智能學(xué)生證的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種智能學(xué)生證，它包括殼體，所述殼體由前殼體和后殼體組成，所述后殼體上端設(shè)置有掛環(huán)，所述殼體內(nèi)設(shè)置有2.4G智能學(xué)生證主板，所述智能學(xué)生證主板上設(shè)置有125KHz低頻激勵芯片，所述125KHz低頻激勵芯片上電連接有電容和125KHz低頻3D接收天線，并且所述125KHz低頻3D接收天線距智能學(xué)生主板的距離至少為3mm。本實(shí)用新型的有益效果為：本實(shí)用新型在智能學(xué)生證主板上選用125KHz3D接收天線，避免由于天線的方向性而產(chǎn)生的盲區(qū)造成不能完全識別對方的情況，從而提高了天線的識讀率。提高了2.4G智能學(xué)生證系統(tǒng)中人員管理的可靠性，能精確的、無遺漏的對學(xué)生的出入校進(jìn)行判斷，以及在校內(nèi)、校外的活動狀況。
【專利說明】智能學(xué)生證

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及學(xué)生證【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種智能學(xué)生證。

【背景技術(shù)】
[0002]應(yīng)用于2.4G智能學(xué)生證上的125KHZ低頻接收天線為激勵式RFID有源射頻識別系統(tǒng)的重要組成部件，接收125KHZ激勵信號來激活處于休眠狀態(tài)的激勵標(biāo)簽，它具有激勵區(qū)域調(diào)整功能，可實(shí)現(xiàn)激勵區(qū)域分區(qū)控制和無縫覆蓋，通過由有源RFID讀寫器，低頻激勵器和激勵電子標(biāo)簽構(gòu)成的激勵式射頻識別系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)區(qū)域定位。
[0003]在2.4G智能學(xué)生證中，125KHZ低頻激勵模塊的主要作用是加強(qiáng)對在校學(xué)生的管理，精確判斷其進(jìn)出校門，以及在校內(nèi)、校外的活動情況，而125KHz低頻接收天線是其核心部分，125KHz低頻接收天線的輻射范圍和方向性決定了 2.4G智能學(xué)生證中125KHz低頻激勵模塊是否能無漏讀的對在校學(xué)生的自動考勤、以及對其進(jìn)行精確的定位管理。
[0004]在傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方案中，125KHZ低頻接收天線采用的都是單軸天線，由于低頻單軸接收天線的電磁場輻射范圍具有方向性，只有125KHZ接收天線與發(fā)射激勵天線處于平行位置是，為最大場強(qiáng)方向，其輻射強(qiáng)度為最大，其激活也最為可靠；而如果其中一根天線為垂直放置時，其發(fā)射強(qiáng)度大幅度的減弱，讀卡距離變近，會造成不能正確識別的情況，理論上分析得知為了保證100%的識讀率，要求125KHz接收天線必須在X軸、Y軸與Z軸三個方向?qū)崿F(xiàn)電磁場輻射范圍的全覆蓋。
[0005]125KHZ單軸接收天線為平行放置或者垂直放置，只能保證在一個方向上的實(shí)現(xiàn)最大的信號輻射，如果電子標(biāo)簽傾斜或者移動均不能實(shí)現(xiàn)完全的信號覆蓋，造成不能正確識別電子標(biāo)簽或者漏讀的情況。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)中125KHZ單軸接收天線為平行放置或者垂直放置，只能保證在一個方向上的實(shí)現(xiàn)最大的信號輻射的不足，提供一種實(shí)現(xiàn)對低頻信號的完全接收，提高125KHz天線的靈敏度，避免由于接收天線方向性產(chǎn)生盲區(qū)，大大提高讀卡準(zhǔn)確性，從而能滿足實(shí)時定位的需求。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0008]—種智能學(xué)生證,它包括殼體，所述殼體由前殼體和后殼體組成，所述后殼體上端設(shè)置有掛環(huán)，所述殼體內(nèi)設(shè)置有2.4G智能學(xué)生證主板，所述智能學(xué)生證主板上設(shè)置有125KHz低頻激勵芯片，所述125KHz低頻激勵芯片上電連接有電容和125KHz低頻3D接收天線，并且所述125KHZ低頻3D接收天線距智能學(xué)生主板的距離至少為3mm。
[0009]本技術(shù)方案中通過選用集成度較高的125KHz低頻3D接收天線，該接收天線占體積較小，適合在要求小型化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中使用，125KHZ低頻3D接收天線等效與在X、Y、Z軸三個方向各放置一個125ΚΗζ單軸天線，從而有效地避免單軸天線由于其方向性只有在一個方向上被激活的缺點(diǎn)，使125ΚΗζ低頻激勵模塊能在任意狀態(tài)下、任何方向中以及高速運(yùn)動下都能被激活，從而提高了天線的靈敏度。由于125KHZ低頻3D接收天線對金屬物件比較密感，如果靠近金屬部分，會改變其輻射方向與強(qiáng)度，實(shí)驗(yàn)室測試驗(yàn)證，125KHz低頻3D接收天線距智能學(xué)生主板必需保證在3mm以上。
[0010]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述125KHZ低頻3D接收天線距智能學(xué)生主板的距離為5mm ο
[0011]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述125KHZ低頻3D接收天線與電容形成LC諧振回路
[0012]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述125KHZ低頻激勵芯片由單片機(jī)和低頻功率放大電路組成，所述單片機(jī)與低頻功率放大電路電連接。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0014]本實(shí)用新型在智能學(xué)生證主板上選用125KHZ 3D接收天線，避免由于天線的方向性而產(chǎn)生的盲區(qū)造成不能完全識別對方的情況，從而提高了天線的識讀率。提高了 2.4G智能學(xué)生證系統(tǒng)中人員管理的可靠性，能精確的、無遺漏的對學(xué)生的出入校進(jìn)行判斷，以及在校內(nèi)、校外的活動狀況。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的智能學(xué)生證結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]如圖1所示，其中對應(yīng)的附圖標(biāo)記名稱為:
[0017]I殼體，22.4G智能學(xué)生證主板，3125KHz低頻激勵芯片，4電容，5125KHz低頻3D接收天線。

