一種電容式觸控面板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種電容式觸控面板，包括一基板與一納米銀線電極層，納米銀線電極層設(shè)置在基板一表面上，所述納米銀線電極層包括沿第一方向排布的第一電極串、第一導(dǎo)接線和沿第二方向排布的第二電極串，第一電極串包括多個(gè)第一納米銀線導(dǎo)電單元，第二電極串包括多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元；基板上對(duì)應(yīng)每個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元區(qū)域內(nèi)設(shè)置有貫通上下表面的穿孔，每個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元對(duì)應(yīng)兩個(gè)穿孔；第一納米銀線導(dǎo)電單元通過第一導(dǎo)接線相連，第二納米銀線導(dǎo)電單元通過穿孔內(nèi)的導(dǎo)電材料和橋接線相導(dǎo)通，所述橋接線設(shè)置于基板異于納米銀線電極層的一面。本實(shí)用新型具有低電阻、工藝簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】-種電容式觸控面板 【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001] 本實(shí)用新型涉及觸控領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式觸控面板。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 觸控面板技術(shù)已成為當(dāng)前最簡(jiǎn)便的人機(jī)交流的輸入設(shè)備。鑒于觸摸屏具有簡(jiǎn)便、 反應(yīng)速度快、節(jié)省空間、易于交流等許多優(yōu)點(diǎn)，觸摸面板技術(shù)在我國的應(yīng)用范圍越來越廣 闊，其不僅普遍應(yīng)用于隨身攜帶的電子裝置，如智能手機(jī)，平板電腦或筆記本電腦，同時(shí)也 廣泛應(yīng)用于廣告資訊裝置，工業(yè)控制，軍事指揮，電子游戲，多媒體教學(xué)，房地產(chǎn)預(yù)售，W及 公共信息的查詢裝置，如電信局、稅務(wù)局、銀行、電力等部口的業(yè)務(wù)查詢等等。
[0003] 現(xiàn)有的最常用的觸控面板為電容式觸控面板，電容式觸控面板技術(shù)利用人體的電 流感應(yīng)進(jìn)行工作，其具有操作簡(jiǎn)便，支持多點(diǎn)觸控等諸多優(yōu)點(diǎn)。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，人們 對(duì)觸控面板的要求越來越高，其主要體現(xiàn)在兩大方面，其一是觸控面板的精度，二是觸控面 板的厚度，高靈敏度的輕薄化的觸控面板是業(yè)界的一致追求，尤其是輕薄化，其已經(jīng)成為 了近年來的觸控面板廠商之間相互競(jìng)爭(zhēng)比拼的一大賣點(diǎn)。
[0004] 通常，在現(xiàn)有觸控面板大都采用氧化鋼錫（ITO)作為導(dǎo)電電極材料，由于鋼元素 為一種稀±元素，在大自然的存儲(chǔ)量比較小，其價(jià)格比較昂貴，氧化鋼錫作為觸控面板的導(dǎo) 電材料在很大程度上提升了觸控面板的制造成本，此外，ITO的電阻較高，其在一定程度上 影響到了觸摸靈敏度，如果要降低方阻，則需要將電極層變厚，該不僅會(huì)進(jìn)一步提高制備成 本，還會(huì)降低電極層的透光度，同時(shí)，增加厚度與現(xiàn)行輕薄化電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)相違背。 又，ITO電極層的制作采用的是黃光工藝，黃光工藝制程復(fù)雜，設(shè)備成本高，故，其在一定程 度上抑制了觸控面板產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
[0005] 綜上所述，要使觸摸面板產(chǎn)業(yè)更加快速的發(fā)展，那么，我們確實(shí)急切需要尋找一種 新的方案能夠解決ITO所存在的價(jià)格昂貴，電阻高，工藝復(fù)雜，抗損性能差等缺點(diǎn)。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006] 為克服現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提供一種低電阻、工藝簡(jiǎn)單的電容式觸 控面板。
