觸控顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種觸控顯示裝置，其包括一透明基板、一顯示模塊以及一第一感測電極層。該透明基板具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面與該第二表面位于該透明基板的相反側(cè)。該顯示模塊位于該透明基板的第一表面?zhèn)?。該第一感測電極層則位于該透明基板與該顯示模塊之間，且包括一第一納米材料層。該第一納米材料層具有多個第一區(qū)域與多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1％。
【專利說明】
觸控顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，特別涉及一種觸控顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]觸控面板(touch panel)或觸控屏幕(touch screen)逐漸普遍應(yīng)用于電子裝置中，特別是可攜式或手持式電子裝置，例如個人數(shù)字助理(PDA)或行動電話。在許多觸控面板中，氧化銦錫(indium tin oxide ；ΙΤ0)仍為主要的透明導(dǎo)電材料。無論是因為ITO導(dǎo)電薄膜有缺點(例如質(zhì)脆、不可撓性)或是想降低成本，尋求ITO導(dǎo)電薄膜的替代材料一直是觸控產(chǎn)業(yè)重要的發(fā)展項目之一。納米級導(dǎo)電薄膜，例如納米銀(silver nanowire ;SNW)透明導(dǎo)電薄膜，因具備優(yōu)異的導(dǎo)電性與光學(xué)穿透率且深具成本上的優(yōu)勢，遂成為取代ITO導(dǎo)電薄膜的選項之一。
[0003]在某些現(xiàn)有的制造方法中，是使用濕蝕刻來界定納米銀透明導(dǎo)電薄膜的電氣特性。納米銀透明導(dǎo)電薄膜具有一保護層，用以固定納米銀涂層于基板上，并且保護納米銀涂層使其不易于與空氣中的環(huán)境分子發(fā)生氧化或硫化。然而也因保護層的原因，使蝕刻液與納米銀接觸的可能明顯降低，從而造成蝕刻不均、蝕刻困難及蝕刻前后霧度變化過大等情形。另外，蝕刻制造方法后，因蝕刻液有殘留于材料之中的可能，會造成后續(xù)納米銀透明導(dǎo)電薄膜的電性持續(xù)性的損耗。
[0004]此外，在某些現(xiàn)有的制造方法中是以干蝕刻來界定納米銀透明導(dǎo)電薄膜的電氣特性，例如在真空條件下以粒子撞擊來蝕刻納米銀透明導(dǎo)電薄膜。然而此等干蝕刻制造方法無法有效保留保護層，使納米銀透明導(dǎo)電薄膜的電氣特性蒙受較大的風(fēng)險。
[0005]經(jīng)上述說明可知，如何有效改變納米級導(dǎo)電薄膜的電氣特性，并同時維持其光學(xué)穿透率或霧度等光學(xué)特性，是本領(lǐng)域技術(shù)人員所需探討的課題。
實用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于此，本實用新型的目的在于提出一種具有納米級導(dǎo)電薄膜的觸控裝置，能達到有效的蝕刻效果以界定出納米級導(dǎo)電薄膜的電氣特性，并且有效降低保護層的損耗而維持納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)特性。
[0007]為達上述目的，本實用新型提供一種觸控顯示裝置，包括:一透明基板，具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面與該第二表面位于該透明基板的相反側(cè)；一顯不模塊，位于該透明基板的第一表面?zhèn)?；以及一第一感測電極層，位于該透明基板與該顯示模塊之間，該第一感測電極層包括一第一納米材料層，該第一納米材料層具有多個第一區(qū)域與多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1 %。
[0008]本實用新型的實施例中，該第一感測電極層設(shè)置于該透明基板的第一表面上，且所述第一區(qū)域包括間隔排列的第一感測電極與第二感測電極。
[0009]本實用新型的實施例中，還包括一第一承載板，用以承載該第一感測電極層于該透明基板與該顯示模塊之間，且所述第一區(qū)域包括間隔排列的第一感測電極與第二感測電極。
[0010]在本實用新型的實施例中，還包括一第一承載板與一第二感測電極層，該第一承載板位于該透明基板與該顯不模塊之間，其中該第一感測電極層設(shè)置于該第一承載板的一第一表面上，該第二感測電極層設(shè)置于該第一承載板的一第二表面上，該第一表面與該第二表面位于該第一承載板的相反側(cè)。
[0011]在本實用新型的實施例中，該第二感測電極層包括一第二納米材料層，該第二納米材料層具有多個第一區(qū)域與多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且該第二納米材料層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0012]在本實用新型的實施例中，該第一感測電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第一方向排列的第一感測電極，而該第二感測電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第二方向排列的第二感測電極。
[0013]在本實用新型的實施例中，還包括一第一承載板與一第二感測電極層，該第一承載板位于該透明基板與該顯示模塊之間，其中該第一感測電極層設(shè)置于該透明基板的第一表面上，該第二感測電極層位于該第一感測電極層與該第一承載板之間且設(shè)置于該第一承載板上。
[0014]在本實用新型的實施例中，該第二感測電極層包括一第二納米材料層，該第二納米材料層具有多個第一區(qū)域與多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且該第二納米材料層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0015]在本實用新型的實施例中，該第一感測電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第一方向排列的第一感測電極，而該第二感測電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第二方向排列的第二感測電極。
