二電子設(shè)備中的電子設(shè)備控制裝置200在接收到該指令后控制第二電子設(shè)備的磁場(chǎng)生成元件生成電磁場(chǎng)。該電磁場(chǎng)的產(chǎn)生使得該第二電子設(shè)備有可能對(duì)具有磁性材料的第一電子設(shè)備產(chǎn)生吸附力。如果該吸附力足夠大,該第一電子設(shè)備有可能被吸附在第二電子設(shè)備上而擺脫跌落狀態(tài),即使吸附力不足以造成與第二電子設(shè)備的緊密吸附效果,也可以減小該第一電子設(shè)備的跌落速度,給用戶提供更多的反應(yīng)時(shí)間,避免電子設(shè)備的跌落和電子元件的損壞。
根據(jù)本申請(qǐng)第五個(gè)實(shí)施例,如圖14所示,本申請(qǐng)還提供一種電子設(shè)備控制裝置300,該裝置可設(shè)置于有可能處于跌落狀態(tài)的用戶電子設(shè)備(在本實(shí)施例中又被稱為“第一電子設(shè)備”)端實(shí)。該電子設(shè)備控制裝置300包括:
第一指令生成模塊320,用于至少響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一第一指令,所述指令用于使至少一第二電子設(shè)備生成一第一磁場(chǎng);
第一指令發(fā)送模塊340,用于發(fā)送所述第一指令;
第二磁場(chǎng)生成模塊360,用于控制一第二磁場(chǎng)的生成,所述第二磁場(chǎng)與所述第一磁場(chǎng)的極性相反。
與本申請(qǐng)第四實(shí)施例中的電子設(shè)備控制裝置100有所區(qū)別的是,為了增強(qiáng)第一電子設(shè)備與至少一第二電子設(shè)備之間的磁性吸附力,第一電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,由第二磁場(chǎng)生 成模塊360控制第一電子設(shè)備自身的磁場(chǎng)生成元件生成與第一磁場(chǎng)極性相反的一第二磁場(chǎng)。這樣,第一電子設(shè)備所產(chǎn)生的第二磁場(chǎng)與至少一第二設(shè)備中所產(chǎn)生的第一磁場(chǎng)異性相吸,可以產(chǎn)生更大的相互磁力吸附作用。
根據(jù)本申請(qǐng)第五個(gè)實(shí)施例中的電子設(shè)備控制裝置300,在檢測(cè)到第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)的情況下,電子設(shè)備控制裝置300生成并發(fā)送使附近的至少一個(gè)第二電子設(shè)備生成電磁場(chǎng)的指令,第二電子設(shè)備在接收到該指令后生成第一磁場(chǎng)。同時(shí),電子設(shè)備控制裝置300控制第一電子設(shè)備的磁場(chǎng)生成元件生成與第一磁場(chǎng)極性相反的第二磁場(chǎng),使得該第二電子設(shè)備有可能與第一電子設(shè)備之間產(chǎn)生較大的吸附力。如果該吸附力足夠大,該第一電子設(shè)備有可能被吸附在第二電子設(shè)備上而擺脫跌落狀態(tài),即使吸附力不足以造成與第二電子設(shè)備的緊密吸附效果,也可以減小該第一電子設(shè)備的跌落速度,給用戶提供更多的反應(yīng)時(shí)間,避免電子設(shè)備的跌落和電子元件的損壞。
根據(jù)本申請(qǐng)第六個(gè)實(shí)施例,如圖15所示,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電子設(shè)備控制裝置400,該裝置400可設(shè)置于有可能處于跌落狀態(tài)的用戶電子設(shè)備端。該電子設(shè)備控制裝置400包括:
磁場(chǎng)生成模塊420,用于至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),控制一磁場(chǎng)的生成。
如圖16所示,本實(shí)施例的上述裝置還可以包括一跌落狀態(tài)確定模塊440,用于確定所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài)。
作為具體實(shí)施方式,可以通過電子設(shè)備自身傳感器來幫助確定該電子設(shè)備是否處于跌落狀態(tài)。例如,可以通過電子設(shè)備中的加速度傳感器來幫助確定,在該電子設(shè)備在重力方向上的加速度值超過一第一閾值的情況下,跌落狀態(tài)確定模塊440確定該電子設(shè)備已處于跌落狀態(tài),該第一閾值可由用戶根據(jù)需求來預(yù)先設(shè)定;也可以通過電子設(shè)備中的例如電容傳感器、壓力傳感器等接觸傳感器來測(cè)量該電子設(shè)備與 用戶的接觸面積,在該接觸面積小于一第二閾值的情況下,跌落狀態(tài)確定模塊440確定該電子設(shè)備已處于跌落狀態(tài),該第二閾值可由用戶根據(jù)需求來預(yù)先設(shè)定。
根據(jù)本申請(qǐng)第六個(gè)實(shí)施例中的電子設(shè)備控制裝置400,電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,利用電子設(shè)備控制裝置400控制該電子設(shè)備的磁場(chǎng)生成元件生成一電磁場(chǎng)。該電磁場(chǎng)的產(chǎn)生使得該電子設(shè)備有可能對(duì)附近具有磁性材料的其他電子設(shè)備產(chǎn)生吸附力。如果該吸附力足夠大,該電子設(shè)備有可能被吸附在其他電子設(shè)備上而擺脫跌落狀態(tài),即使吸附力不足以造成與其它電子設(shè)備的緊密吸附效果,也可以減小該電子設(shè)備的跌落速度,給用戶提供更多的反應(yīng)時(shí)間,避免電子設(shè)備的跌落和電子元件的損壞。
根據(jù)本申請(qǐng)第七個(gè)實(shí)施例,如圖17所示,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N第一電子設(shè)備500,該第一電子設(shè)備500可包括:
第一指令生成模塊520,用于至少響應(yīng)于第一電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一第一指令,所述指令用于使至少一第二電子設(shè)備生成一第一磁場(chǎng);
第一指令發(fā)送模塊540,用于發(fā)送所述第一指令。
如圖18所示,該第一電子設(shè)備500還可以進(jìn)一步包括:第二磁場(chǎng)生成模塊560,用于生成一第二磁場(chǎng),所述第二磁場(chǎng)與所述第一磁場(chǎng)的極性相反。在一種具體實(shí)施方式中,該第二磁場(chǎng)生成模塊560可包括一線圈和設(shè)置于所述線圈中的一鐵芯。為了增強(qiáng)第一電子設(shè)備與至少一第二電子設(shè)備之間的磁性吸附力,第一電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,由自身的第二磁場(chǎng)生成模塊560生成與第一磁場(chǎng)極性相反的一第二磁場(chǎng)。