[0007] 本實(shí)用新型解決技術(shù)問題的方案是提供一種電容式觸控面板，包括一基板與一納 米銀線電極層，納米銀線電極層設(shè)置在基板一表面上，所述納米銀線電極層包括沿第一方 向排布的第一電極串、第一導(dǎo)接線和沿第二方向排布的第二電極串，第一電極串包括多個(gè) 第一納米銀線導(dǎo)電單元，第二電極串包括多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元；基板上對(duì)應(yīng)每個(gè)第 二納米銀線導(dǎo)電單元區(qū)域內(nèi)設(shè)置有貫通上下表面的穿孔，每個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元對(duì)應(yīng) 兩個(gè)穿孔；第一納米銀線導(dǎo)電單元通過第一導(dǎo)接線相連，第二納米銀線導(dǎo)電單元通過穿孔 內(nèi)的導(dǎo)電材料和橋接線相導(dǎo)通，所述橋接線設(shè)置于基板異于納米銀線電極層的一面。
[0008] 優(yōu)選地，所述納米銀線電極層包括基質(zhì)及分布于所述基質(zhì)中的多條納米銀線，所 述多條納米銀線相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，所述第一納米銀線導(dǎo)電單元和第二納米銀線導(dǎo)電 單元的厚度為l〇nm-5ym，方阻為小于lOOohm/sq，所述多條納米銀線中的每條納米銀線的 線長(zhǎng)介于20-50 y m,線徑小于500皿，長(zhǎng)寬比大于400。
[0009] 優(yōu)選地，一條橋接線通過穿孔導(dǎo)通連接每條第二電極串上所有第二納米銀線導(dǎo)電 單元。
[0010] 優(yōu)選地，至少一條橋接線通過穿孔導(dǎo)通連接第二電極串上相鄰的第二納米銀線導(dǎo) 電單元。
[0011] 優(yōu)選地，兩條平行并列的橋接線通過穿孔導(dǎo)通連接第二電極串上相鄰的第二納米 銀線導(dǎo)電單元。
[0012] 優(yōu)選地，所述橋接線的長(zhǎng)度大于或等于相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元內(nèi)的兩個(gè)穿孔 之間的距離。
[001引優(yōu)選地，所述橋接線為直線、"V"形、"Z"形或"S"形。
[0014] 優(yōu)選地，進(jìn)一步包括第一走線和第二走線，所述第一走線與所述第一電極串的一 端或兩端連接，所述第二走線與所述第二電極串的一端或兩端連接。
[0015] 優(yōu)選地，所述第一電極串和/或第二電極串分別包括兩條或多條平行排列的子電 極串，該第一納米銀線電極串的兩條或多條子電極串同一端電性連接，該第二納米銀線電 極串的兩條或多條子電極串同一端電性連接。
[0016] 優(yōu)選地，納米銀線電極層兩側(cè)更設(shè)置增粘層，平整層，光學(xué)匹配層之中的一層或多 層，增粘層、平整層、光學(xué)匹配層之中的兩或H層可設(shè)置在電極圖案層的同側(cè)或異側(cè)，光學(xué) 匹配層，增粘層和平整層H者之間位置可互換。
[0017] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型電容式觸控面板的納米銀線電極層主要采用了納米 銀線圖案化后制作而成，納米銀線作為觸控電極導(dǎo)電材料具有價(jià)格低，電阻低，輕薄，挽性 好等優(yōu)點(diǎn)，更重要的是，本實(shí)用新型電容式觸控面板通過將橋接線設(shè)置于基板下表面，通過 背面橋接的方式，使得橋接線的制作變得簡(jiǎn)單，只需在對(duì)應(yīng)的基板背面穿孔位置印刷一層 納米銀線層即可，簡(jiǎn)化了工藝的同時(shí)，相比在第一導(dǎo)接線上方形成橋接線需要在導(dǎo)接線上 布設(shè)絕緣層，本實(shí)用新型采用背面橋接，故無需在布設(shè)絕緣層，符合觸控面板輕薄化的發(fā)展 趨勢(shì)。橋接線形成于基板背面，形成圖案較為方便，橋接線的規(guī)格圖案可W實(shí)現(xiàn)多樣化，且 使橋接線的圖案化形成與電極圖案的形成由一道制程制作完成實(shí)現(xiàn)了可能，在卷對(duì)卷制程 中，上方親筒壓印形成電極圖案，下方親筒壓印形成橋接線圖案，實(shí)現(xiàn)了工藝的簡(jiǎn)化，節(jié)省 了制作成本。