[0016]本實用新型的實施例中制作納米級導(dǎo)電薄膜的方法，包含:提供一納米基材，該納米基材具有一基板、位于該基板的一側(cè)的一第一保護層以及疊層于該基板與該第一保護層之間的一第一納米材料層；形成一第一圖案化絕緣層于該第一保護層上，該第一圖案化絕緣層暴露出部分該第一保護層，該第一納米材料層劃分為由該第一圖案化絕緣層所遮罩的多個第一區(qū)域以及未由該第一圖案化絕緣層所遮罩的多個第二區(qū)域；以及在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)中以該第一圖案化絕緣層為罩幕蝕刻該納米基材，使該第一納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
[0017]本實用新型的實施例中，該第一納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1 %。
[0018]本實用新型的實施例中，其中蝕刻具有該第一圖案化絕緣層的納米基材包括通入空氣、氮氣或其組合以作為反應(yīng)氣體。
[0019]本實用新型的實施例中，該電流產(chǎn)生系統(tǒng)包括一介電質(zhì)放電電流產(chǎn)生系統(tǒng)與一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)兩者之一。
[0020]本實用新型的實施例中，該第一納米材料層包括納米銀線。
[0021]本實用新型的實施例中，該第一圖案化絕緣層包括光學(xué)特性與該第一納米材料層相匹配的材料。
[0022]本實用新型的實施例中，該納米基材還具有位于該基板的另一側(cè)的一第二保護層以及疊層于該基板與該第二保護層之間的一第二納米材料層，該方法還包括:形成一第二圖案化絕緣層于該第二保護層上，該第二圖案化絕緣層暴露出部分該第二保護層，該第二納米材料層劃分為由該第二圖案化絕緣層所遮罩的多個第一區(qū)域以及未由該第二圖案化絕緣層所遮罩的多個第二區(qū)域；以及在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)中蝕刻具有該第二圖案化絕緣層的納米基材，使該第二納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
[0023]本實用新型的實施例中，該第二納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1 %。
[0024]本實用新型的實施例中另一種制作納米級導(dǎo)電薄膜的方法，包括:提供一納米基材，該納米基材具有一基板、位于該基板的一側(cè)的一第一保護層以及疊層于該基板與該第一保護層之間的一第一納米材料層，該第一納米材料層劃分為多個第一區(qū)域以及多個第二區(qū)域；以及在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，蝕刻該納米基材中該第一納米材料層的所述第二區(qū)域，使該第一納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
[0025]本實用新型的實施例中，該第一納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1 %。
[0026]本實用新型的實施例中，其中蝕刻該納米基材包括通入空氣、氮氣或其組合以作為反應(yīng)氣體。
[0027]本實用新型的實施例中，該第一納米材料層包含納米銀線。
[0028]本實用新型的實施例中，該第一圖案化絕緣層包括光學(xué)特性與該第一納米材料層相匹配的材料。
[0029]本實用新型的實施例中，該納米基材還具有位于該基板的另一側(cè)的一第二保護層以及疊層于該基板與該第二保護層之間的一第二納米材料層，該第二納米材料層劃分為多個第一區(qū)域以及多個第二區(qū)域，該方法還包括:在一噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，依據(jù)該第二納米材料層的所述第二區(qū)域蝕刻該納米基材，使該第二納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
[0030]本實用新型的實施例中，該第二納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1 %。
[0031]本實用新型的有益效果在于:本實用新型能達到有效的蝕刻效果以界定出納米級導(dǎo)電薄膜的電氣特性，并且有效降低保護層的損耗而維持納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)特性。另夕卜，本實用新型中的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法與某些現(xiàn)有的制造方法相比較，可大幅縮短制造方法時間。另外，依本實用新型中的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜因蝕刻處理前后光學(xué)表現(xiàn)無明顯改變，具有較高的潛力將線路隱藏而提升光學(xué)品味。
[0032]本實用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭示如上，然而本實用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員應(yīng)了解，在不背離所附的權(quán)利要求書所列的權(quán)利范圍所界定的本實用新型精神和范圍內(nèi)，本實用新型的教示及揭示可作種種的替換及修飾。例如，上文揭示的許多元件可以不同的結(jié)構(gòu)實施或以其它相同功能的結(jié)構(gòu)予以取代，或者采用其組合。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]本實用新型前述的內(nèi)容以及下文的詳細說明在伴隨各附圖來閱讀時當可更容易了解。為達本實用新型的說明目的，各附圖里圖繪有現(xiàn)屬較佳的各具體實施例。然而本實用新型并不限于所繪的精確排置方式及設(shè)備裝置，此點應(yīng)可理解。
[0034]圖1A?ID為根據(jù)本實用新型的一實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。