【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步闡述。
[0019]如圖1所示一種智能學(xué)生證，它包括殼體1，所述殼體I由前殼體和后殼體組成,所述后殼體上端設(shè)置有掛環(huán)，所述殼體I內(nèi)設(shè)置有2.4G智能學(xué)生證主板2，所述智能學(xué)生證主板2上設(shè)置有125KHz低頻激勵芯片3，所述125KHz低頻激勵芯片3上電連接有電容4和125KHz低頻3D接收天線5，并且所述125KHz低頻3D接收天線5距智能學(xué)生主板2的距離至少為3mm。
[0020]根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述125KHZ低頻3D接收天線5距智能學(xué)生主板2的距離為5_。
[0021]根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述125KHZ低頻3D接收天線5與電容4形成LC諧振回路。
[0022]根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述125KHZ低頻激勵芯片3由單片機(jī)和低頻功率放大電路組成，所述單片機(jī)與低頻功率放大電路電連接。
[0023]本實(shí)用新型中125KHZ低頻3D接收天線5的放置區(qū)域必需滿足以下要求:
[0024]1.遠(yuǎn)離金屬物件。125KHZ低頻3D接收天線5對金屬物件比較敏感，如果靠近金屬部分，會改變其輻射方向與強(qiáng)度，實(shí)驗(yàn)室測試驗(yàn)證，125KHZ低頻3D接收天線5四周距離智能學(xué)生證主板2上的金屬部分必需保證在3mm以上。
[0025]2.放置125KHz 3D接收天線的PCB板，在3mm的區(qū)域內(nèi)，PCB板的頂層、底層以及所有中間層都必需鏤空(去掉金屬層)，并且不能布置任何信號走線、特別是不能放置電源走線與模擬、數(shù)字信號線。
[0026]以上【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)進(jìn)行詳細(xì)說明，但并不能對本實(shí)用新型的保護(hù)范圍進(jìn)行限制，顯而易見地，在本實(shí)用新型的啟示下，本【技術(shù)領(lǐng)域】普通技術(shù)人員還可以進(jìn)行許多改進(jìn)和修飾，需要注意的是，這些改進(jìn)和修飾都落在本實(shí)用新型的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種智能學(xué)生證,它包括殼體(I)，所述殼體(I)由前殼體和后殼體組成，所述后殼體上端設(shè)置有掛環(huán)；其特征在于，所述殼體(I)內(nèi)設(shè)置有2.4G智能學(xué)生證主板(2)，所述智能學(xué)生證主板(2)上設(shè)置有125KHZ低頻激勵芯片(3)，所述125KHZ低頻激勵芯片(3)上電連接有電容⑷和125KHz低頻3D接收天線(5)，并且所述125KHz低頻3D接收天線(5)距智能學(xué)生主板(2)的距離至少為3mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能學(xué)生證，其特征在于所述125KHZ低頻3D接收天線(5)距智能學(xué)生主板(2)的距離為5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能學(xué)生證，其特征在于所述125KHZ低頻3D接收天線(5)與電容⑷形成LC諧振回路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能學(xué)生證，其特征在于所述125KHZ低頻激勵芯片(3)由單片機(jī)和低頻功率放大電路組成，所述單片機(jī)與低頻功率放大電路電連接。
【文檔編號】G06K19/077GK204229446SQ201420599669
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月16日
【發(fā)明者】黃寶 申請人:成都阿艾夫通信有限公司