[0018] 除此W外，橋接線設(shè)置于基板的下表面，橋接線不會(huì)受到曲面張力，從而使得橋接 線連接穩(wěn)定，不易斷線，可W大大的提升產(chǎn)品良率。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0019] 圖1是納米銀線電極層分布于基板上的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020] 圖2是納米銀線電極層分布于基板上的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021] 圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 圖4是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板的納米銀線電極層平面結(jié)構(gòu)示意 圖。
[0023] 圖5是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板沿Y方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024] 圖6是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板的橋接線示意圖。
[0025] 圖7是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板的走線示意圖。
[0026] 圖8是本實(shí)用新型第二實(shí)施例電容式觸控面板的橋接線示意圖。
[0027] 圖9是本實(shí)用新型第H實(shí)施例電容式觸控面板的橋接線示意圖。
[0028] 圖10是本實(shí)用新型第四實(shí)施例電容式觸控面板的橋接線示意圖。
[0029] 圖11是本實(shí)用新型第五實(shí)施例電容式觸控面板的第一種橋接線示意圖。
[0030] 圖12是本實(shí)用新型第五實(shí)施例電容式觸控面板的第二種橋接線示意圖。
[0031] 圖13是本實(shí)用新型第五實(shí)施例電容式觸控面板的第H種橋接線示意圖。
[0032] 圖14是本實(shí)用新型第六實(shí)施例電容式觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033] 圖15是本實(shí)用新型第走實(shí)施例電容式觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034] 圖16是本實(shí)用新型第八實(shí)施例電容式觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035] 圖17是本實(shí)用新型第九實(shí)施例電容式觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖。 【【具體實(shí)施方式】】
[0036] 為了使本實(shí)用新型的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，W下結(jié)合附圖及實(shí)施 實(shí)例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用W解 釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0037] 銀在納米級(jí)時(shí)，納米銀線具有良好的透光率和極佳的導(dǎo)電性，能夠很好的運(yùn)用于 觸控面板的導(dǎo)電電極。
[0038] 請(qǐng)參閱圖1與圖2,系納米銀線電極層1005分布于基板1003上的示意圖，納米銀 線電極層1005包括基質(zhì)1007和嵌入在基質(zhì)1007中的多根納米銀線1001，納米銀線1001 相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。納米銀線1001的線長(zhǎng)為l〇ym-300ym，優(yōu)選為20ym-100ym，最 優(yōu)其長(zhǎng)度為20 y m-50 y m,線徑小于500皿，或小于200皿，100皿，優(yōu)選為小于50皿，且其長(zhǎng) 寬比（線長(zhǎng)與線徑之比）大于10,優(yōu)選大于50,更優(yōu)選大于100?；?003 -般為透明絕 緣材料。
[0039] 納米銀線1001散布或嵌入基質(zhì)1007中，形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，依靠基質(zhì)1007形成納米 銀線電極層1005,基質(zhì)1007可W保護(hù)納米銀線1001不易受腐蝕、磨損等外界環(huán)境的影響。