[0035]圖2A?2D為根據(jù)本實用新型的實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。
[0036]圖3A?3D為根據(jù)本實用新型的另一實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。
[0037]圖4A與4B為根據(jù)本實用新型的又一實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。
[0038]圖5A與5B為根據(jù)本實用新型的再一實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。
[0039]圖6為根據(jù)本實用新型一實施例的制作方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜其蝕刻前、后的霧度值。
[0040]圖7A與7B為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)表現(xiàn)示意圖。
[0041]圖8A與SB為根據(jù)本實用新型一實施例的制作方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)表現(xiàn)示意圖。
[0042]圖9為根據(jù)本實用新型的一實施例的觸控顯示裝置的剖面示意圖。
[0043]圖10為根據(jù)本實用新型的另一實施例的觸控顯示裝置的剖面示意圖。
[0044]圖11為根據(jù)本實用新型的又一實施例的觸控顯示裝置的剖面示意圖。
[0045]圖12為根據(jù)本實用新型的一實施例的觸控顯示裝置的剖面示意圖。
[0046]圖13為根據(jù)本實用新型的又一實施例的觸控顯示裝置的剖面示意圖。
[0047]主要部件符號說明:
[0048]10 納米基材
[0049]11 基板
[0050]12第一納米材料層
[0051]13第一保護層
[0052]14第一圖案化絕緣層
[0053]15電流產(chǎn)生系統(tǒng)
[0054]16 電極
[0055]17 噴頭
[0056]20納米級導(dǎo)電薄膜
[0057]22第二納米材料層
[0058]23第二保護層
[0059]24第二圖案化絕緣層
[0060]25電流產(chǎn)生系統(tǒng)
[0061]26 電極
[0062]27 噴頭
[0063]28 納米基材
[0064]30納米級導(dǎo)電薄膜
[0065]40納米級導(dǎo)電薄膜
[0066]50納米級導(dǎo)電薄膜
[0067]60觸控面板
[0068]66顯示模塊
[0069]70觸控面板
[0070]71透明基板
[0071]72第一承載板
[0072]73第二承載板
[0073]75遮蔽層
[0074]80觸控面板
[0075]81第一粘著層
[0076]82第二粘著層
[0077]83第三粘著層
[0078]90觸控面板
[0079]91第一感測電極層
[0080]92第二感測電極層
[0081]100觸控面板
[0082]110觸控顯示裝置
[0083]120觸控顯示裝置
[0084]121第一區(qū)域
[0085]122第二區(qū)域
[0086]130觸控顯示裝置
[0087]140觸控顯示裝置
[0088]150觸控顯示裝置
[0089]221第一區(qū)域
[0090]222第二區(qū)域
[0091]321第一區(qū)域
[0092]322第二區(qū)域
[0093]421第一區(qū)域
[0094]422第二區(qū)域
[0095]711第一表面
[0096]712第二表面。

【具體實施方式】
[0097]圖1A?ID所示為根據(jù)本實用新型的一實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。請參照圖1A，本實施例的制作方法是先提供一納米基材10。納米基材10具有一基板11、位于基板11的一側(cè)的一第一保護層13以及疊層于基板11與第一保護層13之間的一第一納米材料層12。在本實用新型的一實施例中，基板11可選自軟性、透光的材料如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，而第一保護層13則可選用有機、多孔的材質(zhì)。另外，第一納米材料層12包括納米銀線，通過納米化使線徑降至100納米(nm)以下成為線材網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，例如200微米(um)長、50nm線徑，使其長寬比約為4000。由于銀具有優(yōu)越的導(dǎo)電性，比氧化銦錫(ITO)高出100倍以上，因此提供比ITO更快的反應(yīng)速度。通過控制納米銀線的分布密度，穿透率可達92%以上，使其達成穿透率高且導(dǎo)電通路的功效。在本實用新型的其他實施例中，第一納米材料層12包括金(Au)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、銅(Cu)、鎳(Ni)等金屬之一或其他適合的納米線材。
[0098]請參照圖1B，在第一保護層13上例如以涂布方式形成一絕緣層，并通過印刷、顯影、轉(zhuǎn)印以形成一第一圖案化絕緣層14。第一圖案化絕緣層14暴露出部分的第一保護層13，而使第一納米材料層12劃分為由第一圖案化絕緣層14所遮罩的多個第一區(qū)域121以及未由第一圖案化絕緣層14所遮罩的多個第二區(qū)域122。在本實用新型的一實施例中，第一圖案化絕緣層14的材料包括聚酰亞胺(polyimide ;PI)。在本實用新型的另一實施例中，第一圖案化絕緣層14包括光學(xué)特性與第一納米材料層12相匹配的材料。就光學(xué)特性而言，第一圖案化絕緣層14的光折射率為1.7?1.8。此外，第一圖案化絕緣層14可為有機材料，且其光折射率為1.4?1.5。
[0099]請參照圖1C,再一電流產(chǎn)生系統(tǒng)(current generat1n system) 15中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕予以蝕刻納米基材10，使第一納米材料層12中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。在本實用新型的一實施例中，電流產(chǎn)生系統(tǒng)15包括一介電質(zhì)放電電流產(chǎn)生系統(tǒng)或一電弧噴射式(arc jet)電流產(chǎn)生系統(tǒng)。