根據(jù)本申請(qǐng)第七個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)方面,如圖19所示,本申請(qǐng)還提供一種第二電子設(shè)備600,該第二電子設(shè)備600可包括:
第一指令接收模塊620,用于接收一第一指令,所述第一指令用 于生成一第一磁場(chǎng);
第一磁場(chǎng)生成模塊640,用于根據(jù)所述第一指令生成所述第一磁場(chǎng)。
在一種具體實(shí)施方式中,該第一磁場(chǎng)生成模塊640可包括一線圈和設(shè)置于所述線圈中的一鐵芯。
根據(jù)本申請(qǐng)第七個(gè)實(shí)施例,第一電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,生成并發(fā)送使附近的至少一個(gè)第二電子設(shè)備生成電磁場(chǎng)的指令,第二電子設(shè)備在接收到該指令后生成電磁場(chǎng)。
根據(jù)本申請(qǐng)第八個(gè)實(shí)施例,如圖20所示,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電子設(shè)備700,該電子設(shè)備700可包括:
磁場(chǎng)生成模塊720,用于至少響應(yīng)于所述電子設(shè)備處于跌落狀態(tài),生成一磁場(chǎng)。
在一種具體實(shí)施方式中,該磁場(chǎng)生成模塊720可包括一線圈和設(shè)置于所述線圈中的一鐵芯。
根據(jù)本申請(qǐng)第八個(gè)實(shí)施例,電子設(shè)備可以在檢測(cè)到自身處于跌落狀態(tài)的情況下,生成一電磁場(chǎng)。該電磁場(chǎng)的產(chǎn)生使得該電子設(shè)備有可能對(duì)附近具有磁性材料的其他電子設(shè)備產(chǎn)生吸附力。如果該吸附力足夠大,該電子設(shè)備有可能被吸附在其他電子設(shè)備上而擺脫跌落狀態(tài),即使吸附力不足以造成與其它電子設(shè)備的緊密吸附效果,也可以減小該電子設(shè)備的跌落速度,給用戶提供更多的反應(yīng)時(shí)間,避免電子設(shè)備的跌落和電子元件的損壞。
盡管此處所述的主題是在結(jié)合操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上的執(zhí)行而執(zhí)行的一般上下文中提供的,但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到,還可結(jié)合其他類型的程序模塊來執(zhí)行其他實(shí)現(xiàn)。一般而言,程序模塊包括執(zhí)行特定任務(wù)或?qū)崿F(xiàn)特定抽象數(shù)據(jù)類型的例程、程序、組件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和其他類型的結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,此處所述的本主題可以使用其他計(jì)算機(jī)系統(tǒng)配置來實(shí)踐,包括手持式設(shè)備、 多處理器系統(tǒng)、基于微處理器或可編程消費(fèi)電子產(chǎn)品、小型計(jì)算機(jī)、大型計(jì)算機(jī)等,也可使用在其中任務(wù)由通過通信網(wǎng)絡(luò)連接的遠(yuǎn)程處理設(shè)備執(zhí)行的分布式計(jì)算環(huán)境中。在分布式計(jì)算環(huán)境中,程序模塊可位于本地和遠(yuǎn)程存儲(chǔ)器存儲(chǔ)設(shè)備的兩者中。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到,結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的各示例的單元及方法步驟,能夠以電子硬件、或者計(jì)算機(jī)軟件和電子硬件的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行,取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來使用不同方法來實(shí)現(xiàn)所描述的功能,但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本申請(qǐng)的范圍。
所述功能如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí),可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解,本申請(qǐng)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)原有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來,該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中,包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī),服務(wù)器,或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)包括以存儲(chǔ)如計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊或其他數(shù)據(jù)等信息的任何方式或技術(shù)來實(shí)現(xiàn)的物理易失性和非易失性、可移動(dòng)和不可因東介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)具體包括,但不限于,U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM,Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM,Random Access Memory)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、閃存或其他固態(tài)存儲(chǔ)器技術(shù)、CD-ROM、數(shù)字多功能盤(DVD)、HD-DVD、藍(lán)光(Blue-Ray)或其他光存儲(chǔ)設(shè)備、磁帶、磁盤存儲(chǔ)或其他磁性存儲(chǔ)設(shè)備、或能用于存儲(chǔ)所需信息且可以由計(jì)算機(jī)訪問的任何其他介質(zhì)。
以上實(shí)施方式僅用于說明本申請(qǐng),而并非對(duì)本申請(qǐng)的限制,有關(guān) 技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本申請(qǐng)的范疇,本申請(qǐng)的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。