[0040] 基質(zhì)1007是指納米銀線溶液在經(jīng)過涂布等方法設(shè)置在基板1003上，經(jīng)過加熱烘 干使得易揮發(fā)的物質(zhì)揮發(fā)后，留在基板1003上的非納米銀線物質(zhì)。納米銀線溶液是指，納 米銀線1001分散在特定的溶劑里而形成的息浮溶液，該溶劑可W是水、水溶液、離子溶液、 含鹽溶液、超臨界流體、油或其混合物等。該溶劑里還可含有其它添加劑，如分散劑、表面活 性劑、交聯(lián)劑、穩(wěn)定劑、潤(rùn)濕劑或增稠劑，但不W此為限。
[0041] 納米銀線電極層1005的厚度約為lOnm-5 Ji m，優(yōu)選為20nm-l Ji m，更優(yōu)為 10nm-200nm，方阻小于lOOohm/sq。在一些實(shí)施例中，納米銀線電極層1005的折射率為 1. 3-2. 5,更優(yōu)為 1. 35-1. 8。
[0042] 請(qǐng)參閱圖3,本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板10包括一基板11 W及一納米 銀線電極層13,納米銀線電極層13形成于基板11 一表面上，即基板11為納米銀線電極層 13的附著層。納米銀線電極層13包括在第一方向上（W下簡(jiǎn)稱X方向）陣列設(shè)置的多個(gè) 第一電極串131，和在第二方向上（W下簡(jiǎn)稱Y方向）陣列設(shè)置的多個(gè)第二電極串133,多 個(gè)第一電極串131與多個(gè)第二電極串133分別構(gòu)成了兩個(gè)方向上的觸控電極。
[0043] 請(qǐng)參閱圖4,第一電極串131和第二電極串133為納米銀線電極層1005圖案化形 成，第一電極串131包括多個(gè)第一納米銀線導(dǎo)電單元1311，其為菱形，第一納米銀線導(dǎo)電單 元1311之間通過多條第一導(dǎo)接線1315實(shí)現(xiàn)串聯(lián)，在兩兩相鄰的第一電極串131之間包括 多個(gè)第一縷空區(qū)1313。相應(yīng)地，第二電極串133包括多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元1331，也 為菱形，第二納米銀線導(dǎo)電單元1331之間彼此相對(duì)獨(dú)立。從電容式觸控面板10的正面看 過去，第一電極串131上的第一納米銀線導(dǎo)電單元1311與第二電極串133上的第二納米銀 線導(dǎo)電單元1331無重疊區(qū)域，也就是說，第二納米銀線導(dǎo)電單元1331設(shè)置在第一縷空區(qū) 1313內(nèi)，最佳地，第一電極串131上的第一納米銀線導(dǎo)電單元1311與第二電極串133上的 第二納米銀線導(dǎo)電單元1331之間圖形互補(bǔ)，該樣使得光線穿過納米銀線電極層13的材質(zhì) 盡量保持了一致，光學(xué)效果最佳，克服了因材質(zhì)折射率差異所帶來的光線不均勻，浮現(xiàn)電極 圖案等缺點(diǎn)。
[0044] 請(qǐng)繼續(xù)參閱圖5、圖6,由于第二納米銀線導(dǎo)電單元1331之間彼此相對(duì)獨(dú)立，沒有 實(shí)現(xiàn)電性導(dǎo)通，為使之電性導(dǎo)通，需采用"架橋結(jié)構(gòu)"，基板11上表面排布有多個(gè)第一電極 串131和多個(gè)第二電極串133,第一電極串131的第一納米銀線導(dǎo)電單元1311通過第一導(dǎo) 接線1315相串聯(lián)，第二電極串133的第二納米銀線導(dǎo)電單元1331相互獨(dú)立，在基板11上 設(shè)置有貫通其上下兩個(gè)表面的穿孔111，該穿孔111與第二納米銀線導(dǎo)電單元1331相對(duì)應(yīng)， 本實(shí)施例中，每一個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元1331對(duì)應(yīng)兩個(gè)穿孔111，兩個(gè)穿孔111分別對(duì)應(yīng) 于第二納米銀線導(dǎo)電單元1331的菱形沿Y方向的兩個(gè)對(duì)角附近區(qū)域，穿孔111內(nèi)灌注有導(dǎo) 電材料?；?1下方設(shè)置有橋接線18,橋接線18橋接兩個(gè)相鄰的穿孔111，用于連接導(dǎo)通 相鄰兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元1331，最終使第二電極串133實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。
[0045] 所述導(dǎo)電材料可W為納米銀線導(dǎo)電材料、導(dǎo)電銀漿、銅漿或其他導(dǎo)電金屬漿或是 導(dǎo)電碳漿等非金屬導(dǎo)電漿。第一電極串131和第二電極串133由一道制程圖案化形成。