[0100]電流產(chǎn)生系統(tǒng)是一種把高電壓、例如大于6000伏特(V)的電壓，加在特殊設(shè)計的電極上，并通入適量的潔凈干燥空氣(clean dry air ；CDA)或氮氣(N2)做為反應(yīng)氣體,利用高電壓放電的原理而產(chǎn)生電流的一種機制。相比于過去的真空式粒子撞擊系統(tǒng)，電流產(chǎn)生系統(tǒng)因不需真空腔體，故可大幅縮短制造方法時間，同時也降低成本。也因為在大氣環(huán)境中，電流會受到空氣中分子的阻礙而縮短了平均自由路徑，故蝕刻效果將非常有限，例如僅處理表面不純物(particle)，無法對蝕刻對象的材料結(jié)構(gòu)產(chǎn)生全面地破壞，所以能將第一保護層13的傷害降至最低。另外，第一納米材料層12中的納米金屬線，例如納米銀線，會因高電壓的能量而使外層電子不穩(wěn)定，又因伴隨熱的產(chǎn)生，進而使納米金屬線斷裂。由于空氣中的電流會往電阻較低的方向流動，因此未被第一圖案化絕緣層14所遮蔽的第二區(qū)域122的納米銀結(jié)構(gòu)會被電流破壞而失去導(dǎo)電性，但第一區(qū)域121的納米銀結(jié)構(gòu)受到第一圖案化絕緣層14的遮蔽不會被電流所破壞保持原有的導(dǎo)電性。因此第一圖案化絕緣層14可以是任意絕緣材料。本實用新型實施例的方法能達到有效的蝕刻效果以界定出第一納米材料層12的電氣特性，使第一區(qū)域121保持導(dǎo)電性并使第二區(qū)域122喪失導(dǎo)電性。另外可有效降低第一保護層13的損耗而維持納米基材10的光學(xué)特性。
[0101]請參照圖1D，將第一圖案化絕緣層14予以移除而達成一納米級導(dǎo)電薄膜20。然而在本實用新型的一實施例中，由于第一圖案化絕緣層14包括光學(xué)特性與第一納米材料層12相匹配的材料，因此無需移除第一圖案化絕緣層14，如此可降低該移除過程所可能傷害第一保護層13的風(fēng)險。納米級導(dǎo)電薄膜20可作為觸控顯示裝置的感測電極層。
[0102]圖2A?2D所示為根據(jù)本實用新型的實施例，納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。請參照圖2A，是在納米基材10的第一保護層13上例如以涂布方式形成一絕緣層，并通過印刷、顯影、轉(zhuǎn)印以形成一第一圖案化絕緣層14。在本實施例中，第一圖案化絕緣層14包括多個長條形、彼此相間隔的絕緣體。然而在本實用新型的其他實施例中，第一圖案化絕緣層14的絕緣體可為其他適合的形狀，例如以楔形圖案排列的三角形或梯形。
[0103]請參照圖2B，在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)15中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕予以蝕刻第一納米材料層12。在本實施例中，是在一介電質(zhì)放電電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，在電極16作用下沿一預(yù)定方向(如箭頭所示)蝕刻第一納米材料層12。然而在本實用新型的另一實施例中，請參照圖2C，是在一電弧噴射式(arc jet)電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕，利用一噴頭17沿一預(yù)定路徑(如箭頭所示)蝕刻第一納米材料層12。
[0104]請參照圖2D，將第一圖案化絕緣層14予以移除而達成一納米級導(dǎo)電薄膜20。然而在本實用新型的一實施例中，由于第一圖案化絕緣層14包括光學(xué)特性與第一納米材料層12相匹配的材料，因此無需移除第一圖案化絕緣層14，如此可降低該移除過程所可能傷害第一保護層13的風(fēng)險。納米級導(dǎo)電薄膜20的第一納米材料層12劃分為多個第一區(qū)域121以及多個第二區(qū)域122。第一區(qū)域121在圖2B或圖2C的蝕刻過程中由第一圖案化絕緣層14所遮罩，而第二區(qū)域122則未由第一圖案化絕緣層14所遮罩，使得蝕刻后第一納米材料層12中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。
[0105]圖3A?3D所示為根據(jù)本實用新型的另一實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。請參照圖3A，本實施例的制作方法是先提供一納米基材28。納米基材28具有一基板11、位于基板11的一側(cè)的一第一保護層13、疊層于基板11與第一保護層13之間的一第一納米材料層12、位于基板11的另一側(cè)的一第二保護層23以及疊層于基板11與第二保護層23之間的一第二納米材料層22。在本實用新型的一實施例中，第二保護層23與第二納米材料層22的材料與結(jié)構(gòu)分別相同于或類似于第一保護層13與第一納米材料層12，在此不另贅敘。
[0106]其后，在納米基材28的第一保護層13與第二保護層23上例如以涂布方式形成一絕緣層，并通過印刷、顯影、轉(zhuǎn)印以分別形成第一圖案化絕緣層14于第一保護層13上以及一第二圖案化絕緣層24于第二保護層23上。在本實用新型的一實施例中，第二圖案化絕緣層24的材料與光學(xué)特性相同于或類似于第一圖案化絕緣層14，在此不另贅敘。
[0107]請參照圖3B，在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)15中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕予以蝕刻第一納米材料層12，并同時在另一電流產(chǎn)生系統(tǒng)25中，例如一介電質(zhì)放電電流產(chǎn)生系統(tǒng)，以第二圖案化絕緣層24為罩幕予以蝕刻第二納米材料層22。在本實施例中，是在電極16與26作用下沿一預(yù)定方向(如箭頭所示)分別蝕刻第一納米材料層12與第二納米材料層22。在某些實施例中，電極16與26的移動方向也可以不同或不相應(yīng)。
[0108]在本實用新型的其他實施例中，是在電流產(chǎn)生系統(tǒng)15中，在電極16作用下以第一圖案化絕緣層14為罩幕先予以蝕刻第一納米材料層12，之后在相同的電流產(chǎn)生系統(tǒng)15中，在電極16作用下以第二圖案化絕緣層24為罩幕予以蝕刻第二納米材料層22。