[0046] 所述穿孔111也可W對(duì)應(yīng)在第二納米銀線導(dǎo)電單元1331圖形中的任意位置，穿孔 111形狀可W為圓形，方形，菱形，H角形，多邊形，或不規(guī)則圖形，其寬度為5ym-60ym，優(yōu) 選為 10 y m-40 y m。
[0047] 每條橋接線18將相鄰兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元1331導(dǎo)通，所述橋接線18的長(zhǎng) 度大于或等于相鄰兩個(gè)穿孔111之間的距離，橋接線18的寬度大于穿孔111的寬度，橋接 線18完全覆蓋穿孔111 W保證相鄰兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元1331的完全導(dǎo)通，橋接線 18的材料采用納米銀線。
[0048] 請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7,本實(shí)用新型電容式觸控面板10還包括連通觸控電極與外部柔性 電路板（簡(jiǎn)稱FPC)的走線（未標(biāo)號(hào)），走線包括多條第一走線171與多條第二走線173,每 一第一電極串131通過兩條第一走線171連接至FPC，每一第二電極串133通過兩條第二走 線173連接至FPC，該樣，第一電極串131與第二電極串133通過多條第一走線171與第二 走線173形成雙邊走線，其加強(qiáng)傳輸信號(hào)，減弱信號(hào)衰減，即便是同一第一電極串131或第 二電極串133上其中一條第一走線171或其中一條第二走線173出現(xiàn)斷線現(xiàn)象，電容式觸 控面板10仍然能保持正常工作。該第一走線171和第二走線173材質(zhì)為納米銀線1001，其 可與納米銀線電極層13同一道工藝一起圖案化形成，也可采用傳統(tǒng)ITO觸摸屏工藝，由兩 道制程分別圖案化形成。
[0049] 本實(shí)施例還包括W下變形：
[0050] 走線除了采用納米銀線1001形成外，在另一些實(shí)施例中，走線還可W是其他透明 或不透明導(dǎo)電材料圖案化后形成，所述透明導(dǎo)電材料如；IT0、IZO狂nO: In)、AZO狂nO:Al)、 GZO狂nO:Ga)、IGZ0(In:Ga:化）、納米銅線、石墨帰、聚苯胺、陽DOT. PSS、透明導(dǎo)電高分子材 料、碳納米管、石墨帰等；所述不透明導(dǎo)電材料如：導(dǎo)電金屬Al、Ag、All、化等，或者是導(dǎo)電 金屬層疊結(jié)構(gòu)MoAlMo、MoNb等。
[0051] 第一納米銀線導(dǎo)電單元1311與第二納米銀線導(dǎo)電單元1331可W是矩形，其還可 W是H角形、六邊形、多邊形、圓形，波浪形或不規(guī)則圖形等其他任意形狀。
[0052] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例電容式觸控面板10的納米銀線電極層13主要采用了 納米銀線圖案化后制作而成，納米銀線作為觸控電極導(dǎo)電材料具有價(jià)格低，電阻低，輕薄， 挽性好等優(yōu)點(diǎn)，更重要的是，本實(shí)施例電容式觸控面板10通過將橋接線18設(shè)置于基板11 下表面，通過背面橋接的方式，使得橋接線18的制作變得簡(jiǎn)單，只需在對(duì)應(yīng)的基板11背面 穿孔111位置印刷一層納米銀線層即可，簡(jiǎn)化了工藝的同時(shí)，相比在第一導(dǎo)接線1315上方 形成橋接線18需要在導(dǎo)接線上布設(shè)絕緣層，本實(shí)施例采用背面橋接，故無需在布設(shè)絕緣 層，符合觸控面板輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。橋接線18形成于基板11背面上，形成圖案較為方便， 因此橋接線18的規(guī)格圖案可W實(shí)現(xiàn)多樣化，且圖案化形成過程簡(jiǎn)單。
[0053] 除此W外，橋接線18設(shè)置于基板11的下表面，橋接線不會(huì)受到曲面張力，從而使 得橋接線18連接穩(wěn)定，不易斷線，可W大大的提升產(chǎn)品良率。
[0054] 請(qǐng)參閱圖8,本實(shí)用新型第二實(shí)施例電容式觸控面板20的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例基本 相同，基板21的一面上成型有多個(gè)第一電極串231和多個(gè)第二電極串233,第一電極串231 的第一納米銀線導(dǎo)電單元2311之間通過第一導(dǎo)接線2315相連，第二電極串233的第二納 米銀線導(dǎo)電單元2331通過在基板21另一面形成橋接線28導(dǎo)通，不同之處僅在于；該電容 式觸控面板20在Y方向上相鄰兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元2331之間設(shè)置了兩條橋接線 28,該兩條橋接線28的長(zhǎng)度大于等于相鄰兩個(gè)穿孔211之間的距離，同時(shí)也大于兩相鄰第 二納米銀線導(dǎo)電單元2331在Y方向上的距離。相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元2331之間的橋 接線28不限定條數(shù)，其還可W是多條。
[0055] 通過設(shè)置有多條橋接線28,其可實(shí)現(xiàn)低線電阻，并使得橋接更加穩(wěn)定，大大提高觸 控靈敏度，而且即使其中一條橋接線28斷裂，其他橋接線28仍然正常工作，降低產(chǎn)品廢片 率，大大提升廣品良率。
[0056] 請(qǐng)參閱圖9,本實(shí)用新型第H實(shí)施例電容式觸控面板30的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例基本 相同，基板31的一面上成型有多個(gè)第一電極串331和多個(gè)第二電極串333,第一電極串331 的第一納米銀線導(dǎo)電單元3311之間通過第一導(dǎo)接線3315相連，第二電極串333的第二納 米銀線導(dǎo)電單元3331通過在基板31另一面形成橋接線38導(dǎo)通，不同之處僅在于；每一條 第二電極串333上的所有第二納米銀線導(dǎo)電單元3331之間僅通過一條橋接線38連接，實(shí) 現(xiàn)第二電極串333的電性導(dǎo)通，該橋接線38將所有第二納米銀線導(dǎo)電單元3331對(duì)應(yīng)的所 有穿孔311導(dǎo)接，其長(zhǎng)度大于第二電極串333首尾兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元3331的距 貿(mào)。
[0057] 請(qǐng)參閱圖10,本實(shí)用新型第四實(shí)施例電容式觸控面板50的結(jié)構(gòu)與第H實(shí)施例基 本相同，基板51的一面上成型有多個(gè)第一電極串531和多個(gè)第二電極串533,第一電極串 531的第一納米銀線導(dǎo)電單元5311之間通過第一導(dǎo)接線5315相連，第二電極串533的第二 納米銀線導(dǎo)電單元5331通過在基板51另一面形成橋接線58導(dǎo)通，不同之處僅在于；該電 容式觸控面板50在Y方向上通過兩根緊鄰的橋接線58將每個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元5331 對(duì)應(yīng)的兩個(gè)穿孔511導(dǎo)接，還可W設(shè)置兩根W上的橋接線58進(jìn)行導(dǎo)通，在此不做限定。
[0058] 請(qǐng)參閱圖11、圖12和圖13,本實(shí)用新型第五實(shí)施例電容式觸控面板60的結(jié)構(gòu)與 第一實(shí)施例基本相同，基板61的一面上成型有多個(gè)第一電極串631和多個(gè)第二電極串633， 第一電極串631的第一納米銀線導(dǎo)電單元6311之間通過第一導(dǎo)接線6315相連，第二電極 串633的第二納米銀線導(dǎo)電單元6331通過在基板61另一面形成橋接線68導(dǎo)通，不同之處 僅在于：所述橋接線68設(shè)置成"V "形、"Z "形、"S "形。
[0059] 請(qǐng)參閱圖14,本實(shí)用新型第六實(shí)施例電容式觸控面板70的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例基 本相同，基板71上設(shè)置納米銀線電極層73，該納米銀線電極層73包括多個(gè)沿X方向的第一 電極串731和多個(gè)沿Y方向的第二電極串733,第一電極串731和第二電極串733之間等間 距設(shè)置，不同之處在于；第一電極串731包括兩條相互平行的第一子電極串7312,兩條第一 子電極串7312之間平行設(shè)置并在兩條第一子電極串7312同一端形成電性連接端，第二電 極串733與之類似，但是第二子電極串7332的納米銀線導(dǎo)電單元7331彼此通過基板71下 方的橋接線78相導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)電性連接，橋接線78的種類可選自上述橋接線中的任意一種或 其組合。如此一來，即便是電極串的其中一條子電極串出現(xiàn)線路斷裂的狀況時(shí)，也不影響電 容式觸控面板70的正常工作。