[0109]同理，亦可于電流產(chǎn)生系統(tǒng)25中，在電極26作用下以第二圖案化絕緣層24為罩幕先予以蝕刻第二納米材料層22，之后在相同的電流產(chǎn)生系統(tǒng)25中，在電極26作用下以第一圖案化絕緣層14為罩幕予以蝕刻第一納米材料層12。
[0110]在本實用新型的另一實施例中，請參照圖3C，是在一電弧噴射式(arc jet)電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕，利用噴頭17沿一預(yù)定路徑(如箭頭所示)蝕刻第一納米材料層12，并同時在另一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第二圖案化絕緣層24為罩幕，利用噴頭27沿一預(yù)定路徑蝕刻第二納米材料層22。
[0111]在本實用新型的其他實施例中，是在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕，利用噴頭17沿一預(yù)定路徑先蝕刻第一納米材料層12，之后在相同的電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第二圖案化絕緣層24為罩幕，利用噴頭17沿一預(yù)定路徑蝕刻第二納米材料層22。
[0112]同理，亦可在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第二圖案化絕緣層24為罩幕，利用噴頭27沿一預(yù)定路徑先蝕刻第二納米材料層22，之后在相同的電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕，利用噴頭27沿一預(yù)定路徑蝕刻第一納米材料層12。在某些實施例中，噴頭17與27的移動方向也可以不相同或不相應(yīng)。
[0113]請參照圖3D，將第一圖案化絕緣層14以及第二圖案化絕緣層24予以移除而達成一納米級導(dǎo)電薄膜30。然而在本實用新型的一實施例中，由于第一圖案化絕緣層14與第二圖案化絕緣層24包括光學(xué)特性分別與第一納米材料層12與第二納米材料層22相匹配的材料，因此無需移除第一圖案化絕緣層14與第二圖案化絕緣層24，如此可降低該移除過程所可能傷害第一保護層13及第二保護層23的風(fēng)險。
[0114]納米級導(dǎo)電薄膜30的第一納米材料層12劃分為多個第一區(qū)域121以及多個第二區(qū)域122。第一區(qū)域121在圖3B或圖3C的蝕刻過程中由第一圖案化絕緣層14所遮罩，而第二區(qū)域122則未由第一圖案化絕緣層14所遮罩，使得蝕刻后第一納米材料層12中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。另外，納米級導(dǎo)電薄膜30的第二納米材料層22劃分為多個第一區(qū)域221以及多個第二區(qū)域222。第一區(qū)域221在圖3B或圖3C的蝕刻過程中由第二圖案化絕緣層24所遮罩，而第二區(qū)域222則未由第二圖案化絕緣層24所遮罩，使得蝕刻后第二納米材料層22中所述第一區(qū)域221之間以所述第二區(qū)域222電性隔離。
[0115]在某些實施例中，第二圖案化絕緣層24的圖樣可不同于第一圖案化絕緣層14，舉例來說，第二圖案化絕緣層24的每一條絕緣塊以第一方向(例如X方向)排列，而第一圖案化絕緣層14的每一條絕緣塊以第二方向(例如Y方向)排列，但不限于此。經(jīng)如圖3B或3D蝕刻之后，可在基板11的兩個相異的表面形成不同方向的觸控感測電極。
[0116]圖4A與4B所示為根據(jù)本實用新型的又一實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。請參照圖4A，本實施例的制作方法僅提供一納米基材10而不在納米基材10上形成絕緣層。納米基材10的第一納米材料層12可預(yù)先劃分為多個第一區(qū)域以及多個第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域是欲保留導(dǎo)電性的區(qū)域，而所述第二區(qū)域是欲使其導(dǎo)電性喪失的區(qū)域。此外，所述第二區(qū)域可界定出一蝕刻路徑(如箭頭所示)。
[0117]其后，在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭17蝕刻納米基材10中第一納米材料層12的所述第二區(qū)域，使第一納米材料層12中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。在本實用新型的一實施例中，是按照所述第二區(qū)域所界定出路徑來蝕刻納米基材10。
[0118]請參照圖4B，納米基材10經(jīng)蝕刻后形成一納米級導(dǎo)電薄膜40。納米級導(dǎo)電薄膜40的第一納米材料層12包括多個第一區(qū)域121以及多個第二區(qū)域122，其中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。
[0119]圖5A與5B所示為根據(jù)本實用新型的再一實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。請參照圖5A，本實施例的制作方法僅提供一納米基材28而不在納米基材28上形成絕緣層。納米基材28的第一納米材料層12與第二納米材料層22可各自預(yù)先劃分為多個第一區(qū)域以及多個第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域是欲保留導(dǎo)電性的區(qū)域，而所述第二區(qū)域是欲使其導(dǎo)電性喪失的區(qū)域。此外，所述第二區(qū)域可界定出一蝕刻路徑(如箭頭所示)。
[0120]其后，在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭17蝕刻納米基材28中第一納米材料層12的所述第二區(qū)域，使第一納米材料層12中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，并同時在另一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭27蝕刻納米基材28中第二納米材料層22的所述第二區(qū)域，使第二納米材料層22中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。在本實用新型的一實施例中，是按照所述第二區(qū)域所界定出的路徑來蝕刻納米基材28。
[0121]在本實用新型的其他實施例中，是在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭17沿著與第一納米材料層12相關(guān)的蝕刻路徑先蝕刻第一納米材料層12，之后在相同的電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭17沿著與第二納米材料層22相關(guān)的蝕刻路徑來蝕刻第二納米材料層22。
[0122]同理，亦可在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭27沿著與第二納米材料層22相關(guān)的蝕刻路徑先蝕刻第二納米材料層22，之后于在相同的電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭27沿著與第一納米材料層12相關(guān)的蝕刻路徑來蝕刻第一納米材料層12。相類似地，噴頭27與噴頭17的移動方向可以不相同或不相應(yīng)，使得圖5B的基板11相異兩側(cè)的觸控感測電極以不同方向排列。例如第一納米材料層12在第一方向(例如X方向)可導(dǎo)通，但第一納米材料層12在第二方向(例如Y方向)不導(dǎo)通；第二納米材料層22在第一方向(例如X方向)不導(dǎo)通，但第二納米材料層22在第二方向(例如Y方向)可導(dǎo)通。
[0123]請參照圖5B，納米基材28經(jīng)蝕刻后形成一納米級導(dǎo)電薄膜50。納米級導(dǎo)電薄膜50的第一納米材料層12包括多個第一區(qū)域121以及多個第二區(qū)域122，其中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。另外，納米級導(dǎo)電薄膜50的第二納米材料層22包括多個第一區(qū)域221以及多個第二區(qū)域222，其中所述第一區(qū)域221之間以所述第二區(qū)域222電性隔離。
[0124]從納米銀導(dǎo)電薄膜在電子顯微鏡(scanning electron microscope ；SEM)下的成像和該納米銀導(dǎo)電薄膜在三維激光顯微鏡(3D laser microscope)下的成像可知,在該納米銀導(dǎo)電薄膜中納米銀線縱橫交錯且相互交疊，形成高導(dǎo)電網(wǎng)路。此外，納米銀線具有相當高的長寬比，而構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)則相當稀松，如此一來可產(chǎn)生極高透光效果，高導(dǎo)電性與高透射率。
[0125]從根據(jù)本實用新型一實施例的制作方法與一現(xiàn)有技術(shù)方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的放大圖像可知由本實用新型實施例的方法所制備、經(jīng)蝕刻后的納米銀導(dǎo)電薄膜因其納米銀線僅斷開，但仍存在，所以本實用新型實施例的納米銀導(dǎo)電薄膜雖然導(dǎo)電性已破壞，然而其光學(xué)特性仍可維持。反觀由某些現(xiàn)有技術(shù)方法所制備、經(jīng)蝕刻后的納米銀導(dǎo)電薄膜其納米銀線幾乎蝕刻殆盡，雖然其導(dǎo)電性已喪失，但其光學(xué)特性同時也遭破壞而與蝕刻前大相徑庭。
[0126]從根據(jù)本實用新型一實施例的制作方法與一現(xiàn)有技術(shù)方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的進一步放大圖像，可進一步看出本實用新型實施例的方法所制備的納米銀導(dǎo)電薄膜與現(xiàn)有技術(shù)方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的明顯差異。
[0127]從根據(jù)本實用新型一實施例的制作方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的放大圖像可發(fā)現(xiàn)納米銀導(dǎo)電薄膜的納米銀線其斷開處似經(jīng)燒熔，此乃因電流產(chǎn)生系統(tǒng)的高電壓與其伴隨產(chǎn)生的熱能作用的原因。且因為在大氣環(huán)境中，以電流方式的蝕刻效果較有限，使得納米銀線的結(jié)構(gòu)非全面地被破壞，而僅能使納米銀線斷裂。因此本實用新型實施例的方法能達到有效的蝕刻效果以界定出納米級導(dǎo)電薄膜的電氣特性，并維持其光學(xué)特性。
[0128]圖6所示為根據(jù)本實用新型一實施例的制作方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜其蝕刻前、后的霧度值。請參照圖6，如實線所示，本實用新型實施例的制作方法所制備的納米銀導(dǎo)電薄膜其蝕刻前(例如時點TO時)的霧度值約為0.8%，而蝕刻后(例如時點Tl時)的霧度值也約為0.8%，大致上并無明顯變化。在本實用新型的一實施例中，納米銀導(dǎo)電薄膜的納米材料層中未經(jīng)蝕刻的第一區(qū)域與經(jīng)過蝕刻的第二區(qū)域其霧度值相差不大于0.3%,較佳地其霧度值相差不大于0.1%。
[0129]反觀由某些現(xiàn)有技術(shù)方法所制備、經(jīng)蝕刻后的納米銀導(dǎo)電薄膜，如虛線所示，其蝕刻前(例如時點TO時)的霧度值約為0.8%，而蝕刻后(例如時點Tl時)的霧度值則約為0.4%,其霧度值相差大于0.3 %，具有明顯的變化。
[0130]在本實用新型的一實施例中，霧度值采取一般定義:通過試樣而偏離入射光方向的散射光通量與透射光通量之比，用百分數(shù)表示(對于本實用新型的測量而言，是將偏離入射光方向2.5度以上的散射光通量用于計算霧度值)。
[0131]圖7A與7B所示為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)表現(xiàn)示意圖。請參照圖7A與7B，現(xiàn)有技術(shù)方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的納米材料層中未經(jīng)蝕刻的第一區(qū)域(導(dǎo)電區(qū))321與經(jīng)過蝕刻的第二區(qū)域(非導(dǎo)電區(qū))322其光學(xué)特性有顯著的差異，因為第二區(qū)域322中的納米線材已蝕刻殆盡，從而產(chǎn)生明顯的色差。此外，納米級導(dǎo)電薄膜的保護層亦有可能在蝕刻過程中遭受破壞，而使納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)特性惡化。