[0060] 請(qǐng)參閱圖15,本實(shí)用新型第走實(shí)施例電容式觸控面板91與實(shí)施例一至實(shí)施例六 中任一實(shí)施例的區(qū)別僅在于：本實(shí)施例在基板911與納米銀線電極層913之間設(shè)置一增粘 層912,故電容式觸控面板91從上至下包括一基板911，一增粘層912, 一納米銀線電極層 913。在基板911與納米銀線電極層913之間涂覆一層增粘層912,增粘層912的涂覆面積 為納米銀線電極層913表面面積的100%，或80% -90%，最低不低于50%，此處涂覆面積 W納米銀線1001成形的納米銀線電極層913表面面積為基準(zhǔn)，即當(dāng)納米銀線電極層913大 于、小于或等于基板911表面面積時(shí)，涂覆面積均為納米銀線電極層913表面面積的100 %， 或80 % -90 %，最低不低于50 %。
[0061] 所述增粘層912的膨脹系數(shù)小于基板911的膨脹系數(shù)，增粘層912的配置可W減 小可挽性基板911在成膜制造工藝中產(chǎn)生翅曲的程度，大大提高產(chǎn)品的良率。
[0062] 所述增粘層912的材料可W選自高分子聚合物、絕緣材料、樹脂、透明光學(xué)膠、氧 化物，類光阻等，包括但不限于；聚己快、聚苯胺、聚芳撐、聚喔吩、石墨帰等物質(zhì)或它們的任 意組合。
[0063] 請(qǐng)參閱圖16,本實(shí)用新型第八實(shí)施例觸控面板92與實(shí)施例一至實(shí)施例六中任一 實(shí)施例的區(qū)別僅在于；本實(shí)施例在納米銀線電極層923表面設(shè)置一平整層924,故，電容式 觸控面板92從上至下包括一基板921，一納米銀線電極層923, 一平整層924。
[0064] 將平整層924涂覆在納米銀線電極層923上方，并經(jīng)過滾壓工藝處理后，能夠使納 米銀線1001之間的搭接面積增大從而提高納米銀線1001的接觸率和導(dǎo)電率，從而達(dá)到良 好的平整度。所述平整層924位于納米銀線電極層923上面，或優(yōu)選的，納米銀線電極層 923在厚度方向上有部分嵌入平整層924中。
[0065] 所述平整層924的材料可W選自高分子聚合物、絕緣材料、樹脂、透明光學(xué)膠、氧 化物，類光阻等，包括但不限于；聚己快、聚苯胺、聚芳撐、聚喔吩、石墨帰聚3,4-亞己基二 氧吩（P邸OT)、等物質(zhì)或它們的任意組合。
[0066] 請(qǐng)參閱圖17,本實(shí)用新型第九實(shí)施例觸控面板93與實(shí)施例一至實(shí)施例六中任一 實(shí)施例的區(qū)別僅在于；本實(shí)施例在納米銀線電極層933下表面設(shè)置一光學(xué)匹配層936,故電 容式觸控面板93從上至下包括一基板931，一納米銀線電極層933, 一光學(xué)匹配層936。在 其他實(shí)施例中，光學(xué)匹配層936也可W設(shè)置在納米銀線電極層933的上表面或同時(shí)設(shè)置在 納米銀線電極層933的上表面和下表面。
[0067] 納米銀線存在一定的霧度問題，為了使整個(gè)觸控面板達(dá)到最佳的顯示效果，本變 形實(shí)施例在觸控面板的納米銀線電極層933下表面設(shè)置光學(xué)匹配層936,該光學(xué)匹配層936 為一層低折射率的光學(xué)膜，其可W降低納米銀線1001的反射，所述低折射率為折射率小于 1. 6,優(yōu)選的為1. 1?1. 6。光學(xué)匹配層936可W為有機(jī)物或無機(jī)物，或有機(jī)-無機(jī)混合涂層。 例如娃氧化物，氯氣化物，氣化鎮(zhèn)，二氧化娃，優(yōu)選的折射率為1. 1，1. 25,1. 32,1. 38,1. 46， 1.50,1.52。光學(xué)匹配層936的光學(xué)膜厚度為1/4波長(zhǎng)奇數(shù)倍。在本實(shí)施例中增加一光學(xué) 匹配層936后，納米銀線電極層933的霧度可降低至5%左右，優(yōu)選地小于3%，2%，1. 5%。
[0068] 為進(jìn)一步降低霧度，所述基板931可替換為1/4波長(zhǎng)延遲片，當(dāng)光通過四分之一波 長(zhǎng)延遲片時(shí)產(chǎn)生反射，由于光程差延遲，入射光與反射光抵消，從而可W降低反射光，降低 納米銀線電極層933中納米銀線的霧度。此外，通過在納米銀線電極層933上方設(shè)置四分 之一波長(zhǎng)延遲片，同時(shí)可W將LCD或OL邸的線偏光轉(zhuǎn)化成圓偏光，從而在偏光太陽鏡下觀 看觸控屏幕不會(huì)出現(xiàn)消光的現(xiàn)象。
[0069] 上述平整層924、增粘層912、光學(xué)匹配層936可任選一個(gè)添加至觸控面板中，也可 任選兩個(gè)添加或都添加。