[0132]圖8A與SB所示為根據(jù)本實用新型一實施例的制作方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)表現(xiàn)示意圖。請參照圖8A與SB，本實用新型實施例的制作方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜的納米材料層中未經(jīng)蝕刻的第一區(qū)域(導(dǎo)電區(qū))421與經(jīng)過蝕刻的第二區(qū)域(非導(dǎo)電區(qū))422其光學(xué)特性并無顯著的差異，因為第二區(qū)域422中的納米線材僅有斷裂而結(jié)構(gòu)仍保存。此外，納米級導(dǎo)電薄膜的保護層在電流蝕刻過程中亦無明顯破壞，使納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)特性大致上得以維持。
[0133]圖9所示為根據(jù)本實用新型的一實施例的觸控顯示裝置110的剖面示意圖。請參照圖9,觸控顯不裝置110包括一觸控面板60與一顯不模塊66。觸控面板60包括一透明基板71、一第一感測電極層91與一遮蔽層75。透明基板71具有一第一表面711以及一第二表面712，且第一表面711與第二表面712位于透明基板71的相反側(cè)。第一感測電極層91位于透明基板71的第一表面711上。遮蔽層75亦位于透明基板71的第一表面711上，且環(huán)繞第一感測電極層91。
[0134]在本實用新型的一實施例中，透明基板71的材料可選自玻璃、壓克力(PMMA)、乙烯對苯二甲酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚烯丙基、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)等透明材料。此外，遮蔽層75的材料可選自不透明光阻材料，黑色光阻材料、黑色樹脂或黑色油墨。
[0135]在本實用新型的一實施例中，第一感測電極層91包括如圖2D的納米級導(dǎo)電薄膜20或圖4B的納米級導(dǎo)電薄膜40。另外，第一感測電極層91包括單向間隔排列的電極圖案，例如第一感測電極與第二感測電極。此外，觸控面板60與顯模塊66以一第一粘著層81相貼合。第一粘著層81可包括光學(xué)膠(optical clear resin ；0CR)或光學(xué)膠帶(opticalclear adhesive ;OCA)。另外,光學(xué)膠可以是水膠或光學(xué)透明的特殊雙面膠。顯示模塊66包括一背光顯示器，例如液晶顯示器(liquid crystal display ;LCD),或包括一自發(fā)光顯示器，例如有機發(fā)光二極體(organic light emitting d1de ；0LED)顯示器。
[0136]圖10所示為根據(jù)本實用新型的另一實施例的觸控顯示裝置120的剖面示意圖。請參照圖10，觸控顯示裝置120包括一觸控面板70，其還包括一第一承載板72，位于透明基板71與顯不模塊66之間。第一感測電極層91位于第一承載板72的一表面上，并以第一粘著層81與透明基板71相貼合。此外，第一承載板72的另一表面以第二黏著層82與顯不模塊66相貼合。在本實用新型的一實施例中,第一承載板72的材料可選自玻璃、壓克力(PMMA)、乙烯對苯二甲酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚烯丙基、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)等透明材料。另外，第二粘著層82的材料可選自光學(xué)膠或光學(xué)膠帶。
[0137]圖11所示為根據(jù)本實用新型的又一實施例的觸控顯示裝置130的剖面示意圖。請參照圖11，觸控顯示裝置130包括一觸控面板80，其中第一感測電極層91位于第一承載板72的一表面上,并以第一粘著層81與透明基板71相貼合。此外,第二感測電極層92位于第一承載板72的另一表面上，并以第二粘著層82與顯示模塊66相貼合。在本實用新型的實施例中，第二感測電極層92包括如圖2D的納米級導(dǎo)電薄膜20或圖4B的納米級導(dǎo)電薄膜40。另外,第一感測電極層91包括沿第一方向排列的第一感測電極,而第二感測電極層92則包括沿第二方向排列的第二感測電極，且第一方向與第二方向大致上彼此相垂直。第一、第二感測電極層91、92亦可由圖3A和3B、3C和3D或5A和5B的方法所制作出不同排列方向的電極。
[0138]圖12所示為根據(jù)本實用新型的一實施例的觸控顯示裝置140的剖面示意圖。請參照圖12，觸控顯示裝置140包括一觸控面板90，其中第一感測電極層91位于透明基板71的第一表面上，而第二感測電極層92則位于第一承載板72的一表面上,且第一感測電極層91與第二感測電極層92以第一粘著層81相貼合。此外，第一承載板72的另一表面以第二粘著層82與顯示模塊66相貼合。
[0139]圖13所示為根據(jù)本實用新型的又一實施例的觸控顯示裝置150的剖面示意圖。請參照圖13，觸控顯示裝置150包括一觸控面板100，其包括第一承載板72，位于透明基板71與顯不模塊66之間，且另包括一第二承載板73,位于第一承載板72與顯不模塊66之間。第一感測電極層91位于第一承載板72的一表面上,而第二感測電極層92位于第二承載板73的一表面上。另外，第一承載板72的另一表面以第一粘著層81與透明基板71相貼合，第一感測電極層91與第二感測電極層92以第二粘著層82相貼合，而第二承載板73的另一表面則以一第三粘著層83與顯示模塊66相貼合。在本實用新型的實施例中，第二承載板73的材料可選自玻璃、壓克力(PMMA)、乙烯對苯二甲酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚烯丙基、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)等透明材料。此外，第三粘著層83包括光學(xué)膠或光學(xué)膠帶。
[0140]本實用新型上述實施例的納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法能達到有效的蝕刻效果以界定出納米級導(dǎo)電薄膜的電氣特性，使納米級導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電區(qū)域之間以非導(dǎo)電區(qū)域相隔。另外，本實用新型實施例中納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法能有效降低納米級導(dǎo)電薄膜的保護層于蝕刻過程中的損耗而維持納米級導(dǎo)電薄膜的光學(xué)特性。另外，本實用新型實施例中納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法與某些現(xiàn)有的制造方法相比較，可大幅縮短制造方法時間。另外，依本實用新型實施例中納米級導(dǎo)電薄膜的制作方法所制備的納米級導(dǎo)電薄膜是在電流產(chǎn)生系統(tǒng)中蝕刻，因蝕刻前后導(dǎo)電區(qū)域與非導(dǎo)電區(qū)域的光學(xué)表現(xiàn)無明顯改變，例如其霧度值相差不大于0.3%乃至不大于0.1%，因此具有較高的潛力將線路隱藏而提升光學(xué)品味。
[0141]本實用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭示如上，然而本實用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員應(yīng)了解，在不背離所附的權(quán)利要求書所列的權(quán)利范圍內(nèi)所界定的本實用新型精神和范圍內(nèi)，本實用新型的教示及揭示可作種種的替換及修飾。例如，上文揭示的許多元件可以不同的結(jié)構(gòu)實施或以其它相同功能的結(jié)構(gòu)予以取代，或者采用上述兩種方式的組合。
[0142]此外，本實用新型的權(quán)利范圍并不局限于上文揭示的特定實施例的裝置、元件或結(jié)構(gòu)。本實用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員應(yīng)了解，基于本實用新型教示及揭示裝置、元件或結(jié)構(gòu)，無論現(xiàn)在已存在或日后開發(fā)者，其與本實用新型實施例揭示者是以實質(zhì)相同的方式執(zhí)行實質(zhì)相同的功能，而達到實質(zhì)相同的結(jié)果，亦可使用于本實用新型。因此，所附的權(quán)利要求書所列的權(quán)利范圍是用以涵蓋此類裝置、元件或結(jié)構(gòu)。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控顯示裝置，其特征在于:所述觸控顯示裝置包括: 一透明基板，所述透明基板具有一第一表面以及一第二表面，所述第一表面與所述第二表面位于所述透明基板的相反側(cè)； 一顯示模塊，所述顯示模塊位于所述透明基板的第一表面?zhèn)?；以? 一第一感測電極層，所述第一感測電極層位于所述透明基板與所述顯示模塊之間，所述第一感測電極層包括一第一納米材料層，所述第一納米材料層具有多個第一區(qū)域與多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1 %。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于:所述第一感測電極層設(shè)置于所述透明基板的第一表面上，且所述第一區(qū)域包括間隔排列的第一感測電極與第二感測電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于:所述觸控顯示裝置還包括一第一承載板，用以承載所述第一感測電極層于所述透明基板與所述顯示模塊之間，且所述第一區(qū)域包括間隔排列的第一感測電極與第二感測電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于:所述觸控顯示裝置還包括一第一承載板與一第二感測電極層，所述第一承載板位于所述透明基板與所述顯示模塊之間，其中所述第一感測電極層設(shè)置于所述第一承載板的一第一表面上，所述第二感測電極層設(shè)置于所述第一承載板的一第二表面上，所述第一表面與所述第二表面位于所述第一承載板的相反側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸控顯示裝置，其特征在于:所述第二感測電極層包括一第二納米材料層，所述第二納米材料層具有多個第一區(qū)域與多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第二納米材料層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸控顯示裝置，其特征在于:所述第一感測電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第一方向排列的第一感測電極，而所述第二感測電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第二方向排列的第二感測電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于:所述觸控顯示裝置還包括一第一承載板與一第二感測電極層，所述第一承載板位于所述透明基板與所述顯示模塊之間，其中所述第一感測電極層設(shè)置于所述透明基板的第一表面上，所述第二感測電極層位于所述第一感測電極層與所述第一承載板之間且設(shè)置于所述第一承載板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸控顯示裝置，其特征在于:所述第二感測電極層包括一第二納米材料層，所述第二納米材料層具有多個第一區(qū)域與多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第二納米材料層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸控顯示裝置，其特征在于:所述第一感測電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第一方向排列的第一感測電極，而所述第二感測電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第二方向排列的第二感測電極。
【文檔編號】G06F3/041GK204229372SQ201420664048
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月7日
【發(fā)明者】楊舜杰, 邵泓翔, 張恩嘉, 林熙乾 申請人:宸鴻光電科技股份有限公司