[0070] W上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用W限制本實(shí)用新型，凡在本 實(shí)用新型的原則之內(nèi)所作的任何修改，等同替換和改進(jìn)等均應(yīng)包含本實(shí)用新型的保護(hù)范圍 之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種電容式觸控面板，包括一基板與一納米銀線電極層，納米銀線電極層設(shè)置在基 板一表面上，其特征在于：所述納米銀線電極層包括沿第一方向排布的第一電極串、第一導(dǎo) 接線和沿第二方向排布的第二電極串，第一電極串包括多個(gè)第一納米銀線導(dǎo)電單元，第二 電極串包括多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元； 基板上對(duì)應(yīng)每個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元區(qū)域內(nèi)設(shè)置有貫通上下表面的穿孔，每個(gè)第二 納米銀線導(dǎo)電單元對(duì)應(yīng)兩個(gè)穿孔； 第一納米銀線導(dǎo)電單元通過第一導(dǎo)接線相連，第二納米銀線導(dǎo)電單元通過穿孔內(nèi)的導(dǎo) 電材料和橋接線相導(dǎo)通，所述橋接線設(shè)置于基板異于納米銀線電極層的一面。
2. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于：所述納米銀線電極層包括基質(zhì) 及分布于所述基質(zhì)中的多條納米銀線，所述多條納米銀線相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，所述第 一納米銀線導(dǎo)電單元和第二納米銀線導(dǎo)電單元的厚度為l〇nm-5iim，方阻為小于lOOohm/ sq，所述多條納米銀線中的每條納米銀線的線長(zhǎng)介于20-50 ii m，線徑小于500nm，長(zhǎng)寬比大 于 400。
3. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于：一條橋接線通過穿孔導(dǎo)通連接 每條第二電極串上所有第二納米銀線導(dǎo)電單元。
4. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于：至少一條橋接線通過穿孔導(dǎo)通 連接第二電極串上相鄰的第二納米銀線導(dǎo)電單元。
5. 如權(quán)利要求4所述的電容式觸控面板，其特征在于：兩條平行并列的橋接線通過穿 孔導(dǎo)通連接第二電極串上相鄰的第二納米銀線導(dǎo)電單元。
6. 如權(quán)利要求4或5任一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其特征在于：所述橋接線的長(zhǎng)度 大于或等于相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元內(nèi)的兩個(gè)穿孔之間的距離。
7. 如權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其特征在于：所述橋接線為直線、 "V"形、"Z"形或"S"形。
8. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于：進(jìn)一步包括第一走線和第二走 線，所述第一走線與所述第一電極串的一端或兩端連接，所述第二走線與所述第二電極串 的一端或兩端連接。
9. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于：所述第一電極串和/或第二電 極串分別包括兩條或多條平行排列的子電極串，該第一納米銀線電極串的兩條或多條子電 極串同一端電性連接，該第二納米銀線電極串的兩條或多條子電極串同一端電性連接。
10. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于：納米銀線電極層兩側(cè)更設(shè)置增 粘層，平整層，光學(xué)匹配層之中的一層或多層，增粘層、平整層、光學(xué)匹配層之中的兩或三層 可設(shè)置在電極圖案層的同側(cè)或異側(cè)，光學(xué)匹配層，增粘層和平整層三者之間位置可互換。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK204155256SQ201420534242
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月17日
【發(fā)明者】呂正源, 林榮琳, 王碩汶, 袁瓊 申請(qǐng)人:宸鴻科技(廈門)有限公司